CN201667344U - 氮化镓系发光二极体结构 - Google Patents
氮化镓系发光二极体结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201667344U CN201667344U CN200920268828XU CN200920268828U CN201667344U CN 201667344 U CN201667344 U CN 201667344U CN 200920268828X U CN200920268828X U CN 200920268828XU CN 200920268828 U CN200920268828 U CN 200920268828U CN 201667344 U CN201667344 U CN 201667344U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gallium nitride
- diode structure
- structure according
- luminous diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本创作系揭露一种氮化镓系发光二极体结构,其包括基板、第一型掺杂半导体层、发光层、第二型掺杂半导体层、透光导电层、第一电极以及第二电极。其中,更包括氧化锌系半导体层及至少一过渡层介于基板及第一型掺杂半导体层之间。由于氧化锌系半导体层能够提供晶格匹配的功能,而过渡层至少包含分离的一金属沾湿层及一氮化层以保护氧化锌系半导体层做为缓冲之用,故可以有效地提升氮化镓系发光二极体的结晶品质。
Description
一、技术领域
本创作是有关于一种氮化镓系发光二极体的结构,特别是在基板及氮化镓系半导体层之间加入氧化锌系半导体层及过渡层,故可以有效地提升氮化镓系发光二极体的结晶品质。
二、背景技术
现今,由于发光二极体相较于传统的钨丝灯泡,具有体积小、不易破损、寿命长、无污染以及省电的优点,且近年来,发光二极体广泛地应用在液晶显示器的背光源、交通号志灯、户外显示看板以及照明领域,随着技术日渐成熟,在某些领域已经可以部份取代白炽灯泡。氮化镓系化合物半导体材料是非常重要的宽能隙材料,其可应用于绿光、蓝光到紫外光的发光组件,配合适当的萤光材料即可得到白光发光二极体。由于形成块材的氮化镓化合物半导体一直是技术上无法克服的瓶颈,因而无法大量地制作大尺寸的基板以及有效地降低制造成本。因此,目前已普遍且商用化的技术是利用蓝宝石或者碳化硅做为基板、以磊晶成长氮化镓系层于基板之上而形成发光二极体。
请参阅第1图,其为习知技术所揭示的一种氮化镓系发光二极体的结构示意图。其中,包含一蓝宝石基板1、一低温氮化镓缓冲层2、一高温氮化镓缓冲层3、一4N型掺杂氮化镓欧姆接触层4、一氮化铟镓所组成的发光层5、一P型掺杂氮化铝镓披覆层6、一P型掺杂氮化镓欧姆接触层7、一透光导电层8、一第一电极9以及一第二电极10。由于蓝宝石基板1与N型掺杂氮化镓欧姆接触层4之间存在晶格不匹配的问题,因此形成低温氮化镓缓冲层2并在高温下形成另一氮化镓缓冲层3,这样以减缓晶格不匹配所造成的应力,以提升后续氮化镓系磊晶层的结晶品质。然而,此方法所制得的氮化镓系发光二极体仍存在109-1010cm-2的缺陷密度,导致发光效率与电子迁移速度无法提升,故此技术具有其缺点。
根据习知的技术,为了解决上述氮化镓系发光二极体所存在高缺陷密度的缺点,美国专利第6252261号曾揭示一种利用横向磊晶法(ELOG)来降低氮化镓层缺陷密度。此种方法系先利用光罩微影及蚀刻的制程于蓝宝石基板之上形成具有图案化的二氧化硅层,接着再控制有机金属化学气相沉积法(MOCVD)选择性磊晶成膜(Selectively Epitaxy)的复杂机制,如此而达到有效降低缺陷密度至1×107cm-2以下,但此种方式成长厚度必须达10μm以上,因此导致生产成本相对较高,故仍具有其缺点。
又,美国专利第7125736号曾揭示一种直接于蓝宝石基板之上形成凹凸图案化(patternedsapphire substrate)再配合横向磊晶技术,此专利所揭示的技术虽然可以降低成长厚度即可有效降低缺陷密度至1×108cm-2以下,但缺点在于凹凸图案化的均匀性及密度不易控制,导致生产良率控管困难。
又,美国专利第5173751号曾揭示一种氮化镓系发光二极体的结构,是在氧化锌基板之上形成晶格匹配的氮化铝铟镓层或磷化氮铝镓层的结构。由于氧化锌与氮化镓均属六方晶系的纤维锌矿(wurtzite)结构,其晶格常数分别为氧化锌(a=3.25;c=5.2)及氮化镓(a=3.187;c=5.188),故适当地加入磷、铟及铝成份所形成的化合物,调变其品格常数与氧化锌相匹配,可以降低晶格不匹配所造成的缺陷密度。因此,以氧化锌做为形成氮化镓系层的基板具有降低缺陷密度的优点。
