CN203150081U - 一种用于液晶驱动电路的上电复位电路 - Google Patents

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CN203150081U CN 201320112392 CN201320112392U CN203150081U CN 203150081 U CN203150081 U CN 203150081U CN 201320112392 CN201320112392 CN 201320112392 CN 201320112392 U CN201320112392 U CN 201320112392U CN 203150081 U CN203150081 U CN 203150081U
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聂纪平
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Abstract

本实用新型公开了智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路,包括或非门、后置反相器和M个依次串联的MOS开关组;每个所述的MOS开关组都包括一根源极接该上电复位电路接地端的NMOS开关管和一根源极接该上电复位电路电源端的PMOS开关管,所述NMOS开关管的漏极与所述PMOS开关管的漏极相接形成所述MOS开关组的输出端,所述NMOS开关管的栅极与所述PMOS开关管的栅极相接形成所述MOS开关组的输入端;第一个到第M-1个所述的MOS开关组的输出端都接有一个与该上电复位电路接地端连接的电容。其技术效果是:延长了该上电复位电路输出的上电复位信号RST维持高电平的时间。

Description

一种用于液晶驱动电路的上电复位电路
技术领域
本实用新型涉及智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路。
背景技术
请参阅图1,目前用于液晶驱动电路的上电复位电路包括M个依次串联的MOS开关组、或非门25和后置反相器26,每个MOS开关组都包括一根源极接该上电复位电路电源端(VDD端)的NMOS开关管和一根源极接该上电复位电路接地端(VSS端)的PMOS开关管,所述NMOS开关管的漏极与所述PMOS开关管的漏极相接形成所述MOS开关组的输出端,所述NMOS开关管的栅极与所述PMOS开关管的栅极相接形成所述MOS开关组的输入端,第一个MOS开关组的输入端接或非门25的第一输入端,最后一个MOS开关组的输出端接或非门25的第二输入端,或非门25的输出端接后置反相器26的输入端,后置反相器26输出上电复位信号RST。该用于液晶驱动电路的上电复位电路的缺陷在于:其输出的上电复位信号RST很难长时间地维持高电平,因此该上电复位电路很难在缓慢上电的情况下,保证整个液晶驱动电路能够可靠地复位,这增加了对于整个液晶驱动电路中静电保护电路的要求,增加了整个液晶驱动电路的成本。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,提供一种用于液晶驱动电路的上电复位电路,其能够有效延长其输出的上电复位信号RST维持高电平的时间,保证缓慢上电的情况下整个液晶驱动电路能够可靠地复位。
实现上述目的的一种技术方案是:一种用于液晶驱动电路的上电复位电路,包括或非门、后置反相器和M个依次串联的MOS开关组;
每个所述的MOS开关组都包括一根源极接该上电复位电路接地端的NMOS开关管和一根源极接该上电复位电路电源端的PMOS开关管,所述NMOS开关管的漏极与所述PMOS开关管的漏极相接形成所述MOS开关组的输出端,所述NMOS开关管的栅极与所述PMOS开关管的栅极相接形成所述MOS开关组的输入端;
第一个到第M-1个所述的MOS开关组的输出端都设有一个与该上电复位电路接地端连接的电容。
采用了本实用新型的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路的技术方案,即该上电复位电路中第一到第M-1个MOS个开关组的输出端都设置一个连接该上电复位电路接地端的电容。其技术效果是:其能够有效延长其输出的上电复位信号RST维持高电平的时间,保证缓慢上电的情况下整个液晶驱动电路能够可靠地复位,从而降低整个液晶驱动电路制造的成本。
附图说明
图1为现有技术的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路的示意图。
图2为本实用新型的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路的示意图。
具体实施方式
请参阅图2,本实用新型的发明人为了能更好地对本实用新型的技术方案进行理解,下面通过具体地实施例,并结合附图进行详细地说明:
