CN202949229U - 可控硅复合开关 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种可控硅复合开关，包括双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，而其：还包括第二电磁开关K2；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端为压降连接端子RB。本实用新型具有便于接线，确保切出过程更安全、可靠等优点。

Description

可控硅复合开关

技术领域

本实用新型涉及一种可控硅复合开关，它是用于控制电容器投切的器件，是电网无功补偿装置的重要组成部分，而投切开关元件性能的好坏对无功补偿装置的可靠性起着非常重要的作用。

背景技术

在电网改造的实施过程中，往往需要增加并联电容器无功补偿装置，对提高供电电压质量，挖掘供电设备的潜力，降低线损及节能均起到积极的作用。

早期无功补偿装置大都采用交流接触器、可控硅电子开关等投切方式，交流接触器在电容器投入和切除时会产生很大的涌流和过压，暂态的高压和投切冲击电流会导致电容器绝缘击穿、接触器触头烧损；而可控硅电子开关虽然解决了电容器投切过程中的涌流、过压、分断电弧等问题，但其散热难，需外加辅助散热器件多、结构复杂、成本高，占用空间大，两种方式补偿效果和使用寿命上都不够理想。

近年来，电力电子技术和可控硅技术的不断发展，在无功补偿装置中衍生出一种新型装置——复合开关。现有的复合开关结构是将可控硅与继电器并接，如图5所示。目前普遍认为的实现方法是：投入时，在电压过零瞬间过零触发与继电器或接触器并联的可控硅，稳定后再将继电器或接触器吸合导通；而切出时，先将可控硅导通，然后在将继电器或接触器触点断开，避免继电器或接触器断开时产生电弧，最后在电流过零点处可控硅关断，从而实现电流过零切断。

本领域普通的技术人员可知，要使可控硅导通（以单向可控硅为例），需要两个必要条件：一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压（俗称有个触发控制信号）。换句话说，不论是单向可控硅导通，还是双向可控硅导通，必须要满足可控硅两端有满足导通的压降和触发极有触发信号两个条件，才能实现导通的目的。现有复合开关的切断过程，是继电器或接触器K分断时，认为此时可控硅已是导通状态，所以继电器或接触器在K分断时不产生电弧。而事实是，在继电器K触点分断前的闭合状态，触点两端不形成电压，也就是，可控硅的阳极A与阴极K之间并没有形成正向电压，虽然有触发信号，但是可控硅并不能导通。这样继电器K的触点在分断时要切断工作电流，这个过程中会产生大量的电弧，特别是在复合开关中对继电器的容量选择，一般是以满足正常工作电流为准，并未完全考虑到投入和切断主电路工作电流所需的容量，所以，切断时继电器触点产生的大量电弧容易使现有结构中的复合开关的继电器触头损坏，造成复合开关工作的可靠性差，严重影响供电的质量和可靠性。

现有大部分专利仅仅描述了复合开关切除阶段的工作过程，通过以下专利加以说明。如专利号“ZL200620098117.9”，名称为“动态无功功率补偿装置”的实用新型专利，该补偿装置的补偿电路中采用了其延时时间<5秒的快速复合继电器，当可控硅导通时，其继电器常开触点也闭合，闭合时的触点电阻很小，可通过大部分电流，在通过可控硅的电流几乎等于零。这样，在导电过程中，可控硅上无压降和无发热，而且消除了谐波，从而使补偿装置在动态状态下能可靠地运行。该专利具体描述了在导电过程中，可控硅只有触发信号，但是并无压降，没有满足可控硅的导通条件，即可控硅的阳极A与阴极K之间没有压降，因此，该种结构的补偿装置在动态状态下并不能可靠地运行。

如专利号是“201220121016.4”，名称为“一种过零投切的接触器复合开关”：切除时检测电路检测到控制信号撤除，储能电容延时电路仍能继续提供必要的供电，逻辑控制欲隔离驱动电路使能可控硅，然后使继电器断开接触器线圈，接触器机械触点分断并切换为可控硅导通一段时间后，可控硅电流为零关断。专利号“201220016674.7”，名称为“分补复合开关”：切除时，可控硅先导通，然后继电器的触头分开，电流流过可控硅，经过50毫秒后，可控硅关断，电流截止，完成切除动作。

