CN1993298A - 制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法及通过该方法制得的用于磁记录介质的玻璃基底 - Google Patents

制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法及通过该方法制得的用于磁记录介质的玻璃基底 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，包括用磨料粒抛光玻璃基底，然后用0.02－0.3％的氢氟酸水溶液洗涤该基底；还涉及一种通过该方法制造的用于磁记录介质的玻璃基底。制造了一种用于磁记录介质的抛光玻璃基底，由此在抛光该玻璃基底后的洗涤过程中可以使基底的基底表面缺陷和全波纹的出现最小化，并由此可以在后续的纹理化步骤中以均匀的方式形成纹理，而不会在基底间造成差异。

Description

制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法及通过该方法制得的用于磁记录介质的玻璃基底
相关申请的交叉引用
本申请是根据35 U.S.C.§111(a)提交的申请，根据35 U.S.C.§119(e)(1)要求于2004年9月2日提交的临时申请60/606,438的优先权权益，该临时申请是根据35 U.S.C.§111(b)提交的。
技术领域
本发明涉及一种制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，和通过该方法制得的用于磁记录介质的玻璃基底。更具体而言，本发明涉及一种制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中将玻璃基底抛光，然后在纹理化处理前洗涤，还涉及一种通过该方法制得的用于磁记录介质的玻璃基底。
背景技术
用于例如硬盘的磁记录介质的玻璃基底必须具有高度的平坦度和光滑度。因此对玻璃基底施以表面抛光步骤和后续的洗涤步骤。还要对通过此方法制得的用于磁记录介质的玻璃基底施以纹理化步骤，以用于表面处理。
玻璃基底表面的有效抛光是使用例如二氧化铈或氧化锆的磨料粒作为抛光剂实现的，但当此类磨料粒粘附在玻璃表面上时出现了问题。结果，必须在纹理化步骤前通过洗涤去除粘附的磨料粒和抛光步骤过程中产生的玻璃刮屑。
对于非晶态玻璃基底，在抛光后通常用无机酸或有机酸洗涤(例如，参见日本未审查专利公开No.2003-212603)，但是传统的洗涤方法导致在后续的纹理化步骤中形成不均匀的纹理，由此在基底之间产生差异、在基底表面生成明显的缺陷或在基底内生成全波纹(overall waviness)，因此，避免这些问题的洗涤方法是合意的。
另一方面，用氢氟酸水溶液处理抛光过的玻璃基底，这是已知的(参见日本未审查专利公开No.2000-302482)，但是，此类处理的目的在于用氢氟酸水溶液蚀刻以去除玻璃基底的表面层，因此使用浓度为0.5％或更高的高浓度氢氟酸水溶液蚀刻该玻璃表面层。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种制造用于磁记录介质的抛光玻璃基底的方法，由此在抛光该玻璃基底后的洗涤过程中可以使基底的基底表面缺陷和全波纹的出现最小化，并由此可以在后续的纹理化步骤中以均匀的方式形成纹理，而不会在基底间造成差异；另一个目的在于提供一种具有优异特性的用于磁记录介质的玻璃基底，其通过前述方法制得。
根据上述现有技术情况，本发明人进行了的辛勤研究，结果发现可以使用低浓度氢氟酸水溶液洗涤处理抛光过的玻璃基底，由此了克服上述问题。
本发明因此包括下列方面：
[1]制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，包括用磨料粒抛光玻璃基底，然后用0.02-0.3％的氢氟酸水溶液洗涤该基底。
[2]按照上文[1]的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中所述玻璃基底是由非晶态玻璃构成的基底。
[3]按照上文[1]或[2]的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中氢氟酸水溶液的浓度为0.04-0.15％。
[4]按照上文[1]至[3]任一项的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中在10-70℃的温度进行洗涤。
[5]按照上文[1]至[4]任一项的方法制造的用于磁记录介质的玻璃基底。
[6]使用按照上文[5]的用于磁记录介质的玻璃基底制造的磁记录介质。
按照本发明，可以提供不具有表面缺陷或全波纹的用于磁记录介质的玻璃基底，而且可以以均匀的方式在后续的纹理化步骤中形成纹理而不在基底间产生差异。
实施发明的最佳方式
现在将描述本发明的优选实施方案。但是，以下解释特别集中在实施本发明的优选实施例上，而不是对本发明的保护范围加以任何约束。
按照本发明，玻璃基底优选为由基本组成是硅铝酸盐的非晶态玻璃构成的片状玻璃。
可以使用磨料粒，例如二氧化铈、氧化锆、氧化铝、氧化硅等，作为抛光该玻璃基底表面的抛光剂。其中，考虑到抛光效率，由二氧化铈组成的磨料粒是优选的。可以以磨料粒在水中的悬浮液的形式使用该抛光剂。
然后对抛光过的玻璃基底施以洗涤步骤。按照本发明，使用浓度为0.02-0.3％(质量％，下文中仅表示为“％”)的氢氟酸水溶液进行洗涤。氢氟酸水溶液的氢氟酸浓度优选不高于0.15％，更优选为0.04-0.15％。用氢氟酸水溶液洗涤通常包括将玻璃基底浸在氢氟酸水溶液中。在此情况下，浸泡温度优选为10-70℃，更优选15-60℃，再更优选25-50℃，最优选大约40℃，浸泡时间优选为1-3分钟，最优选大约2分钟。
按照本发明，优选在用氢氟酸水溶液洗涤前对玻璃基底施以机械洗涤，如普通的刷洗。
本发明制得用于磁记录介质的玻璃基底，但是为了然后制造磁记录介质，接下来首先对用于磁记录介质的玻璃基底施以纹理化步骤，然后施以通过常见方法在表面上形成磁膜的步骤，最后制得磁记录介质。此外，上文所述洗涤处理使所述用于磁记录介质的玻璃基底具有极佳的优点，因为这使得基底的基底表面缺陷和全波纹的出现最小化，并可以在后续的纹理化步骤中以均匀的方式形成纹理，而不会在基底间造成差异。
现在将通过以下实施例更为详细地解释本发明。
采用具有90质量％的B2O3+Al2O3+SiO2的主要成分组成和7质量％的Li2O+Na2O+K2O的其余组成的非晶态玻璃制造磁记录介质用基底。
首先，将具有上述组成的原料玻璃熔融并压模以获得盘形玻璃片。用钻头在玻璃片中打孔。接着，对每个盘的主要表面施以两段式研磨过程，其包括粗研磨和紧密研磨，用于调整盘厚度。对洞孔的内缘和盘的外周缘各自施以斜切以形成斜切边。
在将加工过的玻璃基底的孔内缘和外周缘抛光为镜面后，同样将盘的主要表面抛光为最终的镜面。使用的抛光剂是含二氧化铈粉末的抛光剂(Mitsui Kinzoku Co.，Ltd.生产的MIREK)
然后通过刷洗洗涤每片制得的盘，然后通过浸在氢氟酸水溶液中进行洗涤，以去除表面残余物，获得用于磁记录介质的玻璃基底。
如下表1所示改变浸洗用氢氟酸的浓度(重量％)，并评价基底的表面粗糙度、全波纹和表面缺陷。浸泡温度大约为40℃，浸泡时间大约为2分钟。
采用Digital Instruments制造的AFM(原子显微镜)在10微米的区域内评价表面粗糙度(Ra)。采用Phase Shift Corp制造的光学平面干涉仪，以在频率分量最高至5毫米的波长范围内的波纹来评价波纹(Wa)。使用Hitachi Hightechnology制造的RZ3500 ODT(光缺陷检测器)评价10纳米片中的表面缺陷。
接着，用金刚石浆液对每片制得的基底施以纹理化处理，然后将基底安置在用于喷镀的喷镀设备中以形成由铬合金组成的基膜和由钴合金组成的磁膜，然后通过CVD法在其上形成类金刚石的碳膜，用FonblinZ-Tetraol(Solvay Solexis)作为润滑剂涂敷该膜以制造磁记录介质。喷镀形成的膜的总厚度为90纳米，通过CVD形成的膜的厚度为10纳米。以这种方式制造25片此类磁记录介质。
在暗室里，在100,000勒克斯的聚光射灯下通过肉眼检查评价每片磁记录介质的纹理均匀度，通过滑移(glide)(BG)和误差检验(ER)评价介质产率。在可以对单个65毫米直径碟片上具有40GB记录容量的介质进行评价的条件下进行评价。
                                            表1
 编号     基底评价     介质评价
HF浓度(重量％) 基底粗糙度Ra()   波纹Wa()     ODT TEX均匀度   产率评价
  P   N   BG   ER
  1  0 2.8   3.8   8.7   6.5     差异   96％   80％
  2  0.005 3.3   3.3   4.8   3.8     轻微差异，但低于REF
  3  0.01 3.0   3.4   3.8   2.8     轻微差异，但低于REF
  4  0.02 2.7   3.3   3.7   3.7     优于2和3，但存在差异
  5  0.03 3.0   3.5   3.5   4.5     优于2和3，但存在差异
  6  0.04 3.3   3.4   4.0   3.7     无差异
  7  0.05 3.6   3.5   3.7   3.3     无差异   96％   70％
  8  0.15 4.1   3.6   3.7   1.7     无差异   100％   83％
  9  0.30 4.5   4.2   3.5   4.2     无差异   92％   35％
  10  0.50 4.9   4.6   4.8   6.3     无差异/许多白点   50％   0％
工业适用性
本发明提供了用于磁记录介质的玻璃基底，它没有表面缺陷或全波纹，同时可以在后续的纹理化步骤中形成均匀纹理且不在基底间产生差异，该基底因此可以有利地用于制造磁记录介质。

Claims (6)

1.制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，包括用磨料粒抛光玻璃基底，然后用0.02-0.3％的氢氟酸水溶液洗涤该基底。
2.如权利要求1所述的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中所述玻璃基底是由非晶态玻璃构成的基底。
3.如权利要求1或2所述的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中氢氟酸水溶液的浓度为0.04-0.15％。
4.如权利要求1至3任一项所述的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中在10-70℃的温度进行洗涤。
5.通过权利要求1至4任一项所述的方法制造的用于磁记录介质的玻璃基底。
6.使用如权利要求5所述的用于磁记录介质的玻璃基底制造的磁记录介质。
CNA2005800258347A 2004-08-27 2005-08-04 制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法及通过该方法制得的用于磁记录介质的玻璃基底 Pending CN1993298A (zh)

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