CN201336249Y - 交流接触器降温控制电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种交流接触器降温控制电路，其特征在于：包括电容(C1－C4)、可控硅(D1－D2)、电阻(R1－R6)、整流二极管(V1－V7)、电位器(KW1)、保险(FR1－FR2)、控制回路接入端(A)、控制回路接入端(B)，接触器线圈接入端(C)及接触器线圈接入端(D)。本实用新型能降低交流接触器铁芯和线圈的温升，延长交流接触器使用寿命。

Description

交流接触器降温控制电路

技术领域

本实用新型属于控制电路，特别涉及一种降温控制电路。

背景技术

交流接触器是在工业生产中广泛使用的一种低压控制电器。现有的交流接触器通常采用在接触线圈中通入单相交流电来吸合和维持交流接触器的吸合状态。因单相交流电在接触线圈铁芯上产生较大的涡流和磁滞损耗、短路环损耗等，使接触器线圈在维持接触器的运行时电能的利用率较低，其电能损耗大部分以热能的方式散发，导致接触器铁芯和接触器线圈产生较大的温升。而且额定电流越大的交流接触器，其铁芯和线圈的温升越高。高温升导致线圈的绝缘性能老化加速，机械变形，使接触器寿命缩短。同时还导致安装交流接触器的配电柜、配电箱等设备内部温度升高，导致这些设备内部的其它器件特性发生改变，易引起误动作、缩短寿命等缺点。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述缺点而提供的一种能降低交流接触器铁芯和线圈的温升，延长交流接触器使用寿命的交流接触器降温控制电路。

本实用新型的交流接触器降温控制电路构成是：包括电容C1-C4、可控硅D1-D2、电阻R1-R6、整流二极管V1-V7、电位器KW1、保险FR1-FR2、控制回路接入端A、控制回路接入端B，接触器线圈接入端C及接触器线圈接入端D，可控硅D1的正极通过保险FR1与控制回路接入端A连接，可控硅D1的负极与整流二极管V3的负极、V4的正极连接，可控硅D1的负极通过保险FR2与电容C2、电阻R2连接，电容C2和电阻R2在并连后与电容C1、电阻R1连接，电容C1和电阻R1在并连后与可控硅D1的正极连接；可控硅D1的控制极与整流二极管V1的负极连接，整流二极管V1的正极与可控硅D2的负极连接，电阻R3跨接在可控硅D2的正极和可控硅D1的正极之间，电容C3跨接在可控硅D2的正极和可控硅D1的正极之间，可控硅D2的控制极通过电阻R6与电位器KW1的输出端连接，可控硅D2的正极通过电阻R4与整流二极管V2的正极连接；整流二极管V2的负极通过电容C4与电位器KW1的输入端连接，电阻R5并连在电容C4的两端，电位器KW1的输入端与电位器KW1的调节端连接；整流二极管V3的正极与整流二极管V7的正极，整流二极管V5的正极，接触器线圈接入端C连接；整流二极管V4的负极与整流二极管V6的负极，整流二极管V7的负极，接触器线圈接入端D连接；整流二极管V5负极与整流二极管V6的正极，控制回路接入端B连接。

上述交流接触器降温控制电路，其中：电容C1、电容C2的容量可调。

本实用新型与现有技术相比，从以上技术方案可知：在交流接触器为直流运行后，在直流电通过线圈时，不产生交变磁场，从而不存在磁滞、涡流、短路环、无功等损耗。只用很小的电流来维持接触器的吸合状态，降低了铁芯和线圈的温升，延长了接触器的使用寿命。

以下通过附图及具体实施方式进一步说明本实用新型的有益效果。

附图说明

附图为本实用新型的电路原理图。

图中标记：

C1-C4：电容；D1-D2：可控硅；R1-R6：电阻；V1-V7：整流二极管；KW1：电位器；FR1-FR2：保险；A：控制回路接入端；B：控制回路接入端；C：接触器线圈接入端；D：接触器线圈接入端。

具体实施方式

以下结合附图，对依据本实用新型提出交流接触器降温控制电路其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：

交流接触器降温控制电路，包括电容C1-C4、可控硅D1-D2、电阻R1-R6、整流二极管V1-V7、电位器KW1、保险FR1-FR2、控制回路接入端A、控制回路接入端B，接触器线圈接入端C及接触器线圈接入端D，可控硅D1的正极通过保险FR1与控制回路接入端A连接，可控硅D1的负极与整流二极管V3的负极、V4的正极连接，可控硅D1的负极通过保险FR2与电容C2、电阻R2连接，电容C2和电阻R2在并连后与电容C1、电阻R1连接；电容C1和电阻R1在并连后与可控硅D1的正极连接，可控硅D1的控制极与整流二极管V1的负极连接，整流二极管V1的正极与可控硅D2的负极连接，电阻R3跨接在可控硅D2的正极和可控硅D1的正极之间，电容C3跨接在可控硅D2的正极和可控硅D1的正极之间，可控硅D2的控制极通过电阻R6与电位器KW1的输出端连接，可控硅D2的正极通过电阻R4与整流二极管V2的正极连接；整流二极管V2的负极通过电容C4与电位器KW1的输入端连接，电阻R5并连在电容C4的两端，电位器KW1的输入端与电位器KW1的调节端连接；整流二极管V3的正极与整流二极管V7的正极，整流二极管V5的正极，接触器线圈接入端C连接；整流二极管V4的负极与整流二极管V6的负极，整流二极管V7的负极，接触器线圈接入端D连接；整流二极管V5负极与整流二极管V6的正极，控制回路接入端B连接。

