CN203443756U - 磁流体密封件真空度检测*** - Google Patents

磁流体密封件真空度检测*** Download PDF

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余雀林
赵张云
杨阳
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JIANGSU HINANO PRECISION ASSEMBLY CO., LTD.
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Abstract

本实用新型公开了磁流体密封件真空度检测***,包括:真空腔、与真空腔连接的前级泵、分子泵、真空计及与所述真空计连接的真空计显示器,所述真空腔底部固定在工作台上;所述前级泵、分子泵与所述真空腔连接处设有真空阀门。本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,更好的保证了磁流体密封件在极限耐真空度这一指标的检测精度,简单的连接和操作方法使***能够较好的运用在磁流体密封件的产线上。更加有利于从行业的角度规肃磁流体密封件耐真空度这一指标,使磁流体密封件的真空度指标检测做到有迹可循。

Description

磁流体密封件真空度检测***
技术领域
本实用新型涉及一种磁流体密封件真空度的检测装置,尤其涉及真空度要求高时的磁流体密封件极限耐真空度检测的磁流体密封件真空度检测***。
背景技术
磁流体密封件的使用领域通常是真空密封行业,一些工况下,对真空度的要求较为严格,真空度较高。在目前的磁流体密封件领域,普遍的检测项目是采用氦质谱检漏仪进行的密封件泄露检测,其精度可达到1×10-10Pa·m3/sec。氦质谱检漏仪设备中含有分子泵及前级泵,在检漏之前会对真空腔预抽一定的真空度,一般使用氦质谱检漏仪最多将真空腔抽到1×10-3Pa的真空度,对于真空度要求不高的场合。
而对于真空度要求较高的场合,如真空度达到1×10-6Pa,使用氦质谱检漏仪就无法满足对磁流体密封件极限耐真空度的检测需求,更加无法测量出磁流体密封件在高真空工况下的漏率。
分子泵的使用情况有一定的限制,破除真空的过程中,若未等分子泵的叶片完全停下就将大气经由分子泵进入大气,极有可能将分子泵的叶片打坏。
实用新型内容
针对现有检测方案的局限性,本实用新型的目的在于提供一种能够较快实现磁流体密封件产品真空度检测,适用于实验室或者磁流体密封件生产线使用的磁流体密封件真空度检测***。
本实用新型提供的磁流体密封件真空度检测***包括:真空腔、与真空腔连接的前级泵、分子泵、真空计及与真空计连接的真空计显示器,真空腔底部固定在工作台上;前级泵、分子泵与真空腔连接处设有真空阀门。
在一些实施方式中,真空腔顶部为法兰盘,磁流体密封件连接于法兰盘,真空腔与磁流体密封件之间通过橡胶“O”型圈形成平面静密封,磁流体密封件真空端朝向真空腔腔体。
在一些实施方式中,前级泵与分子泵各自与真空腔连接,形成独立的抽吸真空通道。
在一些实施方式中,前级泵和分子泵与真空腔之间均设有真空阀门,在给真空***放气即破除真空的过程中,关闭分子泵与真空腔之间的真空阀门,以避免分子泵的叶片被突然进入的大量空气打坏。
在一些实施方式中,真空计与真空腔腔体连接,真空计测得,通过真空计显示器显示的真空度数值即为磁流体密封件的极限耐真空度。
本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,与现有技术相比,具有以下优点:
1.本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,在反复抽真空与破除真空的过程中,较好的省去了破真空时等待分子泵叶片停止的时间,同时,避免分子泵的叶片被突然进入的大量空气打坏。
2. 本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,装置的结构较为简单,仅通过开关阀门就可以达到反复检测的效果,检测结果准确,效率高。
3. 本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,磁流体密封件真空度检测***放气迅速,取放工件方便,操作简单。
本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,更好的保证了磁流体密封件在极限耐真空度这一指标的检测精度,简单的连接和操作方法使***能够较好的运用在磁流体密封件的产线上。更加有利于从行业的角度规肃磁流体密封件耐真空度这一指标,使磁流体密封件的真空度指标检测做到有迹可循。
附图说明
图1为本实用新型一种实施方式的磁流体密封件真空度检测***的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例来对本实用新型作进一步的详细描述说明。
图1示意性地显示了根据本实用新型一种实施方式的磁流体密封件真空度检测***。
如图所示,本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,包括分子泵1,前级泵2,真空计3,真空腔4,第一真空阀门5,第二真空阀门6及及真空计显示器。真空腔4底部固定于工作台上。
真空腔4顶部设有法兰盘7,磁流体密封件通过橡胶“O”型圈的端面密封摆放在真空腔4顶部的法兰盘7面上,磁流体密封件真空端面与法兰盘7面接触,真空腔4与磁流体密封件之间通过橡胶“O”型圈形成平面静密封。
