CN201265758Y - 改进型发光二极管结构 - Google Patents

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CN201265758Y CNU2008201253040U CN200820125304U CN201265758Y CN 201265758 Y CN201265758 Y CN 201265758Y CN U2008201253040 U CNU2008201253040 U CN U2008201253040U CN 200820125304 U CN200820125304 U CN 200820125304U CN 201265758 Y CN201265758 Y CN 201265758Y
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Abstract

一种改进型发光二极管结构，包括一铜箔基板，一导电体，一发光二极管芯片，一透明胶和一印刷电路板，其中，所述铜箔基板上设置一矩形凹槽，并在所述矩形凹槽***设置一环状凹槽，所述环状凹槽将所述矩形凹槽包覆在内，并使所述矩形凹槽侧壁与所述铜箔基板的表面产生一自然导角，进而产生一岛状平台；所述导电体贯穿所述铜箔基板，设置于所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间，并于所述导电体外包覆一绝缘体，使所述导电体与所述铜箔基板绝缘；所述发光二极管芯片设置于所述铜箔基板上；所述透明胶设置于所述铜箔基板，包覆一荧光胶与所述铜箔基板表面，并使所述透明胶包覆范围小于所述环状凹槽产生的所述自然导角；所述印刷电路板将所述铜箔基板设置于所述印刷电路板上。

Description

改进型发光二极管结构
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管，具体地说，是一种改进型发光二极管结构。
背景技术
传统制作白光的发光二极管封装时，均需使用一透镜将所述发光二极管芯片覆盖保护住，一般利用射出成型的方式制造，或是利用外加模具来固定所述透镜。
但是，当受到外力挤压时透镜很容易脱落，造成无法有效保护芯片；此外，当长期使用所述发光二极管芯片时会产生废热，导致外部壳体会有热胀冷缩的反应，使用一段期间后很容易导致透镜脱落，因此这些情况均会降低光源的照射亮度，不利大量生产制造；另一种制作发光二极管的形态，绝大部分均是使用蓝光或紫光系列的发光二极管芯片，并在一基板上设置有一发光二极管芯片，进行连接通电发光，最后在发光二极管芯片上方覆盖上一层封胶(硅胶或环氧树脂)，进而完成发光二极管芯片的封装结构，但因为在点胶过程中，需要非常地精准，在制造封装的过程中很容易外流到侧面的基板上而影响到整组发光二极管芯片的封装与使用寿命。
因此已知的发光二极管结构存在着上述种种不便和问题。
发明内容
本实用新型的目的，在于提出一种通过蚀刻、反镀或机械加工方式产生自然导角的改进型发光二极管结构。
为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是：
一种改进型发光二极管结构，包括一铜箔基板，一导电体，一发光二极管芯片，一透明胶和一印刷电路板，其中，
所述铜箔基板上设置一矩形凹槽，并在所述矩形凹槽***设置一环状凹槽，将所述矩形凹槽包覆在内，所述凹槽侧壁与所述铜箔基板的表面产生一自然导角，进而产生一岛状平台；
所述导电体贯穿所述铜箔基板，设置于所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间，并于所述导电体外包覆一绝缘体，使所述导电体与所述铜箔基板绝缘；
所述发光二极管芯片设置于所述铜箔基板上；
所述透明胶设置于所述铜箔基板，包覆一荧光胶与所述铜箔基板表面，并使所述透明胶包覆范围小于所述环状凹槽产生的所述自然导角；
所述印刷电路板将所述铜箔基板设置于所述印刷电路板上。
本实用新型的改进型发光二极管结构还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述矩形凹槽是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述环状凹槽是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述自然导角是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间还包含有一文字标记或一标志。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述文字标记或所述标志是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述自然导角是接近90度的角度设置的。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述铜箔基板厚度为0.1mm至0.5mm。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述矩形凹槽与所述环状凹槽深度为0.03mm至0.1mm。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以直线方式重复排列设置于所述铜箔基板上。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以矩形重复排列方式设置于所述铜箔基板上。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以重复排列方式设置于所述铜箔基板上。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述发光二极管芯片更包覆有一荧光胶，所述荧光胶包覆范围小于所述矩形凹槽产生的所述自然导角。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述岛状平台上设置一喷砂的凹凸表面，以增加透明胶的附着力。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述铜箔基板为导电基板。
前述的改进型发光二极管结构，其中所述矩形凹槽与所述环状凹槽可为任一形状的外型。
采用上述技术方案后，本实用新型的改进型发光二极管结构具有以下优点：
1.提高点胶精准度。
2.提高封装质量和使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型改进型发光二极管结构的示意图。
图2为本实用新型的环状凹槽局部放大图。
图3为本实用新型的矩形凹槽局部放大图。
图4为本实用新型一实施例示意图。
图5为本实用新型另一实施例示意图。
图6为本实用新型实施例的复数个发光二极管结构俯视图。
具体实施方式
以下结合实施例及其附图对本实用新型作更进一步说明。
现请参阅图1～图3，图1为本实用新型改进型发光二极管结构的示意图，图2为本实用新型的环状凹槽局部放大图，图3为本实用新型的矩形凹槽局部放大图。如图所示，所述铜箔基板10是导电基板，在所述铜箔基板10上设置一矩形凹槽12，以产生一岛状平台，并在所述矩形凹槽12***再产生一环状凹槽14，进而产生另一岛状平台，将所述矩形凹槽12包覆在内，使所述矩形凹槽侧壁121与所述铜箔基板的表面101产生一自然导角θ；一导电体16贯穿所述铜箔基板10，设置于所述矩形凹槽12与所述环状凹槽14之间，并在所述导电体16外包覆一绝缘体18，使导电体16与铜箔基板10绝缘；再将一发光二极管芯片20设置于所述铜箔基板10上，利用铜箔基板10与导电体16进行接地或导电的动作。所述铜箔基板10的厚度为0.1mm至0.5mm左右；矩形凹槽12与所述环状凹槽14为蚀刻、反镀或机械加工方式制作，深度为0.03mm至0.1mm左右。
再请参阅图4，图4为本实用新型一实施例示意图。如图所示，所述发光二极管芯片20上可选择性设置有一荧光胶22，并使所述荧光胶22包覆的范围小于所述矩形凹槽12产生的所述自然导角θ，所述自然导角θ为接近90度的角度，所述荧光胶22则很不易扩散流入所述矩形的凹槽12内，等待荧光胶22干燥后，再铺设点胶一透明胶24设置于所述铜箔基板10，同时包覆所述荧光胶22与铜箔基板10，并使所述透明胶24包覆范围小于所述环状凹槽14产生的所述自然导角θ，如不设置使用荧光胶22，则可以直接铺设包覆一透明胶24也可以，且所述岛状平台设置一喷砂的凹凸表面，进而增加透明胶的附着力。所述印刷电路板30将所述铜箔基板10设置于所述印刷电路板30上，所述矩形凹槽12、环状凹槽14与产生的自然导角θ是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的；所述矩形凹槽12与所述环状凹槽14之间更包含有一文字标记或一标志，所述文字标记或标志也是利用蚀刻、反镀或机械加工的方式制作的。
再请参阅图5，图5为本实用新型另一实施例示意图。如图所示，所述铜箔基板10上的环状凹槽14与矩形凹槽12不限定蚀刻、反镀或机械加工的方式成为圆形，也可以蚀刻、反镀或机械加工为椭圆形26或双环形28等各式不规则的环状外型，进而产生自然导角θ，防止点胶、封装过程的扩散，同样可以达到相同功效，进而不致让透明胶24或荧光胶22扩散流入凹槽外部。
最后请参阅图6和，图6为本实用新型实施例的复数个发光二极管结构俯视图，如图所示，所述铜箔基板10上方设置的绝缘体18与导电体16贯穿铜箔基板10，再将复数个发光二极管芯片20设置于所述铜箔基板10上，利用透明胶24与荧光胶22点胶，封装上述发光二极管芯片20，使所述矩形凹槽12与所述环状凹槽14可以以直线方式或矩形等方式同时重复排列设置于所述铜箔基板10上，进而使透明胶24与荧光胶22因为自然导角θ产生的表面张力而不易扩散，进而方便封装，达到多数点光源形成一发光面。
以上实施例仅供说明本实用新型之用，而非对本实用新型的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变化。因此，所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴，应由各权利要求限定。
组件符号说明
10  铜箔基板
101 铜箔基板表面
12  矩形凹槽
121 矩形凹槽侧壁
14  环状凹槽
θ   自然导角
16  导电体
18  绝缘体
20  发光二极管芯片
22  荧光胶
24  透明胶
26  椭圆形
28  双环形
30  印刷电路板

