CN203798886U - 一种电流采样电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管、采样功率NMOS管M2、M3、M4、采样电阻Rs，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2、M3和M4的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2的栅极接电源Vin，采样电阻Rs的一端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地，其特征在于：采样功率NMOS管M3和M4的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3和M4导通状态的信号外部输入管脚A和管脚B提供。可以实现多种限流值，方式简单。

Description

一种电流采样电路
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域，特别涉及用于模拟集成电路中的电流采样电路。 
背景技术
在集成电路的中，尤其是模拟集成电路中，为了检测大电流，因为功耗等的要求需要对电流进行采样后在进行检测。而通常电流的采样只能有一种采样值。 
这样的方案主要存在以下缺陷： 
因为只能采样一种电流，所以它所能检测的电流值只有一种，不便于实现多种电流值得采样检测。
发明内容
为了解决电流检测电路只能采样一种电流值，不便于实现多种电流值得采样检测的缺点。 
本实用新型的解决方案如下： 
一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管（3）、采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）、采样电阻Rs（8），分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）和M4（6）的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）的栅极接电源Vin，采样电阻Rs（8）的一端接采样管NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）的源极，另一端接地。采样功率NMOS管M3（5）和M4（6）的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3（5）和M4（6）导通状态的信号由外部输入管脚A（7）和管脚B（8）提供。
本发明具有以下优点： 
电流采样电路信号A和B由外部输入第一管脚（7）和第二管脚（8）提供。实现多种限流值，方式简单。
附图说明
图1为本发明的示意图。 
具体实施方式
如图1所示，M1、M2、M3、M4为功率NMOS管。M1为分流管，M2、M3、M4为采样管。其中M1、M2栅极接电源Vin，因此M1、M2是处于常导通状态，为固定接入状态。M3、M4的导通状态通过外部输入管脚7和8提供的信号A、B分别接M3、M4的栅极进行控制。当M3、M4的栅极信号为高电平时M3、M4导通，为低电平时M3、M4截止。根据实际需要控制M3、M4的导通状态。管脚Ps 接功率MOS管M1、M2、M3、M4的漏极。采样电阻Rs一端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地。 
Ps 中有电流输入。因为M1、M2是处于常导通状态，Ps 中的电流流过M1、M2，流过M1的电流直接到地，而流过M2的电流流入采样电阻Rs，当外部输入管脚7和8进行控制的M3和/或M4导通时，Ps 中的电流流过它们后，流入采样电阻Rs。流入的电流在采样电阻Rs产生电压Vs后输出给后续电路。 
其中M1、M2、M3、M4以一定的大小比例设置。所设置的比例值根据电路的具体情况而定。通过外部输入管脚7和8对M3和/或M4导通状态的控制，可以通过M2、M3、M4得到不同的采样电流，因此通过采样电阻Rs也就可以产生不同的电压Vs。M2、M3、M4导通的越多，采样的电流越大，产生的采样电压Vs也就越大。最大时为M2、M3、M4全部导通。采样电流具体见下表1（信号A、B不同状态对应采样值）。 

Claims (1)

1.一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管（3）、采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）、采样电阻Rs（8），分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）和M4（6）的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管（3）和采样功率NMOS管M2（4）的栅极接电源Vin，采样电阻Rs（8）的一端接采样功率NMOS管M2（4）、M3（5）、M4（6）的源极，另一端接地，其特征在于：采样功率NMOS管M3（5）和M4（6）的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3（5）和M4（6）导通状态的信号由外部输入管脚A（7）和管脚B（8）提供。
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