CN203150540U - 发光二极管封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种发光二极管封装结构，包括一条状基板、多个发光二极管芯片以及一波长转换层。条状基板具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接上表面与下表面的侧表面。发光二极管芯片至少倒覆于条状基板的上表面上且与条状基板电性连接。波长转换层至少包覆每一发光二极管芯片的一出光面。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通信号灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。
现有技术是将多个已封装后的发光二极管芯片设置于承载板上，接着再将此承载板设置在灯座上，之后再罩上灯罩即可组装成一发光二极管灯具。然而，由于现有发光二极管灯具中已封装后的发光二极管芯片是固定在靠近灯座上，虽然可使现有发光二极管灯具有聚光的效果，但此种现有技术的发光角度最大仅能到达180度(以下)。因此，将此发光二极管灯具做为室内照明用途时，无法取代以往发光角度大于300度的白炽灯泡。此外，由于发光二极管芯片是经封装后而设置于承载板上，因此发光二极管芯片所产生热不易通过承载板而传递至外界，会有散热效率不佳的问题产生。
实用新型内容
本实用新型提供一种发光二极管封装结构，具有较大的发光角度(即全周角)及较佳的散热效果。
本实用新型提供一种发光二极管封装结构，其包括一条状基板、多个发光二极管芯片以及一波长转换层。条状基板具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接上表面与下表面的侧表面。发光二极管芯片至少倒覆于条状基板的上表面上且与条状基板电性连接。波长转换层至少包覆每一发光二极管芯片的一出光面。
在本实用新型的一实施例中，上述的波长转换层还延伸覆盖于条状基板的上表面、下表面以及侧表面。
在本实用新型的一实施例中，上述的条状基板的长宽比介于2至30之间。
在本实用新型的一实施例中，上述的条状基板为一透光条状基板。
在本实用新型的一实施例中，上述的发光二极管芯片包括多个第一发光二极管芯片以及多个第二发光二极管芯片，第一发光二极管芯片倒覆于条状基板的上表面上，第二发光二极管芯片倒覆于条状基板的下表面上。
在本实用新型的一实施例中，上述的第一发光二极管芯片在条状基板的上表面上的正投影完全重叠于第二发光二极管芯片在条状基板的上表面的正投影。
在本实用新型的一实施例中，上述的第一发光二极管芯片在条状基板的上表面上的正投影部分重叠于第二发光二极管芯片在条状基板的上表面的正投影。
在本实用新型的一实施例中，上述的第一发光二极管芯片在条状基板的上表面上的正投影不重叠于第二发光二极管芯片在条状基板的上表面的正投影。
在本实用新型的一实施例中，上述的发光二极管芯片还包括多个第三发光二极管芯片，第三发光二极管芯片倒覆于条状基板的部分侧表面上。
在本实用新型的一实施例中，上述的发光二极管芯片呈等间距排列于条状基板上。
在本实用新型的一实施例中，上述的发光二极管芯片为多个相同颜色的发光二极管芯片。
在本实用新型的一实施例中，上述的发光二极管芯片为多个不同颜色的发光二极管芯片的组合。
在本实用新型的一实施例中，上述的波长转换层为一黄色波长转换层。
在本实用新型的一实施例中，上述的波长转换层包含多个不同颜色的波长转换层。
基于上述，本实用新型是将多个发光二极管芯片直接配置于条状基板上，因此本实用新型的发光二极管封装结构可具有较佳的散热效果。再者，由于波长转换层至少包覆发光二极管芯片的出光面，因此本实用新型的发光二极管封装结构为一多面出光的设计。此外，当将本实用新型的发光二极管封装结构应用至灯具时，由于本实用新型的发光二极管封装结构可约略垂直灯座设置，因此可提供较大的发光角度(即全周角)。因此，本实用新型的发光二极管封装结构十分利于应用于照明或其他需要大出光角度的领域中。
为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A示出的为本实用新型的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；
图1B示出的为图1A的发光二极管封装结构的俯视示意图；
图2示出的为本实用新型的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；
图3示出的为本实用新型的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；
图4示出的为应用多个图3的发光二极管封装结构所组成的一发光二极管灯具的立体示意图。
附图标记说明：
100a、100b、100c：发光二极管封装结构；
110a、110b、110c：条状基板；
112a、112b、112c：上表面；
114a、114b、114c：下表面；
116a、116b、116c：侧表面；
120a：发光二极管芯片；
122a：出光面；
120b1、120c1：第一发光二极管芯片；
120b2、120c2：第二发光二极管芯片；
120c3：第三发光二极管芯片；
130a、130b、130c：波长转换层；
200：发光二极管灯具；
210：灯座；
220：灯罩；
230：电线；
L：长度；
W：宽度。
具体实施方式
图1A示出的为本实用新型的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。请参考图1A，发光二极管封装结构100a包括一条状基板110a、多个发光二极管芯片120a以及一波长转换层130a。条状基板110a具有彼此相对的一上表面112a与一下表面114a以及一连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a。发光二极管芯片120a至少倒覆于条状基板110a的上表面112a上且与条状基板110a电性连接。波长转换层130a至少包覆每一发光二极管芯片120a的一出光面122a。为了制作过程上的便利和光型的均匀性，波长转换层130a可更进一步延伸覆盖条状基板110a的上表面112a、下表面114a以及侧表面116a，但因为波长转换层130a只需至少包覆每一发光二极管芯片120a的一出光面122a，因此在未示出的的附图中，波长转换层130a也可以仅覆盖于条状基板110a的上表面112a，在此并不加以限制。