再者,依据论文T.Detchprohm et al.(AppliedPhysics Letters vol.61(1992)p.2688)所提到的,在蓝宝石基板之上先行形成一氧化锌层做为缓冲层,接续以气相磊晶法(HVPE)在氧化锌缓冲层之上成长一氮化镓层,所得的氮化镓层于室温下量测其特性,可得到背景浓度9x1015~4x1016cm-3及迁移率420~520cm2V-1S-1的高品质薄膜层。又,依据论文P.Chenet al.(Journal of CrystalGrowth vol.225(2001)p.150)所提到的,在硅基板之上先以三甲基铝反应前驱物(TMAl precursor)形成一铝层做为沾湿层(wetting layer),接续通入氨气以氮化沾湿层,接着磊晶成长一氮化铝缓冲层,之后,于氮化铝缓冲层之上再接续磊晶成长一氮化镓层,所得的氮化镓层于室温下量测其特性,可得到背景浓度约1.3x1017cm-3及迁移率约210cm2V-1S-1的薄膜层。
又,美国专利第7001791号曾揭示一种于硅基板上磊晶成长氮化镓系层的方法,其系先于硅基板上形成一氧化锌层做为缓冲层,接续步骤系于成长温度低于600℃以下磊晶成长一氮化镓系层,再于成长温度高于600℃以上磊晶成长一氮化镓系层。该专利还揭示另一种方法,其系于成长温度低于600℃以下的磊晶成长步骤之前,先于氧化锌层缓冲层之上以三乙基镓(TEG)做表面处理再通入氨气与其反应,接续成长一氮化镓系层。
再者,依据论文R.Paszkiewicz et al.(Journal ofCrystal Growth vol.310(2008)p.4891)所提到,在硅基板上先行形成一氧化锌层作为缓冲层,接着形成渐变温度成长的氮化镓及氮化铝多层结构,然后,在1000℃以上的高温下接续磊晶成长一氮化镓层于渐变温度的多层结构之上,这样可得到厚度大于2μm且无任何龟裂的高品质氮化镓厚膜层。
综合上述的习知技术所揭露的特点及如何针对其缺点加以改进而提出一种新颖的氮化镓系发光二极体结构及其制作方法,长久以来一直为本发明人念念不忘,本创作人基于多年从事于发光二极体相关产品的研究及开发经验,经多方研究设计、专题探讨,终于研究出一种提升氮化镓系发光二极体的发光效率的方法及新颖结构,故极具产业的利用价值。
三、发明内容
本创作的其中之一目的就是在提出一种氮化镓系发光二极体结构,系包含:一基板、一氧化锌系半导体层、一过渡层、一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。其中,过渡层系由多次交迭的金属沾湿层及氮化层所组成。
本创作的另一目的就是在提出一种氮化镓系发光二极体结构,系包含:一基板、一氧化锌系半导体层、一过渡层、一氮化镓系半导体堆栈层、一透光导电层、一第一电极以及一第二电极。其中,过渡层系由多次交迭的金属沾湿层及氮化层所组成。
本创作的又一目的就是在提出一种氮化镓系发光二极体结构,系包含:一基板、一氧化锌系半导体层、一过渡层以及一氮化镓系半导体堆栈层。其中,过渡层系由多次交迭的不同金属沾湿层及氮化层所组成。
本创作的再一目的就是在提供一种氮化镓系发光二极体结构,系至少包含:一基板、一氧化锌系半导体层、一过渡层以及一氮化镓系半导体堆栈层。其中,氮化镓系半导体堆栈层系由一无掺杂氮化镓半导体层、一N型掺杂氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓多重量子井结构发光层、一P型掺杂氮化铝镓披覆层以及一P型掺杂氮化镓欧姆接触层所组成。
四、附图说明
图1系为习知技术的一种氮化镓系发光二极体的结构示意图;
图2系为本创作的制作方法的流程图;
图3系为本创作的另一制作方法的流程图;
图4系为本创作之一较佳实施例结构的示意图;
图5系为本创作的另一较佳实施例结构的示意图;
图6系为本创作的另一较佳实施例结构的示意图;
图7系为本创作的另一较佳实施例结构的示意图;
图8系为本创作的再一较佳实施例结构的示意图;
图9系为本创作的一较佳实施例结构的电激发光频谱图。
主要组件符号说明:
1、50:蓝宝石基板;
2:低温氮化镓缓冲层;
3:高温氮化镓缓冲层;
4、54:N型掺杂氮化镓欧姆接触层;
5:发光层;
6、56:P型掺杂氮化铝镓披覆层;
7、57:P型掺杂氮化镓欧姆接触层;
8、58:透光导电层;
9、59:第一电极;
10、60:第二电极;
20:基板;
21:氧化锌系半导体层;
22:过渡层;
23:第一型掺杂半导体层;
24:发光层;
25:第二型掺杂半导体层;
32:第一过渡层;
33:第二过渡层;
51:凹凸图案化的基板;
53:无掺杂氮化镓半导体层;
55:氮化铟镓多重量子井结构发光层;
61:凹凸图案化的氧化锌系半导体层;
S10-S14:步骤流程图;
S20-S26:步骤流程图。
五、具体实施方式
为达成上述目的及功效,本创作所采用的技术手段及其构造,现绘图就本创作的特征与功能详加说明如下,以利完全了解。