请参阅图2,本实用新型的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路包括第一MOS开关组21、第二MOS开关组22、第三MOS开关组23、第四MOS开关组24、或非门25和后置反相器26。
第一MOS开关组21包括源极接该上电复位电路接地端(VSS端)的第一NMOS开关管N1和源极接该上电复位电路电源端(VDD端)的第一PMOS开关管P1,第一NMOS开关管N1的漏极接第一PMOS开关管P1的漏极,形成第一MOS开关组21的输出端,第一NMOS开关管N1的栅极接第一PMOS开关管P1的栅极,形成第一MOS开关组21的输入端。
第二MOS开关组22包括源极接该上电复位电路接地端(VSS端)的第二NMOS开关管N2和源极接该上电复位电路电源端(VDD端)的第二PMOS开关管P2,第二NMOS开关管N2的漏极接第二PMOS开关管P2的漏极,形成第二MOS开关组22的输出端,第二NMOS开关管N2的栅极接第二PMOS开关管P2的栅极,形成第二MOS开关组22的输入端。
第三MOS开关组23包括源极接该上电复位电路接地端(VSS端)的第三NMOS开关管N3和源极接该上电复位电路电源端(VDD端)的第三PMOS开关管P3,第三NMOS开关管N3的漏极接第三PMOS开关管P3的漏极,形成第三MOS开关组23的输出端,第三NMOS开关管N3的栅极接第三PMOS开关管P3的栅极,形成第三MOS开关组23的输入端。
第四MOS开关组24包括源极接该上电复位电路接地端(VSS端)的第四NMOS开关管N4和源极接该上电复位电路电源端(VDD端)的第四PMOS开关管P4,第四NMOS开关管N4的漏极接第四PMOS开关管P4的漏极,形成第四MOS开关组24的输出端,第四NMOS开关管N4的栅极接第四PMOS开关管P4的栅极,形成第四MOS开关组24的输入端。
第二MOS开关组22的输入端接第一MOS开关组21的输出端,第三MOS开关组23的输入端接第二MOS开关组22的输出端,第四MOS开关组24的输入端接第三MOS开关组23的输出端,因此第一MOS开关组21至第四MOS开关组24依次串联。第一MOS开关组21的输入端接或非门25的第一输入端,第四MOS开关组24的输出端接或非门25的第二输入端。或非门25的输出端接后置反相器26的输入端。后置反相器26的输出端输出上电复位信号RST。
本实施例中对于现有技术的重大改进在于,在第一MOS开关组21的输出端设置了与该上电复位电路接地端(VSS端)连接的第一电容C1;在第二MOS开关组22的输出端设置了与该上电复位电路接地端(VSS端)连接第二电容C2;在第二MOS开关组23的输出端设置了与该上电复位电路接地端(VSS端)连接的第三电容C3。
这样改进的目的在于:该上电复位电路上的第一MOS开关组21至第三MOS开关组23的输出端都设置了与该上电复位电路接地端(VSS端)连接的电容来用于储能。这样在液晶驱动电路缓慢上电的情况下,有效延长上电复位信号RST维持高电平的时间,保证整个液晶驱动电路能够可靠地复位,保证整个液晶驱动电路满足智能电网应用的需要。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本实用新型,而并非用作为对本实用新型的限定,只要在本实用新型的实质精神范围内,对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。

Claims (1)

1.一种用于液晶驱动电路的上电复位电路,包括或非门、后置反相器和M个依次串联的MOS开关组;
每个所述的MOS开关组都包括一根源极接该上电复位电路接地端的NMOS开关管和一根源极接该上电复位电路电源端的PMOS开关管,所述NMOS开关管的漏极与所述PMOS开关管的漏极相接形成所述MOS开关组的输出端,所述NMOS开关管的栅极与所述PMOS开关管的栅极相接形成所述MOS开关组的输入端;其特征在于:
第一个到第M-1个所述的MOS开关组的输出端都设有一个与该上电复位电路接地端连接的电容。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107945824A (zh) * 2017-11-21 2018-04-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于sonos存储器的复位电路及复位方法
CN108111150A (zh) * 2017-12-21 2018-06-01 上海贝岭股份有限公司 上电复位电路及集成电路和eeprom***
CN110634454A (zh) * 2019-09-25 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 开关时序控制电路及其方法、显示装置
CN112543019A (zh) * 2020-12-24 2021-03-23 中国人民解放军国防科技大学 一种抗单粒子瞬态的低电平复位电路

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