CN203367346U - 具有侧面电极的led芯片及其封装结构 - Google Patents
具有侧面电极的led芯片及其封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203367346U CN203367346U CN 201320293409 CN201320293409U CN203367346U CN 203367346 U CN203367346 U CN 203367346U CN 201320293409 CN201320293409 CN 201320293409 CN 201320293409 U CN201320293409 U CN 201320293409U CN 203367346 U CN203367346 U CN 203367346U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- type layer
- led chip
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种具有侧面电极的LED芯片及其封装结构，该芯片具有侧面电极的LED芯片，包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极，该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。本实用新型所述的LED芯片，其上、下两个表面均可射出光线，大大提高了LED芯片的发光效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED封装技术领域，具体的说是一种具有侧面电极的LED芯片及其封装结构。
背景技术
对于LED（Light Emitting Diode，发光二极管）而言，LED芯片及其封装结构直接决定了其光提取效率，是影响LED发光效率的主要因素之一。目前，主要有两种芯片及其封装结构：正装芯片封装结构和倒装芯片封装结构，两者都是单面出光的封装结构。
正装芯片及其封装结构如图1与图2所示，芯片结构包括衬底1、N型层2、发光层3、P型层4、P电极6和N电极5。封装结构包括LED芯片、封装支架9、焊线7和封装层8。LED芯片在正向偏压的电流作用下，发出单色光（如，蓝光），光线射出时需要穿透P型层4和封装层8。由于P电极6和焊线7的存在，相当一部分光会被阻挡住，降低了LED的发光效率。
为了克服P电极和焊线对光线的阻挡，如今普遍采用倒装芯片封装结构，如图3与图4所示，倒装芯片结构包括衬底10、N型层20、发光层30、P型层40、反射层50、P电极70和N电极60。P电极70和N电极60分别位于P型层40与N型层20的下方，反射层50设置在P电极70与P型层40之间。发光层30朝封装支架80方向射出的光线经过反射之后再从衬底10一侧射出封装层90。此种结构，不需要使用焊线，且P电极70位于P型层40下方，避免了P电极70和焊线对LED发光效率的影响，可以提高LED的发光效率，但是反射层的反射率不可能达到100%，LED芯片射出的光线仍然会有部分损失。
实用新型内容
本实用新型的其中一目的在于提供了一种具有侧面电极的LED芯片。
本实用新型的另一目的在于提供一种使用上述具有侧面电极的LED芯片的封装结构。
为了达到上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案：
一种具有侧面电极的LED芯片，包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极，该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。
作为本实用新型的优选技术方案，所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。
作为本实用新型的优选技术方案，所述P型层上覆盖有一透明的导电层，该导电层的一端与该P电极相连接。
一种封装结构，包括LED芯片与封装支架；该LED芯片包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极。
该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面；
该封装支架上开设有放置该LED芯片的通孔，该LED芯片设于该通孔内，其N电极与P电极侧分别设有焊接层，该N电极与P电极分别通过该焊接层与该封装支架导电连接。
作为本实用新型的优选技术方案，所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LED芯片的P型层上覆盖有一透明的导电层，该导电层的一端与该P电极相连接。
作为本实用新型的优选技术方案，所述LED芯片的上表面与下表面分别设有封装层。
作为本实用新型的优选技术方案，所述封装层为荧光胶、环氧树脂、透明塑胶或玻璃材质的封装层。
作为本实用新型的优选技术方案，所述封装支架上的通孔的深度与该LED芯片的厚度一致。
作为本实用新型的优选技术方案，所述焊接层为锡层。
与现有技术相比，本实用新型所述的LED芯片，其上、下两个表面均可射出光线，大大提高了LED芯片的发光效率；采用此种LED芯片的封装结构，其LED芯片可以通过两侧的P电极与N电极作为焊盘分别与LED支架固定，形成的LED器件，其上、下两个表面均可射出光线，大大提高了LED器件的发光效率。
附图说明
图1为已知技术中正装LED芯片的示意图。
图2为采用图1所示的正装LED芯片的封装结构示意图。
图3为已知技术中倒装LED芯片的示意图。
图4为采用图3所示的倒装LED芯片的封装结构示意图。
图5为本实用新型中LED芯片第一实施例的示意图。
图6为本实用新型中LED芯片第二实施例的示意图。
图7为本实用新型中采用图6所示的LED芯片的封装结构示意图。
具体实施方式
