CN201616448U - 太阳能硅片激光划线挡光装置 - Google Patents

太阳能硅片激光划线挡光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN201616448U
CN201616448U CN2009202627962U CN200920262796U CN201616448U CN 201616448 U CN201616448 U CN 201616448U CN 2009202627962 U CN2009202627962 U CN 2009202627962U CN 200920262796 U CN200920262796 U CN 200920262796U CN 201616448 U CN201616448 U CN 201616448U
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
solar silicon
silicon wafers
silicon chip
laser scribing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2009202627962U
Other languages
English (en)
Inventor
李志刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan DR Llaser Technology Corp Ltd
Original Assignee
Wuhan DR Llaser Technology Corp Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=43002812&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN201616448(U) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Wuhan DR Llaser Technology Corp Ltd filed Critical Wuhan DR Llaser Technology Corp Ltd
Priority to CN2009202627962U priority Critical patent/CN201616448U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201616448U publication Critical patent/CN201616448U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型涉及太阳能硅片生产设备领域，具体提供一种太阳能硅片激光划线挡光装置，包括支撑框架和挡光罩，挡光罩固定在支撑框架；所述挡光罩中部设有方形孔。本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置使用时，置于线性成像透镜与太阳能硅片之间，方形孔大小与太阳能硅片需要划线的部分宽度一致，振镜在划线起点的加速和划线终点的减速部分的激光射在挡光罩的挡光部分并被挡光罩吸收。因此，太阳能硅片的划线深度均匀。

Description

太阳能硅片激光划线挡光装置
技术领域
本实用新型涉及太阳能硅片生产设备领域，具体提供一种太阳能硅片激光划线挡光装置，保证划线深度均匀。
背景技术
激光具有良好的方向性、相干性、单色性及高亮度(高光功率密度)四大特性，因此，激光在多种领域中得以广泛应用。
太阳能作为可再生的环保能源已经越来越受到人们的关注，太阳能电池近几年的世界销售额年增长率超过40％，与其相关的生产设备技术也得到迅猛的发展。在国家倡导节能的宏观政策推动下，中国的太阳能光伏产业也得到迅猛发展，在行业内已跃居世界第三位，仅次于日本和德国。
现有技术在采用振镜控制激光束的太阳能硅片划片加工过程中，使用线性成像透镜(F-theta透镜)将振镜出射的激光束聚焦成点，对定位于平面平台上的太阳能硅片进行划线加工。线性成像镜头具有如下特点：
(1)扫描光束的运动被以时间为顺序的电信号控制，为了使记录的信息与原信息一致，像面上的光点应与时间成一一对应的关系：y＝-f·theta。但是，一般的光学***，其理想像高为：y＝-f·tgtheta，显然，理想像高y与扫描角theta之间不再成线性关系。为了实现等速扫描，应使聚焦透镜产生一定得负畸变，即其实际像高应比几何光学确定的理想像高小，对应的畸变量
y*＝--f·theta-(-f·tgtheta)＝f(tgtheta-theta)
具有上述畸变量的透镜***，对以等角速度的入射光束在焦面上实现线性扫描，其像高y＝f·theta，所以这种线性成像物镜又称f-theta镜头。
(2)单色光成像，象质要求达到波像差小于四分之一波长，而且整个像面上的象质要求一致，像面为平面，且无渐晕存在。
(3)像方远心光路。如果***校正了场曲，远心光路可在很大程度上实现轴上、轴外象质一致，并提高照明均匀性。大多数线性成像物镜属于小相对孔径(一般F数为5-20)大视场的远心光学***。线性成像物镜的设计要求具有一定的负畸变，在整个视场上有均匀的光照度和分辨率，不允许轴外渐晕的存在，并达到衍射极限性能。
太阳能硅片激光划线加工时，激光在太阳能硅片上停留的时间越长划线越深。现有技术太阳能硅片划线加工过程中，由于振镜的惯性，振镜在划线起点的加速和划线终点的减速，导致激光扫描速度不均匀，划线的起点和终点的扫描速度慢，从而导致划线两端深度变深。现有技术的主要的解决方法是通过软件控制振镜和激光器，使得在划线两端激光对硅片的作用达到均匀。但是这种方法实现起来非常复杂，成本高，并且当硅片大小、激光参数等改变时，需要重新计算、调节。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能硅片激光划线挡光装置，结构简单，能够保证太阳能硅片划片的划线深度均匀，并能保护硅片边缘不受激光刻蚀。
为实现以上发明目的，本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置包括支撑框架和挡光罩，挡光罩固定在支撑框架；所述挡光罩中部设有方形孔。
所述挡光罩上表面涂有钨金属层。
所述挡光罩为板状，中部设有的方形孔呈阶梯状，末级贯通。
使用时，太阳能硅片激光划线挡光装置置于线性成像透镜与太阳能硅片之间，方形孔大小与太阳能硅片需要划线的部分宽度一致，振镜在划线起点的加速和划线终点的减速部分的激光射在挡光罩的挡光部分并被挡光罩吸收。因此，太阳能硅片的划线深度均匀。本实用新型挡光罩上表面涂有高熔点高沸点的钨金属层，保证了挡光罩吸收激光并不会被激光击穿。
本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置的结构简单，使用本装置的太阳能硅片激光划线加工设备无需复杂的软件设置，保证了太阳能硅片激光划线的深度的均匀性，并可大大的节约设备的制造成本。
以下结合附图及具体实施方式进一步说明本实用新型技术方案。
附图说明
图1为本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置的结构示意图；
图2为本实用新型的使用状态示意图。
具体实施方式
本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置可以用于激光划线加工太阳能硅片，也可以用于其他产品的激光加工。因此，实施例技术方案不视为对本实用新型技术方案的限制。
实施例：
图1为本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置的结构示意图。如图所示，本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置包括支撑框架1和挡光罩2，挡光罩2固定在支撑框架1；所述挡光罩2中部设有方形孔3，方形孔3呈阶梯状，末级为贯通的方孔。所述挡光罩2的上表面涂有钨金属层。
图2为本实用新型的使用状态示意图。本实用新型太阳能硅片激光划线挡光装置103固定在固定座106上，置于线性成像透镜102与太阳能硅片104之间，太阳能硅片104放置于吸盘105上；振镜101产生的激光束被线性成像透镜102汇聚成点，穿过太阳能硅片激光划线挡光装置103的方形孔3照射在太阳能硅片104上进行划线加工。振镜101在划线起点的加速和划线终点的减速部分的激光射在太阳能硅片激光划线挡光装置103的挡光部分，因此太阳能硅片的划线深度均匀。

