CN202084527U - 一种新型晶体管构造 - Google Patents
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Abstract
一种新型晶体管构造，包括构成晶体管的P型材料和N型材料，其特征在于晶体管的电子流出端是P型材料的其中一端时，P型材料的该其中一端与P极导电体其中一端连接，P极导电体的另一端与输出N型材料的其中一极连接，输出N型材料的另一极与其中一引线相连；晶体管的电子流入端是N型材料的其中一端时，N型材料的该其中一端与N极导电体其中一端连接，N极导电体的另一端与输出P型材料的其中一极连接，输出P型材料的另一极与另一引线相连。本实用新型与已有技术相比，具有主动散热的、散热效果好、受环境影响小的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶体管的构造。
背景技术
现有的晶体管，不管是三极管、二极管还是发光二极管，都是由P型材料和N型材料构成的，电子由N型材料向P型材料迁移的过程中会产生大量的热能，如果这些热能不能及时散发出去，会导致晶体管受损破坏，为此，人们在晶体管上设置散热板，以便将热能散发出去。此种散热方式由于是被动散热的，散热效果不是很好，对环境要求较高，如果是出于一个温度较高的环境时，散热效果就会受到很大的影响。
发明内容
本实用新型的发明目的在于提供一种具有主动散热的、散热效果好、受环境影响小的新型晶体管构造。
本实用新型是这样实现的，包括构成晶体管的P型材料和N型材料，其特别之处在于晶体管的电子流出端是P型材料的其中一端时，P型材料的该其中一端与P极导电体其中一端连接，P极导电体的另一端与输出N型材料的其中一极连接，输出N型材料的另一极与其中一引线相连，晶体管的电子流入端是N型材料的其中一端时，N型材料的该其中一端与N极导电体其中一端连接，N极导电体的另一端与输出P型材料的其中一极连接，输出P型材料的另一极与另一引线相连。使用时，电流通过其中引线通过输出P型材料、N极导电体、N型材料、P型材料、P极导电体输出N型材料后从另一引线流出，电子由N型材料向P型材料迁移的过程中会产生大量的热能，同时，根据Peltier效应（帕贴尔效应），由于N型材料的电子能级比P型材料的电子能级高，电子由P型材料通过导电体向N型材料迁移的过程中会吸收大量的热能，由于吸热是主动吸热，因此，散热效果好，受环境的影响不大。
为了进一步提升散热效果，P型材料和N型材料固定在散热板上。这样，既能实现P型材料和N型材料的定位，同时，又能提升晶体管工作时的散热效果。散热板是绝缘散热板，绝缘散热板设置在P型材料的P极导电体、N型材料的N极导电体的那一侧。这样，就能利用P极导电体、N极导电体、绝缘散热板的良好导热性将电子由N型材料向P型材料迁移的过程中所产生的大量的热能传导出去并由电子由P型材料通过导电体向N型材料迁移时所吸取。
这里，P型材料和N型材料各一个，构成二极管，进一步的，P型材料和N型材料构成发光二极管。
P型材料两个，N型材料一个，构成三极管，或者P型材料一个，N型材料两个，构成三极管。
本实用新型与已有技术相比，具有主动散热的、散热效果好、受环境影响小的优点。
附图说明：
图1为本实用新型实施例1的结构示意图；
图2为本实用新型实施例2的结构示意图；
图3为本实用新型实施例3的结构示意图；
图4为本实用新型实施例4的结构示意图；
图5为本实用新型实施例5的结构示意图。
具体实施方式：
现结合附图和实施例对本实用新型做进一步详细描述：
实施例1：如图1所示，本实用新型包括构成二极管的一个P型材料1和一个N型材料2，其特别之处在于晶体管正极的P型材料1与P极导电体3其中一端连接，P极导电体3的另一端与输出N型材料4的其中一极连接，输出N型材料4的另一极与其中一引线5相连，位于晶体管负极的N型材料2与N极导电体6其中一端连接，N极导电体6的另一端与输出P型材料7的其中一极连接，输出P型材料7的另一极与另一引线8相连。
如图2所示，实施例2是在实施例1的基础上，P型材料1和N型材料2固定在散热板9上。P极导电体、N极导电***于晶体管的同一侧，散热板9是绝缘散热板，绝缘散热板9固定在P极导电体、N极导电体上。
实施例3：如图3所示，本实用新型包括构成发光二极管的一个大的P型材料1和连接在大的P型材料1上的一个小N型材料2，其特别之处在于晶体管正极的P型材料1与P极导电体3其中一端连接，P极导电体3的另一端与输出N型材料4的其中一极连接，输出N型材料4的另一极与其中一引线5相连，位于晶体管负极的N型材料2与N极导电体6其中一端连接，N极导电体6的另一端与输出P型材料7的其中一极连接，输出P型材料7的另一极与另一引线8相连，P极导电体3、N极导电体6位于晶体管的相对的两侧，绝缘散热板9连接在P极导电体3、输出P型材料7上。
实施例4：如图:4所示，本实用新型包括构成三极管的两个P型材料1和一个N型材料2，其特别之处在于三极管的发射极的P型材料1与P极导电体3其中一端连接，P极导电体3的另一端与输出N型材料4的其中一极连接，输出N型材料4的另一极与其中一引线5相连，基极的N型材料2与N极导电体6其中一端连接，N极导电体6的另一端与输出P型材料7的其中一极连接，输出P型材料7的另一极与另一引线8相连，集电极的P型材料1与第三引线10相连，绝缘散热板9连接在P极导电体3及P极导电体3那一侧的三极管上。