Claims (15)

1.一种改进型发光二极管结构，包括一铜箔基板，一导电体，一发光二极管芯片，一透明胶和一印刷电路板，其特征在于：
所述铜箔基板上设置一矩形凹槽，所述矩形凹槽***设置一环状凹槽，所述环状凹槽将所述矩形凹槽包覆在内，所述矩形凹槽侧壁与所述铜箔基板的表面产生一自然导角，进而产生一岛状平台；
所述导电体贯穿所述铜箔基板，设置于所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间，并于所述导电体外包覆一绝缘体，使所述导电体与所述铜箔基板绝缘；
所述发光二极管芯片设置于所述铜箔基板上；
所述透明胶设置于所述铜箔基板，包覆一荧光胶与所述铜箔基板表面，并使所述透明胶包覆范围小于所述环状凹槽产生的所述自然导角；
所述印刷电路板将所述铜箔基板设置于所述印刷电路板上。
2.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
3.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述环状凹槽是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
4.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述自然导角是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
5.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间还包含有一文字标记或一标志。
6.如权利要求5所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述文字标记或所述标志是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
7.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述自然导角是接近90度的角度设置的。
8.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述铜箔基板厚度为0.1mm至0.5mm。
9.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽深度为0.03mm至0.1mm。
10.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以直线方式，重复排列设置于所述铜箔基板上。
11.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以矩形重复排列方式设置于所述铜箔基板上。
12.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以重复排列方式设置于所述铜箔基板上。
13.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管芯片更包覆有一荧光胶，所述荧光胶包覆范围小于所述矩形凹槽产生的所述自然导角。
14.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述岛状平台上设置一喷砂的凹凸表面，以增加透明胶的附着力。
15.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述铜箔基板为导电基板。
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