CN201516540U - 一种新型led晶圆三光束激光划片设备 - Google Patents
一种新型led晶圆三光束激光划片设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201516540U CN201516540U CN 200920232540 CN200920232540U CN201516540U CN 201516540 U CN201516540 U CN 201516540U CN 200920232540 CN200920232540 CN 200920232540 CN 200920232540 U CN200920232540 U CN 200920232540U CN 201516540 U CN201516540 U CN 201516540U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- reflective mirror
- total reflective
- led wafer
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 241001269238 Data Species 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000009711 regulatory function Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本实用新型涉及LED晶圆三光束激光划片设备,在激光器的输出端设置有光闸,光闸的输出端连接有扩束镜,扩束镜的输出端布置有第一全反镜,第一全反镜输出端衔接有用于将单束激光源分成三束激光的激光分光***,激光分光***的输出端设置有第二全反镜,第二全反镜衔接聚焦镜,聚焦镜正对于加工平台;激光器出射的激光经过光闸垂直入射到扩束镜,经扩束镜后的激光入射到第一全反镜,经第一全反镜后的激光入射到激光分光***,激光分光***输出三束等尺寸均能量的激光入射到第二全反镜,第二全反镜转角后的三束并行激光入射到聚焦镜,透过聚焦镜的三束激光并行聚焦于加工平台上。该设备实现LED晶圆片三光束的并行划片,适用于LED晶圆片的切割。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光加工设备,尤其涉及一种新型用于LED晶圆划片的紫外激光高精密加工设备,属于激光精密加工设备技术领域。
背景技术
众所周知,蓝光LED晶圆往往是在蓝宝石基底材料上采用气相沉积的方法生长GaN发光层,目前普遍的蓝光LED晶圆尺寸为2英寸,在LED终端应用封装前需要将若干英寸的晶圆片切割成更小尺寸的晶粒。对于蓝宝石基材的LED晶圆切割,目前已经由紫外激光划片完全替代了早先的金刚石刀具,通过激光新工艺的导入,典型的12mil×12mil晶粒尺寸的划片时间约为8分钟。
随着LED行业的发展,LED价格的降低以及发光效率的提升,带动了LED芯片在各行业的推广普及,尤其是最近LED在显示背光源的广泛应用使得LED生产需求井喷,市场产能需求量翻倍的增长,可以预见未来5年内LED在照明行业的应用普及将造成LED产能需求数十倍的提升。
对于LED行业急剧的增长趋势,LED生产过程设备的性能也提出了新的要求,作为LED生产的关键设备之一的激光划片设备,其生产效率的要求尤为迫切。当然提升生产效率的普遍做法是提升划片速度,事实上应用于LED晶圆的激光划片机也经历了早期10mm/s速度下的3片/小时、中期20mm/s速度下的5片/小时、现在70mm/s速度下的8片/小时,从激光划片机的升级过程可以看出单纯的划片速度增加对于划片效率的提升空间越来越小。鉴于该困扰采用多光束并行划片的技术方案可以突破划片效率提升瓶颈,实现成倍的划片效率提升。
激光加工应用于LED晶圆划片是近几年来发展起来的新型应用工艺,目前国外已有相关的应用设备,例如美国的New Wave、Laser Solution和日本的Disco,但主要是单光束激光划片。
近年来,随着紫外激光光源的发展,尤其是半导体端泵紫外激光器在100kHz工作频率下5W以上功率的商用化,使得单光源多光束分光并行划片成为可能。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种新型LED晶圆三光束激光划片设备。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:
一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,包括激光器、加工平台和控制***,特点是:所述激光器的输出端设置有用于控制激光通断的光闸,所述光闸的输出端连接有用于激光光斑扩束倍率调节的扩束镜,所述扩束镜的输出端布置有第一全反镜,第一全反镜输出端衔接有用于将单束激光源分成三束激光的激光分光***,所述激光分光***的输出端设置有第二全反镜,所述第二全反镜衔接聚焦镜,所述聚焦镜正对于加工平台;所述激光器出射的激光入射到光闸,激光经过光闸垂直入射到扩束镜,经过扩束镜后的激光入射到第一全反镜,经过第一全反镜后的激光入射到激光分光***,激光分光***输出三束等尺寸均能量的激光,等尺寸均能量的三束激光入射到第二全反镜,第二全反镜转角后的三束并行激光入射到聚焦镜,透过聚焦镜的三束激光并行聚焦于加工平台上,在加工平台表面的三束光位于同一直线上,并且中间一束激光与两侧激光的中心间距相等。
进一步地,上述的一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,其中,所述扩束镜的输出端布置有第一全反镜,第一全反镜反射镜具有二维角度调节和沿出射光轴一维平移调节功能,所述激光分光***的输出端设置有第二全反镜,第二全反镜具有沿入射光轴一维平移调节功能。
更进一步地,上述的一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,其中,所述聚焦镜安装于可垂直上下移动的一维直线运动机构上,所述一维直线运动机构与一电机驱动连接。
再进一步地,上述的一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,其中,所述扩束镜的倍率调节范围为8~15倍。
再进一步地,上述的一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,其中,所述激光器为半导体泵浦激光器,输出的激光波长为355nm。
