CN201758271U - 无光耦的待机保护电路 - Google Patents
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Abstract
无光耦的待机保护电路，包括待机电路，其输入端旁接一个电子开关，其输出端则设有一个光耦OP2，还设有与电子开关连接的采样电路，其输入端设有采样端子，其输出端则与该电子开关连接。待机电路的输入端为低电平时光耦OP2截止，整个电路处于正常待机状态；待机电路的输入端为高电平时光耦OP2导通，电压正常时，电子开关截止，整个电路正常工作，若出现电压异常，采样电路的采样端子会收到一个高电平，然后导通电子开关将待机电路输入端的电压拉低成低电平使光耦OP2截止，整个电路处于异常待机状态；排除异常后关断电源，待机电路的输入端随即恢复成低电平，光耦OP2依然截止，整个电路重新处于正常待机状态。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电路，具体的是指无光耦的待机保护电路。
背景技术
通常家电产品都具有待机电路，在待机时切断主电路的供电，仅由待机电路给CPU供电，从而实现低功耗。为了在输出电压异常有效的保护电路，较为常见的保护方案多类似于说明书附图的图1所示的电路结构，设一个独立于待机电路的保护电路，两者各自独立的运用光耦进行隔离；图中所示，IC3的12脚通过光耦OP2与待机电路连接，8脚通过光耦OP1与保护电路连接。
上述方案的实施电路中，保护电路必须额外采用单独的光耦，而且因为待机电路和保护电路分开设置，所需的元器件较多，占用线路板的面积较大，容易出现电路故障，因此稳定性不佳，而且成本也高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于对现有技术的电路进行优化，将待机电路和保护电路合并在一起，通过精简元器件的数量来释放线路板空间，大幅度的提升电路的性价比。
为了实现上述目的，本实用新型提出了一种无光耦的待机保护电路，具体如下。
无光耦的待机保护电路，包括待机电路，其输入端旁接一个电子开关，其输出端则设有一个光耦OP2，还设有与电子开关连接的采样电路，其输入端设有采样端子，其输出端则与该电子开关连接。待机电路的输入端为低电平时光耦OP2截止，整个电路处于正常待机状态；待机电路的输入端为高电平时光耦OP2导通，电压正常时，电子开关截止，整个电路正常工作，若出现电压异常，采样电路的采样端子会收到一个高电平，然后导通电子开关将待机电路输入端的电压拉低成低电平使光耦OP2截止，整个电路处于异常待机状态；排除异常后关断电源，待机电路的输入端随即恢复成低电平，光耦OP2依然截止，整个电路重新处于正常待机状态。
作为上述技术方案的改进，待机电路内设有N沟道MOS场效应管Q6，其基极与待机电路的输入端连接，其源极接地，其栅极与光耦OP2连接，其源极与基极之间还跨接一个电阻R80。
进一步的，设有与电阻R80并联的电容C38。
作为上述技术方案的改进，所述的电子开关是PNP三极管Q8，其发射极与待机电路的输入端连接，其集电极与采样电路的输出端连接，其基极与发射极之间还跨接一个电阻R85。
进一步的，设有与电阻R85并联的电容C40。
作为上述技术方案的改进，所述的采样电路设有两个采样端子PORT1和PORT2，采样端子PORT1依次级联以阳极相连的稳压二极管ZD3和二极管D10，采样端子PORT2依次级联以阳极相连的稳压二极管ZD4和二极管D11，二极管D10与二极管D11的阴极通过电阻R83与三极管Q8的集电极连接。
进一步的，所述的采样电路的输出端还设有NPN三极管Q7，其基极与三极管Q8的集电极连接，其集电极与三极管Q8的基极连接，其发射极接地，其基极与发射极之间还跨接一个电阻R84。
进一步的，设有与电阻R84并联的电容R39。
在上述的实施电路中，待机电路的输入端的输入信号ON/OFF为低电平时，场效应管Q6、三极管Q7、三极管Q8和光耦OP2截止，整个电路处于正常待机状态；待机电路的输入端的输入信号ON/OFF为高电平并且电压正常时，三极管Q7、三极管Q8截止，场效应管Q6、光耦OP2导通，整个电路正常工作，若出现电压异常，采样电路的采样端子PORT1或PORT2会收到一个高电平，三极管Q7、三极管Q8相继导通将待机电路输入端的电压拉低成低电平使场效应管Q6、光耦OP2截止，整个电路处于异常待机状态；排除异常后关断电源，待机电路的输入端的输入信号ON/OFF随即恢复成低电平，场效应管Q6、三极管Q7、三极管Q8和光耦OP2截止，整个电路重新处于正常待机状态。