请参阅第2图,其系为本创作的制作方法的流程图。其主要步骤系包含有:
步骤S10,提供一基板;
步骤S11,形成一氧化锌系半导体层于基板之上;
步骤S12,形成一金属沾湿层于氧化锌系半导体层之上;
步骤S13,形成一氮化层于金属沾湿层之上;
步骤S14,形成一氮化镓系半导体堆栈层。
其中,步骤S12及S13形成所谓的过渡层,而步骤S14的氮化镓系半导体堆栈层系形成于过渡层之上。又,更进一步包含重复步骤S12及S13以多次交迭形成金属沾湿层及氮化层。再,接续步骤S14之后更包含一晶粒制程步骤以制作透光导电层、第一电极以及第二电极。
请参阅第3图,其系为本创作的另一制作方法的流程图。其主要步骤系包含有:
步骤S20,提供一基板;
步骤S21,形成一氧化锌系半导体层于基板之上;
步骤S22,形成第一金属沾湿层于氧化锌系半导体层之上;
步骤S23,形成第一氮化层于第一金属沾湿层之上;9
步骤S24,形成第二金属沾湿层于氧化锌系半导体层之上;
步骤S25,形成第二氮化层于第二金属沾湿层之上;
步骤S26,形成一氮化镓系半导体堆栈层。
其中,步骤S22及S23形成所谓的第一过渡层,而步骤S24及S25形成所谓的第二过渡层。而步骤S26的氮化镓系半导体堆栈层系形成于第二过渡层之上。又,更进一步包含重复步骤S22及S23以多次交迭形成第一金属沾湿层及第一氮化层,以及重复步骤S24及S25以多次交迭形成第二金属沾湿层及第二氮化层。再,接续步骤S26之后更包含一晶粒制程步骤以制作透光导电层、第一电极以及第二电极。
现为使贵审查委员对本创作所采用的步骤技术手段及其构造有更进一步了解,仅佐以较佳的实施例配合上述流程图说明其方法及结构。
请参阅第4图,其系为本创作的一较佳实施例结构的图标。如图所示,其主要结构系包含一基板20、一氧化锌系半导体层21、一过渡层22、一第一型掺杂半导体层23、一发光层24及一第二型掺杂半导体层25。其中,基板20系选自蓝宝石、碳化硅、氧化镁、氧化镓、氧化锂镓、氧化锂铝、尖晶石、硅、锗、砷化镓、磷化镓、玻璃或二硼化锆,且可以是一具凹凸图案化的基板。而氧化锌系半导体层21系以原子层磊晶法、化学气相磊晶法、分子束磊晶法、脉冲雷射沉积法或射频溅镀法形成10于基板20之上,其厚度约10nm~500nm且可以是一具凹凸图案化的氧化锌系半导体层。而过渡层22的形成方法如以下所述:请参考第1图的流程。步骤S12系将具有氧化锌系半导体层21的基板20置入有机金属化学气相磊晶反应腔内并通入氮气,接续,将反应腔温度升至850℃后稳定约5分钟,接着通入三甲基铝反应前驱物约15秒于氧化锌半导体层21之上形成约1~5原子层厚度的铝金属沾湿层,接续步骤S13,关闭三甲基铝反应前驱物再通入氨气约30秒形成氨化铝金属沾湿层的氮化层,其厚度约1~5原子层,该三甲基铝反应前驱物与该氨气形成所谓脉冲模式(pulse mode)磊晶方法,依序重复上述步骤S12及步骤S13达30次而形成氮化铝系磊晶层。上述,步骤S12的反应前驱物亦可为三甲基镓、三甲基铟、三乙基铝、三乙基镓或三乙基铟。而步骤S13的反应前驱物亦可为二甲基联胺或第三丁基联胺。接续,于过渡层22之上方,依步骤S14,依序形成一第一型掺杂半导体层23、一发光层24以及一第二型掺杂半导体层25所组成的氮化镓系半导体堆栈层。其中,第一型掺杂半导体层23是N型掺杂氮化镓系半导体层,而第二型掺杂半导体层25是P型掺杂氮化镓系半导体层。当然,第一型掺杂半导体层23也可以是P型掺杂氮化镓系半导体层,此时第二型掺杂半导体层25则为N型掺杂氮化镓系半导体层。此外,发光层24是由氮化铟镓及氮化镓所组成的多重量子井结构。
请参阅第5图,其系为本创作的另一较佳实施例结11构的图标。如图所示,其主要结构系包含一基板20、一氧化锌系半导体层21、一第一过渡层32、一第二过渡层33、一第一型掺杂半导体层23、一发光层24以及一第二型掺杂半导体层25。其中,基板20、氧化锌系半导体层21、第一型掺杂半导体层23、发光层24以及第二型掺杂半导体层25系选自与上一实施例相同,而且形成第一过渡层32及第二过渡层33的反应前驱物亦选自上一实施例所揭示之其中之一,而形成的方法亦与上一实施例相同。第一过渡层32系由第一金属沾湿层及第一氮化层所组合而成,第二过渡层33系由第二金属沾湿层及第二氮化层所组合而成。其中,第一金属沾湿层系由反应前驱物为三甲基铝或三乙基铝所形成,而第二金属沾湿层系由反应前驱物为三甲基镓或三乙基镓所形成。
