CN203659400U - 一种led背光驱动电路及液晶电视机 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种LED背光驱动电路和液晶电视机，所述LED背光驱动电路包括：背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。实施本实用新型，可以降低在板端的损耗，提高效率。

Description

一种LED背光驱动电路及液晶电视机
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种LED背光驱动电路及液晶电视机。
背景技术
在现在的LCD背光驱动中，LED驱动集成电路（LED Driver integrated circuit）一般都需要侦测Light Bar负端的电压，但是背光在PWM（Pulse Width Modulation，脉冲宽带调制）调光时或者3D时，背光源Light Bar负端的电压一般都比较大，一般都在30~50V，如果输出电压很高，那么Light Bar的负端的电压甚至可能达到七八十伏，但是一般的LED Driver IC的侦测Pin的耐压值一般都为30V~40V，所以一般都是在Light Bar负端增加一颗隔离场效应晶体管MOS，使其在Light Bar负端电压大时（如图1所示为12V），关闭MOS，防止损坏IC。
现有技术存在如下缺陷：
现有技术中Light Bar的电流都要流过金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管MOS，这时就要选择一颗大封装的MOS，防止MOS过热，同时也会降低效率，并且MOS上的损耗增加。
实用新型内容
本实用新型提供一种LED背光驱动电路及液晶电视机，所述LED背光驱动电路包括：背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。
其中，所述双极结型晶体管BJT管为PNP型晶体管。
其中，所述场效应晶体管MOS为N沟道MOS管。
其中，所述关断参考电压为12V。
其中，所述电阻为并联的第一电阻和第二电阻。
本实用新型还提供一种液晶电视机，包括：背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。
其中，所述双极结型晶体管BJT管为PNP型晶体管。
其中，所述场效应晶体管MOS为N沟道MOS管。
其中，所述关断参考电压为12V。
其中，所述电阻为并联的第一电阻和第二电阻。
实施本实用新型，在BJT的B极与驱动IC之间设置一隔离MOS，正常工作时不会影响反馈电压导通至IC，且在调光过程中，背光模组BLU关闭阶段，背光源负端VLED-的电压会比较高，这时通过双极结型晶体管BJT管中PN节导通至MOS管，使MOS管关闭，即可防止VLED-端的高压将驱动IC击穿。同时，由于MOS设置在BJT的基极（B极），流过此极的电流极小，因此可以不用考虑其在MOS上的损耗，即使选用一颗较小封装的MOS，也可以降低在板端的损耗，提高效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型LED背光驱动电路的电路示意图。
具体实施方式
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种LED背光驱动电路，包括背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。
在具体实现中，所述关断参考电压为12V，此处仅为举例。另外，与BJT的发射极连接的电阻具体为第一电阻R1和第二电阻R2。具体的，参见图1，其是本实用新型LED背光驱动电路的具体电路示意图，下面结合图1及具体实施例详细说明本实用新型的技术方案。
本实用新型的LED背光驱动电路包括：背光源负端VLED-、驱动IC，双极结型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor），场效应晶体管MOS（简称MOS管），第一电容C1，第二电容C2，第一电阻R1，第二电阻R2；所述驱动IC的控制输出端与所述MOS管的源极（S极）连接；所述MOS管的栅极（G极）连接关断参考电压，具体为12V电源，其漏极（D极）与所述BJT的基极（B极）连接；所述BJT的发射极（E极）与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经并联的第一电阻R1和第二电阻R2接地；所述BJT的集电极（C极）与所述背光源负端VLED-连接。
在具体实现中，所述双极结型晶体管BJT管为PNP型晶体管，所述MOS管为N沟道MOS管。
本实用新型将隔离MOS管放置在BJT双极结型晶体管的B极，正常工作时
不会影响到反馈电压V2导通至驱动IC，但是在调光过程中，背光模组BLU关闭阶段，背光源负端VLED-的电压会比较高，这时候通过PNP管中PN节导通至MOS管，使MOS管关闭，就可防止VLED-端的高压将驱动IC击穿。同时，由于MOS管是使用在BJT的B极，流过此极的电流极小，所以可以不用考虑其在MOS上的损耗，可以选用一颗较小封装的MOS，也可以降低在板端的损耗，提高效率。
本实用新型还提供一种液晶电视机，其LED背光驱动电路的结构与上述的LED背光驱动电路的结构相同，在此不再赘述。
值得注意的是，本实用新型描述的是LED背光驱动电路以及液晶电视机的一种产品形式，其它满足本实用新型所述结构的产品，即使材质、器件名称、外观、器件摆放顺序等不影响产品特性的因素不相同，仍然属于本实用新型保护的范围。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种LED背光驱动电路，其特征在于，包括：背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。
2.如权利要求1所述的LED背光驱动电路，其特征在于，所述双极结型晶体管BJT管为PNP型晶体管。
3.如权利要求2所述的LED背光驱动电路，其特征在于，所述场效应晶体管MOS为N沟道MOS管。
4.如权利要求3所述的LED背光驱动电路，其特征在于，所述关断参考电压为12V。
5.如权利要求4所述的LED背光驱动电路，其特征在于，所述电阻为并联的第一电阻和第二电阻。
6.一种液晶电视机，其特征在于，包括：背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。
7.如权利要求6所述的液晶电视机，其特征在于，所述双极结型晶体管BJT管为PNP型晶体管。
8.如权利要求7所述的液晶电视机，其特征在于，所述场效应晶体管MOS为N沟道MOS管。
9.如权利要求8所述的液晶电视机，其特征在于，所述关断参考电压为12V。
10.如权利要求9所述的液晶电视机，其特征在于，所述电阻为并联的第一电阻和第二电阻。
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