CN203387664U - 发声器件 - Google Patents

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CN203387664U CN201320295532.3U CN201320295532U CN203387664U CN 203387664 U CN203387664 U CN 203387664U CN 201320295532 U CN201320295532 U CN 201320295532U CN 203387664 U CN203387664 U CN 203387664U
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magnet
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刘建飞
孙立国
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Goertek Inc
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Abstract

本实用新型提供了一种发声器件,包括磁路***,以及收容固定所述磁路***的外壳。所述磁路***为双磁路结构,包括盆架,以及位于盆架中心位置的内磁路和位于边缘位置的外磁路,所述外磁路包括导磁的外华司和外磁铁,所述内磁路包括内磁铁,所述内磁铁和所述外磁铁之间形成磁间隙,其中,所述外壳上设有限定所述外华司的限位部,所述外华司设有对应所述限位部的压边。这种结构节省扬声器内部的空间,有效地固定了外磁路,提高了产品的可靠性。

Description

发声器件
技术领域
本实用新型涉及电声领域,具体涉及一种发声器件。 
背景技术
现有技术中的发声器件包括磁路***,以及收容固定所述磁路***的外壳。扬声器需要通过模拟手机掉落的可靠性跌落实验,而传统结构外磁路华司没有压边,壳体限位部高度较高,占用了扬声器内部空间,压缩了磁路上方振动组件的空间,增加了扬声器的设计难度;传统结构抑或外磁路上方没有限位部,跌落实验外磁路容易脱落。因此,有必要对这种结构的发声器件进行改进,以避免上述缺陷。 
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种发声器件,可以节省扬声器内部的空间,并有效防止外磁路掉落的缺点,提高产品的可靠性。 
为了实现上述目的,本实用新型提供了一种发声器件,包括磁路***,以及收容固定所述磁路***的外壳。所述磁路***为双磁路结构,包括盆架,以及位于所述盆架中心位置的内磁路和位于边缘位置的外磁路,所述外磁路包括导磁的外华司和外磁铁,所述内磁路包括内磁铁,所述内磁铁和所述外磁铁之间形成磁间隙,其中,所述外壳上设有限定所述外华司的限位部,所述外华司设有对应所述限位 部的压边。 
此外,优选的方案是,所述压边位于所述外华司靠近所述外壳一侧,且远离所述外磁铁的位置。 
此外,优选的方案是,所述限位部位于所述外壳的内侧,与所述压边抵接。 
此外,优选的方案是,所述外壳上靠近所述磁间隙一侧设有限定所述外华司位置的限位挡臂。 
此外,优选的方案是,所述外华司上设有与所述限位挡臂卡合的定位部。 
此外,优选的方案是,所述外磁铁和所述内磁铁远离所述外华司的一侧结合有盆架,所述盆架上设有凸台,所述凸台贴合于所述外磁铁靠近所述磁间隙一侧的底部。 
采用上述技术方案后,与传统结构相比,本实用新型在外壳上设有限定外华司的限位部,华司上设有对应外壳限位部的压边。从而节省扬声器内部的空间,有效地固定了外磁路,提高了产品的可靠性。 
附图说明
通过下面结合附图对本实用新型进行描述,本实用新型的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。 
图1是本实用新型发声器件的外壳和磁路***的立体分解结构示意图; 
图2是本实用新型发声器件外壳和磁路***组装后的剖面结构示意图; 
图3是本实用新型发声器件外华司的立体结构示意图; 
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述。 
本实用新型所提供的发声器件,包括磁路***,以及收容固定所述磁路***的外壳11。如图1和图2所示,磁路***为双磁路结构,包括盆架12,以及位于盆架12中心位置的内磁路和位于边缘位置的外磁路,内磁路包括内华司21和内磁铁22,外磁路包括外华司23和外磁铁24,内华司21和外华司23均为导磁的结构,可以调整磁力线的方向,内磁铁22和外磁铁24之间形成磁间隙,磁路***形成闭合的磁路。 
如图2和图3所示,本实用新型外华司23靠近外壳11一侧且远离外磁铁24的位置设有压边232。外壳11内侧对应于外华司位置设有限位部111,压边232与限位部111均为延伸结构,两者对应卡合,从而固定了外磁路。这种结构使外壳11的限位部111占用了外华司23的一部分位置,从而节省了发声器的空间,增加了振动组件的空间,这样可以设计更大振幅的发声器。或者在相同振幅的情况下降低了杂音的风险,使结构更加紧凑,从而可以使得发声器更薄。 
优选的,在外壳11的内侧壁上可设有限位挡臂112,外华司23上设有延伸的定位部231,定位部231与限位挡臂112对应卡合,从而限定了外磁路的具***置。如图1和图2所示,本实施例限位挡臂112为 直角结构,定位部231为平行于外华司23轴线方向延伸的结构。这种设计可以增加外磁路的固定效果。 
优选的,盆架12对应于外磁铁24靠近磁间隙的一侧设有凸台121,凸台121抵接于外磁铁24的底部。这种结构既避免了外磁铁24与内磁铁22的吸合,又固定了外磁路的位置。 
以上仅为本实用新型实施案例而已,并不用于限制本实用新型,但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化,皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。 

Claims (6)

1.一种发声器件,包括磁路***,以及收容固定所述磁路***的外壳; 
所述磁路***为双磁路结构,包括盆架,以及位于所述盆架中心位置的内磁路和位于边缘位置的外磁路,所述外磁路包括导磁的外华司和外磁铁,所述内磁路包括内磁铁,所述内磁铁和所述外磁铁之间形成磁间隙,其特征在于: 
所述外壳上设有限定所述外华司的限位部,所述外华司设有对应所述限位部的压边。 
2.根据权利要求1所述的发声器件,其特征在于,所述压边位于所述外华司靠近所述外壳一侧,且远离所述外磁铁的位置。 
3.根据权利要求1或2所述的发声器件,其特征在于,所述限位部位于所述外壳的内侧,与所述压边抵接。 
4.根据权利要求3所述的发声器件,其特征在于,所述外壳上靠近所述磁间隙一侧设有限定所述外华司位置的限位挡臂。 
5.根据权利要求4所述的发声器件,其特征在于,所述外华司上设有与所述限位挡臂卡合的定位部。 
6.根据权利要求3所述的发声器件,其特征在于,所述外磁铁和所述内磁铁远离所述外华司的一侧结合有盆架,所述盆架上设有凸台,所述凸台贴合于所述外磁铁靠近所述磁间隙一侧的底部。 
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GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee after: GOERTEK Inc.

Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee before: Goertek Inc.

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