请参阅第6图,其系为本创作的又一较佳实施例结构的图标。如图所示,其主要结构系包含一基板20、一氧化锌系半导体层21、一过渡层22、一无掺杂氮化镓半导体层53、一N型掺杂氮化镓欧姆接触层54、一氮化铟镓多重量子井结构发光层55、一P型掺杂氮化铝镓披覆层56、一P型掺杂氮化镓欧姆接触层57、一透光导电层58、第一电极59以及第二电极60。其中,氧化锌系半导体层21的厚度约为5nm~500nm,其最佳值介于150nm~300nm之间,系以原子层磊晶方法于基板20之上形成之。接着,将含有氧化锌系半导体层21之基板20放置于有机金属化学气相磊晶的反应腔中,依上述较佳实施例的第一及第二过渡层形成方法而形成厚度约1220nm~50nm的过渡层22,其最佳值介于25nm~35nm之间。接着,形成厚度为1μm的无掺杂氮化镓半导体层53于过渡层22之上,以及形成厚度为3μm的N型掺杂氮化镓欧姆接触层54于无掺杂氮化镓半导体层53之上。接着,形成厚度为12.5nm的氮化镓位障层以及形成厚度为2.5nm的氮化铟镓量子井,如此重复多次而形成多重量子井结构的发光层55于N型掺杂氮化镓欧姆接触层54之上。完成发光层55之后,形成厚度约为35nm的P型掺杂氮化铝镓披覆层56于发光层55之上,以及形成厚度为0.25μm的P型掺杂氮化镓欧姆接触层57于P型掺杂氮化铝镓披覆层56之上。以上所述,即完成发光二极体应用实施例的磊晶结构。后续,再经由习知所谓的横向电极的晶粒制程技术将部分P型掺杂氮化镓欧姆接触层57、P型掺杂氮化铝镓披覆层56、发光层55以及N型掺杂氮化镓欧姆接触层54移除而露出N型掺杂氮化镓欧姆接触层54的表面,并于P型掺杂氮化镓欧姆接触层57的上方形成一透光导电层58。此透光导电层58系由氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟铈、氧化铟锡、镍/金双层结构、铂/金双层结构或铍/金双层结构其中之一或其组合。最后,分别于透光导电层58的上方形成第一电极59,并于N型掺杂氮化镓欧姆接触层54的表面上形成第二电极60。第一电极59及第二电极60的材料可为钛/金、钛/铝、铬/金或铬/铝其中之一或其组合。
请参阅第7图,其系为本创作的又一较佳实施例结13构的图标。如图所示,其主要结构系包含一具凹凸图案化的蓝宝石基板51、一氧化锌系半导体层21、一过渡层22、一无掺杂氮化镓半导体层53、一N型掺杂氮化镓欧姆接触层54、一氮化铟镓多重量子井结构发光层55、一P型掺杂氮化铝镓披覆层56、一P型掺杂氮化镓欧姆接触层57、一透光导电层58、第一电极59以及第二电极60。其中,具凹凸图案化的蓝宝石基板51系具有凹处约0.1~5μm宽,其凸处约0.11~5μm宽及蚀刻深度约0.1~3μm的蚀刻图案,而氧化锌系半导体层21的厚度约为5nm~500nm,其最佳值介于150nm~300nm之间,系以原子层磊晶方法于具凹凸图案化蓝宝石基板51之上形成之。接着,将含有氧化锌系半导体层21之蓝宝石基板51放置于有机金属化学气相磊晶的反应腔中,依上述较佳实施例的第一及第二过渡层形成方法而形成厚度约20nm~50nm的过渡层22,其最佳值介于25nm~35nm之间。接着,形成厚度为1μm的无掺杂氮化镓半导体层53于过渡层22之上以及形成厚度为3μm的N型掺杂氮化镓欧姆接触层54于无掺杂氮化镓半导体层53之上。接着,形成厚度为12.5nm的氮化镓位障层以及形成厚度为2.5nm的氮化铟镓量子井,如此重复多次而形成多重量子井结构的发光层55于N型掺杂氮化镓欧姆接触层54之上。完成发光层55之后,形成厚度约为35nm的P型掺杂氮化铝镓披覆层56于发光层55之上及形成厚度为0.25μm的P型掺杂氮化镓欧姆接触层57于P型掺杂氮化铝镓披覆层56之上。以上所述,即完成发光二极体应14用实施例的磊晶结构。后续,再经由习知所谓的横向电极的晶粒制程技术将部分P型掺杂氮化镓欧姆接触层57、P型掺杂氮化铝镓披覆层56、发光层55以及N型掺杂氮化镓欧姆接触层54移除而露出N型掺杂氮化镓欧姆接触层54的表面,并于P型掺杂氮化镓欧姆接触层57之上方形成一透光导电层58。透光导电层58系由氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟铈、氧化铟锡、镍/金双层结构、铂/金双层结构或铍/金双层结构其中之一或其组合。最后,分别于透光导电层58之上方形成第一电极59并于N型掺杂氮化镓欧姆接触层54的表面上形成第二电极60。第一电极59及第二电极60的材料可为钛/金、钛/铝、铬/金或铬/铝其中之一或其组合。
请参阅第8图,其系为本创作的再一较佳实施例结构的图标。如图所示,其主要结构系包含一蓝宝石基板50、一具凹凸图案化的氧化锌系半导体层61、一过渡层22、一无掺杂氮化镓半导体层53、一N型掺杂氮化镓欧姆接触层54、一氮化铟镓多重量子井结构发光层55、一P型掺杂氮化铝镓披覆层56、一P型掺杂氮化镓欧姆接触层57、一透光导电层58、第一电极59以及第二电极60。其中,凹凸图案化的氧化锌系半导体层61的厚度约为5nm~500nm,其最佳值介于150nm~300nm之间且具有凹处约1~5μm宽,其凸处约1~5μm宽及蚀刻深度约0.01~0.3μm的蚀刻图案,其系以原子层磊晶方法于蓝宝石基板50之上形成的。接着,将含有凹凸图案化的氧化15锌系半导体层61的蓝宝石基板50放置于有机金属化学气相磊晶的反应腔中,依上述较佳实施例的第一及第二过渡层形成方法而形成厚度约20nm~50nm的过渡层22,其最佳值介于25nm~35nm之间。