CN201601137U - 太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温*** - Google Patents

太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温*** Download PDF

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Abstract

本实用新型的目的是提供一种太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,属于太阳能硅片表面微处理技术领域,涉及一种在太阳能硅片清洗制绒过程中的新型加热控温***。该***包括有用以实现太阳能硅片制绒目的的加热槽,设置在前述的加热槽中用于加热的加热管,与加热管相连通,通过调节流进加热管的电流大小来实现控温功能的温控器。该***采用了新型加热控温***,可以有效地控制在太阳能硅片制绒的过程中,加热槽的工艺温度精度,及稳定性。并且有效地提高了设备的工作能力,单台每小时可处理2400片硅片以上,同时还保证了单晶硅绒面制作的质量。该***硬件改造结构简单,在不增加成本的基础上,使得生产工艺获得提升。

Description

太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***
技术领域
本实用新型属于太阳能硅片表面微处理技术领域。
背景技术
进入工厂的硅片是由硅片生产厂家通过切割硅锭而得到的,所以硅片表面会存在一定的损伤(损伤层),另外,硅片加工过程中难免会受到不同程度的污染。所以在进入正式生产之前,我们必须先去除硅片表面的损伤层和污物。这里我们通过化学反应的方法用20%的氢氧化钠溶液腐蚀硅片表面,剥离硅片表面的一层硅,从而达到去除损伤层的目的。然后再用较稀的氢氧化钠溶液来制作绒面,其原理是氢氧化钠对硅片表面腐蚀速度不同,从而导致硅片表面形成凹凸不平的状态,这就是所谓的绒面。绒面的作用是使光线在硅片表面发生多次反射,从而增加光线射入硅片的几率,硅片相应的得到更多的能量。然后,我们采用酸洗(盐酸)的办法去除硅片表面的污垢,最后用去离子水冲洗硅片、烘干。
由于碱腐蚀硅片后会产生大量热量,急速变化的温度不利于硅片的表面制绒,温度控制便成为了硅系列太阳能电池生产过程中关键性工艺。经过多次反复实验,最终结果表明当NaOH加热至85℃,浓度为25%时去损伤速度最快、效果最好;工艺要求NaSiO∶NaOH在1∶3.5到1∶3之间,NaOH∶IPA在1∶6左右。NaOH浓度要求在2%~4%之间调整。制绒的最佳工作温度在83℃±1℃。温度太低和IPA比例大小都不能制成绒面,或者说在绒面形成之前硅片已经消耗完。IPA太多形不成绒面,它不能起调节晶向反应速度的作用。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,用于提供一种在太阳能硅片清洗制绒过程中的新型加热控温***。
一种太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于,该***包括有如下组成部分:
加热槽,它是用以实现太阳能硅片制绒目的的槽体;
加热管,它是电热型管状加热结构,设置在前述的加热槽中;
温控器,它与前述的加热管相连通,是通过调节通过加热管的电流大小来实现控温功能的温度控制器,同时设置有温度传感器,以选择目标温度值。
进一步,所述的该太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***还具有如下技术特征:
所述的加热槽,作为一种典型的实施例选择溢流槽结构。
所述的加热槽,它还设置有制冷***。
所述的加热槽,在其四周还设置有波纹盘管。
所述的加热槽,它还设有用以液位高低调节的配液、补液用接口。
所述的加热管,它是与若干支加热管,共同采用交叉环形平铺均匀地分布在加热槽下方的。
所述的温控器,它是采用可控硅加热技术、油浴加热以及动态平衡控制技术原理来实现温控的。
本实用新型的优点在于:
本实用新型所述的一种太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,涉及到太阳能硅片生产过程中,对硅片进行表面处理以增加其吸收太阳能光线面积以提高电池片效率,优化硅片制绒技术的方案。该***采用了新型加热控温***,可以有效地控制在太阳能硅片制绒的过程中,加热槽的工艺温度精度,及稳定性。并且有效地提高了设备的工作能力,单台每小时可处理2400片硅片以上,同时还保证了单晶硅绒面制作的质量。该***硬件改造结构简单,在不增加成本的基础上,使得生产工艺获得提升。
附图说明
图1是太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***的结构示意图。
具体实施方式
如前所述该太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***100,其特征在于,该***包括有如下组成部分:
加热槽110,它是用以实现太阳能硅片制绒目的的槽体;
加热管120,它是电热型管状加热结构,设置在前述的加热槽中;
温控器130,它与前述的加热管120相连通,是通过调节通过加热管120的电流大小来实现控温功能的温度控制器,同时设置有温度传感器,以选择目标温度值。
进一步,所述的该太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***还具有如下技术特征:
所述的加热槽110,作为一种典型的实施例选择溢流槽结构。
所述的加热槽110,它还设置有制冷***。
所述的加热槽110,在其四周还设置有波纹盘管。
所述的加热槽110,它还设有用以液位高低调节的配液、补液用接口。
所述的加热管120,它是与若干支加热管,共同采用交叉环形平铺均匀地分布在加热槽110下方的。
所述的温控器130,它是采用可控硅加热技术、油浴加热以及动态平衡控制技术原理来实现温控的。
图1的说明:
参图1中所示:图中展示了该太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***100的主要结构,加热管120采用交叉环形平铺在加热槽110的下方,将加热区域平铺到槽底的任何一个角落;一方面能达到均匀加热的目的,另一方面,能够克服塑料加热器使用寿命底的缺点。温控器130与加热管120相连接,采用可控硅技术,通过调节流进加热管120的电流大小来实现控温功能。
在加热槽110结构上,采用溢流槽结构,溢流出的废液汇入排废管道:为防止反应雾过渡挥发,加热槽110槽体设有左右开启盖,塑料气缸控制开合。在气缸伸出杆上设有保护套,防止反应雾滴落在伸出杆上面;考虑到兼容单晶及多晶硅片的清洗要求,加热槽110内设置有单独的加热和制冷***;加热槽110槽体底部设温度控制(包括防酸热偶),保证完全满足工作温度需要,同时最大限度地缩短升温时间以提高生产效率;温控器130的设定温度可根据工艺要求调节,同时我们的设备采用油浴加热以及动态平衡控制技术,控温精度为±0.5℃;加热槽110内四周还设有波纹盘管,可通入冷却水对槽内溶液制冷,冷却水由外置的恒温水循环***提供;腐蚀时间可在触摸屏界面中设定、调整;加热槽110内设有配液、补液用接口,液位高低可调节,一方面要求能够控制配液时DI水容积和NaOH的容积,另一方面还可控制补液容积。
以上是对本实用新型的描述而非限定,基于本实用新型思想的其它实施方式,均在本实用新型的保护范围之中。

