CN201440221U - 双路温控电路 - Google Patents
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Abstract
一种双路温控电路,包括探测电路、选择电路及控制电路。探测电路用于探测第一温度点与第二温度点的温度并将第一温度点的温度与第二温度点的温度转换为第一电压信号与第二电压信号。选择电路用于比较第一电压信号与第二电压信号并输出第三电压信号,其包括第一比较器、第一N沟道场效晶体管及P沟道场效晶体管。控制电路连接于选择电路,用于根据选择电路所输出的第三电压信号控制被控电路。所述双路温控电路可探测两个温度点的温度,并根据这两个温度点的温度可靠地控制被控电路。
Description
技术领域
本实用新型涉及温度控制电路,尤其涉及一种双路温控电路。
背景技术
目前,温控电路一般采用一个温度控制集成电路(Integrated Circuit,IC)来探测温度,并在温度达到设定值后发出相应的控制信号,以控制被控电路。
然,由于一个温度探测集成电路只能探测一个温度点的温度,故其温度探测的范围有限,温控的可靠性较低。
实用新型内容
有鉴于此,需要提供一种双路温控电路,可探测两个温度点的温度,温控的可靠性较高。
本实用新型实施方式中提供的双路温控电路包括探测电路、选择电路及控制电路。探测电路用于探测第一温度点与第二温度点的温度并将第一温度点的温度与第二温度点的温度转换为第一电压信号与第二电压信号。选择电路用于比较第一电压信号与第二电压信号并输出第三电压信号,其包括第一比较器、第一N沟道场效晶体管及P沟道场效晶体管。第一比较器的同相输入端用于接收第一电压信号,其反相输入端用于接收该第二电压信号。第一比较器用于比较该第一电压信号与该第二电压信号,当该第一电压信号大于该第二电压信号时输出第一高电平信号,当该第一电压信号小于该第二电压信号时输出第一低电平信号。第一N沟道场效晶体管的栅极连接于该第一比较器的输出端,其漏极用于接收该第一电压信号。第一N沟道场效晶体管用于根据该第一高电平信号导通而于其源极输出该第一电压信号,以及根据该第一低电平信号截止。P沟道场效晶体管的栅极连接于该第一比较器的输出端,其漏极用于接收该第二电压信号,其源极连接于该第一N沟道场效晶体管的源极。P沟道场效晶体管用于根据该第一高电平信号截止,以及根据第一低电平信号导通而于其源极输出该第二电压信号。控制电路连接于选择电路,用于根据选择电路所输出的第三电压信号控制被控电路。
优选地,所述探测电路包括第一分压电阻、第一温敏电阻、第二分压电阻及第二温敏电阻;所述第一温敏电阻用于探测所述第一温度点的温度;所述第一分压电阻与所述第一温敏电阻串行连接于参考电压源与地之间,用于对所述参考电压源进行分压,并将所述第一温度点的温度转换为所述第一电压信号;所述第二温敏电阻用于探测所述第二温度点的温度;所述第二分压电阻与所述第二温敏电阻串行连接于所述参考电压源与地之间,用于对所述参考电压源进行分压,并将所述第二温度点的温度转换为所述第二电压信号。
优选地,所述第一比较器的同相输入端连接于所述第一分压电阻与所述第一温敏电阻的公共节点,所述第一比较器的反相输入端连接于所述第二分压电阻与所述第二温敏电阻的公共节点。
优选地,第一N沟道场效晶体管的漏极连接于所述第一分压电阻与所述第一温敏电阻的公共节点,所述P沟道场效晶体管的漏极连接于所述第二分压电阻与所述第二温敏电阻的公共节点。