本实用新型技术方案的实质性特点和进步主要体现在:
①采用简洁而功能齐备的光路设计,能够方便灵活的控制激光加工平面的光斑能量分布,适应不同规格的LED晶圆片的划片;
②采用独特的激光分光***实现三光束并行划片的功能,激光分光***将单束的紫外激光光源等尺寸均功率的分成三束,并且三束激光经过聚焦镜后等间距的聚焦于加工平台表面,三束光划片线宽和深度基本一致,使得划片效率成倍提升;
③由精密旋转电机调节三光束传输平面的角度,反映在加工平台表面三个聚焦光斑连线与加工平台运动X轴向和Y轴向的角度,进而实现三个聚焦光斑在加工平台X轴向和Y轴向的间距的精确控制;
④该设备较好实现LED晶圆片三光束的并行划片,广泛用于蓝光LED晶圆片的切割,满足LED晶圆生产产能需求。
附图说明
下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明:
图1:本实用新型***的结构示意图;
图2:本实用新型激光光路结构的原理图。
图中各附图标记的含义见下表:
附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 |
1 | 激光器 | 2 | 激光分光*** | 3 | 加工平台 |
附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 | 附图标记 | 含义 |
4 | 控制*** | 5 | 光闸 | 6 | 扩束镜 |
7 | 第一全反镜 | 8 | 第二全反镜 | 9 | 聚焦镜 |
具体实施方式
设计一种LED晶圆三光束激光划片设备,采用简洁而功能齐备的光路设计,能够方便灵活地控制激光在加工平面的光斑能量,在保证切割效率的前提下稳定整个加工幅面内的划片深度与线宽;采用独特的激光分光***将单束激光源等尺寸均能量分成三束激光并行聚焦于加工平台,通过精密旋转电机控制分光平面的角度,进而控制三束激光聚焦于加工平台的X轴和Y轴方向的间距。
设备***如图1所示,主要包括激光器1、激光分光***2、加工平台3和控制***4,从激光器1发出的激光入射到激光分光***2中,经过激光分光***2将单束激光源能量均匀的分为三束激光并行聚焦于加工平台3上。由激光分光***2将单束激光源分成三束等功率同尺寸的三束激光,三束激光经过聚焦镜后等间距的聚焦于加工平台,并且分光组件具有轴向的精密旋转电机,实现激光三光束分光方向与加工平台X轴或Y轴运动方向的精密控制,进而实现三光束在加工平台X轴或Y轴方向间距的精确连续可调。控制***4包含运动控制卡和驱动器,通过电机内部的光栅尺形成角度位置精密闭环控制,控制***4用于激光器、加工平台3、激光分光***2的综合控制。激光器1与控制***4之间通过RS232串口通信,实现控制***4向激光器1传送控制指令以及激光器1向控制***4传送状态信息。控制***4向激光分光***2发送脉冲信号控制精密旋转电机的方向,光栅尺的角度反馈形成闭环控制。加工平台3与控制***4之间通过运动控制卡实现运动闭环控制。
本实用新型的激光光路结构,如图2所示,包含激光器1、扩束镜6、激光分光***2、聚焦镜9、加工平台3以及控制***4,激光器1为半导体泵浦激光器,输出的激光波长为355nm,激光器1的输出端设置有用于控制激光通断的光闸5,光闸5的输出端连接有用于激光光斑扩束倍率调节的扩束镜6,扩束镜6的倍率调节范围为8~15倍,扩束镜6的输出端布置有第一全反镜7,第一全反镜7具有二维角度调节和沿出射光轴一维平移调节功能,第一全反镜7输出端衔接有用于将单束激光源分成三束激光的激光分光***2,激光分光***2的输出端设置有第二全反镜8,第二全反镜8具有沿入射光轴一维平移调节功能,第二全反镜8衔接聚焦镜9,聚焦镜9安装于可垂直上下移动的一维直线运动机构上,一维直线运动机构与一电机驱动连接,聚焦镜9正对于加工平台3。
激光器1出射的激光入射到光闸5,光闸5的作用是用于控制激光的通断,当不需要激光划片时光闸阻挡入射激光,防止激光的溢出;激光经过光闸5垂直入射到扩束镜6,扩束镜6具有8~15倍的倍率调节功能,由高斯光学原理可知对于具有扩束功能的光学聚焦***,扩束镜的扩束倍率与聚焦光斑的光腰直径成反比,因此可调倍率的扩束镜能有效的控制***聚焦光斑的能量分布;经过扩束镜6后的激光入射到第一全反镜7,第一全反镜7具有二维角度调节和沿出射光轴一维平移调节功能;经过第一全反镜7后的激光入射到激光分光***2,将单束激光源分成三束激光,即激光分光***2输出三束等尺寸均能量的激光,等尺寸均能量的三束激光入射到第二全反镜8,第二全反镜8具有沿入射光轴一维平移调节功能;第二全反镜8转角后的三束并行激光入射到聚焦镜9,聚焦镜9安装于具有垂直升降功能的直线运动机构上,通过控制聚焦镜9与加工平面3之间的距离灵活的调整加工平面聚焦光斑的能量分布;透过聚焦镜9的三束激光并行聚焦于加工平台3上,在加工平台表面的三束光位于同一直线上,并且中间一束激光与两侧激光的中心间距相等。
需要说明的是,激光分光***2包含精密旋转电机,精密旋转电机带有光栅尺反馈功能,单束激光源经过激光分光***2后分成三束等尺寸均能量的平行光,并且三束光在同一平面内传输,调节精密旋转电机角度则三光束的传输平面相应地向相同方向发生同角度的旋转,经过第二全反镜8和聚焦镜9之后,聚焦在加工平台3表面的三点位于同一条线上,并且该连线与加工平台3的X轴向和Y轴向的夹角随精密旋转电机角度变化而改变。三束激光等尺寸均能量,经过聚焦镜后在加工平台表面具有相同的能量分布,进而决定三光束的划线宽度和深度相当。
本实用新型技术方案可满意实现LED晶圆片三光束的并行划片,成倍提高划片效率。凸显以下特点:1)采用简洁而功能齐备的光路设计,能够方便灵活的控制激光加工平面的光斑能量分布,适应不同规格的LED晶圆片的划片;2)采用独特的激光分光***实现三光束并行划片的功能,使得划片效率成倍提升;3)采用精密陶瓷电机控制并行三束光与加工平台X轴或Y轴之间的夹角,控制三束光在X轴和Y轴方向间距的连续精密可调,该精密陶瓷电机通过高分辨率的光栅尺以及驱动器、运动控制卡形成角度位置的闭环精确定位控制。
综上可见,本实用新型设备能广泛用于蓝光LED晶圆片的切割,满足LED晶圆生产产能需求,经济效益和社会效益显著,应用前景非常看好。
