CN202159806U - 高性能射频同轴连接器用绝缘子 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高性能射频同轴连接器用绝缘子，包括绝缘子本体，在所述本体的中心处开有供中心导体穿过的通孔，在所述本体的两侧的边缘处和中心孔的圆周处均设有凹槽，并且在本体的每侧面上均设有盲孔。本实用新型的优点是：两侧的边缘处设有凹槽可以对阻抗不连续性予以补偿；在零件两侧设计的盲孔结构，能保证产品在使用中对内部结构的保护，防止灰尘、异物等进入腔体中；还能使绝缘子固有的介电常数发生变化，从原有的3.10～3.30降低到2.30～2.60。

Description

高性能射频同轴连接器用绝缘子

技术领域

本实用新型涉及一种绝缘体，具体说是一种高性能射频同轴连接器用绝缘子。

背景技术

射频同轴连接器(以下简称RF连接器)通常被认为是装接在电缆上或安装在仪器上的一种元件，作为传输线电气连接或分离的元件。它属于机电一体化产品。简单的讲它主要起桥梁作用。

目前PTFE是射频同轴连接器中常用的介质支撑材料，但是对毫米波连接器来说，由于截止频率的限制至少在30GHz，其介质支撑的厚度就受到了很大的限制，这主要是因为在连接器中，只有当介质支撑的有效电长度相当短，使得不产生TE11模谐振，那么，TEM模和TE11模之间的相互作用是微弱的。根据“雷达设计手册”给出的经验公式，可估算出现有连接器的介质支撑的厚度是相当薄的，而且使用PTFE材料来支撑，其机械强度也是不够的。因此在选择时，除考虑其介电常数、损耗外，还必须考虑到材料的冷流、抗压强度、热膨胀等因素。

实用新型内容

发明目的：为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种结构合理的高性能射频同轴连接器用绝缘子。

技术方案：为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案为：一种高性能射频同轴连接器用绝缘子，包括绝缘子本体，在所述本体的中心处开有供中心导体穿过的通孔，在所述本体的两侧的边缘处和中心孔的圆周处均设有凹槽，并且在本体的每侧面上均设有盲孔。

在所述本体每个侧面上有3个所述盲孔。

所述盲孔均匀分布在所述本体上。

所述本体为由聚醚酰亚胺(PEI)绝缘材料制成的圆柱体。

有益效果：本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：两侧的边缘处设有凹槽可以对阻抗不连续性予以补偿；在零件两侧设计的盲孔结构，能保证产品在使用中对内部结构的保护，防止灰尘、异物等进入腔体中；还能使绝缘子固有的介电常数发生变化，从原有的3.10～3.30降低到2.30～2.60。

附图说明

图1为本实用新型的主视图。

图2为图1的A-A向剖视图。

图3为本实用新型的后视图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作进一步的详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。

如图1和图3所示，本实用新型一种高性能射频同轴连接器用绝缘子，包括绝缘子本体1，在本体1的中心处开有供中心导体穿过的通孔2，在本体1的两侧的边缘处和中心孔的圆周处均设有凹槽3，并且在本体1的每侧面上均设有盲孔4。在本体1每个侧面上有3个盲孔4并且盲孔4最好是均匀分布。

盲孔4的尺寸可以根据所需介电常数的大小进行调节，当需要介电常数较大时，减小盲孔4的深度，当需要介电常数较小时，增大盲孔4的深度。

本体1为由聚醚酰亚胺绝缘材料制成的圆柱体。选用聚醚酰亚胺(PEI)材料，该材料其介电常数比聚四氟乙烯(PTFE)大以外，其它性能不差于PTFE，通过合理的设计与加工，其目的就是为了降低本实用新型的固有介电常数，PEI材料固有介电常数在3.10～3.30，通过采用PEI材料和盲孔4结构设计，可使本实用新型的介电常数降低到2.30～2.60。

同时，本实用新型还可推广应用于多种不同微波频段的高性能同轴连接器中。

如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。

Claims (4)

1.一种高性能射频同轴连接器用绝缘子，包括绝缘子本体(1)，其特征在于，在所述本体(1)的中心处开有供中心导体穿过的通孔(2)，在所述本体(1)的两侧的边缘处和中心孔的圆周处均设有凹槽(3)，并且在本体(1)的每侧面上均设有盲孔(4)。

2.根据权利要求1所述的高性能射频同轴连接器用绝缘子，其特征在于，在所述本体(1)每个侧面上有3个所述盲孔(4)。

3.根据权利要求1所述的高性能射频同轴连接器用绝缘子，其特征在于，所述盲孔(4)均匀分布在所述本体(1)上。

4.根据权利要求1所述的高性能射频同轴连接器用绝缘子，其特征在于，所述本体(1)为由聚醚酰亚胺绝缘材料制成的圆柱体。

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