CN202662652U - 薄膜太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池，它包括减反射膜基底，基底上沉积有绝缘层，在绝缘层上生长有多个横向p-i-n结，各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成，各本征层上分别具有背反射镜，各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。本实用新型的薄膜太阳能电池可有效避免p、n掺杂层死层的光吸收损失以及栅线对光线遮挡造成的光损失，增加光线在电池内部的反射，从而有效提高电池的转换效率，且可应用于各种薄膜太阳能电池。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池，特别涉及一种薄膜太阳能电池。
背景技术
目前常规薄膜电池的结构如图1所示。第一层，为普通玻璃1，是电池载体。第二层为绒面的透明导电薄膜2(TCO)。TCO制备成绒面起到减少反射光的作用。第三层为p型掺杂层3，即窗口层。第四层是i层4，即太阳能电池的本征层，光生载流子主要在这一层产生。第五为n型掺杂层5，起到连接i和背电极的作用。最后是背电极6和Al/Ag电极7。
可见，常规薄膜电池的p型掺杂层与本征吸收层平行，并位于本征吸收层的上方，入射光先经过掺杂层再进入吸收层。由于p-i-n结构中i区是光敏区，此区中光生电子、空穴是光伏电力的源泉，而p、n两层掺杂是作为“死层”而存在的，主要起提供电场的作用，而它们区域内的载流子对光电流几乎不起作用，所以应尽量减少掺杂层对光的吸收，减少光损耗。
实用新型内容
本实用新型的目的，就是为了提供一种能尽量减少掺杂层对光的吸收，减少光损耗的薄膜太阳能电池。
为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：一种薄膜太阳能电池，包括减反射膜基底，基底上沉积有绝缘层，在绝缘层上生长有多个横向p-i-n结，各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成，各本征层上分别具有背反射镜，各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。
所述的多个横向p-i-n结串联。
所述的减反射膜基底为沉积有绒面透明导电薄膜的导电玻璃。
所述的背反射镜由ZnO+Al、ZnO+Ag+Al、TCO+Al、TCO+Ag+Al、Ag+Al或Al制作形成。
所述的金属电极为铝或银。
本实用新型由于采用了以上技术方案，使其与现有技术相比，具有以下的优点和特点：
1、掺杂层垂直于基底表面，光线不经过掺杂层直接入射到本征吸收层，可以有效减少入射光损失；
2、背反射镜可以增加n型掺杂层与背电极的折射率匹配，进而达到增加光线在电池内部的反射、减少透射的作用；
3、背面金属电极可以只引两边电极出来，实行子电池串联。输出电压高，可用于特殊场合。
附图说明
图1为现有技术常规薄膜太阳能电池的结构示意图。
图2为本实用新型薄膜太阳能电池的剖视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
参见图2，本实用新型的一种薄膜太阳能电池，包括减反射膜基底(由玻璃基底1和减反射膜2构成)，基底上沉积有绝缘层10，在绝缘层10上生长有多个横向p-i-n结，多个横向p-i-n结串联。各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层5、本征层4和p型掺杂层3顺序设置组成，各本征层4上分别具有背反射镜11，各n型掺杂层5上分别具有金属电极9，各p型掺杂层8上分别具有金属电极8。
本实用新型中的减反射膜基底为沉积有绒面透明导电薄膜的导电玻璃。
本实用新型中的背反射镜由ZnO+Al、ZnO+Ag+Al、TCO+Al、TCO+Ag+Al、Ag+Al或Al制作形成。
本实用新型中的金属电极为铝或银。
Claims (4)
1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于：包括减反射膜基底，基底上沉积有绝缘层，在绝缘层上生长有多个横向p-i-n结，各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成，各本征层上分别具有背反射镜，各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的多个横向p-i-n结串联。
3.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的减反射膜基底为沉积有绒面透明导电薄膜的导电玻璃。
4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的金属电极为铝或银。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN2012202081404U CN202662652U (zh) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 薄膜太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2012202081404U CN202662652U (zh) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 薄膜太阳能电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202662652U true CN202662652U (zh) | 2013-01-09 |
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ID=47457537
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| CN2012202081404U Expired - Lifetime CN202662652U (zh) | 2012-05-09 | 2012-05-09 | 薄膜太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN202662652U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103390679A (zh) * | 2012-05-09 | 2013-11-13 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 薄膜太阳能电池及其制作方法 |
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2012
- 2012-05-09 CN CN2012202081404U patent/CN202662652U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103390679A (zh) * | 2012-05-09 | 2013-11-13 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 薄膜太阳能电池及其制作方法 |
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