如专利号“200810050960.3”，名称为“智能编组复合开关”：切除单相电容器时，单片机根据接收到的命令，先发出交流电子开关的触发导通命令，交流电子开关便在电压过零时自动导通。专利号“200820216223.1”，名称为“一种动态无功补偿的智能复合开关”认为：切出操作时，只需先给出可控硅程序发出触发信号，再发出继电器断开的信号，延迟数十毫秒后撤掉可控硅触发信号，利用可控硅自身特性在电流过零时自行切断。专利号“201110032781.9”，名称为“一种智能复合型集成开关”：当控制器单元3接收到某一相要切断补偿电容器的指令时，启动双向可控硅驱动触发电路，使双向可控硅导通并入磁保持开关上，然后再指示开关驱动触发电路输出脉冲负电压，使开关触点转换为常开状态，最后，控制器单元指示双向可控硅驱动触发电路自动寻找过零点关闭双向可控硅，切断补充电容器。专利号“201020652595.6”，名称为“动态复合开关”：当自动无功补偿控制器要撤出某一电路电容器时，给复合开关发出撤出信号，主控制芯片接收撤除信号，即命令可控硅元件导通，延时少于1秒后使磁保持继电器失电，磁保持继电器主触点与补偿电容器断开后，补偿电容器还通过可控硅元件继续工作。延时少于1秒后，主控制芯片输出为0，光耦触发器截止，可控硅元件将在电流过零处于电容器断开，补偿电容器无涌流退出运行。

专利号“201120498683.X”，名称为“一种复合开关”：当开关电路接到主控电路发出的分闸信号时，先有大电流使双向可控硅导通，然后继电器断开，双向可控硅从满负载电流到零截止，事实上，在继电器断开前，双向可控硅并未导通。又如专利号“ZL201220121016”，名称为一种过零投切的接触器复合开关的实用新型专利中，认识到目前接触器类复合开关不能在电流过零时分断的缺陷，因此，在现有复合开关具备零电压投入功能的基础上，对控制信号进行监测，当检测到控制信号撤除时仍保证控制电路的供电，并再次接通并联的可控硅，等接触器触点完全分断后，再使可控硅零电流关断，实现了电压过零接通和电流过零分断电力电容器的功能，事实是：在这种工作状态下，接触器触点断开时，可控硅并未导通。所以接触器触点在这种状态下形成电弧是必然，也就必然会影响复合开关的可靠性。

发明内容

本实用新型的目的是：提供一种便于接线，确保切出过程更安全、可靠的可控硅复合开关，并且能够提高复合开关的工作效率和使用寿命，克服已有技术的不足。

为了达到上述目的，本实用新型的第一种技术方案是：一种可控硅复合开关，包括双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，而其：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端为压降连接端子RB。

在上述第一个技术方案中，所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。

在上述第一个技术方案中，所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为磁保持继电器。

为了达到上述目的，本实用新型的第二种技术方案是：一种可控硅复合开关，包括双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，其特征在于：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接，第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端与双向可控硅SCR的第二主端子T2电连接，且第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA；

c、第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端与双向可控硅SCR的第一主端子T1电连接，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端为压降连接端子RB。

在上述第二个技术方案中，所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。

在上述第二个技术方案中，所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为磁保持继电器。

为了达到上述目的，本实用新型的第三种技术方案是：一种可控硅复合开关，包括两个单向可控硅SCR1、SCR2，以及第一电磁开关K1，所述两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有控制端G1和控制端G2，且两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成第一接线端A1和第二接线端A2，两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1和第二接线端A2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，其特征在于：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端为压降连接端子RB。

在上述第三个技术方案中，所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。当然，本实用新型优先选用磁保持继电器。

为了达到上述目的，本实用新型的第四种技术方案是：一种可控硅复合开关，包括两个单向可控硅SCR1、SCR2，以及第一电磁开关K1，所述两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有控制端G1和控制端G2，且两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成第一接线端A1和第二接线端A2，其特征在于：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接，第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端与由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第二接线端A2电连接，且第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA；

c、第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端与由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1电连接，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端为压降连接端子RB。

