CN202816914U - 一种双芯片玻封二极管 - Google Patents

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王俭
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Siyang Grande Electronics Co ltd
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SUZHOU QUNXIN ELECTRONICS CO Ltd
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

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Abstract

本实用新型公开了一种双芯片玻封二极管，它包括：同轴布置的上玻壳和下玻壳，位于上玻壳中的上芯片，位于下玻壳中的下芯片，位于上玻壳上端内部的上杜镁丝电极，位于下玻壳下端内部的下杜镁丝电极，以及位于上、下玻壳之间的杜镁丝块；其中，上杜镁丝电极上焊接有伸出上玻壳外的上电极引线，下杜镁丝电极上焊接有伸出下玻壳外的下电极引线，杜镁丝块的上部和下部分别插设在上玻壳和下玻壳内，且杜镁丝块的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部，上芯片嵌在杜镁丝块与上杜镁丝电极之间，下芯片嵌在杜镁丝块与下杜镁丝电极之间。本实用新型的双芯片玻封二极管成本低廉，有利于优化线路板空间。

Description

一种双芯片玻封二极管
技术领域
 本实用新型涉及二极管的生产制造领域，具体涉及一种双芯片玻封二极管。
背景技术
传统结构的二极管仅具有一个芯片，玻壳两端内部各插设一个杜镁丝电极，玻壳内装有嵌在两杜镁丝电极之间的芯片，每个杜镁丝电极上焊接一条电极引线。这种传统结构的二极管不利于优化线路板空间尺寸。
发明内容
本实用新型目的是：为了解决上述问题，提供一种可优化线路板空间的双芯片玻封二极管。
本实用新型的技术方案是：本实用新型的双芯片玻封二极管，包括：
同轴布置的上玻壳和下玻壳，
位于上玻壳中的上芯片，
位于下玻壳中的下芯片，
位于上玻壳上端内部的上杜镁丝电极，
位于下玻壳下端内部的下杜镁丝电极，
以及位于上、下玻壳之间的杜镁丝块；
其中，上杜镁丝电极上焊接有伸出上玻壳外的上电极引线，下杜镁丝电极上焊接有伸出下玻壳外的下电极引线，杜镁丝块的上部和下部分别插设在上玻壳和下玻壳内，且杜镁丝块的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部，上芯片嵌在杜镁丝块与上杜镁丝电极之间，下芯片嵌在杜镁丝块与下杜镁丝电极之间。
本实用新型的优点是：
1、本实用新型的二极管在使用时，可将杜镁丝块和上电极引线接入外界电路，构成一个电路独立工作；也可将杜镁丝块和下电极引线接入外界电路，构成另一电路独立工作。这种结构的一个二极管就具备了两个传统二极管的功能，便于优化线路板空间。
2、本实用新型二极管在制作时，上下两个玻壳同时高温焊接，可以使四个焊点减少为三个，节省焊接成本，同时较少能源浪费。
附图说明
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
图1为本实用新型实施例的结构示意图；
其中：1-上玻壳，2-下玻壳，3-上芯片，4-下芯片，5-上杜镁丝电极，6-下杜镁丝电极，7-杜镁丝块，8-上电极引线，9-下电极引线。
具体实施方式
如图1所示，本实施例的二极管包括：
同轴布置的上玻壳1和下玻壳2，
位于上玻壳1中的上芯片3，
位于下玻壳2中的下芯片4，
位于上玻壳1上端内部的上杜镁丝电极5，
位于下玻壳2下端内部的下杜镁丝电极6，
以及位于上、下玻壳1、2之间的杜镁丝块3；
其中，上杜镁丝电极5上焊接有伸出上玻壳1外的上电极引线8，下杜镁丝电极6上焊接有伸出下玻壳2外的下电极引线9，杜镁丝块7的上部和下部分别插设在上玻壳1和下玻壳2内，且杜镁丝块7的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部，上芯片3嵌在杜镁丝块7与上杜镁丝电极5之间，下芯片4嵌在杜镁丝块7与下杜镁丝电极6之间。
本实施例的二极管在使用时，可将杜镁丝块7和上电极引线8接入外界电路，构成一个电路独立工作；同时也可将杜镁丝块7和下电极引线9接入外界电路，构成另一电路独立工作。这种结构的一个二极管就具备了两个传统二极管的功能，便于优化线路板空间。
当然，上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让人们能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种双芯片玻封二极管，其特征在于它包括：
同轴布置的上玻壳（1）和下玻壳（2），
位于上玻壳（1）中的上芯片（3），
位于下玻壳（2）中的下芯片（4），
位于上玻壳（1）上端内部的上杜镁丝电极（5），
位于下玻壳（2）下端内部的下杜镁丝电极（6），
以及位于上、下玻壳（1、2）之间的杜镁丝块（7）；
其中，上杜镁丝电极（5）上焊接有伸出上玻壳（1）外的上电极引线（8），下杜镁丝电极（6）上焊接有伸出下玻壳（2）外的下电极引线（9），杜镁丝块（7）的上部和下部分别插设在上玻壳（1）和下玻壳（2）内，且杜镁丝块（7）的一部分位于上玻壳和下玻壳的外部，上芯片（3）嵌在杜镁丝块（7）与上杜镁丝电极（5）之间，下芯片（4）嵌在杜镁丝块（7）与下杜镁丝电极（6）之间。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102881683A (zh) * 2012-09-28 2013-01-16 苏州群鑫电子有限公司 一种双芯片玻封二极管

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CN102881683A (zh) * 2012-09-28 2013-01-16 苏州群鑫电子有限公司 一种双芯片玻封二极管

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Owner name: SIYANG QUNXIN ELECTRONICS CO., LTD.

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COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 215129 SUZHOU, JIANGSU PROVINCE TO: 223700 SUQIAN, JIANGSU PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

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Patentee after: SIYANG GRANDE ELECTRONICS Co.,Ltd.

Address before: 215129 No. 568 Changjiang Road, hi tech Development Zone, Jiangsu, Suzhou

Patentee before: SUZHOU QUNXIN ELECTRONICS Co.,Ltd.

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