接着,形成厚度为1μm的无掺杂氮化镓半导体层53于过渡层22之上及形成厚度为3μm的N型掺杂氮化镓欧姆接触层54于无掺杂氮化镓半导体层53之上。接着,形成厚度为12.5nm的氮化镓位障层以及形成厚度为2.5nm的氮化铟镓量子井,如此重复多次而形成多重量子井结构的发光层55于N型掺杂氮化镓欧姆接触层54之上,于完成发光层55之后,形成厚度约为35nm的P型掺杂氮化铝镓披覆层56于发光层55之上及形成厚度为0.25μm的P型掺杂氮化镓欧姆接触层57于P型掺杂氮化铝镓披覆层56之上。以上所述,即完成发光二极体应用实施例的磊晶结构。后续,再经由习知所谓的横向电极的晶粒制程技术将部分P型掺杂氮化镓欧姆接触层57、P型掺杂氮化铝镓披覆层56、发光层55以及N型掺杂氮化镓欧姆接触层54移除而露出N型掺杂氮化镓欧姆接触层54的表面,并于P型掺杂氮化镓欧姆接触层57的上方形成一透光导电层58。透光导电层58系由氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟铈、氧化铟锡、镍/金双层结构、铂/金双层结构或铍/金双层结构其中之一或其组合。最后,分别于透光导电层58的上方形成第一电极59并于N型掺杂氮化镓欧姆接触层54的表面上形成第二电极60。第一电极59及第二电极60的材料可为钛16/金、钛/铝、铬/金或铬/铝其中之一或其组合。
请参阅第9图,其系为本创作的较佳实施例的电激发光频谱图。
以上所述仅为举例性,而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴,而对其进行的等效修改或变更,均应包含于后附的申请专利范围中。
Claims (29)
1.一种氮化镓系发光二极体结构,系包含:
一基板;
一氧化锌系半导体层,形成于该基板上;
一过渡层,形成于该氧化锌系半导体层上;
一第一型掺杂半导体层,形成于该过渡层上;
一发光层,形成于该第一型掺杂半导体层上;
一第二型掺杂半导体层,形成于该发光层上。
2.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该过渡层系由多次交迭的金属沾湿层及氮化层所组成。
3.根据权利要求2所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该金属沾湿层系由1~5原子层厚度的铝、镓或铟所形成。
4.根据权利要求2所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该氮化层系由1~5原子层厚度的氮原子所形成。
5.根据权利要求3所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该铝、镓或铟系分别由三甲基铝、三甲基镓或三甲基铟反应前驱物所形成。
6.根据权利要求3所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该铝、镓或铟系分别由三乙基铝、三乙基镓或三乙基铟反应前驱物所形成。
7.根据权利要求4所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该氮原子系由氨气、二甲基联胺或第三丁基联胺所形成。
8.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该基板系为蓝宝石、碳化硅、氧化镁、氧化镓、氧化锂镓、氧化锂铝、尖晶石、硅、锗、砷化镓、磷化镓、玻璃或二硼化锆。
9.根据权利要求8所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该基板更包含具凹凸图案化的表面。
10.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该氧化锌系半导体层更包含具凹凸图案化的表面。
11.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一透光导电层于该第二型掺杂半导体层之上。
12.根据权利要求11所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一第一电极于该透光导电层之上。
13.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一第二电极于该第一型掺杂半导体层之上。
14.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,系包含:
一基板;
一氧化锌系半导体层,形成于该基板上;
一第一过渡层,形成于该氧化锌系半导体层上;
一第二过渡层,形成于该第一过渡层上;
一第一型掺杂半导体层,形成于该第二过渡层上;
一发光层,形成于该第一型掺杂半导体层上;