优选地,所述控制电路包括第二比较器、第二N沟道场效晶体管及控制电阻;所述第二比较器的同相输入端连接于所述第一N沟道场效晶体管的源极与所述P沟道场效晶体管的源极,用于接收所述选择电路所输出的第三电压信号,其反相输入端连接于参考电压信号,用于比较所述选择电路所输出的第三电压信号与所述参考电压信号,当所述选择电路所输出的第三电压信号比所述参考电压信号大时输出第二高电平信号,当所述选择电路所输出的第三电压信号比所述参考电压信号小时输出第二低电平信号;第二N沟道场效晶体管的栅极连接于所述第二比较器的输出端,其漏极连接于所述被控电路,其源极接地,所述第二N沟道场效晶体管接收到所述第二高电平信号时导通,接收到所述第二低电平信号时截止;所述控制电阻连接于电源电压与所述第二N沟道场效晶体管的漏极之间;其中,当所述第二N沟道场效晶体管导通时,所述第二N沟道场效晶体管的漏极与所述控制电阻的公共节点输出低电压信号至被控电路;当所述第二N沟道场效晶体管截止时,所述电源电压经由所述控制电阻被输出至所述被控电路。
优选地,所述被控电路为电源控制集成电路,用于根据所述低电压信号停止工作,以及根据所述电源电压正常工作。
本实用新型实施方式中的双路温控电路可探测两个温度点的温度,并根据这两个温度点的温度可靠地控制被控电路。
附图说明
图1是本实用新型双路温控电路一实施方式的电路图。
具体实施方式
图1是本实用新型双路温控电路100一实施方式的电路图。在本实施方式中,双路温控电路100用于探测两个温度点的温度,并根据这两个温度点的温度可靠地控制被控电路200。被控电路200可为电源控制集成电路(Power Control Integrated Circuit),其可根据电源电压正常工作,以及根据低电压信号停止工作。其中,电源电压可为+3.3V的直流电压,低电压信号为低于+3.3V的电压信号。
在本实用新型一实施方式中,双路温控电路100包括探测电路110、选择电路120及控制电路130。
探测电路110用于探测第一温度点与第二温度点的温度并将第一温度点的温度与第二温度点的温度转换为第一电压信号V1与第二电压信号V2。在本实施方式中,探测电路110包括第一分压电阻R1、第一温敏电阻Rt1、第二分压电阻R2及第二温敏电阻Rt2。其中,第一温敏电阻Rt1与第二温敏电阻Rt2为正温度系数的温敏电阻,即其阻值随温度上升而增加。
第一温敏电阻Rt1用于探测第一温度点的温度。第一分压电阻Rt与第一温敏电阻Rt1串行连接于参考电压源Vcc与地之间,用于对参考电压源Vcc进行分压。当第一温度点的温度发生变化时,第一温敏电阻Rt1的阻抗相应发生变化,从而第一分压电阻R1与第一温敏电阻Rt1对参考电压源Vcc的分压电压V1亦发生变化,实现将第一温度点的温度转换为第一电压信号V1。
第二温敏电阻Rt2用于探测第二温度点的温度。第二分压电阻R2与第二温敏电阻Rt2串行连接于参考电压源Vcc与地之间,用于对参考电压源Vcc进行分压。当第二温度点的温度发生变化时,第二温敏电阻Rt2的阻抗相应发生变化,从而第二分压电阻R2与第二温敏电阻Rt2对参考电压源Vcc的分压电压V2亦发生变化,实现将第二温度点的温度转换为第二电压信号V2。
选择电路120用于比较第一电压信号V1与第二电压信号V2并输出第三电压信号V3。在本实施方式中,选择电路120包括第一比较器A1、第一N沟道场效晶体管M1及P沟道场效晶体管M2。
第一比较器A1的同相输入端连接于第一分压电阻R1与第一温敏电阻Rt1的公共节点,用于接收第一电压信号V1。第一比较器A1的反相输入端连接于第二分压电阻R2与第二温敏电阻Rt2的公共节点,用于接收第二电压信号V2。第一比较器A1用于比较第一电压信号V1与第二电压信号V2,当第一电压信号V1大于第二电压信号V2时输出第一高电平信号,当第一电压信号V1小于第二电压信号V2时输出第一低电平信号。
