CN203277360U - 一种大功率半导体器件用的引线框架 - Google Patents
一种大功率半导体器件用的引线框架 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种大功率半导体器件用的引线框架,由十个引线框单元(1)单排组成,所述引线框单元(1)之间通过连接筋连接,其特征在于:所述引线框(1)设有基体(3),所述基体(3)上设有定位孔(2)和引线脚(4),所述引线脚(4)设有三条,所述引线框单元(1)的宽度为13.8mm,高度为42.46mm,厚度为3.1mm。本实用新型适应了大功率半导体器件塑料封装的要求,结构简单,制造方便,适于工业化大生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种塑封半导体用的引线框架。
背景技术
随着电子行业的发展,大功率半导体器件采用塑料封装形式的愈来愈多,这就需要适应塑封大功率器件的引线框架。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种适用于塑封大功率器件的引线框架。。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种大功率半导体器件用的引线框架,由十个引线框单元单排组成,所述引线框单元之间通过连接筋连接,所述引线框单元设有基体,所述基体上设有定位孔和引线脚,所述引线脚设有三条,所述引线框单元的宽度为13.8 mm,高度为42.46mm,厚度为3.1mm。所述引线框单元由TFe0.1铜带制作而成。所述引线框单元上设有凹槽,所述凹槽的宽度11.4mm,深度为h1=2.5 mm。所述引线框单元之间的间距为16.97-17.03mm。所述基体长12.1mm,宽8.1mm,表面平面度为0.05mm。所述引线脚的宽度为1mm。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
本实用新型适应了大功率半导体器件塑料封装的要求,结构简单,制造方便,适于工业化大生产。
附图说明
图1为本实用新型大功率半导体器件用的引线框架的结构示意图。
图2为本实用新型大功率半导体器件用的引线框架的凹槽示意图。
图中:1-引线框单元,2-定位孔,3-基体,4-引线脚,5-凹槽。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如图1和图2所示,一种大功率半导体器件用的引线框架,由十个引线框单元1单排组成,引线框单元1之间通过连接筋连接,引线框单元1设有基体3,基体3上设有定位孔2和引线脚4,引线脚4设有三条,引线框单元1的宽度为13.8 mm,高度为42.46mm,厚度为3.1mm。引线框单元1由TFe0.1铜带制作而成。引线框单元1上设有凹槽5,凹槽5的宽度11.4mm,深度为h1=2.5 mm。引线框单元1之间的间距为16.97-17.03mm。定位孔2的尺寸为φ2.05mm。基体3长12.1mm,宽8.1mm,表面平面度为0.05mm。引线脚4的宽度为1mm。
整个框架采用TFe0.1铜带依次经冲压、表面处理、切断成形而制成。整个框架长度尺寸为168.5mm±0.15mm,宽度尺寸为42.46mm,厚度尺寸为0.5mm±0.015mm,基体表面尺寸为12.1mm×8.1mm,引线脚的宽度尺寸为1mm。在引线框单元厚度方向下打宽度为11.4mm,深度为2.5 mm的凹槽。
本申请内容为本实用新型的示例及说明,但不意味着本实用新型可取得的优点受此限制,凡是本实用新型实践过程中可能对结构的简单变换、和/或一些实施方式中实现的优点的其中一个或多个均在本申请的保护范围内。
Claims (5)
1.一种大功率半导体器件用的引线框架,由十个引线框单元(1)单排组成,所述引线框单元(1)之间通过连接筋连接,其特征在于:所述引线框单元(1)设有基体(3),所述基体(3)上设有定位孔(2)和引线脚(4),所述引线脚(4)设有三条,所述引线框单元(1)的宽度为13.8 mm,高度为42.46mm,厚度为3.1mm。
2.根据权利要求1所述的大功率半导体器件用的引线框架,其特征在于:所述引线框单元(1)上设有凹槽(5),所述凹槽(5)的宽度11.4mm,深度为h1=2.5 mm。
3.根据权利要求1所述的大功率半导体器件用的引线框架,其特征在于:所述引线框单元(1)之间的间距为16.97-17.03mm。
4.根据权利要求1所述的大功率半导体器件用的引线框架,其特征在于:所述基体(3)长12.1mm,宽8.1mm,表面平面度为0.05mm。
5.根据权利要求1所述的大功率半导体器件用的引线框架,其特征在于:所述引线脚(4)的宽度为1mm。
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