和现有技术相比，本实用新型的有益效果在于精简了元器件的数量，做到元件少、密度高的同时提高产品的稳定性，节省了生产成本，使整机产品更有优势。
附图说明
图1是现有技术中常见的待机保护电路原理图。
图2是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明。
如图2所示，无光耦的待机保护电路，包括电连接的待机电路1和采样电路2。
其中，待机电路1其输入端输入信号ON/OFF，旁接一个电子开关，其输出端则设有一个光耦OP2，待机电路内设有N沟道MOS场效应管Q6，其基极与待机电路的输入端连接，其源极接地，其栅极与光耦OP2连接，其源极与基极之间还跨接一个电阻R80，与电阻R80并联的设有电容C38。
所述的电子开关是PNP三极管Q8，其发射极与待机电路的输入端连接，其集电极与采样电路2的输出端连接，其基极与发射极之间还跨接一个电阻R85，与电阻R85并联的设有电容C40。
其中，采样电路2其输入端设有两个采样端子PORT1和PORT2，采样端子PORT1依次级联以阳极相连的稳压二极管ZD3和二极管D10，采样端子PORT2依次级联以阳极相连的稳压二极管ZD4和二极管D11，二极管D10与二极管D11的阴极通过电阻R83与三极管Q8的集电极连接。所述的采样电路2的输出端还设有NPN三极管Q7，其基极与三极管Q8的集电极连接，其集电极与三极管Q8的基极连接，其发射极接地，其基极与发射极之间还跨接一个电阻R84，与电阻R84并联的设有电容R39。
在上述的实施电路中，待机电路1的输入端的输入信号ON/OFF为低电平时，场效应管Q6、三极管Q7、三极管Q8和光耦OP2截止，电路处于正常待机状态；待机电路1的输入端的输入信号ON/OFF为高电平并且电压正常时，三极管Q7、三极管Q8截止，场效应管Q6、光耦OP2导通，整个电路正常工作，若出现电压异常，采样电路2的采样端子PORT1或PORT2会收到一个高电平，三极管Q7、三极管Q8相继导通将待机电路1输入端的电压拉低成低电平使场效应管Q6、光耦OP2截止，整个电路处于异常待机状态；排除异常后关断电源，待机电路1的输入端的输入信号ON/OFF随即恢复成低电平，场效应管Q6、三极管Q7、三极管Q8和光耦OP2截止，整个电路重新处于正常待机状态。
对于本领域的技术人员来说，可根据本实用新型所揭示的结构和原理获得其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都属于本实用新型的保护范畴。
Claims (8)
1.无光耦的待机保护电路，其特征在于：包括待机电路，其输入端旁接一个电子开关，其输出端则设有一个光耦OP2，还设有与电子开关连接的采样电路，其输入端设有采样端子，其输出端则与该电子开关连接。
2.根据权利要求1所述的无光耦的待机保护电路，其特征在于：待机电路内设有N沟道MOS场效应管Q6，其基极与待机电路的输入端连接，其源极接地，其栅极与光耦OP2连接，其源极与基极之间还跨接一个电阻R80。
3.根据权利要求2所述的无光耦的待机保护电路，其特征在于：设有与电阻R80并联的电容C38。
4.根据权利要求3所述的无光耦的待机保护电路，其特征在于：所述的电子开关是PNP三极管Q8，其发射极与待机电路的输入端连接，其集电极与采样电路的输出端连接，其基极与发射极之间还跨接一个电阻R85。
5.根据权利要求4所述的无光耦的待机保护电路，其特征在于：设有与电阻R85并联的电容C40。
6.根据权利要求5所述的无光耦的待机保护电路，其特征在于：所述的采样电路设有两个采样端子PORT1和PORT2，采样端子PORT1依次级联以阳极相连的稳压二极管ZD3和二极管D10，采样端子PORT2依次级联以阳极相连的稳压二极管ZD4和二极管D11，二极管D10与二极管D11的阴极通过电阻R83与三极管Q8的集电极连接。
7.根据权利要求1所述的无光耦的待机保护电路，其特征在于：所述的采样电路的输出端还设有NPN三极管Q7，其基极与三极管Q8的集电极连接，其集电极与三极管Q8的基极连接，其发射极接地，其基极与发射极之间还跨接一个电阻R84。
8.根据权利要求7所述的无光耦的待机保护电路，其特征在于：设有与电阻R84并联的电容R39。
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