分子泵1、前级泵2均真空腔4连接,且属于并联连接方式。前级泵2和分子泵1与真空腔4之间均设有真空阀门,前级泵2与真空腔4之间的为第二真空阀门6,分子泵1与真空腔4之间的为第一真空阀门5。
装置抽真空时,首先关闭第一真空阀门5,打开第二真空阀门6,启动前级泵2,开始抽真空,当真空度达到分子泵1工作的最低真空度值时,启动分子泵1,打开第一真空阀门5,抽高真空。破除真空时,首先关闭第一真空阀门5,接着关闭分子泵1,保持第二真空阀门6打开,关闭前级泵2,空气可由前级泵2的连接管道通入真空腔4中。
上述步骤中,在给真空***放气即破除真空的过程中,关闭分子泵1与真空腔4之间的第一真空阀门5,以避免所述分子泵1的叶片被突然进入的大量空气打坏。
真空计3与所述真空腔4腔体连接,所述真空计3测得的真空度数值即为磁流体密封件的极限耐真空度,其真空计3测得的真空度数通过真空计显示器显示。
本实用新型的磁流体密封件真空度检测***,关闭第一真空阀门5,打开第二真空阀门6,启动前级泵2,开始抽真空,当真空度达到分子泵1工作的最低真空度值时,启动分子泵1,打开第一真空阀门5,抽高真空。在分子泵1工作过程中,真空腔4的真空度会不断上升,并且真空度可以由真空计显示器读取,抽真空若干时间之后,装置整体的真空度无法再提高,除去磁流体密封件达到极限真空度这一个可能性,有可能是腔体真空度已达到分子泵1的极限真空度,可以通过判别真空计显示器显示的真空度数值是否达到了分子泵1的极限值,该情况可以通过选取分子泵1的极限真空度大于磁流体密封件的期望极限真空度来避免。当真空***运行一段时间之后,当真空度超出磁流体密封件的极限耐真空度时,密封件会发生一定程度的泄漏,直接导致分子泵1无法进一步抽真空,真空计显示器的数值不再上升时,则说明该真空度为磁流体密封件所能达到的极限真空度。
破除真空时,首先关闭第一真空阀门5,接着关闭分子泵1,保持第二真空阀门6打开,关闭前级泵2,空气可由前级泵2的连接管道通入真空腔4中,此时,腔体内压力值迅速回升,当上升到一个大气压时,可以顺利将磁流体密封件取下。
如此抽真空与破除真空的过程反复进行,可以逐一检测磁流体密封件的极限耐真空度。在反复抽真空与破除真空的过程中,本实用新型较好的省去了破真空时等待分子泵叶片停止的一段时间,且装置的结构较为简单,仅通过开关阀门就可以达到反复检测的效果。
本实用新型的技术方案在磁流体密封件的极限耐真空度检测中,主要体现出以下几个效果:
1.结果精准:仅仅通过理论计算橡胶“O”型圈的密封性能来判断磁流体密封件的极限耐真空度,无法保证磁流体密封件在与真空腔4连接时,实际工况下能承受的最大真空度。本装置通过模拟磁流体密封件的实际连接方式和工作环境,准确的得到磁流体密封件的极限耐真空度数值。
2.效率较高:与以往的前级泵2和分子泵1直接连接的方式不同。本实用新型采用将分子泵1与前级泵2并联的方式,很好的节省了在破除真空过程中等待分子泵1叶片停止的一段时间。操作简单易懂,磁流体密封件的安装和拆卸都较为方便。
以上所述,仅为本实用新型较为典型的实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或更替,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.磁流体密封件真空度检测***,其特征在于,包括:真空腔、与所述真空腔连接的前级泵、分子泵、真空计及与所述真空计连接的真空计显示器,所述真空腔底部固定在工作台上;所述前级泵、分子泵与所述真空腔连接处设有真空阀门。
2.根据权利要求1所述的磁流体密封件真空度检测***,其特征在于,所述真空腔顶部为法兰盘,所述磁流体密封件连接于所述法兰盘,所述真空腔与磁流体密封件之间通过橡胶“O”型圈形成平面静密封,磁流体密封件真空端朝向所述真空腔腔体。
3.根据权利要求2所述的磁流体密封件真空度检测***,其特征在于,所述前级泵与所述分子泵各自与所述真空腔连接,形成独立的抽吸真空通道。
4.根据权利要求1至3中任一所述的磁流体密封件真空度检测***,其特征在于,所述前级泵和所述分子泵与所述真空腔之间均设有真空阀门,在给真空***放气即破除真空的过程中,关闭所述分子泵与所述真空腔之间的真空阀门,以避免所述分子泵的叶片被突然进入的大量空气打坏。
5.根据权利要求4所述的磁流体密封件真空度检测***,其特征在于,所述真空计与所述真空腔腔体连接,所述真空计测得,通过所述真空计显示器显示的真空度数值即为磁流体密封件的极限耐真空度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patentee after: JIANGSU HINANO PRECISION ASSEMBLY CO., LTD.

Address before: 226000 Jiangsu city of Nantong province Nantong City Economic and Technological Development Zone Tongsheng Road No. 188 B block 4 layer

Patentee before: Jiangsu Haina Magnetic Nano New Material Technology Co., Ltd.

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Inventor after: Yang Yang

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