请参阅图5，图中所示的LED芯片，包括衬底101、设于该衬底101上的N型层102、发光层103、P型层104及与该N型层102导电连接的N电极105、与该P型层104导电连接的P电极106。该N电极105的一端沿该N型层102的侧面延伸至该衬底101的一侧面；该P型层104、该发光层103及该N型层102的侧面设有绝缘层107，该P电极107的一端沿该绝缘层107的侧面延伸至该衬底101的另一侧面（该侧面是与设置N电极105相对的侧面）。
较优的，所述N电极105、该P电极106与该衬底101的侧面之间分别设有一反射层120，以进一步提高LED芯片的光取出效率。
请参阅图6，为增强P电极106与P型层104的导电连接性能，较优的，可以在该P型层104上覆盖有一透明的导电层108，该导电层108的一端与该P电极106相连接，以此使P电极106与P型层104形成导电连接。
较优的，所述衬底101可以使用折射率较高的蓝宝石衬底。
请参阅图6与图7，一种封装结构，该具体实施方案以采用图6所示的LED芯片为优选方案予以说明，但并不局限于此，该封装结构包括LED芯片与封装支架；该LED芯片包括衬底101、设于该衬底上的N型层102、发光层103、P型层104及与该N型层102导电连接的N电极105、与该P型层104导电连接的P电极106。其中，该P电极106与覆盖在该P型层104上的透明的导电层108连接，以此形成与该P型层104的导电连接。
该N电极105的一端沿该N型层102的侧面延伸至该衬底101的一侧面；该P型层104、该发光层103及该N型层102的侧面设有绝缘层107，该P电极106的一端沿该绝缘层107的侧面延伸至该衬底101的另一侧面（该侧面是与设置N电极105相对的侧面）。
较优的，所述N电极105、该P电极106与该衬底101的侧面之间分别设有一反射层120，以进一步提高LED芯片的光取出效率。
该封装支架110上开设有放置该LED芯片的通孔111，为防止LED芯片凸出于该封装支架110，进一步便于封装，该通孔111的深度与该LED芯片的厚度一致。较优的，以适用于目前的业界的主流LED芯片，该通孔111的深度为90-600微米。
该LED芯片设于该通孔111内，其N电极105与P电极106侧分别设有焊接层112，该N电极105与P电极106分别通过该焊接层112与该封装支架110导电连接。较优的，该焊接层112可以采用导热及焊接性能良好的锡材料。设置该焊接层112时，可以将焊接材料分别放置在N电极105与通孔111及P电极106与通孔111的间隙处，通过回流焊或激光焊接工艺形成，以此将LED芯片与封装支架110固定，并与封装支架110形成导电连接。此种封装结构的LED器件，其上、下两个表面均可以发光，该发光层103产生的光线可以从上、下两个方向无障碍的射出，大大提高LED的发光效率。
较优的，由于LED芯片为单色光，如蓝光、蓝紫光、近紫外光；为实现白光光谱；同时，保护LED芯片；可在LED芯片的上、下表面分别设置封装层109。该封装层109可以采用折射率较高的荧光胶、环氧树脂、透明塑胶或玻璃材料。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非用来限定本实用新型的实施范围；凡是依本实用新型所作的等效变化与修改，都被本实用新型权利要求书的范围所覆盖。
Claims (10)
1.一种具有侧面电极的LED芯片，包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极，其特征在于：该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面。
2.根据权利要求1所述的具有侧面电极的LED芯片，其特征在于：所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。
3.根据权利要求1所述的具有侧面电极的LED芯片，其特征在于：所述P型层上覆盖有一透明的导电层，该导电层的一端与该P电极相连接。
4.一种封装结构，包括LED芯片与封装支架；该LED芯片包括衬底、设于该衬底上的N型层、发光层、P型层及与该N型层导电连接的N电极、与该P型层导电连接的P电极，其特征在于：
该N电极的一端沿该N型层的侧面延伸至该衬底的一侧面；该P型层、该发光层及该N型层的侧面设有绝缘层，该P电极的一端沿该绝缘层的侧面延伸至该衬底的另一侧面；
该封装支架上开设有放置该LED芯片的通孔，该LED芯片设于该通孔内，其N电极与P电极侧分别设有焊接层，该N电极与P电极分别通过该焊接层与该封装支架导电连接。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述N电极、该P电极与该衬底的侧面之间分别设有一反射层。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述LED芯片的P型层上覆盖有一透明的导电层，该导电层的一端与该P电极相连接。
7.根据权利要求4或6所述的封装结构，其特征在于：所述LED芯片的上表面与下表面分别设有封装层。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于：所述封装层为荧光胶、环氧树脂、透明塑胶或玻璃材质的封装层。
9.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述封装支架上的通孔的深度与该LED芯片的厚度一致。
10.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述焊接层为锡层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320293409 CN203367346U (zh) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 具有侧面电极的led芯片及其封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201320293409 CN203367346U (zh) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 具有侧面电极的led芯片及其封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203367346U true CN203367346U (zh) | 2013-12-25 |