Claims (7)

1.一种太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于,该***包括有如下组成部分:
加热槽,它是用以实现太阳能硅片制绒目的的槽体;
加热管,它是电热型管状加热结构,设置在前述的加热槽中;
温控器,它与前述的加热管相连通,是用来控制加热管温度的温度控制器。
2.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于:所述的加热槽,选择溢流槽结构。
3.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于:所述的加热槽,它还设置有制冷***。
4.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于:所述的加热槽,在其四周还设置有波纹盘管。
5.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于:所述的加热槽,它还设有用以液位高低调节的配液、补液用接口。
6.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于:所述的加热管,它是与若干支加热管,共同采用交叉环形平铺均匀地分布在加热槽下方的。
7.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗制绒中新型加热控温***,其特征在于:在所述的温控器上,还设置有用以选择目标温度值的温度传感器。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157619A (zh) * 2011-02-22 2011-08-17 常州亿晶光电科技有限公司 硅片制绒槽均匀加热装置
CN102157620A (zh) * 2011-02-22 2011-08-17 常州亿晶光电科技有限公司 硅片制绒槽隔液式均匀加热装置
CN102242402A (zh) * 2011-07-11 2011-11-16 苏州赤诚洗净科技有限公司 太阳能电池硅片的制绒装置
CN102749942A (zh) * 2011-04-19 2012-10-24 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 一种用于太阳电池组件的流水线恒温***
CN102891208A (zh) * 2011-07-21 2013-01-23 浚鑫科技股份有限公司 太阳能电池片制绒方法
CN107988628A (zh) * 2017-11-27 2018-05-04 乐山新天源太阳能科技有限公司 硅片制绒槽

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157619A (zh) * 2011-02-22 2011-08-17 常州亿晶光电科技有限公司 硅片制绒槽均匀加热装置
CN102157620A (zh) * 2011-02-22 2011-08-17 常州亿晶光电科技有限公司 硅片制绒槽隔液式均匀加热装置
CN102749942A (zh) * 2011-04-19 2012-10-24 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 一种用于太阳电池组件的流水线恒温***
CN102749942B (zh) * 2011-04-19 2014-06-25 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 一种用于太阳电池组件的流水线恒温***
CN102242402A (zh) * 2011-07-11 2011-11-16 苏州赤诚洗净科技有限公司 太阳能电池硅片的制绒装置
CN102891208A (zh) * 2011-07-21 2013-01-23 浚鑫科技股份有限公司 太阳能电池片制绒方法
CN102891208B (zh) * 2011-07-21 2015-06-17 中建材浚鑫科技股份有限公司 太阳能电池片制绒方法
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