一第二型掺杂半导体层,形成于该发光层上。
15.根据权利要求14所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该第一过渡层及该第二过渡层系由多次交迭的不同金属沾湿层及相同氮化层所组成。
16.根据权利要求15所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该第一过渡层系由多次交迭的1~5原子层厚度的铝金属沾湿层及1~5原子层厚度的氮原子所组成。
17.根据权利要求15所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该第二过渡层系由多次交迭的1~5原子层厚度的镓金属沾湿层及1~5原子层厚度的氮原子所组成。
18.根据权利要求14所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该基板系为蓝宝石、碳化硅、氧化镁、氧化镓、氧化锂镓、氧化锂铝、尖晶石、硅、锗、砷化镓、磷化镓、玻璃或二硼化锆者。
19.根据权利要求18所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该基板更包含具凹凸图案化的表面。
20.根据权利要求14所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该氧化锌系半导体层更包含具凹凸图案化的表面。
21.根据权利要求14所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一透光导电层于该第二型掺杂半导体层之上。
22.根据权利要求21所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一第一电极于该透光导电层之上。
23.根据权利要求13所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一第二电极于该第一型掺杂半导体层之上。
24.根据权利要求1所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,系包含:
一基板;
一氧化锌系半导体层,形成于该基板上;
一金属沾湿层,形成于该氧化锌系半导体层上;
一氮原子层,形成于该金属沾湿层上;以及
一氮化镓系半导体堆栈层,形成于该氮原子层上;
其中,系多次交迭形成该金属沾湿层及该氮原子层。
25.根据权利要求24所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该金属沾湿层系由1~5原子层厚度的铝、镓或铟所形成。
26.根据权利要求24所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一透光导电层于该氮化镓系半导体堆栈层的上方。
27.根据权利要求26所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一第一电极于该透光导电层的上方。
28.根据权利要求24所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,该氮化镓系半导体堆栈层系由一无掺杂氮化镓半导体层、一N型掺杂氮化镓欧姆接触层、一氮化铟镓/氮化镓多重量子井结构发光层、一P型掺杂氮化铝镓披覆层以及一P型掺杂氮化镓欧姆接触层所组合。
29.根据权利要求28所述的氮化镓系发光二极体结构,其特征是,包含一第二电极于N型掺杂氮化镓欧姆接触层的上方。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200920268828XU CN201667344U (zh) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | 氮化镓系发光二极体结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200920268828XU CN201667344U (zh) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | 氮化镓系发光二极体结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN201667344U true CN201667344U (zh) | 2010-12-08 |
Family