需要理解到的是:上述说明并非是对本实用新型的限制,在本实用新型构思范围内,所进行的添加、变换、替换等,也应属于本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,包括激光器(1)、加工平台(3)和控制***(4),其特征在于:所述激光器(1)的输出端设置有用于控制激光通断的光闸(5),所述光闸(5)的输出端连接有用于激光光斑扩束倍率调节的扩束镜(6),所述扩束镜(6)的输出端布置有第一全反镜(7),第一全反镜(7)输出端衔接有用于将单束激光源分成三束激光的激光分光***(2),所述激光分光***(2)的输出端设置有第二全反镜(8),所述第二全反镜(8)衔接聚焦镜(9),所述聚焦镜(9)正对于加工平台(3);所述激光器(1)出射的激光经过光闸(5)垂直入射到扩束镜(6),经扩束镜(6)后的激光入射到第一全反镜(7),经第一全反镜(7)后的激光入射到激光分光***(2),激光分光***(2)输出三束等尺寸均能量的激光,等尺寸均能量的三束激光入射到第二全反镜(8),第二全反镜(8)转角后的三束并行激光入射到聚焦镜(9),透过聚焦镜(9)的三束激光并行聚焦于加工平台(3)上,在加工平台表面的三束光位于同一直线上,并且中间一束激光与两侧激光的中心间距相等。
2.根据权利要求1所述的一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,其特征在于:所述聚焦镜(9)安装于可垂直上下移动的一维直线运动机构上,所述一维直线运动机构与一电机驱动连接。
3.根据权利要求1所述的一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,其特征在于:所述扩束镜(6)的倍率调节范围为8~15倍。
4.根据权利要求1所述的一种新型LED晶圆三光束激光划片设备,其特征在于:所述激光器(1)为半导体泵浦激光器,输出的激光波长为355nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200920232540 CN201516540U (zh) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 一种新型led晶圆三光束激光划片设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200920232540 CN201516540U (zh) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 一种新型led晶圆三光束激光划片设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN201516540U true CN201516540U (zh) | 2010-06-30 |
Family
ID=42497254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200920232540 Expired - Lifetime CN201516540U (zh) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | 一种新型led晶圆三光束激光划片设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN201516540U (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102319960A (zh) * | 2011-07-27 | 2012-01-18 | 苏州德龙激光有限公司 | 超短脉冲激光制作金属薄膜群孔的装置及其方法 |
CN102672355A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-09-19 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led 衬底的划片方法 |
CN103495805A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-08 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 激光打点装置 |
CN104801851A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-29 | 山西南烨立碁光电有限公司 | 硅基led芯片切割方法及其切割用分光器 |
CN104858550A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-08-26 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 背光源加工的co2激光多光束高速划槽装置及其方法 |
CN108500477A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-07 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Led晶圆片的切割方法及切割装置 |
CN108515273A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-11 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Led晶圆片的切割装置及切割方法 |
CN109317821A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-12 | 北京中科镭特电子有限公司 | 一种激光焊接*** |
CN109570760A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-05 | 浙江雷拉激光科技有限公司 | 一种光束整形焊接***及方法 |
CN112730433A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种激光损伤测试***及方法 |
-
2009
- 2009-09-16 CN CN 200920232540 patent/CN201516540U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102319960A (zh) * | 2011-07-27 | 2012-01-18 | 苏州德龙激光有限公司 | 超短脉冲激光制作金属薄膜群孔的装置及其方法 |
