CN202696110U - 一种过欠压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电子电路,特别是指对电压检测,对过电压和欠电压进行保护的电路。本实用新型采用以下技术方案:一种过欠压保护电路,其特征在于:包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元,脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成,驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7。通过采用上述方案,本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足,提供一种可以将电快速瞬变脉冲群试验提高到4kV以上,浪涌试验提高到差模4kV,共模5KV以上的新型的过欠压保护电路。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电子电路,特别是指对电压检测,对过电压和欠电压进行保护的电路。
背景技术
目前,电压常常会存在因接线失误将380V电压施加在220V电路上或电网不稳定造成的电源过电压或欠电压,烧毁断路器下端负荷设备的情况,为解决因电源过压或欠压造成的问题,采用电子检测电路检测到电压或欠压后驱动断路器进行分断,目的是保护断路器下方负荷设备;现有的过欠压保护电路与本发明的完全不同,其存在电快速瞬变脉冲群性能均不高于2kV,浪涌性能不高于4kV的缺陷。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足,提供一种可以将电快速瞬变脉冲群试验提高到4kV以上,浪涌试验提高到差模4kV,共模5KV以上的新型的过欠压保护电路。
为了实现以上目的,本实用新型采用以下技术方案:一种过欠压保护电路,其特征在于:包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元,脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成,驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7,其中电阻R1一端接全波整流电路单元的阴极,电阻R1另一端与电阻R3连接,电阻R3另一端接GND,稳压管ZD1阴极接于电阻R1和电阻R3的结点,阳极接于可控硅Q1门极,电阻R2一端接于全波整流电路单元的阴极,另一端接于三极管Q2发射极,三极管Q2基极经电阻R4接于电阻器R1和电阻器R3的结点,集电极经电阻R5接于GND,二极管D7阳极接于晶体管Q2集电极,阴极接于可控硅Q1门极。
采用上述方案,脱扣线圈L1和可控硅Q1串联之后,与二极管D2串联构成脱扣电路。二极管D2提高了可控硅Q1的触发电压,同时二极管D2的PN结结构提高了触发脱扣电路所需的能量,这样就提高了电磁抗扰度性能。本电路通过合理设计及适当的元器件参数选择,可以将电快速瞬变脉冲群性能提高到4kV以上,浪涌性能也提高到4kV以上。
本实用新型的进一步设置是:所述电阻R1和电阻R3的结点上连接有极性电容器C1,该极性电容器C1阳极接于电阻器R1和电阻器R3的结点,阴极接于GND,所述三极管Q2的发射极上连接有稳压管ZD2和电容C3,稳压管ZD2的阳极和电容C3的另一端接于GND,所述可控硅Q1的门极上连接有电容C2,电容C2的另一端连接于GND;所述全波整流电路单元包括有压敏电阻RV1、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6,L相和N相分别连接于压敏电阻RV1两端后,接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成整流电路整流。
通过上述进一步的方案,使该电路功能更加合理,其中稳压管DZ2提供欠压保护的基准电压,同时保护三极管Q2,防止三极管Q2过电压击穿,电容C1和电容C3对电压进行平滑作用,同时通过不同参数的选择,实现对上电时序的控制,电容C2滤除小信号噪声对可控硅Q1造成的误触发,同时提高可控硅Q1阳极和阴极的dV/dt,降低被误触发的可能。
下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
附图说明
图1是本实用新型实施例电路结构图。
具体实施方式
如图1所示,L相和N相分别连接于压敏电阻RV1两端后,接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成的整流电路整流。脱扣线圈L1和二极管D1并联后,一端连于二极管D4,另一端连于可控硅Q1阳极,二极管D2阳极接于可控硅Q1阴极,阴极接于GND,电容C2一端接于可控硅Q1门极,另一端接于GND,电阻R1一端接于二极管D4阴极,另一端接于电阻R3一端,而电阻R3另一端接于GND,极性电容器C1阳极接于电阻R1和电阻R3的结点,阴极接于GND,电阻R2一端接于二极管D4阴极,另一端接于三极管Q2发射极。三极管Q2基极经电阻R4接于电阻R1和电阻R3的结点,集电极经电阻R5接于GND,二极管D7阳极接于三极管Q2集电极,阴极接于可控硅Q1门极。稳压管ZD2阴极接于三极管Q2发射极,阳极接于GND,稳压管ZD1阴极接于电阻器R1和电阻器R3的结点,阳极接于可控硅Q1门极,电容C3一端接于稳压管ZD2阴极,另一端接于GND。
具体工作原理:电阻R1和电阻R3通过对整流后电压分压,当电压过高时,通过ZD1稳压管驱动可控硅Q1实现脱扣保护;电阻R1和电阻R3通过对整流后电压分压,当电压过低时,三极管Q2导通,通过D7驱动Q1实现脱扣保护。
Claims (3)
1.一种过欠压保护电路,其特征在于:包括有全波整流电路单元、脱扣电路单元和驱动电路单元,脱扣电路单元由脱扣线圈L1、可控硅Q1和二极管D2串联构成,驱动电路单元包括有电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、稳压管ZD1、三极管Q2和二极管D7,其中电阻R1一端接全波整流电路单元的阴极,电阻R1另一端与电阻R3连接,电阻R3另一端接GND,稳压管ZD1阴极接于电阻R1和电阻R3的结点,阳极接于可控硅Q1门极,电阻R2一端接于全波整流电路单元的阴极,另一端接于三极管Q2发射极,三极管Q2基极经电阻R4接于电阻器R1和电阻器R3的结点,集电极经电阻R5接于GND,二极管D7阳极接于晶体管Q2集电极,阴极接于可控硅Q1门极。
2.根据权利要求1所述的过欠压保护电路,其特征在于:所述电阻R1和电阻R3的结点上连接有极性电容器C1,该极性电容器C1阳极接于电阻器R1和电阻器R3的结点,阴极接于GND,所述三极管Q2的发射极上连接有稳压管ZD2和电容C3,稳压管ZD2的阳极和电容C3的另一端接于GND,所述可控硅Q1的门极上连接有电容C2,电容C2的另一端连接于GND。
3.根据权利要求1或2所述的过欠压保护电路,其特征在于:所述全波整流电路单元包括有压敏电阻RV1、二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6,L相和N相分别连接于压敏电阻RV1两端后,接于二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6构成整流电路整流。
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