CN203166983U - 一种dmr通讯的晶振调频*** - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种DMR通讯的晶振调频***,包括发射模块和接收模块,所述发射模块包括MCU控制器、发射调制器、放大器、转换器和天线依次连接,接收模块包括和MCU控制器依次连接的DMR基带处理器、鉴频器、混频器、转换器和天线,其中混频器和MCU控制器之间还连接有本振调制器,所述DMR基带处理器通过晶振调频器分别与发射调制器及本振调制器相连,所述晶振调频器采用13MHz的VC-TCXO振荡器,本实用新型采用双芯片结构作为发射和本振信号频率的输出装置,并结合DMR基带处理器和VC-TCXO振荡器,可很好的应用软件根据不同的射频频率调制频偏一致,起到提供稳定的频率信号的作用,可满足不同扩展性的需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及无线通讯技术领域,尤其是涉及的是一种DMR通讯的晶振调频***。
背景技术
目前,在我国的无线通讯领域,例如对讲机市场,大多仍然是以模拟式技术作为主导,但其存在部分不足,首先信号处理方式过于简单,且消耗功率较大,不能优选的消除干扰及噪声的影响,其次频率的利用率不高,信道容量低,保密性差,易被窃听。针对这些不足,市场上出现数字无线通讯技术,其具有抗干扰性强、通话质量好、频率利用率高,但还是具有一定的缺陷,在频段选择比较单一,而且电路设计存在调试困难,且成本高,在调频方面,不能灵活调整,设计灵活性较低,进而不能满足不同扩展性的需求。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种采用双芯片结合晶体单点调制的DMR通讯的晶振调频***。
为实现上述目的,本实用新型的技术解决方案是:一种DMR通讯的晶振调频***,包括发射模块和接收模块,所述发射模块包括MCU控制器、发射调制器、放大器、转换器和天线依次连接,接收模块包括和MCU控制器依次连接的DMR基带处理器、鉴频器、混频器、转换器和天线,其中混频器和MCU控制器之间还连接有本振调制器,所述DMR基带处理器通过晶振调频器分别与发射调制器及本振调制器相连,所述DMR基带处理器的输出调制信号经电容器耦合到晶振调频器的调整端。
优选的,所述晶振调频器采用13MHz的VC-TCXO振荡器。
优选的,所述DMR基带处理器采用HR-C5000芯片。
优选的,所述发射调制器和本振调制器均采用RDA1846S芯片。
优选的,所述电容器为10uF的陶瓷电容。
通过采用上述的技术方案,本实用新型的有益效果是:采用双芯片结构作为发射和本振信号频率的输出装置,并结合DMR基带处理器输出的调制信号经10μF陶瓷电容耦合到VC-TCXO振荡器的振荡频率调整端,因VC-TCXO振荡器的电压控制振荡频率的变化为±12PPm,控制电压范围为0.5~2.5V。而对讲机发射频率范围为400~470MHz,信号的调制频偏随着输出射频频率的变化而变化,可以很好的应用软件根据不同的射频频率调整DMR基带处理器的信号输出幅度使之在发射频率范围内的调制频偏一致,起到提供稳定的频率信号的作用,这个稳定的频率信号包括用于发射和接收本振的频率,整体***电路设计灵活性强,调试方便,可满足不同扩展性的需求。
附图说明
图1为本实用新型的***框图。
(图中标识:1、MCU控制模块;2、DMR基带处理器;3、发射调制器;4、晶振调频器;5、本振调制器;6、放大器;7、天线;8、转换器;9、混频器;10、鉴频器; 21、电容器。)
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例来进一步说明本实用新型。
