CN203535977U - 一种结构改进的触摸屏用ito导电膜 - Google Patents
一种结构改进的触摸屏用ito导电膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203535977U CN203535977U CN201320629838.8U CN201320629838U CN203535977U CN 203535977 U CN203535977 U CN 203535977U CN 201320629838 U CN201320629838 U CN 201320629838U CN 203535977 U CN203535977 U CN 203535977U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ito layer
- ito
- thickness
- resin matrix
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层、第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，本实用新型通过设置银纳米膜层，利用纳米银的高渗透性和导电性，大大提高了银纳米膜层与树脂基体之间的结合力和本实用新型的导电性，本实用新型通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使本实用新型的晶相结构逐步完善，ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。综上，本实用新型制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。
Description
技术领域
本实用新型涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜。
背景技术
触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询***等。触摸屏制作中常用到ITO导电膜，ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层得到的高技术产品。ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物），作为一种典型的N 型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。
现有的ITO膜，ITO层与树脂基体结合力差，电阻率高、透过率差和化学稳定性差，不能满足生产要求。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种ITO层与树脂基体结合力好、电阻率低、透过率好和化学稳定性好的触摸屏用ITO导电膜。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层、第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层。
优选的，所述树脂基体为厚度比为4:1-2:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体和聚酰亚胺树脂基体压合而成，所述银纳米膜层沉积于聚酰亚胺树脂基体，银纳米膜层可更好的渗透到聚酰亚胺树脂基体，提高了银纳米膜层与聚酰亚胺树脂基体之间的结合力。
优选的，所述树脂基体的厚度为100-150微米，银纳米膜层的厚度为40-60纳米，第一ITO层的厚度为8-10纳米，第二ITO层的厚度为6-8纳米，第三ITO层的厚度为4-6纳米，第四ITO层的厚度为2-4纳米。为了减少厚度对结晶的影响，将第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少，有利于结晶过程的进一步完善，
更为优选的，所述树脂基体的厚度为120-150微米，所述银纳米膜层的厚度为45-55纳米，第一ITO层的厚度为7-8纳米，第二ITO层的厚度为6-7纳米，第三ITO层的厚度为4-5纳米，第四ITO层的厚度为2-3纳米。
作为最佳方案，所述树脂基体的厚度为130微米，所述银纳米膜层的厚度为50纳米，第一ITO层的厚度为9纳米，第二ITO层的厚度为7纳米，第三ITO层的厚度为5纳米，第四ITO层的厚度为3纳米。
优选的，所述树脂基体的上表面贴有保护膜层，保护ITO导电膜在生产过程中不被刮花（划伤）。
本实用新型与现有技术相比较，有益效果在于：本实用新型通过设置银纳米膜层，利用纳米银的高渗透性和导电性，大大提高了银纳米膜层与树脂基体之间的结合力和本实用新型的导电性，本实用新型通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，促使本实用新型的晶相结构逐步完善， ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。综上，本实用新型制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。
附图说明
图1是本实用新型实施例1的结构示意图。
图2是本实用新型实施例2和实施例3的结构示意图。
附图标记
1——聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体
2——聚酰亚胺树脂基体
3——第一ITO层
4——第二ITO层
5——第三ITO层
6——第四ITO层
7——银纳米膜层
8——保护膜层。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。
实施例1。
见图1，一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层7、第一ITO层3、第二ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6，所述树脂基体的厚度为100微米，银纳米膜层7的厚度为40纳米，第一ITO层3的厚度为8纳米，第二ITO层4的厚度为6纳米，第三ITO层5的厚度为4纳米，第四ITO层6的厚度为2纳米。
所述树脂基体为厚度比为4:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体1和聚酰亚胺树脂基体2压合而成，所述银纳米膜层7沉积于聚酰亚胺树脂基体2。
一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜的制备方法，它依次包括以下制备步骤：
步骤A、将树脂基体放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空，将树脂基体运送至溅射室在常温下沉积银纳米膜层7，运送至冷却室冷却至室温；
步骤B、树脂基体加热到200℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第一ITO层3后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤C、将溅射有第一ITO层3的树脂基体加热到220℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第二ITO层4后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤D、将溅射有第二ITO层4的树脂基体加热到230℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第三ITO层5后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤E、将溅射有第三ITO层5的树脂基体加热到240℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第四ITO层6后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤F、将步骤E中冷却后的基片放入卸载室，卸片，得到一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜。
其中，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5%的氧化铟和重量百分含量为5.5%的氧化锡组成。
其中，所述步骤B的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第一ITO层3的树脂基体以8℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在150℃保温2小时；
第二阶段冷却：然后以8℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤C的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第二ITO层4的树脂基体以7℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在150℃保温2小时；
第二阶段冷却：然后以6℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤D的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第三ITO层5的树脂基体以6℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在150℃保温2小时；
第二阶段冷却：然后以5℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤E的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第四ITO层6的树脂基体以4℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在150℃保温2小时；
第二阶段冷却：然后以2℃/小时的速度冷却至室温。
实施例2。
见图2，一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层7、第一ITO层3、第二ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6，所述树脂基体的厚度为130微米，银纳米膜层7的厚度为50纳米，第一ITO层3的厚度为9纳米、第二ITO层4的厚度为7纳米、第三ITO层5的厚度为5纳米，第四ITO层6的厚度为3纳米。
所述树脂基体为厚度比为3:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体1和聚酰亚胺树脂基体2压合而成，所述银纳米膜层7沉积于聚酰亚胺树脂基体2。
所述树脂基体的上表面贴有保护膜层8。
一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜的制备方法，它依次包括以下制备步骤：
步骤A、将树脂基体放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空，将树脂基体运送至溅射室在常温下沉积银纳米膜层7，运送至冷却室冷却至室温；
步骤B、树脂基体加热到210℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第一ITO层3后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤C、将溅射有第一ITO层3的树脂基体加热到220℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第二ITO层4后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤D、将溅射有第二ITO层4的树脂基体加热到230℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第三ITO层5后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤E、将溅射有第三ITO层5的树脂基体加热到240℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第四ITO层6后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤F、将步骤E中冷却后的基片放入卸载室，卸片;
步骤G、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体1的上表面贴有保护膜层8，得到一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜。
其中，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5%的氧化铟和重量百分含量为5.5%的氧化锡组成。
其中，所述步骤B的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第一ITO层3的树脂基体以9℃/小时的速度冷却至151℃；
保温：在151℃保温3小时；
第二阶段冷却：然后以8℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤C的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第二ITO层4的树脂基体以8℃/小时的速度冷却至151℃；
保温：在151℃保温3小时；
第二阶段冷却：然后以6℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤D的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第三ITO层5的树脂基体以6℃/小时的速度冷却至151℃；
保温：在151℃保温3小时；
第二阶段冷却：然后以5℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤E的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第四ITO层6的树脂基体以4℃/小时的速度冷却至151℃；
保温：在151℃保温3小时；
第二阶段冷却：然后以3℃/小时的速度冷却至室温。
实施例3。
见图2，一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层7、第一ITO层3、第二ITO层4、第三ITO层5和第四ITO层6，所述树脂基体的厚度为150微米，银纳米膜层7的厚度为60纳米，第一ITO层3的厚度为10纳米，第二ITO层4的厚度为7纳米，第三ITO层5的厚度为5纳米，第四ITO层6的厚度为2纳米。
所述树脂基体为厚度比为2:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体1和聚酰亚胺树脂基体2压合而成，所述银纳米膜层7沉积于聚酰亚胺树脂基体2。
所述树脂基体的上表面贴有保护膜层8。
一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜的制备方法，它依次包括以下制备步骤：
步骤A、将树脂基体放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空，将树脂基体运送至溅射室在常温下沉积银纳米膜层7，运送至冷却室冷却至室温；
步骤B、树脂基体加热到200℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第一ITO层3后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤C、将溅射有第一ITO层3的树脂基体加热到210℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行沉积，得到第二ITO层4后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤D、将溅射有第二ITO层4的树脂基体加热到220℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第三ITO层5后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤E、将溅射有第三ITO层5的树脂基体加热到240℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行，得到第四ITO层6后，运送至冷却室冷却至室温；
步骤F、将步骤E中冷却后的基片放入卸载室，卸片;
步骤G、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体1的上表面贴有保护膜层8，得到一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜。
其中，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5%的氧化铟和重量百分含量为5.5%的氧化锡组成。
其中，所述步骤B的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第一ITO层3的树脂基体以10℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在155℃保温4小时；
第二阶段冷却：然后以10℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤C的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第二ITO层4的树脂基体以8℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在150℃保温4小时；