在上述第四个技术方案 ，所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。当然，本实用新型优先选用磁保持继电器。

本实用新型所具有的积极效果是：采用上述结构后，使用时，将本实用新型的压降连接端子RA和压降连接端子RB与压降回路相应的连接端电连接，使得第二电磁开关K2与压降回路构成串联电路。那是因为，在高压线路中，由于压降回路中产生压降的元件一般会功率很大，产生的热量高，并且体积也会很大，不方便集成在可控硅复合开关的内部，因此，本实用新型需要设有连接端子，便于与压降回路电连接，使得外接的压降回路也方便进行降温等其他处理，使得本实用新型使用时更安全，更可靠。本实用新型在投入时，由双向可控硅SCR先导通（电压过零导通），后闭合第一、第二电磁开关K1、K2；在切出时，先分断第一电磁开关K1，电流通过第二电磁开关K2的常开触点K2-1和压降回路构成的串联电路形成电压降，即双向可控硅的两个主端子之间有压降，触发双向可控硅SCR（过零时触发），双向可控硅SCR导通，此时工作电流分别通过双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，但流经双向可控硅SCR的电流远大于流经第一电磁开关K1的电流，将第一电磁开关K1分断，双向可控硅SCR延时过零关断。整个切出过程中，第一电磁开关K1分断时不承受电流，第二电磁开关K2分断时只承担很小的电流，也就是说通过对第一电磁开关K1和第二电磁开关K2的控制，实现电磁开关在分断主电路电流前确保可控硅先导通，然后分断主电路的电磁开关触点，使主电路触点在微小电流分断，最后控制可控硅在电流过零点关断。当然，双向可控硅SCR也可以替换成由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联构成的可控硅电路，所产生的积极效果与双向可控硅相同。本实用新型使得主电路在切出前能使可控硅真正实现过零导通，并在可控硅导通的状态下，分断主电路的电磁开关触点，从而彻底克服了现有技术在电磁开关分断时其触点产生大量电弧的缺陷，解决了行业现有技术中电磁开关切断主电路电流时，电磁开关触点产生大量电弧而导致复合开关工作不可靠的问题，解决了行业中目前普遍存在的认识误区，大大提高了复合开关工作的可靠性和实用性、延长了复合开关的寿命，为电容器无功补偿的投切和智能电网的建设起积极作用。

附图说明

图1为本实用新型第一种具体实施的电路原理示意图； 

图2为本实用新型第二种具体实施的电路原理示意图； 

图3为本实用新型第三种具体实施的电路原理示意图； 

图4为本实用新型第四种具体实施的电路原理示意图；

图5为现有的复合开关的电路原理示意图。

具体实施方式

以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

实施例1

如图1所示，一种可控硅复合开关，包括双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，而其：还包括第二电磁开关K2；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端为压降连接端子RB。

本实用新型的所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。当然，本实用新型优先选用磁保持继电器。

实施例1使用时，以下以第一电磁开关K1和第二电磁开关K2均选用磁保持继电器为例。将本实用新型的压降连接端子RA、RB与压降回路（例如由一个电阻R构成的压降电路，当然，也可以采用其它形式的压降回路，并不局限于此）相应的连接端子电连接，双向可控硅SCR的控制端G与可控硅驱动电路的触发信号控制端电连接，第一磁保持继电器K1的线圈和第二磁保持继电器K2的线圈分别与磁保持继电器驱动电路相应的连接端电连接，双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2分别与无功补偿电路或者电机驱动电路相应的连接端电连接。

实施例1的工作过程：根据实施例1使用时的状态所描述，在投入时由双向可控硅SCR先导通（电压过零导通），后闭合第一、第二磁保持继电器K1、K2（当然，也可以仅仅闭合第一磁保持继电器K1）；在切出时，分断第一磁保持继电器K1，（若投入时仅仅闭合第一磁保持继电器K1，则切出时先闭合第二磁保持继电器K2，再分断第一磁保持继电器K1，）电流通过第二磁保持继电器K2的常开触点K2-1和电阻R构成的串联电路形成电压降，即双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2之间有压降，此时，触发双向可控硅SCR导通（过零时触发），工作电流绝大部分流经双向可控硅，再分断第二磁保持继电器K2，最后双向可控硅SCR断开。

