CN201673657U - 液晶显示器的栅极驱动装置 - Google Patents

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王洁琼
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Abstract

本实用新型实施例公开了一种液晶显示器的栅极驱动装置，涉及移动液晶显示领域，能够改善液晶显示器的画面品质。一种液晶显示器的栅极驱动装置，所述栅极驱动装置与栅线相连接，所述栅极驱动装置包括：放电装置，连接在所述栅线上。本实用新型应用于液晶显示器的驱动电路。

Description

液晶显示器的栅极驱动装置
技术领域
本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示器的栅极驱动装置。
背景技术
近年来，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)产品发展十分迅猛，越来越多高品质的液晶显示器逐渐上市，其应用领域也不断拓宽。
液晶显示器显示画面的基本原理是：通过对液晶两极板间施加不同的电压，使液晶偏转一定角度，以使光通过，液晶偏转角度的大小决定液晶的光透过率，从而产生不同灰阶的灰度显示。
液晶显示器通过驱动薄膜晶体管的栅极来控制薄膜晶体管的开启与关闭，这种栅极驱动方法采用逐行扫描的方式，当某一行栅线开启时，其他行栅线均处于关闭状态，目前，液晶显示普遍采用的栅极驱动装置如图1所示，其主要是移位寄存器(S/R)，电平转换器(L/S)，缓冲器(Buf)三部分构成，行开启信号(STV)经过S/R产生一定周期的位移，生成每一行的行开启信号，行开启信号是顺序的行开启电压，行同步信号(CPV)的上升沿将对应行的行打开，以便于将图像数据写入像素内，在第二个CPV上升沿，行关闭，像素保持原始数据不变，当相应行开启时，图像数据写入相应行中，从而显示画面。
发明人在实现本实用新型的技术方案时发现，现有技术的栅极驱动装置至少存在以下问题：由于负载电阻电容的存在，栅线在放电末期时放电缓慢，使得在第N+1行栅线开启时，第N行栅线还未完全关闭，相当于相邻行栅线同时打开，导致输出到第N+1行像素单元的图像数据会同时输出到第N行的像素单元，这样，会产生显示数据的错误，严重影响画面品质。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种栅极驱动装置，能够改善液晶显示装置的画面品质。
为解决上述技术问题，本实用新型实施例采用如下技术方案：
一种液晶显示器的栅极驱动装置，所述栅极驱动装置与栅线相连接，所述栅极驱动装置包括：放电装置，连接在所述栅线上。
所述放电装置包括放电控制端，所述放电控制端接收放电控制信号，控制所述放电装置在第一预定时间开启，从而在第N+1行栅线开启前，将第N行栅线放电关闭，其中，N为小于等于总栅线数的自然数。
所述放电装置还包括放电电压输入端，所述放电控制端接收放电控制信号，控制所述放电电压输入端在第一预定时间输入放电电压，从而在第N+1行栅线开启前，将第N行栅线放电关闭。
所述放电装置为金属氧化物半导体场效应晶体管，其栅极为所述放电控制端，接收所述放电控制信号，其源极连接所述栅线，其漏极为所述放电电压输入端，连接放电电压输入端。
所述放电装置连接在所述栅线的前端，所述放电电压输入端连接输入的放电电压为栅极关闭电压。
所述放电装置连接在所述栅线的末端，所述放电电压输入端连接输入的放电电压为关断电压信号。
在本实施例的技术方案中，通过在栅线上设置放电装置，将已经打开的栅线提前放电，从而在第N+1行栅线打开时，第N行栅线已经放电结束，完全关闭，避免了由于第N行栅线没有完全关闭而显示第N+1行的图像数据的现象，使每一行的像素单元都能准确地显示本行的图像数据，从而改善了液晶显示装置的画面品质。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术液晶显示器的栅极驱动装置的结构示意图；
图2为本实用新型实施例液晶显示器的栅极驱动装置的结构示意图之一；
图3为本实用新型实施例实现栅极驱动的时序图；
图4为本实用新型实施例液晶显示器的栅极驱动装置的结构示意图之二。
附图标记说明：
1-移位寄存器；    2-电平转换器；    3-缓冲器；
4-放电装置；      5-栅线；          6-MOS管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种液晶显示器的栅极驱动装置，能够改善液晶显示装置的画面品质。
本实用新型实施例提供一种液晶显示器的栅极驱动装置，如图2所示，所述栅极驱动装置与栅线5相连接，包括：移位寄存器(S/R)1、电平转换器(L/S)2和缓冲器(Buf)3，移位寄存器(S/R)1根据输入的行同步信号CPV，将对应各行栅线的寄存器逐个选通；电平转换器(L/S)2是将输入的电平栅极开启电压(VGH)和栅极关闭电压(VGL)提高到输出电平级别；缓冲器(Buf)3将提高到输出电平级别的VGH和VGL稳压输出至对应的栅线5。当移位寄存器(S/R)1接收到输入的行开启信STV号后，开始按照行同步信号CPV的脉冲信号将电平转换器的每个单位逐个选通，选通的单位将电平提高到所需的输出电平级别，送至缓冲器(Buf)3进行输出。
为了实现在第N+1行栅线打开时，第N行栅线已经完全关闭，该栅极驱动装置还包括：放电装置4，连接在所述栅线5上。其中，每条栅线5上都设置有一个放电装置4。
具体地，使用本实施例提供的栅极驱动装置进行驱动时：
步骤11、栅极驱动装置向第N行栅线输入栅极开启电压使第N行栅线开启，此时第N+1行栅线处于关闭状态，其中，N为小于等于总栅线数的自然数；
步骤12、在第一预定时间后，开启第N行栅线的放电装置，使第N行栅线提前放电，并完全关闭；
步骤13、在第二预定时间后，关闭第N行栅线的放电装置，栅极驱动装置向第N+1行栅线输入栅极开启电压使第N+1行栅线开启。
进一步地，所述放电装置4包括放电控制端，所述放电控制端接收放电控制信号，控制所述放电装置在第一预定时间开启，从而在第N+1行栅线开启前，将第N行栅线放电关闭，其中，N为小于等于总栅线数的自然数。
所述放电装置4还包括放电电压输入端，所述放电控制端接收放电控制信号，控制所述放电电压输入端在第一预定时间输入放电电压，从而在第N+1行栅线开启前，将第N行栅线放电关闭。
在本实施例的技术方案中，在每条栅线的上都设置放电装置，将已经打开的栅线提前放电，从而在第N+1行栅线打开时，第N行栅线已经放电结束，完全关闭，避免了由于第N行栅线没有完全关闭，而显示第N+1行的图像数据的现象，使每一行的像素单元都能准确地显示本行的图像数据，从而改善了液晶显示装置的画面品质。
采用本实用新型实施例所提供的栅极驱动装置的驱动原理如下：
如图3所示，STV为行开启信号；CPV为行同步信号；OE为放电装置4的控制信号；第一栅线为第一行栅线的输出信号；第二栅线为第二行栅线的输出信号，第三栅线为第三行栅线的输出信号。
STV高电平时，即栅线施加高电压，栅线开启，开始输出。
当T0时刻，STV输入第一行的移位寄存器(S/R)时，在T1时刻，随着CPV上升沿的到来，第一行栅线开启，此后在T2时刻，即经过第一预定时间(T2-T1)后，第一个OE上升沿时，OE信号控制第一行栅线的放电装置4开启，此时第一行栅线提前放电关闭。接下来，经过第二预定时间(T3-T2)，即在T3时刻，OE下降沿时，放电装置4关闭，同时，又到达第二个CPV上升沿，第二行栅线开启，在T4时刻，即OE上升沿时，OE信号控制第二行栅线的放电装置4开启，第二行栅线放电关闭。在T5时刻，OE下降沿时，放电装置4关闭，同时CPV上升沿，第三行栅线开启。如此重复，直至最后一行栅线关闭，结束。
进一步地，如图4所示，上述放电装置可以在阵列基板制备过程中通过构图工艺形成，优选为金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管，即MOS管6，其栅极为所述放电控制端，接收所述放电控制信号OE，其源极连接所述栅线5，其漏极为放电电压输入端，连接放电电压输入端。作为放电装置的MOS管6在阵列基板制备过程中通过构图工艺形成，减少了制备工艺。
在本实施例中，将栅线与栅极驱动装置连接的一端定义为栅线的前端，而将栅线未与栅极驱动装置连接的一端定义为栅线的末端，则进一步地，所述放电装置可以连接在所述栅线的前端，所述放电电压输入端连接输入的放电电压为栅极关闭电压VGL：或者，所述放电装置连接在所述栅线的末端，所述放电电压输入端连接输入的放电电压为关断电压信号，该关断电压信号可以由单独的信号线作为放电电压输入端引入。
在本实施例的技术方案中，通过在栅线上设置放电装置，将已经打开的栅线提前放电，从而在第N+1行栅线打开时，第N行栅线已经放电结束，完全关闭，避免了由于第N行栅线没有完全关闭而显示第N+1行的图像数据的现象，使每一行的像素单元都能准确地显示本行的图像数据，从而改善了液晶显示装置的画面品质。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种液晶显示器的栅极驱动装置，所述栅极驱动装置与栅线相连接，其特征在于，所述栅极驱动装置包括：放电装置，连接在所述栅线上。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述放电装置包括放电控制端，所述放电控制端接收放电控制信号，控制所述放电装置在第一预定时间开启，从而在第N+1行栅线开启前，将第N行栅线放电关闭，其中，N为小于等于总栅线数的自然数。
3.根据权利要求2所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述放电装置还包括放电电压输入端，所述放电控制端接收放电控制信号，控制所述放电电压输入端在第一预定时间输入放电电压，从而在第N+1行栅线开启前，将第N行栅线放电关闭。
4.根据权利要求3所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述放电装置为金属氧化物半导体场效应晶体管，其栅极为所述放电控制端，接收所述放电控制信号，其源极连接所述栅线，其漏极为所述放电电压输入端，连接放电电压输入端。
5.根据权利要求3或4所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述放电装置连接在所述栅线的前端，所述放电电压输入端连接输入的放电电压为栅极关闭电压。
6.根据权利要求3或4所述的栅极驱动装置，其特征在于，所述放电装置连接在所述栅线的末端，所述放电电压输入端连接输入的放电电压为关断电压信号。
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