CN201974446U - 激光二极管芯片功率测试夹具 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种激光二极管芯片功率测试夹具，包括水平位移台(1)和固定在水平位移台上表面的温控台(2)，其特征在于；所述的温控台(2)上开设有凹槽，与凹槽相配有夹具体(3)，在夹具体(3)的一个侧边均匀设置有多个载体槽(4)，在夹具体(3)的另一个侧边均匀设置有多个芯片槽(5)。这是一种结构简单，成本低廉，可以对激光二极管芯片实现标准化、批量化功率测量的，再现性强，效率高的激光二极管芯片功率测试夹具。
Description
技术领域
本实用新型涉及一夹具，尤其是一种用于测量激光二极管芯片功率的，可以用于测量裸芯片和带载体的芯片两种形态芯片的夹具。
背景技术
从20世纪70年代末开始，半导体激光器开始应用于光纤通信***，它可以作为光纤通信的光源和指示器，还能够通过大规模集成电路平面工艺组成光电子***。由于半导体激光器有着超小型、高效率和工作高速等优点，因此它已经在光通信、光变换、光互连、并行光波***、光信息处理和光存储、光计算机外部设备的光耦合等方面得到了广泛的应用。而在半导体激光器的制作和生产的工艺过程中，激光二极管芯片的功率测试是非常重要的一个环节。传统的测试方法是将裸芯片或带载体的芯片放置在温控台上，在恒温的条件下，使其与光探测器探头的光敏面相对，并向光敏面发出光线，以实现测量芯片功率的目的。但是这种方法存在着许多的问题：针对不同的芯片只能够做逐一测试，这样不同的芯片其摆放的位置就无法完全一致，导致测试结果的再现性很差，而且由于温控台上没有任何可以固定芯片的结构，因此一旦芯片受到外力，便会发生位移，直接导致测试结构不够准确。因此现在需要一种既能够保证测试结果准确，又可以获得较高测试效率的激光二极管芯片测试工具。
发明内容
本实用新型是为了解决现有技术所存在的上述不足，提出一种结构简单，成本低廉，可以对激光二极管芯片实现标准化、批量化功率测量的，再现性强，效率高的激光二极管芯片功率测试夹具。
本实用新型的具体解决方案是：一种激光二极管芯片功率测试夹具，包括水平位移台1和固定在水平位移台上表面的温控台2，其特征在于；所述的温控台2上开设有凹槽，与凹槽相配有夹具体3，在夹具体3的一个侧边均匀设置有多个载体槽4，在夹具体3的另一个侧边均匀设置有多个芯片槽5。
本实用新型同现有技术相比，具有如下优点：
本实用新型实施例的测试夹具，其结构简单，设计独特，利用它可以保证每一个芯片与光探测器的光敏面的相对位置完全一致，这样就可以实现测量工作的良好再现性，并且能够确保测量结果的准确性；同时它可以节省摆放芯片的时间，提高了对芯片功率测量的工作效率；并且它的制作简单，成本低廉，因此可以说这种专用夹具具备了多种优点，十分有利于在本领域中推广应用，具备了广泛的市场前景。
附图说明
图1是本实用新型实施例的俯视图。
图2是本实用新型实施例夹具体的A向视图。
图3是本实用新型实施例夹具体的B向视图。
具体实施方式
下面将结合附图说明本实用新型的具体实施方式。如图1、图2、图3所示：一种激光二极管芯片功率测试夹具，包括水平位移台1和固定在水平位移台上表面的温控台2，水平位移台1的移动部分可以在旋钮的作用下做水平运动，温控台2可以保证与之相连的夹具体3的温度保持恒定；在温控台2上表面开设有凹槽，与凹槽相配的夹具体3嵌于其内，在夹具体3的一个侧边上设置有多个载体槽4，而在夹具体3的另一个侧边上则设置有多个芯片槽5，并且载体槽4和芯片槽5均为均匀分布。
在利用本实用新型实施例的激光二极管芯片功率测试夹具进行测试时，首先将多个带有载体的芯片放置在载体槽4内，多个裸芯片放置在芯片槽5内，然后将夹具体3放置在温控台2的凹槽内，这样与光探测器6的光敏面7相对应的芯片(带有载体芯片的或裸芯片)其位置便是测试的标准位置，当一个芯片测试完成后，旋转水平位移台1上的平移旋钮8，移动部分在水平方向上运动，带动夹具体3运动一个标准距离，下一个待测试的芯片恰好运动至标准为之后停止，开始测试即可。
通过本种结构形式测试夹具对激光二极管芯片进行测试，不仅可以实现标准化检测，同时还能够极大地提高测试的效率。
Claims (1)
1.一种激光二极管芯片功率测试夹具，包括水平位移台(1)和固定在水平位移台上表面的温控台(2)，其特征在于；所述的温控台(2)上开设有凹槽，与凹槽相配有夹具体(3)，在夹具体(3)的一个侧边均匀设置有多个载体槽(4)，在夹具体(3)的另一个侧边均匀设置有多个芯片槽(5)。
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| CN2010206755962U CN201974446U (zh) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | 激光二极管芯片功率测试夹具 |
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Publications (1)
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| CN201974446U true CN201974446U (zh) | 2011-09-14 |
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN201974446U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102590561A (zh) * | 2012-02-06 | 2012-07-18 | 山东建筑大学 | 激光二极管芯片功率检测电极 |
| CN112909726A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-04 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种激光芯片的多功能测试装置 |
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2010
- 2010-12-23 CN CN2010206755962U patent/CN201974446U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN112909726A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-04 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种激光芯片的多功能测试装置 |
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110914 Termination date: 20121223 |