实施例2

如图2所示，一种可控硅复合开关，包括双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，而其：还包括第二电磁开关K2；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接，第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端与双向可控硅SCR的第二主端子T2电连接，且第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA；第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端与双向可控硅SCR的第一主端子T1电连接，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端为压降连接端子RB。

本实用新型的所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。当然，本实用新型优先选用磁保持继电器。

实施例2使用时，以下以第一电磁开关K1和第二电磁开关K2均选用磁保持继电器为例。将本实用新型的压降连接端子RA、RB与压降回路（例如由一个电阻R构成的压降电路，当然，也可以采用其它形式的压降回路，并不局限于此）相应的连接端子电连接，双向可控硅SCR的控制端G与可控硅驱动电路的触发信号控制端电连接，第一磁保持继电器K1的线圈和第二磁保持继电器K2的线圈分别与磁保持继电器驱动电路相应的连接端电连接，双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2分别与无功补偿电路或者电机驱动电路相应的连接端电连接。

实施例2的工作过程：根据实施例2使用时的状态所描述，在投入时由双向可控硅SCR先导通（电压过零导通），后闭合第一、第二磁保持继电器K1、K2（当然，也可以仅仅闭合第一磁保持继电器K1）；在切出时，分断第一磁保持继电器K1，（若投入时仅仅闭合第一磁保持继电器K1，则切出时先闭合第二磁保持继电器K2，再分断第一磁保持继电器K1，）电流通过第二磁保持继电器K2的常开触点K2-1和电阻R构成的串联电路形成电压降，即双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2之间有压降，此时，触发双向可控硅SCR导通（过零时触发），工作电流绝大部分流经双向可控硅，再分断第二磁保持继电器K2，最后双向可控硅SCR断开。

本实用新型的实施例1和实施例2若是要用于高压场合，可以将本实用新型的单个双向可控硅替换成多个双向可控硅串联构成的电路。

实施例3

如图3所示，一种可控硅复合开关，包括两个单向可控硅SCR1、SCR2，以及第一电磁开关K1，所述两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有控制端G1和控制端G2，且两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成第一接线端A1和第二接线端A2，两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1和第二接线端A2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，而其：还包括第二电磁开关K2；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端为压降连接端子RB。

本实用新型的所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。当然，本实用新型优先选用磁保持继电器。

实施例3使用时，以下以第一电磁开关K1和第二电磁开关K2均选用磁保持继电器为例。将本实用新型的压降连接端子RA、RB与压降回路（例如由一个电阻R构成的压降电路，当然，也可以采用其它形式的压降回路，并不局限于此）相应的连接端子电连接，两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有的控制端G1和控制端G2分别与可控硅驱动电路相应的触发信号控制端电连接，两个单向可控硅SCR1、SCR2的阴极和阳极分别与可控硅驱动电路相应的输入端电连接，第一磁保持继电器K1的线圈和第二磁保持继电器K2的线圈分别与磁保持继电器驱动电路相应的连接端电连接，两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1和第二接线端A2分别与无功补偿电路或者电机驱动电路相应的连接端电连接。

实施例3的工作过程：根据实施例3使用时的状态所描述，在投入时由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联构成的可控硅电路先导通（电压过零导通），后闭合第一、第二磁保持继电器K1、K2；在切出时，分断第一磁保持继电器K1，电流通过第二磁保持继电器K2的常开触点K2-1和电阻R构成的串联电路形成电压降，即由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联构成的可控硅电路的第一接线端A1和第二接线端A2之间有压降，此时，触发可控硅电路导通（过零时触发），工作电流绝大部分流经可控硅电路，再分断第二磁保持继电器K2，最后可控硅电路断开。

实施例4

如图4所示，一种可控硅复合开关，包括两个单向可控硅SCR1、SCR2，以及第一电磁开关K1，所述两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有控制端G1和控制端G2，且两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成第一接线端A1和第二接线端A2，而其：还包括第二电磁开关K2；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接，第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端与由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第二接线端A2电连接，且第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA；第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端与由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1电连接，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端为压降连接端子RB。