第二阶段冷却：然后以8℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤D的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第三ITO层5的树脂基体以6℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在150℃保温4小时；
第二阶段冷却：然后以6℃/小时的速度冷却至室温。
其中，所述步骤E的冷却具体分为：
第一阶段冷却：将溅射有第四ITO层6的树脂基体以5℃/小时的速度冷却至150℃；
保温：在150℃保温4小时；
第二阶段冷却：然后以4℃/小时的速度冷却至室温。
将实施例1-3制得的触摸屏用ITO导电膜进行以下性能测试，详见表1。
（1） 透过率测定：
采用OLYMPUS Corporation USPM-LH（型号SNo 11A1002）测定经烘烤后样品的透过率，扫描范围为380nm—780nm。
（2） 方阻测定：
采用日本三菱MCP-T360 测定样品的阻抗。
（3） 附着力测定
采用ZEHNTNER 百格刀在样品表面划出大小均匀的间隔为1 毫米的小方格100，用特定胶带牢固粘贴在划格表面上，用力撕下，统计膜脱落的小方格数。
（4） 耐酸测定
将样品完全置于标准蚀刻液溶液中20min 后取出，测定蚀刻前后样品方阻有无变化。
通过表1可以看出本实用新型制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、附着力、化学稳定性好。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
Claims (6)
1.一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：包括树脂基体和依次沉积在树脂基体下表面的银纳米膜层、第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层。
2.根据权利要求1所述的一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体为厚度比为4:1-2:1的聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体和聚酰亚胺树脂基体压合而成，所述银纳米膜层沉积于聚酰亚胺树脂基体。
3.根据权利要求1所述的一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体的厚度为100-150微米，银纳米膜层的厚度为40-60纳米，第一ITO层的厚度为8-10纳米，第二ITO层的厚度为6-8纳米，第三ITO层的厚度为4-6纳米，第四ITO层的厚度为2-4纳米。
4.根据权利要求1所述的一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体的厚度为120-150微米，所述银纳米膜层的厚度为45-55纳米，第一ITO层的厚度为7-8纳米，第二ITO层的厚度为6-7纳米，第三ITO层的厚度为4-5纳米，第四ITO层的厚度为2-3纳米。
5.根据权利要求1所述的一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体的厚度为130微米，所述银纳米膜层的厚度为50纳米，第一ITO层的厚度为9纳米，第二ITO层的厚度为7纳米，第三ITO层的厚度为5纳米，第四ITO层的厚度为3纳米。
6.根据权利要求1所述的一种结构改进的触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体的上表面贴有保护膜层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320629838.8U CN203535977U (zh) | 2013-10-12 | 2013-10-12 | 一种结构改进的触摸屏用ito导电膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320629838.8U CN203535977U (zh) | 2013-10-12 | 2013-10-12 | 一种结构改进的触摸屏用ito导电膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203535977U true CN203535977U (zh) | 2014-04-09 |
Family
ID=50422159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320629838.8U Expired - Fee Related CN203535977U (zh) | 2013-10-12 | 2013-10-12 | 一种结构改进的触摸屏用ito导电膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203535977U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107863181A (zh) * | 2016-11-04 | 2018-03-30 | 江苏日久光电股份有限公司 | 一种ito导电膜 |
-
2013
- 2013-10-12 CN CN201320629838.8U patent/CN203535977U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107863181A (zh) * | 2016-11-04 | 2018-03-30 | 江苏日久光电股份有限公司 | 一种ito导电膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| He et al. | Flexible transparent conductive films on the basis of Ag nanowires: design and applications: a review | |
| CN102956287B (zh) | 透明导电性薄膜及其制造方法 | |
| CN204028877U (zh) | 一种基于纳米银线的双层电容式触摸屏用透明导电薄膜组 | |
| CN204659076U (zh) | 一种柔性基底镀铜膜结构 | |
| CN103050169A (zh) | 一种柔性透明电极及其制备方法 | |
| CN101465172A (zh) | 复合结构透明导电膜及其制备方法 | |
| CN203085198U (zh) | 一种柔性透明电极 | |
| CN102324271A (zh) | 一种结晶型ito透明导电薄膜及其制备方法 | |
| Dong et al. | Fabrication of high-quality flexible transparent conductive thin films with a Nb2O5/AgNWs/Nb2O5 sandwich structure | |
| CN106571173B (zh) | 耐高温复合透明导电膜、制备方法和应用 | |
| CN104810114B (zh) | 高透光率柔性聚酰亚胺基底ito导电薄膜及其制备方法与应用 | |
| CN109461518A (zh) | 一种透明导电膜及其制备方法 | |
| Yu et al. | Simultaneously improved conductivity and adhesion of flexible AgNW networks via a simple hot lamination process | |
| CN203535978U (zh) | 一种触摸屏用ito导电膜 | |
| CN103489505B (zh) | 一种触摸屏用ito导电膜及其制备方法 | |
| WO2019024217A1 (zh) | 导电膜以及触控屏 | |
| CN203535977U (zh) | 一种结构改进的触摸屏用ito导电膜 | |
| CN102544388B (zh) | 一种基于碳纳米管/银/掺铝氧化锌结构的柔性电极 | |
| CN203941708U (zh) | 一种基于纳米银线的柔性透明导电薄膜 | |
| CN107731352B (zh) | 柔性电子玻璃透明导电氧化物薄膜电路制备方法 | |
| CN105489270B (zh) | 一种夹层结构透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN105845752B (zh) | 一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN106328252A (zh) | 一种纳米银线导电透明薄膜及其制作方法 | |
| CN105970167A (zh) | 一种用于触摸屏的ato薄膜及其制备方法 | |
| CN114231903B (zh) | 一种氧化铌/银纳米线双层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140409 Termination date: 20211012 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |