CN201089790Y - 半导体机台的改良结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种适用于晶圆沉积制程，具有降低污染物附着效果以及提高操作效率的半导体机台的改良结构。此半导体机台包括一外盖、一背板、一靶材绝缘板、一靶材、以及一沉积物挡板。靶材绝缘板设置于外盖与背板之间。靶材通过靶材绝缘板连接于外盖上。沉积物挡板具有一顶面，此顶面邻接且不直接接触于靶材绝缘板。此半导体机台借助沉积物挡板达到吸附靶材污染物，以降低靶材污染物附着于靶材绝缘板的功能，以提高半导体机台操作与使用效率。

Description

半导体机台的改良结构

技术领域

本实用新型涉及一种半导体机台的改良结构，特别是有关于一种具有沉积物挡板以降低沉积污染物附着、提高使用效率的半导体机台的改良结构。

背景技术

如图1所示的现有半导体机台10，其中包括一外盖11、一背板12、一靶材绝缘板13、以及一靶材14。靶材绝缘板13用于连接外盖11与背板12。靶材14则通过靶材绝缘板13连接于外盖11上。一般而言，半导体制程如沉积等制程常产生溅击类污染物且附着于靶材绝缘板上，此溅击类污染物为溅镀过程中靶材被溅击后呈粒子状态分布于半导体机台10内，并随沉积制程进行多次以后逐渐累积于外盖11内侧(未标示)与靶材绝缘板13上。溅镀过程中须保持靶材14与外盖11电性正负极不同的关系，因靶材14与外盖11常为金属等具有电传导的材料所制成，故需要加入靶材绝缘板13以避免靶材14与外盖11之间电性连接。又因溅镀过程中靶材14与外盖11之间须保持电性正负极不同，而经多次溅击制程后，靶材被溅击出来的粒子会逐渐沉积于靶材绝缘板13。此沉积的溅击粒子污染物因与靶材材质相同，故易造成靶材14与外盖11电性连接，而导致靶材绝缘板13的绝缘功能失效，进而中断制程或降低机台使用效率。

因此，提供降低溅击沉积物附着于靶材绝缘板上功能的半导体机台，便成为提高半导体制程品质与效率的重要关键之一。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种半导体机台的改良结构，特别是一种具有沉积物挡板以降低沉积污染物附着、提高操作效率的半导体机台的改良结构。

为达上述目的，本实用新型提供一种半导体机台的改良结构，其包括：一外盖；一背板；一靶材绝缘板，设置于该外盖与该背板之间；一靶材，通过该靶材绝缘板连接于该外盖；以及一沉积物挡板，具有一顶面，该顶面邻接且不直接接触该靶材绝缘板。