详细来说，本实施例的发光二极管芯片120a是以覆晶的方式配置于条状基板110a上，因此整体发光二极管封装结构100a的厚度可较薄。再者，发光二极管芯片120a是直接配置于条状基板110a的上表面112a上，因此发光二极管芯片120a所产生的热可直接经由条状基板110a的下表面114a或侧表面116a传递至外界。此外，发光二极管芯片120a例如是呈等间距排列于条状基板110a上，其中发光二极管芯片120a可为相同颜色的发光二极管芯片，例如全部都是可发出蓝光的发光二极管芯片；也可针对不同的设计和需求，选择不同颜色的发光二极管芯片的组合，例如是蓝光、红光或绿光的发光二极管芯片的组合，在此并不加以限制。波长转换层130a可为一黄色波长转换层，例如是一黄色荧光体；也可针对不同的设计和需求，选择不同颜色的波长转换层的组合，例如是黄色波长转换层和红色波长转换层的组合。更详细地说，本实施例本身便可通过发光二极管芯片120a和波长转换层130a的组合作用，而产生一白光光源。
本实施例的条状基板110a具体化为一透光条状基板，因此发光二极管芯片120a所发出的光除了可直接与覆盖在条状基板110a的上表面112a上的波长转换层130a产生作用之外，发光二极管芯片120a所发出的光也可穿透条状基板110a而直接与覆盖在条状基板110a的下表面114a与侧表面116a上的波长转换层130a产生作用。也就是说，本实施例的发光二极管封装结构100a为一多面发光的结构设计。
请参考图1B，其中图1B示出的为图1A的发光二极管封装结构100a的俯视示意图。本实施例的条状基板110a的长度L和宽度W的比例如是介于2至30之间，较佳地，介于4至15之间。换言之，本实施例的发光二极管封装结构100a为一长条状的发光二极管封装结构。特别是，这种长条状的设计使得本实施例的发光二极管封装结构100a可在最小的单位面积利用下，得到最佳的发光效率和散热效果。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2示出的为本实用新型的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。请参考图2，本实施例的发光二极管封装结构100b与图1A的发光二极管封装结构100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管封装结构100b的发光二极管芯片包括多个第一发光二极管芯片120b1以及多个第二发光二极管芯片120b2。第一发光二极管芯片120b1倒覆于条状基板110b的上表面112b上且与条状基板110b电性连接。第二发光二极管芯片120b2倒覆于条状基板110b的下表面114b上且与条状基板110b电性连接。如图2所示，本实施例的第一发光二极管芯片120b在条状基板110b的上表面112b上的正投影部分重叠于第二发光二极管芯片120b2在条状基板110b的上表面112b的正投影。当然，在其他未示出的的实施例中，第一发光二极管芯片120b1在条状基板110b的上表面112b上的正投影完全重叠于第二发光二极管芯片120b2在条状基板110b的上表面112b的正投影；或者是，第一发光二极管芯片120b1在条状基板110b的上表面112b上的正投影不重叠于第二发光二极管芯片120b2在条状基板110b的上表面112b的正投影。
本实施例的第一发光二极管芯片120b1与第二发光二极管芯片120b2所发出的光除了可直接与覆盖在条状基板110b的上表面112b与下表面114b上的波长转换层130b产生作用之外，第一发光二极管芯片120b1与第二发光二极管芯片120b2所发出的光也可穿透条状基板110b而直接与覆盖在条状基板110b的侧表面116b上的波长转换层130b产生作用。也就是说，本实施例的发光二极管封装结构100b为一多面发光的结构设计。此外，由于本实施例的发光二极管芯片是同时设置在条状基板110b的上表面112b与下表面114b上，因此本实施例的发光二极管封装结构100b相较于前述实施例的发光二极管封装结构100a而言具有较高的亮度表现。
图3示出的为本实用新型的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。请参考图3，本实施例的发光二极管封装结构100c与图1A的发光二极管封装结构100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管封装结构100c的发光二极管芯片包括多个第一发光二极管芯片120c1、多个第二发光二极管芯片120c2以及多个第三发光二极管芯片120c3。第一发光二极管芯片120c1倒覆于条状基板110c的上表面112c上且与条状基板110c电性连接。第二发光二极管芯片120c2倒覆于条状基板110c的下表面114c上且与条状基板110c电性连接。第三发光二极管芯片120c3倒覆于条状基板110c的部分侧表面116c上且与条状基板110c电性连接。波长转换层130c包覆第一发光二极管芯片120c1、第二发光二极管芯片120c2以及第三发光二极管芯片120c3且延伸覆盖条状基板110c的上表面112c、下表面114c以及侧表面116c。
由于本实施例的第一发光二极管芯片120c1、第二发光二极管芯片120c2以及第三发光二极管芯片120c3分别设置于条状基板110c的上表面112c、下表面114c以及侧表面116c上。因此，本实施例的发光二极管封装结构100c为一多面发光的结构设计。此外，由于本实施例的发光二极管芯片是同时设置于条状基板110c的上表面112c、下表面114c以及侧表面116c上，因此本实施例的发光二极管封装结构100c相较于前述实施例的发光二极管封装结构100a而言具有较高的亮度表现。
值得一提的是，本实施例的发光二极管封装结构100c也可应用至灯具的使用上。请参考图4，发光二极管灯具200包括多个发光二极管封装结构100c、一灯座210、一灯罩220以及多条电线230。发光二极管封装结构100c配置于灯罩220内且约略垂直灯座210设置，其中发光二极管封装结构100c分别与电线230电性连接。由于本实施例的发光二极管封装结构100c可垂直灯座210设置，因此可提供较大的发光角度(即全周角)。简言之，本实施例的发光二极管封装结构100c十分利于应用于照明或其他需要大出光角度的领域中。
此外，在其他未示出的的实施例中，也可选用于如前述实施例所提及的发光二极管封装结构100a、100b，本领域的技术人员当可参照前述实施例的说明，依据实际需求，而选用前述构件，以达到发光二极管灯具所需的技术效果。
综上所述，本实用新型是将多个发光二极管芯片直接配置于条状基板上，因此本实用新型的发光二极管封装结构可具有较佳的散热效果。再者，由于波长转换层至少包覆每一发光二极管芯片的一出光面，且可更进一步覆盖条状基板的上表面、下表面以及侧表面，因此本实用新型的发光二极管封装结构为一多面出光的设计。此外，当将本实用新型的发光二极管封装结构应用至灯具时，由于本实用新型的发光二极管封装结构可约略垂直灯座设置，因此可提供较大的发光角度(即全周角)。因此，本实用新型的发光二极管封装结构十分利于应用于照明或其他需要大出光角度的领域中。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (14)
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一条状基板，具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接该上表面与该下表面的侧表面；
多个发光二极管芯片，至少倒覆于该条状基板的该上表面上且与该条状基板电性连接；以及
一波长转换层，至少包覆各该发光二极管芯片的一出光面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该波长转换层还延伸覆盖于该条状基板的该上表面、该下表面以及该侧表面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该条状基板的长宽比介于2至30之间。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该条状基板为一透光条状基板。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些发光二极管芯片包括多个第一发光二极管芯片以及多个第二发光二极管芯片，该些第一发光二极管芯片倒覆于该条状基板的该上表面上，而该些第二发光二极管芯片倒覆于该条状基板的该下表面上。
6.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些第一发光二极管芯片在该条状基板的该上表面上的正投影完全重叠于该些第二发光二极管芯片在该条状基板的该上表面的正投影。
7.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些第一发光二极管芯片在该条状基板的该上表面上的正投影部分重叠于该些第二发光二极管芯片在该条状基板的该上表面的正投影。
8.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些第一发光二极管芯片在该条状基板的该上表面上的正投影不重叠于该些第二发光二极管芯片在该条状基板的该上表面的正投影。
9.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些发光二极管芯片还包括多个第三发光二极管芯片，该些第三发光二极管芯片倒覆于该条状基板的部分该侧表面上。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些发光二极管芯片呈等间距排列于该条状基板上。
11.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些发光二极管芯片为多个相同颜色的发光二极管芯片。
12.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该些发光二极管芯片为多个不同颜色的发光二极管芯片的组合。
13.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该波长转换层为一黄色波长转换层。
14.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该波长转换层包括多个不同颜色的波长转换层。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111463332A (zh) * | 2019-01-18 | 2020-07-28 | 群创光电股份有限公司 | 具有发光二极管封装体的电子装置 |
| CN112447897A (zh) * | 2019-09-03 | 2021-03-05 | 李家铭 | 具有遮光膜的rgb发光二极管模块 |
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2013
- 2013-01-25 CN CN2013200413804U patent/CN203150540U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
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| CN111463332B (zh) * | 2019-01-18 | 2021-07-27 | 群创光电股份有限公司 | 具有发光二极管封装体的电子装置 |
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