CN201265052Y - 单晶电熔氧化铝晶粒控制装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在于：所述模体***设置有一用于控制模体温度的温控层。本实用新型在模体***设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。
Description
技术领域：
本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置。
背景技术：
在单晶电熔氧化铝生产过程中，晶粒的大小主要在熔体氧化铝凝固结晶时完成，结晶时间短则晶体细小，结晶时间长则晶体粗大，以往单晶电熔氧化铝晶粒的大小无法得到有效控制，从而无法满足成品不同的需要。
发明内容：
本实用新型的目的在于提供一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，该装置结构简单、设计合理，有利于单晶电熔氧化铝晶粒大小的控制。
本实用新型通过以下技术方案来实现：
本实用新型单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在于：所述模体***设置有一用于控制模体温度的温控层。
本实用新型在模体***设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。
附图说明：
图1是本实用新型的构造示意图；
其中3为熔体氧化铝。
具体实施方式：
本实用新型单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体1，模体***设置有一用于控制模体温度的温控层2。
为了实现快速降温以形成细小晶体，温控层具有与模体接触的冷却器，冷却器为水冷器或冷却器为风冷器等。
为了实现缓慢降温以形成粗大晶体，温控层具有保温层。
Claims (5)
1、一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装氧化铝熔体的模体，其特征在于：所述模体***设置有一用于控制模体温度的温控层。
2、根据权利要求1所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于：所述温控层具有与模体接触的冷却器。
3、根据权利要求2所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于：所述冷却器为水冷器。
4、根据权利要求2所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于：所述冷却器为风冷器。
5、根据权利要求1所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于：所述温控层具有保温层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008201457692U CN201265052Y (zh) | 2008-10-07 | 2008-10-07 | 单晶电熔氧化铝晶粒控制装置 |
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| CN (1) | CN201265052Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107557863A (zh) * | 2014-11-26 | 2018-01-09 | 三祥新材股份有限公司 | 一种单晶电熔氧化铝的生产方法 |
| CN110241458A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-09-17 | 淅川正弘单晶刚玉厂 | 灰白色单晶刚玉的生产方法 |
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2008
- 2008-10-07 CN CNU2008201457692U patent/CN201265052Y/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090701 Termination date: 20091109 |