CN203179895U - 一种具有场截止结构的igbt - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种具有场截止结构的IGBT，包括背面金属层、P+集电极区、N-漂移区、P阱区、第一N+发射极区、第二N+发射极区、栅氧层、绝缘层、电极；第一N+发射极区、第二N+发射极区设置在P阱区内且相互隔开；电极的左侧设有栅氧层和绝缘层结构，电极的右侧也设有栅氧层和绝缘层结构，绝缘层将栅氧层与电极隔开；左侧的栅氧层与N-漂移区、P阱区、第一N+发射极区的部分相连；右侧的栅氧层与N-漂移区、P阱区、第二N+发射极区的部分相连；栅氧层与绝缘层之间设有多晶硅层；P+集电极区设有沟槽，沟槽内填设有二氧化硅；所述P+集电极区与N-漂移区之间设有N+缓冲区。本实用新型大大优化了器件的电性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种功率器件领域，特别涉及一种具有场截止构造的IGBT。
背景技术
IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种有MOSFET(场效应晶体管)与双极晶体管复合的器件，具有很高的耐压以及导电能力。
目前已有的IGBT包括平面IGBT和沟槽IGBT两种。国内对平面IGBT已进行了比较广泛的研究与试制，传统的平面IGBT结构其特点是：具有一个水平的MOS管驱动一个垂直的双极晶体管的结构，但是这种器件Vceon，toff和ttail等电性能差，产品质量不稳定，工作可靠性较差，经济性和实用性方面均欠理想。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种具有场截止结构的IGBT，该器件具有良好电性能。
实现本实用新型目的的技术方案是：本实用新型从背面到正面依次包括背面金属层、P+集电极区、N-漂移区、P阱区、第一N+发射极区、第二N+发射极区、栅氧层、绝缘层、电极；第一N+发射极区、第二N+发射极区设置在P阱区内且相互隔开；电极的左侧设有栅氧层和绝缘层结构，电极的右侧也设有栅氧层和绝缘层结构，绝缘层将栅氧层与电极隔开；左侧的栅氧层与N-漂移区、P阱区、第一N+发射极区的部分相连；右侧的栅氧层与N-漂移区、P阱区、第二N+发射极区的部分相连；栅氧层与绝缘层之间设有多晶硅层；P+集电极区设有沟槽，沟槽内填设有二氧化硅；所述P+集电极区与N-漂移区之间通过离子注入设有N+缓冲区。
上述N-漂移区为硅片。
本实用新型具有积极的效果：本实用新型在P+集电极区与N-漂移区之间通过离子注入技术设有N+缓冲区，有效的提高了IGBT的电性能。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中
图1为本实用新型中P离子注入后所形成的N+缓冲区示意图；
图2为本实用新型制作完成后的结构示意图。
具体实施方式
见图1和图2，本实用新型从背面到正面依次包括背面金属层13、P+集电极区10、N-漂移区8、P阱区7、第一N+发射极区5、第二N+发射极区6、栅氧层4、绝缘层2、电极1；第一N+发射极区5、第二N+发射极区6设置在P阱区7内且相互隔开；电极1的左侧设有栅氧层4和绝缘层2结构，电极1的右侧也设有栅氧层4和绝缘层2结构，绝缘层2将栅氧层4与电极1隔开；左侧的栅氧层4与N-漂移区8、P阱区7、第一N+发射极区5的部分相连；右侧的栅氧层4与N-漂移区8、P阱区7、第二N+发射极区6的部分相连；栅氧层4与绝缘层2之间设有多晶硅层3；P+集电极区10设有沟槽9，沟槽9内填设有二氧化硅12；所述P+集电极区10与N-漂移区8之间通过离子注入设有N+缓冲区11；所述N-漂移区8为硅片。
以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种具有场截止结构的IGBT，从背面到正面依次包括背面金属层(13)、P+集电极区(10)、N-漂移区(8)、P阱区(7)、第一N+发射极区(5)、第二N+发射极区(6)、栅氧层(4)、绝缘层(2)、电极(1)；第一N+发射极区(5)、第二N+发射极区(6)设置在P阱区(7)内且相互隔开；电极(1)的左侧设有栅氧层(4)和绝缘层(2)结构，电极(1)的右侧也设有栅氧层(4)和绝缘层(2)结构，绝缘层(2)将栅氧层(4)与电极(1)隔开；左侧的栅氧层(4)与N-漂移区(8)、P阱区(7)、第一N+发射极区(5)的部分相连；右侧的栅氧层(4)与N-漂移区(8)、P阱区(7)、第二N+发射极区(6)的部分相连；栅氧层(4)与绝缘层(2)之间设有多晶硅层(3)；P+集电极区(10)设有沟槽(9)，沟槽(9)内填设有二氧化硅(12)；其特征在于：所述P+集电极区(10)与N-漂移区(8)之间通过离子注入设有N+缓冲区(11)。
2.根据权利要求1所述的一种具有场截止结构的IGBT，其特征在于：所述N-漂移区(8)为硅片。
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| CN 201320048821 CN203179895U (zh) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | 一种具有场截止结构的igbt |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103617954A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-03-05 | 上海联星电子有限公司 | 一种Trench-RB-IGBT的制备方法 |
| CN103972280A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 苏州同冠微电子有限公司 | 一种具有场截止结构的igbt及其制造方法 |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ZHANGJIAGANG EVER POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SUZHOU TONGGUAN MICROELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20150707 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150707 Address after: Suzhou City, Jiangsu province 215600 yangshe town Zhangjiagang Chenghang Dongyuan Town Road and road intersection southwest corner room 1 Patentee after: Zhangjiagang Ever Power Semiconductor Co.,Ltd. Address before: Yangshe 215617 Jiangsu province Zhangjiagang Chenghang Dongyuan Town Road and road intersection southwest corner room 1 Patentee before: Suzhou Tongguan Microelectronics Co., Ltd. |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130904 Termination date: 20210130 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |