CN201937238U - 输入欠压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及输入欠压保护电路,包括电压输入端、主控IC,还包括稳压二极管ZD1、三极管Q1、三极管Q2,所述稳压二极管的一端与电压输入端连接,另一端与三极管Q1的基极连接;所述三极管Q1的集电极与主控IC的电压供电端口连接,其集电极还与三极管Q2的基极连接,其发射极接地;所述三极管Q2的集电极与主控IC的反馈电压端口连接,其发射极接地。本实用新型与现有技术相比,具有结构简单、成本低、体积小的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及输入欠压保护电路。
背景技术
目前,现有的输入欠压保护电路的结构比较复杂,利用多个运算放大器、场效应管以及主控IC等器件,来实现过压保护功能,不仅造成产品的体积过大,还增加了产品的制作成本。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种结构简单、成本低、体积小的输入欠压保护电路。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
输入欠压保护电路,包括电压输入端、主控IC,还包括稳压二极管ZD1、三极管Q1、三极管Q2,所述稳压二极管的一端与电压输入端连接,另一端与三极管Q1的基极连接;所述三极管Q1的集电极与主控IC的电压供电端口连接,其集电极还与三极管Q2的基极连接,其发射极接地;所述三极管Q2的集电极与主控IC的反馈电压端口连接,其发射极接地。
作为优选,所述稳压二极管ZD1的一端通过整流电路与电压输入端连接。所述整流电路包括一整流二极管D1。所述整流电路还包括电阻R1、电阻R2,所述电阻R1、电阻R2、整流二极管D1串接。
作为优选,所述三极管Q1的集电极通过电阻R5与主控IC的电压供电端口连接。
作为优选,该保护电路还包括电容C4、电阻R7,电容C4与电阻R7并联,且电容C4的一端与三极管Q1的集电极连接,另一端接地。
本实用新型与现有技术相比,采用三极管、稳压二极管即可实现过压保护功能,结构简单,成本低廉,可以大大减小应用该电路的产品的体积。
附图说明
图1为本实用新型实施例的输入欠压保护电路的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,输入欠压保护电路,包括电压输入端、主控IC U1、稳压二极管ZD1、三极管Q1、三极管Q2、电容C4、电阻R7。所述电压输入端输入的电压是交流电压(也可以是直流电压)。所述电压输入端包括火线端(L端)及零线端(N端)。
所述稳压二极管ZD1的一端通过整流电路与电压输入端的N端(也可以是L端)连接,另一端与三极管Q1的基极连接;所述三极管Q1的集电极通过电阻R5与主控IC U1的电压供电端口(VCC)“7”连接,其集电极还与三极管Q2的基极连接,其发射极接地;所述三极管Q2的集电极与主控IC U1的反馈电压端口(VFB)“2”连接,其发射极接地。电容C4与电阻R7并联,且电容C4的一端与三极管Q1的集电极连接,另一端接地。
所述主控IC U1的电压供电端口“7”还可以连接一电容C2,电容C2的另一端接地。
三极管Q1的基极还连接有电容C3,电容C3的另一端接地,电容C3还与电阻R4并联连接。
所述整流电路包括一整流二极管D1、电阻R1、电阻R2,所述电阻R1、电阻R2、整流二极管D1串接。具体为,整流二极管D1与稳压二极管ZD1连接,电阻R1与电压输入端的N端连接。整流二极管D1与稳压二极管ZD1的连接端还连接有电阻R3,电阻R3的另一端接地。
在实际应用中,电压输入端的L端可以通过电感L、桥式整流电路BD1、电容C1、变压器T1A、整流二极管D2、电阻R6给主控IC U1的电压供电端口“7”供电,使主控IC U1工作。主控IC U1的反馈电压端口“2”可以与光耦U2连接(也可以是其他器件),通过光耦U2来对其他电路或器件进行控制。
本实施例的工作原理如下:
当电路的输入电压大于稳压二极管ZD1的最低输入电压时,稳压二极管ZD1导通,三极管Q1导通,三极管Q2截止,主控IC U1的反馈电压端口“2”为高电平,主控IC U1正常工作,从而,与主控IC U1的反馈电压端口“2”连接的光耦U2也可以正常对外工作。
当电路输入电压小于稳压二极管ZD1的最低输入电压时,稳压二极管ZD1截止,三极管Q1截止,三极管Q2导通,主控IC U1的反馈电压端口“2”为低电平,主控IC U1停止工作,因此,与主控IC U1的反馈电压端口“2”连接的光耦U2也停止对外工作。从而起到了输入电压欠压保护作用。
上述实施例只是本实用新型较优选的具体实施方式的一种,本领域技术人员在本实用新型方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (6)
1.输入欠压保护电路,包括电压输入端、主控IC,其特征在于,还包括稳压二极管ZD1、三极管Q1、三极管Q2,所述稳压二极管的一端与电压输入端连接,另一端与三极管Q1的基极连接;所述三极管Q1的集电极与主控IC的电压供电端口连接,其集电极还与三极管Q2的基极连接,其发射极接地;所述三极管Q2的集电极与主控IC的反馈电压端口连接,其发射极接地。
2.如权利要求1所述的输入欠压保护电路,其特征在于,所述稳压二极管ZD1的一端通过整流电路与电压输入端连接。
3.如权利要求2所述的输入欠压保护电路,其特征在于,所述整流电路包括一整流二极管D1。
4.如权利要求3所述的输入欠压保护电路,其特征在于,所述整流电路还包括电阻R1、电阻R2,所述电阻R1、电阻R2、整流二极管D1串接。
5.如权利要求1所述的输入欠压保护电路,其特征在于,所述三极管Q1的集电极通过电阻R5与主控IC的电压供电端口连接。
6.如权利要求1所述的输入欠压保护电路,其特征在于,该保护电路还包括电容C4、电阻R7,电容C4与电阻R7并联,且电容C4的一端与三极管Q1的集电极连接,另一端接地。
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