ID=43268307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200920268828XU Expired - Fee Related CN201667344U (zh) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | 氮化镓系发光二极体结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN201667344U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107799634A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-13 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种基于ZnO的GaN基LED外延生长方法 |
-
2009
- 2009-10-30 CN CN200920268828XU patent/CN201667344U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107799634A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-03-13 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种基于ZnO的GaN基LED外延生长方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11251223B2 (en) | Array substrate, method of manufacturing the same, and display device | |
KR20000058080A (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
CN108336203A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
CN106601882B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | |
CN103811601A (zh) | 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 | |
CN106611808A (zh) | 一种发光二极管外延片的生长方法 | |
CN104576852A (zh) | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 | |
CN106848017B (zh) | 一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法 | |
CN105914270A (zh) | 硅基氮化镓led外延结构的制造方法 | |
CN102255020A (zh) | 一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法 | |
CN103035804A (zh) | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | |
CN106098874A (zh) | 一种发光二极管的外延片及制备方法 | |
WO2024056041A1 (zh) | 一种外延芯片结构 | |
CN101546798B (zh) | 半导体元件 | |
JP3157124U (ja) | 窒化ガリウム系発光ダイオードの構造 | |
CN201667344U (zh) | 氮化镓系发光二极体结构 | |
CN109888069B (zh) | InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法 | |
CN109411580B (zh) | 氮化镓基功率器件及其制备方法 | |
WO2019174290A1 (zh) | 阵列基板、其制造方法、以及显示装置 | |
CN102054907B (zh) | 氮化镓系化合物半导体的制造方法 | |
CN103137801A (zh) | 在钻石基板上形成的磊晶层结构及其制造方法 | |
CN113571607B (zh) | 高发光效率的发光二极管外延片及其制造方法 | |
US7910388B2 (en) | Semiconductor light-emitting device with selectively formed buffer layer on substrate | |
CN115274941A (zh) | 一种外延片制备方法、外延片及led芯片 | |
CN108461589A (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101208 Termination date: 20181030 |