Claims (3)

1.太阳能硅片激光划线挡光装置，其特征在于：包括支撑框架和挡光罩，挡光罩固定在支撑框架；所述挡光罩中部设有方形孔。
2.根据权利要求1所述的太阳能硅片激光划线挡光装置，其特征在于：所述挡光罩上表面涂有钨金属层。
3.根据权利要求1所述的太阳能硅片激光划线挡光装置，其特征在于：所述挡光罩为板状，中部设有的方形孔呈阶梯状，末级贯通。
CN2009202627962U 2009-11-17 2009-11-17 太阳能硅片激光划线挡光装置 Expired - Lifetime CN201616448U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009202627962U CN201616448U (zh) 2009-11-17 2009-11-17 太阳能硅片激光划线挡光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009202627962U CN201616448U (zh) 2009-11-17 2009-11-17 太阳能硅片激光划线挡光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201616448U true CN201616448U (zh) 2010-10-27

Family

ID=43002812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009202627962U Expired - Lifetime CN201616448U (zh) 2009-11-17 2009-11-17 太阳能硅片激光划线挡光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201616448U (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102990230A (zh) * 2012-12-12 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种激光切割机
CN104625416A (zh) * 2014-12-29 2015-05-20 北京理工大学 基于方孔辅助电子动态调控晶硅表面周期性微纳结构方法
CN108817663A (zh) * 2018-07-10 2018-11-16 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种主梁激光自动焊接设备
CN108817664A (zh) * 2018-07-10 2018-11-16 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种主梁激光焊接方法
CN109300779A (zh) * 2018-08-29 2019-02-01 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种硅片的处理方法及装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102990230A (zh) * 2012-12-12 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种激光切割机
CN102990230B (zh) * 2012-12-12 2015-08-12 京东方科技集团股份有限公司 一种激光切割机
CN104625416A (zh) * 2014-12-29 2015-05-20 北京理工大学 基于方孔辅助电子动态调控晶硅表面周期性微纳结构方法
CN104625416B (zh) * 2014-12-29 2016-06-22 北京理工大学 基于方孔辅助电子动态调控晶硅表面周期性微纳结构方法
CN108817663A (zh) * 2018-07-10 2018-11-16 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种主梁激光自动焊接设备
CN108817664A (zh) * 2018-07-10 2018-11-16 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种主梁激光焊接方法
CN108817664B (zh) * 2018-07-10 2020-11-17 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种主梁激光焊接方法
CN108817663B (zh) * 2018-07-10 2020-11-24 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种主梁激光自动焊接设备
CN109300779A (zh) * 2018-08-29 2019-02-01 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种硅片的处理方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201616448U (zh) 太阳能硅片激光划线挡光装置
CN107358216A (zh) 一种指纹采集模组、显示装置及指纹识别方法
CN101533850A (zh) 有机发光二极管显示装置及其显示***
CN106903438A (zh) 激光蚀刻机的光路设计控制***及控制方法
CN211840637U (zh) 激光成像法切割pi网板的装置
CN102253051A (zh) 一种线扫描探测器检测太阳能电池片缺陷的***
US20120261560A1 (en) Light guide, illumination apparatus, and electronic apparatus
JP2013211487A (ja) 二次レンズ、太陽電池実装体、集光型太陽光発電ユニット及び集光型太陽光発電モジュール
CN201529850U (zh) 一种激光加工装置
CN102693408A (zh) 一种微型激光扫描装置及其便携式终端
CN202021426U (zh) 用于背光源加工的co2激光高速划槽装置
CN108453375A (zh) 一种太阳能电池薄膜清边加工装置及加工方法
CN102769712B (zh) 接触式图像传感器
CN209215739U (zh) 多面转镜扫描***
CN208391260U (zh) 一种太阳能电池薄膜清边加工装置
CN104951725A (zh) 一种激光条码扫描器及其扫描引擎
CN106292059B (zh) 一种可发光的液晶面板、液晶显示装置及显示终端
CN101567039B (zh) 影像侦测装置
CN201707515U (zh) 一种非共线布喇格衍射波导型声光器件结构
US20140070836A1 (en) Apparatus for simulating sunlight
CN218851234U (zh) 一种用于激光封装的光学设备
CN202667917U (zh) 一种使用双激光光束的太阳能晶圆精密加工装置
CN220732003U (zh) 一种高功率贴片式白激光模组
CN101388939A (zh) 接触式图像传感器
CN204993615U (zh) 涵盖景深的调焦***

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 430000 Hubei city of Wuhan province Optics Valley Industrial Park of East Lake Development Zone, Shiyuan two Road No. four

Patentee after: WUHAN DR LASER TECHNOLOGY CORP., LTD.

Address before: 430000 Hubei city of Wuhan province Optics Valley Industrial Park of East Lake Development Zone, Shiyuan two Road No. four

Patentee before: Wuhan DR Laser Technology Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20101027

CX01 Expiry of patent term