本实用新型所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。当然，本实用新型优先选用磁保持继电器。

实施例4使用时，以下以第一电磁开关K1和第二电磁开关K2均选用磁保持继电器为例。将本实用新型的压降连接端子RA、RB与压降回路（例如由一个电阻R构成的压降电路，当然，也可以采用其它形式的压降回路，并不局限于此）相应的连接端子电连接，两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有的控制端G1和控制端G2分别与可控硅驱动电路相应的触发信号控制端电连接，两个单向可控硅SCR1、SCR2的阴极和阳极分别与可控硅驱动电路相应的输入端电连接，第一磁保持继电器K1的线圈和第二磁保持继电器K2的线圈分别与磁保持继电器驱动电路相应的连接端电连接，两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1和第二接线端A2分别与无功补偿电路或者电机驱动电路相应的连接端电连接。

实施例4的工作过程：根据实施例4使用时的状态所描述，在投入时由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联构成的可控硅电路先导通（电压过零导通），后闭合第一、第二磁保持继电器K1、K2；在切出时，分断第一磁保持继电器K1，电流通过第二磁保持继电器K2的常开触点K2-1和电阻R构成的串联电路形成电压降，即由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联构成的可控硅电路的第一接线端A1和第二接线端A2之间有压降，此时，触发可控硅电路导通（过零时触发），工作电流绝大部分流经可控硅电路，再分断第二磁保持继电器K2，最后可控硅电路断开。

本实用新型的实施例3和实施例4若是要用于高压场合，可以将本实用新型的两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联构成的可控硅电路替换成多组两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联构成的可控硅电路的串联电路。

本实用新型可应用于电容补偿领域，以及需要控制电路通断的场合。

由此可知，本实用新型在切出时，可控硅SCR导通时满足了两端有压降和触发信号两个必要条件，电磁开关触头也不易损坏，大大提高了复合开关工作的可靠性和工作效率、延长了工作寿命，供电质量高，可运用于频繁投切，要求响应速度和投切精度很大的场合。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，但是并不局限于此，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种可控硅复合开关，包括双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，且双向可控硅SCR的第一主端子T1和第二主端子T2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，其特征在于：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端为压降连接端子RB。

2.根据权利要求1所述的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。

3.根据权利要求1或2所述的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为磁保持继电器。

4.一种可控硅复合开关，包括双向可控硅SCR和第一电磁开关K1，所述双向可控硅SCR具有控制端G以及第一主端子T1和第二主端子T2，其特征在于：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接，第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端与双向可控硅SCR的第二主端子T2电连接，且第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA；

c、第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端与双向可控硅SCR的第一主端子T1电连接，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端为压降连接端子RB。

5.根据权利要求4所述的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。

6.根据权利要求4或5所述的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为磁保持继电器。

7.一种可控硅复合开关，包括两个单向可控硅SCR1、SCR2，以及第一电磁开关K1，所述两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有控制端G1和控制端G2，且两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成第一接线端A1和第二接线端A2，两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1和第二接线端A2与第一电磁开关K1的常开触点K1-1的两端相并联，其特征在于：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接；第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端为压降连接端子RB。

8.根据权利要求7所述的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。

9.一种可控硅复合开关，包括两个单向可控硅SCR1、SCR2，以及第一电磁开关K1，所述两个单向可控硅SCR1、SCR2分别具有控制端G1和控制端G2，且两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成第一接线端A1和第二接线端A2，其特征在于：

a、还包括第二电磁开关K2；

b、第一电磁开关K1的常开触点K1-1的一端与第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端电连接，第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端与由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第二接线端A2电连接，且第一电磁开关K1的常开触点K1-1的另一端为压降连接端子RA；

c、第二电磁开关K2的常开触点K2-1的另一端与由两个单向可控硅SCR1、SCR2反向并联并形成的第一接线端A1电连接，第二电磁开关K2的常开触点K2-1的一端为压降连接端子RB。

10.根据权利要求9所述的可控硅复合开关，其特征在于：所述第一电磁开关K1和第二电磁开关K2为继电器或接触器。

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