CN102672355A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-09-19 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led 衬底的划片方法 |
CN102672355B (zh) * | 2012-05-18 | 2015-05-13 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led衬底的划片方法 |
CN103495805A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-08 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 激光打点装置 |
CN104801851A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-29 | 山西南烨立碁光电有限公司 | 硅基led芯片切割方法及其切割用分光器 |
CN104801851B (zh) * | 2015-03-31 | 2019-01-18 | 山西南烨立碁光电有限公司 | 硅基led芯片切割方法及其切割用分光器 |
CN104858550A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-08-26 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 背光源加工的co2激光多光束高速划槽装置及其方法 |
CN109317821A (zh) * | 2017-07-24 | 2019-02-12 | 北京中科镭特电子有限公司 | 一种激光焊接*** |
CN108500477A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-07 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Led晶圆片的切割方法及切割装置 |
CN108515273A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-11 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Led晶圆片的切割装置及切割方法 |
CN109570760A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-05 | 浙江雷拉激光科技有限公司 | 一种光束整形焊接***及方法 |
CN112730433A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-04-30 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种激光损伤测试***及方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN201516540U (zh) | 一种新型led晶圆三光束激光划片设备 | |
CN101670492A (zh) | Led晶圆三光束激光划片设备的设计方法 | |
CN101318264B (zh) | 用于晶圆切割的紫外激光加工设备 | |
CN102672355B (zh) | Led衬底的划片方法 | |
CN101796698B (zh) | 半导体激光元件的制造方法 | |
TWI466748B (zh) | 雷射處理設備 | |
CN102658424B (zh) | 激光加工led衬底的***及方法 | |
CN201783761U (zh) | 双激光头划片装置 | |
CN104339081A (zh) | 用于在透明材料内执行激光成丝的方法和设备 | |
CN103551732A (zh) | 激光切割装置及切割方法 | |
CN101020277A (zh) | 分布式激光加工*** | |
KR20050116798A (ko) | 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 이용하여 절단하기위한 시스템 및 그 방법 | |
CN101564794A (zh) | 用于切割大功率led芯片用铜基板的紫外激光设备 | |
CN107717215B (zh) | 多功能超快激光微细加工***及其方法 | |
CN102822952A (zh) | ***激光划片机 | |
CN102000917A (zh) | Led晶圆激光内切割划片设备 | |
CN104439716A (zh) | 激光加工***及激光加工方法 | |
CN102763192A (zh) | 结晶性膜、器件、以及结晶性膜或器件的制造方法 | |
CN203541848U (zh) | 激光切割装置 | |
CN206105146U (zh) | 一种激光精密加工光路 | |
CN109604838A (zh) | 半导体激光加工装置 | |
JP2010105012A (ja) | レーザ加工装置 | |
CN201020601Y (zh) | 激光精密加工的匀光*** | |
CN103706954A (zh) | 低切损激光切割锯 | |
JP2010087041A (ja) | レーザービームによる薄膜の除去方法及び薄膜太陽電池パネルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215021 Suzhou Industrial Park, Jiangsu, Hong Zhong Road, No. 77 Patentee after: Suzhou Delphi Laser Co., Ltd. Address before: 215021 Suzhou Industrial Park, Jiangsu, Hong Zhong Road, No. 77 Patentee before: Suzhou Delphi Laser Co., Ltd. |
|
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20100630 |
|
CX01 | Expiry of patent term |