第一N沟道场效晶体管M1的栅极连接于第一比较器A1的输出端,用于接收第一高电平信号或第一低电平信号。第一N沟道场效晶体管M1的漏极连接于第一分压电阻R1与第一温敏电阻Rt1的公共节点,用于接收第一电压信号V1。第一N沟道场效晶体管M1用于根据第一高电平信号导通而于其源极输出第一电压信号V1,以及根据第一低电平信号截止。
P沟道场效晶体管M2的栅极连接于第一比较器A1的输出端,用于接收第一高电平信号或第一低电平信号。P沟道场效晶体管M2的漏极连接于第二分压电阻R2与第二温敏电阻Rt2的公共节点,用于接收第二电压信号V2。P沟道场效晶体管M2的源极连接于第一N沟道场效晶体管M1的源极。P沟道场效晶体管M2用于根据第一高电平信号截止,以及根据第一低电平信号导通而于其源极输出第二电压信号V2。
由此可见,当第一电压信号V1大于第二电压信号V2时,第一比较器A1输出第一高电平信号,第一N信道场效晶体管M1的源极与P沟道场效晶体管M2的源极的公共节点输出第一电压信号V1。换言之,选择电路120所输出的第三电压信号V3等于第一电压信号V1。
当第一电压信号V1小于第二电压信号V2时,第一比较器A1输出第一低电平信号,第一N信道场效晶体管M1的源极与P沟道场效晶体管M2的源极的公共节点输出第二电压信号V2。换言之,选择电路120所输出的第三电压信号V3等于第二电压信号V2。
控制电路130连接于选择电路120,用于根据选择电路120所输出的第三电压信号V3控制被控电路200。在本实施方式中,控制电路130包括第二比较器A2、第二N沟道场效晶体管M3及控制电阻R3。
第二比较器A2的同相输入端连接于第一N沟道场效晶体管M1的源极与P沟道场效晶体管M2的源极,用于接收选择电路120所输出的第三电压信号V3。第二比较器A2的反相输入端连接于参考电压信号Vref,用于比较选择电路120所输出的第三电压信号V3与参考电压信号Vref。在本实施方式中,参考电压信号Vref是根据探测电路110中第一分压电阻R1、第二分压电阻R2、第一温敏电阻Rt1与第二温敏电阻Rt2的温度系数特性以及参考电压源Vcc进行设定,参考电压信号Vref设置为不同的电压值可以对不同的温度点进行控制。当选择电路120所输出的第三电压信号V3比参考电压信号Vref大时,第二比较器A2输出第二高电平信号。当选择电路120所输出的第三电压信号V3比参考电压信号Vref小时,第二比较器A2输出第二低电平信号。
第二N沟道场效晶体管M3的栅极连接于第二比较器A2的输出端,用于接收第二高电平信号或第二低电平信号。第二N沟道场效晶体管M3的漏极连接于被控电路200,其源极接地。第二N沟道场效晶体管M3接收到第二高电平信号时导通,接收到第二低电平信号时截止。
控制电阻R3连接于电源电压与第二N信道场效晶体管M3的漏极之间。在本实施方式中,电源电压为+3.3V的直流电压。
当第二N沟道场效晶体管M3导通时,第二N沟道场效晶体管M3的漏极与控制电阻R3的公共节点输出低电压信号至被控电路200。相应地,被控电路200根据该低电压信号停止工作。
当第二N沟道场效晶体管M3截止时,+3.3V的电源电压经由控制电阻R3被输出至被控电路200。相应地,被控电路200根据+3.3V的电源电压正常工作。
因此,本实用新型双路温控电路100探测两个温度点的温度,并根据这两个温度点的温度可靠地控制被控电路200。
虽然本实用新型以双路温控电路100探测两个温度点的内容揭露如上,但本实用新型亦可应用于多路温度控制。例如将探测电路110及选择电路120的数量增多,以向控制电路130输出多个第三电压信号从而使其输出不同的控制信号以控制被控电路200。