Family
ID=49815066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201320293409 Expired - Lifetime CN203367346U (zh) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 具有侧面电极的led芯片及其封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203367346U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110010477A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-07-12 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺 |
| CN113555480A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-10-26 | 江西乾照光电有限公司 | 一种具有侧壁异形电极结构的led芯片 |
-
2013
- 2013-05-24 CN CN 201320293409 patent/CN203367346U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110010477A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-07-12 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺 |
| CN110010477B (zh) * | 2018-10-10 | 2020-10-27 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 一种侧面散热型密闭射频芯片封装工艺 |
| CN113555480A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-10-26 | 江西乾照光电有限公司 | 一种具有侧壁异形电极结构的led芯片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN202067790U (zh) | 圆片级玻璃型腔的硅通孔led封装结构 | |
| KR101846110B1 (ko) | Led 라이트 바 제조방법 및 led 라이트 바 | |
| CN102447030B (zh) | 发光器件和照明*** | |
| CN105470373B (zh) | 覆晶式发光二极管封装结构 | |
| CN103236490B (zh) | Led倒装芯片封装器件、其制造方法及使用其的封装结构 | |
| CN104465895A (zh) | Led芯片及其制作方法 | |
| CN203521454U (zh) | 一种倒装led芯片的欧姆接触电极结构及倒装led芯片 | |
| CN103943747A (zh) | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 | |
| CN104103734B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| CN203367346U (zh) | 具有侧面电极的led芯片及其封装结构 | |
| CN103296173A (zh) | 具有侧面电极的led芯片及其封装结构 | |
| CN101859865B (zh) | 一种大功率白光led器件的无金线封装方法及白光led器件 | |
| CN203312358U (zh) | Led芯片倒装结构 | |
| CN208655680U (zh) | 一种发光二极管芯片 | |
| CN203521472U (zh) | 一种倒装led芯片的焊接电极结构及倒装led芯片 | |
| CN103456866B (zh) | 一种全方位发光的倒装led芯片 | |
| CN204577455U (zh) | 一种倒装led芯片 | |
| CN103456856A (zh) | 一种倒装led芯片的欧姆接触电极结构及倒装led芯片 | |
| CN203521458U (zh) | 一种全方位发光的倒装led芯片 | |
| CN207116432U (zh) | 一种csp封装的高压led芯片结构 | |
| CN205960024U (zh) | 一种倒装led芯片 | |
| TWI479695B (zh) | A light emitting diode chip and a light emitting element | |
| CN203521456U (zh) | 倒装led芯片的反射层结构及倒装led芯片 | |
| CN205845997U (zh) | 一种适于芯片级封装的led芯片结构 | |
| CN112823427B (zh) | 一种半导体发光元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20131225 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |