CN201265052Y - 单晶电熔氧化铝晶粒控制装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,包括用于盛装熔体氧化铝的模体,其特征在于:所述模体***设置有一用于控制模体温度的温控层。本实用新型在模体***设置温控层,可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间,从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小,以满足成品的不同需要。
Description
技术领域:
本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置。
背景技术:
在单晶电熔氧化铝生产过程中,晶粒的大小主要在熔体氧化铝凝固结晶时完成,结晶时间短则晶体细小,结晶时间长则晶体粗大,以往单晶电熔氧化铝晶粒的大小无法得到有效控制,从而无法满足成品不同的需要。
发明内容:
本实用新型的目的在于提供一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,该装置结构简单、设计合理,有利于单晶电熔氧化铝晶粒大小的控制。
本实用新型通过以下技术方案来实现:
本实用新型单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,包括用于盛装熔体氧化铝的模体,其特征在于:所述模体***设置有一用于控制模体温度的温控层。
本实用新型在模体***设置温控层,可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间,从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小,以满足成品的不同需要。
附图说明:
图1是本实用新型的构造示意图;
其中3为熔体氧化铝。
具体实施方式:
本实用新型单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,包括用于盛装熔体氧化铝的模体1,模体***设置有一用于控制模体温度的温控层2。
为了实现快速降温以形成细小晶体,温控层具有与模体接触的冷却器,冷却器为水冷器或冷却器为风冷器等。
为了实现缓慢降温以形成粗大晶体,温控层具有保温层。
Claims (5)
1、一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,包括用于盛装氧化铝熔体的模体,其特征在于:所述模体***设置有一用于控制模体温度的温控层。
2、根据权利要求1所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,其特征在于:所述温控层具有与模体接触的冷却器。
3、根据权利要求2所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,其特征在于:所述冷却器为水冷器。
4、根据权利要求2所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,其特征在于:所述冷却器为风冷器。
5、根据权利要求1所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置,其特征在于:所述温控层具有保温层。
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CNU2008201457692U CN201265052Y (zh) | 2008-10-07 | 2008-10-07 | 单晶电熔氧化铝晶粒控制装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107557863A (zh) * | 2014-11-26 | 2018-01-09 | 三祥新材股份有限公司 | 一种单晶电熔氧化铝的生产方法 |
CN110241458A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-09-17 | 淅川正弘单晶刚玉厂 | 灰白色单晶刚玉的生产方法 |
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2008
- 2008-10-07 CN CNU2008201457692U patent/CN201265052Y/zh not_active Expired - Fee Related
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090701 Termination date: 20091109 |