本实用新型的有益技术效果在于，本实用新型的半导体机台借助沉积物挡板吸附沉积污染物，以达到降低靶材绝缘板上沉积污染物附着的效果，进而提高半导体机台操作效率。

本实用新型中所叙述的半导体机台的改良结构，可用于晶圆沉积等制程中。

附图说明

图1为现有半导体机台示意图；

图2A为半导体机台的改良结构的剖面示意图；

图2B为半导体机台的改良结构的局部范围A的详细示意图。

图中符号说明

10现有半导体机台  11外盖

12背板            13靶材绝缘板

14靶材

20半导体机台      21外盖；

22背板            23靶材绝缘板

24靶材            25沉积物挡板

251顶面           252斜面

26第一沉积物      261主要附着部分

27第二沉积物      A局部范围

具体实施方式

以下以具体的实施例，对本实用新型揭示的各形态内容加以详细说明。

参照图2A，图2A为根据本实用新型所提供的一种半导体机台的改良结构20的示意图，其中包括一外盖21、一背板22、一靶材绝缘板23、一靶材24、以及一沉积物挡板25。靶材绝缘板23设置于外盖21与背板22之间。而靶材24通过靶材绝缘板23连接于外盖21上。沉积物挡板25具有一顶面251，此顶面251邻接且不直接接触于靶材绝缘板23。亦即，在顶面251与靶材绝缘板23之间有一空隙，此空隙具有阻隔溅击粒子(未显示)以降低溅击粒子附着于靶材绝缘板23的功能。当沉积物挡板25上沉积的溅击粒子达到一饱和量时，只需抽换沉积物挡板25即可。此外，针对不同种类的溅击粒子的不同空隙需求，只需抽换专用的沉积物挡板25，此空隙会随之改变，故沉积物挡板25为一方便又好用的结构。此半导体机台20通过沉积物挡板25达到吸附靶材污染物以降低靶材绝缘板23上污染物附着的效果，以提高半导体机台20的操作效率。

进一步说明，半导体机台20为一晶圆沉积制程室，可于其中进行晶圆沉积等半导体制程。

参照第图2B，图2B为图2A中局部范围A的详细示意图。当沉积制程进行，沉积物挡板25与靶材绝缘板23分别吸附一第一沉积物26与一第二沉积物27，第一沉积物26与第二沉积物27皆为溅击粒子所沉积形成，且第一沉积物26与第二沉积物27会随沉积制程时间增加而增加，第一沉积物26与第二沉积物27可为电性传导物质。因第二沉积物27为影响靶材绝缘板23的绝缘效能的主要原因之一，故沉积物挡板25的目的在于降低第二沉积物27以延长靶材绝缘板23使用寿命。进一步，第二沉积物27从与靶材24邻接部分往外盖21方向分布减少，通过分布减少的特性，靶材24与外盖21电性连接的可能性因此降低许多。此外，沉积物挡板25又具有一斜面252，斜面252邻接于顶面且概略面向于靶材24，此斜面具有大量吸附第一沉积物26以减少第二沉积物27的作用，故第一沉积物26的主要附着部分261附着于斜面252上。又为了加强通过沉积物挡板25以减少第二沉积物27的效果，沉积物挡板25朝向靶材绝缘板23的顶面的几何外形可作部分修正，以增加第一沉积物26的附着量，并减少第二沉积物27的附着量。

此外，沉积物挡板25与靶材绝缘板23皆为电性绝缘材料所制成，此电性绝缘材料可为陶瓷或高密度工程塑料等。而外盖21为金属或其它电传导性材料所制成。

虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰。因此本实用新型的保护范围当视权利要求书的范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种半导体机台的改良结构，其特征在于，包括：

一外盖；

一背板；

一靶材绝缘板，设置于该外盖与该背板之间；

一靶材，通过该靶材绝缘板连接于该外盖；以及

一沉积物挡板，具有一顶面，该顶面邻接且不直接接触该靶材绝缘板。

2.如权利要求1所述的半导体机台，其特征在于，该半导体机台为一晶圆沉积制程室。

3.如权利要求2所述的半导体机台，其特征在于，该沉积物挡板于一晶圆沉积制程中阻隔或吸附一第一沉积物，而该靶材绝缘板于该晶圆沉积制程中阻隔或吸附一第二沉积物。

4.如权利要求3所述的半导体机台，其特征在于，该第一沉积物与该第二沉积物皆为电传导物质。

5.如权利要求4所述的半导体机台，其特征在于，该制程室外盖为一金属所制成。

6.如权利要求5所述的半导体机台，其特征在于，该第二沉积物不电连接于该外盖。

7.如权利要求1所述的半导体机台，其特征在于，该沉积物挡板又具有一斜面，该斜面邻接于该顶面且面向于该靶材。

8.如权利要求7所述的半导体机台，其特征在于，该第一沉积物的一主要附着部分附着于该斜面上。

9.如权利要求1所述的半导体机台，其特征在于，该沉积物挡板为一电绝缘材料所制成。

10.如权利要求9所述的半导体机台，其特征在于，该电绝缘材料为陶瓷材料或高密度工程塑料。

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