实施例5：如图5所示，本实用新型包括构成三极管的一个P型材料1和两个N型材料2，其特别之处在于三极管的集电极的N型材料1与N极导电体6其中一端连接，N极导电体6的另一端与输出P型材料7的其中一极连接，输出P型材料7的另一极与另一引线8相连，基极的P型材料1与P极导电体3其中一端连接，P极导电体3的另一端与输出N型材料4的其中一极连接，输出N型材料4的另一极与其中一引线5相连，发射极的N型材料2与第三引线10相连，绝缘散热板9连接在N极导电体6及 N极导电体6那一侧的三极管上。
Claims (7)
1.一种新型晶体管构造，包括构成晶体管的P型材料和N型材料，其特征在于晶体管的电子流出端是P型材料的其中一端时，P型材料的该其中一端与P极导电体其中一端连接，P极导电体的另一端与输出N型材料的其中一极连接，输出N型材料的另一极与其中一引线相连；晶体管的电子流入端是N型材料的其中一端时，N型材料的该其中一端与N极导电体其中一端连接，N极导电体的另一端与输出P型材料的其中一极连接，输出P型材料的另一极与另一引线相连。
2.根据权利要求1所述的新型晶体管构造，其特征在于P型材料和N型材料固定在散热板上。
3.根据权利要求2所述的新型晶体管构造，其特征在于散热板是绝缘散热板，绝缘散热板设置在P型材料的P极导电体、N型材料的N极导电体的那一侧。
4.根据权利要求3所述的新型晶体管构造，其特征在于P型材料和N型材料各一个，构成二极管。
5.根据权利要求4所述的新型晶体管构造，其特征在于二极管是发光二极管。
6.根据权利要求5所述的新型晶体管构造，其特征在于构成发光二极管的P型材料是大的P型材料， N型材料是连接在大的P型材料上的小N型材料， P极导电体、N极导电***于晶体管的相对的两侧，绝缘散热板连接在P极导电体、输出P型材料上；或者构成发光二极管的N型材料是大的N型材料， P型材料是连接在大的N型材料上的小P型材料， N极导电体、P极导电***于晶体管的相对的两侧，绝缘散热板连接在N极导电体、输出N型材料上。
7.根据权利要求1或2所述的新型晶体管构造，其特征在于P型材料两个，N型材料一个，构成三极管，三极管的发射极的P型材料与P极导电体其中一端连接，P极导电体的另一端与输出N型材料的其中一极连接，输出N型材料的另一极与其中一引线相连，基极的N型材料与N极导电体其中一端连接，N极导电体的另一端与输出P型材料的其中一极连接，输出P型材料的另一极与另一引线相连，集电极的P型材料与第三引线相连，绝缘散热板连接在P极导电体及P极导电体那一侧的三极管上；或者P型材料一个，N型材料两个，构成三极管，三极管的集电极的N型材料与N极导电体其中一端连接，N极导电体的另一端与输出P型材料的其中一极连接，输出P型材料的另一极与另一引线相连，基极的P型材料与P极导电体其中一端连接，P极导电体的另一端与输出N型材料的其中一极连接，输出N型材料的另一极与其中一引线相连，发射极的N型材料与第三引线相连，绝缘散热板连接在N极导电体及 N极导电体那一侧的三极管上。
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|---|---|---|---|
| CN201120194982.4U CN202084527U (zh) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | 一种新型晶体管构造 |
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Publications (1)
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| CN202084527U true CN202084527U (zh) | 2011-12-21 |
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| CN201120194982.4U Expired - Lifetime CN202084527U (zh) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | 一种新型晶体管构造 |
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| CN (1) | CN202084527U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102226990A (zh) * | 2011-06-10 | 2011-10-26 | 黎祥英 | 一种新型晶体管构造 |
| RU2487436C1 (ru) * | 2012-02-03 | 2013-07-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Светотранзистор |
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2011
- 2011-06-10 CN CN201120194982.4U patent/CN202084527U/zh not_active Expired - Lifetime
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| RU2487436C1 (ru) * | 2012-02-03 | 2013-07-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Светотранзистор |
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