如图1所示,本实用新型的一种DMR通讯的晶振调频***,包括发射模块和接收模块,所述发射模块包括MCU控制器1、发射调制器3、放大器6、转换器8和天线7依次连接,接收模块包括和MCU控制器1依次连接的DMR基带处理器2、鉴频器10、混频器9、转换器8和天线7,其中混频器9和MCU控制器1之间还连接有本振调制器5,所述DMR基带处理器2采用HR-C5000芯片,所述发射调制器3和本振调制器5均采用RDA1846S芯片,发射调制器3作为信号调制和射频发射用,经放大器连接后与转换器8及天线7形成发射通道,由MCU控制器1协调DMR基带处理器2,从而控制信号发射,而本振调制器5采用设置为发射方式输出本振信号的RDA1846S,从天线7接收到信号后,经过转换器8进入混频器9,将输入信号和本振调制器5发出的本振信号混合生成中频信号,经鉴频器10后由DMR基带处理器2及MCU控制器1分析处理后,获得语音信号,在频率调制方面,所述DMR基带处理器2通过晶振调频器4分别与发射调制器3及本振调制器5相连,所述DMR基带处理器2的输出调制信号经电容器21耦合到晶振调频器4的调整端。所述电容器21为10uF的陶瓷电容,所述晶振调频器4采用13MHz的VC-TCXO振荡器,随着石英晶振的被广泛应用到各种高端设备中,对其要求也越来越高,压控晶体振荡器(VCXO),温补晶体振荡器(TCXO)及恒温晶体振荡器(OCXO)的需求逐步上升。VCXO是可以利用电压变化来调整输出频率。VT-TCXO是包含一个温度感应电路,在温度发生变化是调整输出频率,是输出的频率随温度变化的偏差降低了,从而使其在一定的温度范围内保持较高的频率稳定度,一般精度要求在0-3PPM之内的做成这种。具有更低的相位噪声,精度更高,它是通过内部的恒温槽维持晶体温度的稳定,通过结合DMR基带处理器2输出的调制信号经10μF陶瓷电容耦合到VC-TCXO振荡器的振荡频率调整端,因VC-TCXO振荡器的电压控制振荡频率的变化为±12PPm,控制电压范围为0.5~2.5V。而对讲机发射频率范围为400~470MHz,信号的调制频偏随着输出射频频率的变化而变化,可以很好的应用软件根据不同的射频频率调整DMR基带处理器的信号输出幅度使之在发射频率范围内的调制频偏一致,起到提供稳定的频率信号的作用。
以上所述的,仅为本实用新型的较佳实施例而已,不能限定本实用实施的范围,凡是依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与装饰,皆应仍属于本实用新型涵盖的范围内。
Claims (5)
1.一种DMR通讯的晶振调频***,包括发射模块和接收模块,所述发射模块包括MCU控制器(1)、发射调制器(3)、放大器(6)、转换器(8)和天线(7)依次连接,接收模块包括和MCU控制器(1)依次连接的DMR基带处理器(2)、鉴频器(10)、混频器(9)、转换器(8)和天线(7),其中混频器(9)和MCU控制器(1)之间还连接有本振调制器(5),其特征在于:所述DMR基带处理器(2)通过晶振调频器(4)分别与发射调制器(3)及本振调制器(5)相连,所述DMR基带处理器(2)的输出调制信号经电容器(21)耦合到晶振调频器(4)的调整端。
2.根据权利要求1所述的一种DMR通讯的晶振调频***,其特征在于:所述晶振调频器(4)采用13MHz的VC-TCXO振荡器。
3.根据权利要求1所述的一种DMR通讯的晶振调频***,其特征在于:所述DMR基带处理器(2)采用HR-C5000芯片。
4.根据权利要求1所述的一种DMR通讯的晶振调频***,其特征在于:所述发射调制器(3)和本振调制器(5)均采用RDA1846S芯片。
5.根据权利要求1所述的一种DMR通讯的晶振调频***,其特征在于:所述电容器(21)为10uF的陶瓷电容。
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CN 201320096719 CN203166983U (zh) | 2013-03-04 | 2013-03-04 | 一种dmr通讯的晶振调频*** |
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CN108710093A (zh) * | 2018-04-16 | 2018-10-26 | 福建新大陆通信科技股份有限公司 | 提高变频器本振频率一致性的校准装置及方法 |
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CN108710093B (zh) * | 2018-04-16 | 2020-11-13 | 福建新大陆通信科技股份有限公司 | 提高变频器本振频率一致性的校准装置及方法 |
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