当控制回路启动时，在控制回路接入端A和控制回路接入端B之间加上220V交流电，交流接触器接触器线圈连接在接触器线圈接入端C与接触器线圈接入端D之间。220V交流电电流经过保险FR1后分为成两路：一路经电容C1降压、电容C2降压后、通过保险FR2、再经过整流二极管V3、整流二极管V4、整流二极管V5、整流二极管V6的整流之后、通过接触器线圈接入端C与交流接触器接触器线圈连接，在流经交流接触器接触器线圈后，通过接触器线圈接入端D返回控制回路，构成接触器保持吸合回路；另一路经电容C3降压、电阻R4降压后、再经过整流二极管V2整流、电容C4降压、电位器RW1、电阻R6降压、可控硅D2、整流二极管V1、可控硅D1、整流二极管V3、整流二极管V4、整流二极管V5、整流二极管V6整流之后、通过接触器线圈接入端C与交流接触器接触器线圈连接，在流经交流接触器接触器线圈后，通过接触器线圈接入端D返回控制回路，构成接触器吸合触发回路。当控制回路启动时，电容C3、电容C4开始充电，充电电流触发可控硅D2、可控硅D1导通，可控硅D1导通后，将经保险FR1的电源半波整流后经整流二极管V4、接触器线圈、整流二极管V5返回电源，使接触器通过大电流吸合。经过一定的延时后，电容C3、电容C4的充电电流减小，当充电电流小于可控硅D2、可控硅D1的触发电流时，可控硅D2、可控硅D1截止，此时交流接触器已经吸合，转入小直流电流维持吸合状态。

当控制回路停止工作时，加在控制回路接入端A、控制回路接入端B的交流电源停止供电时，交流接触器因无维持电流而正常释放，电容C3经电阻R3放电，电容C4经电阻R5放电，为下一次启动作准备。

电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2对可控硅D1具有一定的过压保护作用；可控硅D2使可控硅D1的关断更加可靠。

改变电容C1、电容C2的容量，可使本实用新型适应不同规格的交流接触器。

本实用新型可用于常规的交流接触器的控制回路中，接线简单，不改变原接线控制方式，与现有技术相比，在交流接触器改为直流运行后，直流电通过线圈时，不产生交变磁场，从而不存在磁滞、涡流、短路环、无功等损耗。克服了交流运行所带来的高温升缺点，只用很小的电流来维持接触器的吸合状态，降低交流接触器运行时铁芯和线圈温度效果明显，延长了交流接触器的使用寿命。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，任何未脱离本实用新型技术方案内容，根据本实用新型的技术实质对以上实例所作的任何修改，等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围。

Claims (2)

1、一种交流接触器降温控制电路，其特征在于：包括电容(C1-C4)、可控硅(D1-D2)、电阻(R1-R6)、整流二极管(V1-V7)、电位器(KW1)、保险(FR1-FR2)、控制回路接入端(A)、控制回路接入端(B)，接触器线圈接入端(C)及接触器线圈接入端(D)，可控硅(D1)的正极通过保险(FR1)与控制回路接入端(A)连接，可控硅(D1)的负极与整流二极管(V3)的负极、(V4)的正极连接，可控硅(D1)的负极通过保险(FR2)与电容(C2)、电阻(R2)连接，电容(C2)和电阻(R2)在并连后与电容(C1)、电阻(R1)连接，电容(C1)和电阻(R1)在并连后与可控硅(D1)的正极连接；可控硅(D1)的控制极与整流二极管(V1)的负极连接，整流二极管(V1)的正极与可控硅(D2)的负极连接，电阻(R3)跨接在可控硅(D2)的正极和可控硅(D1)的正极之间，电容(C3)跨接在可控硅(D2)的正极和可控硅(D1)的正极之间，可控硅(D2)的控制极通过电阻(R6)与电位器(KW1)的输出端连接，可控硅(D2)的正极通过电阻(R4)与整流二极管(V2)的正极连接；整流二极管(V2)的负极通过电容(C4)与电位器(KW1)的输入端连接，电阻(R5)并连在电容(C4)的两端，电位器(KW1)的输入端与电位器(KW1)的调节端连接；整流二极管(V3)的正极与整流二极管(V7)的正极，整流二极管(V5)的正极，接触器线圈接入端(C)连接；整流二极管(V4)的负极与整流二极管(V6)的负极，整流二极管(V7)的负极，接触器线圈接入端(D)连接；整流二极管(V5)负极与整流二极管(V6)的正极，控制回路接入端(B)连接。

2、如权利要求1所述的交流接触器降温控制电路，其特征在于：电容(C1)、电容(C2)的容量可调。

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