Claims (6)
1.一种双路温控电路,其特征在于,包括:
探测电路,用于探测第一温度点与第二温度点的温度并将所述第一温度点的温度与所述第二温度点的温度转换为第一电压信号与第二电压信号;
选择电路,用于比较所述第一电压信号与所述第二电压信号并输出第三电压信号,所述选择电路包括:
第一比较器,其同相输入端用于接收所述第一电压信号,其反相输入端用于接收所述第二电压信号,用于比较所述第一电压信号与所述第二电压信号,当所述第一电压信号大于所述第二电压信号时输出第一高电平信号,当所述第一电压信号小于所述第二电压信号时输出第一低电平信号;
第一N沟道场效晶体管,其栅极连接于所述第一比较器的输出端,其漏极用于接收所述第一电压信号,用于根据所述第一高电平信号导通而于其源极输出所述第一电压信号,以及根据所述第一低电平信号截止;及
P沟道场效晶体管,其栅极连接于所述第一比较器的输出端,其漏极用于接收所述第二电压信号,其源极连接于所述第一N沟道场效晶体管的源极,用于根据所述第一高电平信号截止,以及根据所述第一低电平信号导通而于其源极输出所述第二电压信号;及
控制电路,连接于所述选择电路,用于根据所述选择电路所输出的第三电压信号控制被控电路。
2.如权利要求1所述的双路温控电路,其特征在于,所述探测电路包括:
第一分压电阻;
第一温敏电阻,用于探测所述第一温度点的温度,其中所述第一分压电阻与所述第一温敏电阻串行连接于参考电压源与地之间,用于对所述参考电压源进行分压,并将所述第一温度点的温度转换为所述第一电压信号;
第二分压电阻;及
第二温敏电阻,用于探测所述第二温度点的温度,其中所述第二分压电阻与所述第二温敏电阻串行连接于所述参考电压源与地之间,用于对所述参考电压源进行分压,并将所述第二温度点的温度转换为所述第二电压信号。
3.如权利要求2所述的双路温控电路,其特征在于,所述第一比较器的同相输入端连接于所述第一分压电阻与所述第一温敏电阻的公共节点,所述第一比较器的反相输入端连接于所述第二分压电阻与所述第二温敏电阻的公共节点。
4.如权利要求3所述的双路温控电路,其特征在于,第一N沟道场效晶体管的漏极连接于所述第一分压电阻与所述第一温敏电阻的公共节点,所述P沟道场效晶体管的漏极连接于所述第二分压电阻与所述第二温敏电阻的公共节点。
5.如权利要求1所述的双路温控电路,其特征在于,所述控制电路包括:
第二比较器,其同相输入端连接于所述第一N沟道场效晶体管的源极与所述P沟道场效晶体管的源极,用于接收所述选择电路所输出的第三电压信号,其反相输入端连接于参考电压信号,用于比较所述选择电路所输出的第三电压信号与所述参考电压信号,当所述选择电路所输出的第三电压信号比所述参考电压信号大时输出第二高电平信号,当所述选择电路所输出的第三电压信号比所述参考电压信号小时输出第二低电平信号;
第二N沟道场效晶体管,其栅极连接于所述第二比较器的输出端,其漏极连接于所述被控电路,其源极接地,所述第二N沟道场效晶体管接收到所述第二高电平信号时导通,接收到所述第二低电平信号时截止;及
控制电阻,连接于电源电压与所述第二N沟道场效晶体管的漏极之间;
其中,当所述第二N沟道场效晶体管导通时,所述第二N沟道场效晶体管的漏极与所述控制电阻的公共节点输出低电压信号至被控电路;当所述第二N沟道场效晶体管截止时,所述电源电压经由所述控制电阻被输出至所述被控电路。
6.如权利要求5所述的双路温控电路,其特征在于,所述被控电路为电源控制集成电路,用于根据所述低电压信号停止工作,以及根据所述电源电压正常工作。
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