CN1961632A - 一种铁皮石斛栽培方法 - Google Patents
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Abstract
一种铁皮石斛栽培方法,本发明将铁皮石斛种子放入1/2MS基本培养基+NAA(a-萘乙酸)+香蕉汁+琼脂的培养基里培养,并将形成的原球茎转入1/2MS基本培养基+BA(6-苄基腺嘌呤)+香蕉汁+琼脂培养基里分别进行小苗到中苗和大苗的培养,再将大苗按丛采用立体种植的方式植入墙体的孔洞内进行栽培,本发明克服了现有野生铁皮石斛生长存在的环境差,成品率低,成材时间缓慢的缺陷而提供一种从育种到栽培,确保幼苗分阶段良好生长,确保大苗具有良好的透气性,光照适度,营养充分,能充分满足石斛附生的特性,又能确保铁皮石斛药性,并能实现节约化、规模化、高产化生产的模式。
Description
技术领域
本发明属铁皮石斛栽培方法技术领域。
背景技术
石斛是一种极其珍贵的药材,由于其具有增强免疫功能,抗肿瘤和抗衰老的独特功效,因此在国内中医临床配方和出口外销中成药工业原料中含有量不断增加,国内、国际市场的需求量也不断攀升,售价一路飚升,使石斛日趋显得珍稀名贵,由于野生石斛稀少,加之其自然生长缓慢,收获产量低,如今已远远满足不了市场的需要,目前虽有人工栽培石斛技术应用,但其成品率低,成材时间缓慢,少量的人工石斛仍难以弥补硕大的市场缺口。现有的石斛人工栽培种植方法通常都是施行的平面栽培,这种栽培技术与石斛本身的生长特性有着差别。由于石斛适宜生长在遮阳、避风、温暖、潮湿的地方,而且善于随树或陡壁岩石爬附生长,常与苔藓植物伴生,既具有寄生特性,又具备空中生长的特性,因此其根茎应具有良好的通风透气性和开放性。但平面种植没有考虑到石斛生长的这些特性,其根部十分容易在培植土内腐烂,而且根部埋于培植土内透气性很差,使石解的生长十分缓慢,而且成活率、成材率都不高。
发明内容
本发明的目的正是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种从育种到栽培,确保幼苗分阶段良好生长,确保大苗具有良好的透气性,光照适度,营养充分,能充分满足石斛附生的特性,实现节约化、规模化、高产化的铁皮石斛栽培方法。
本发明的目的是通过如下技术方案实现的。
将种子经过常规的消毒程序,放入1/2MS基本培养基+NAA(a-萘乙酸)0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行种子萌发培养,培养温度22~25℃,将形成的原球茎转入1/2MS基本培养基+BA(6-苄基腺嘌呤)0.2mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行原球茎增殖培养,再将生出的小苗转入1/2MS基本培养基+NAA0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行壮苗生根培养成中苗,约2个月;再将中苗再转接到同样的培养基里,进行大苗培养,约2个月可培养出5cm高以上的大苗,苗高3厘米以上的粗壮瓶苗可出瓶练苗,炼苗采用的炼苗基质土为地衣或树苔,;定期喷施营养液,炼苗时控制相对湿度在85%-90%内,保持棚内通风透气,春季炼苗时间2-3个月,冬季4-5个月,合格苗出圃率可达85%以上;
大苗种植方法为:采用高1500~2500mm,宽140~400mm的墙体的两个侧面作为种植面,在墙体上均布设有直径为30~120mm的孔洞,将石斛株苗用地衣或树苔包裹后栽植在孔洞中,并在墙体顶部设置滴灌装置,以滴灌方式保持墙体湿润,并5~8天对株苗施以植物常规营养液,使整个墙体逐步生成苔藓,利于大苗生长,在墙体上方设置有遮阳网和塑料膜(一年后不用)用以控制光照强度和温湿度;
本发明在相邻墙体之间间隔距离为800~2000mm,开设在墙体上的孔洞每一横排与上、下相邻排等距离错位排列,每一横排孔洞之间的中心间距为240~280mm,每相邻两排孔洞中心线的垂直间距为120~180mm,孔洞最大直径为30~120mm。
由于本发明采用组织培养育苗,十分利于石斛从种子到大苗的生长;在小苗生长前期用塑料膜保湿和保温提高了栽植成活率和生长量,一年后可除去塑料膜使植株接受雨露营养;在大苗的种植上,采用立体种植,在墙体的两侧面开设错落分布的孔洞立体种植石斛。定期对组培苗施以滴灌和营养液,保持墙面的湿润度,靠湿润和残留在墙体表面的营养液使墙面逐步生成苔藓,使石斛的根系爬附在苔藓上,既具有良好的透气性,又有一定的湿润度,尤其是墙体的垂直陡面,更符合石斛顺壁攀缘的特性,加之以遮阳网控制阳光的照射度,使石斛能够在良好的生长环境里生长,长长的根叶,粗状肥硕,成活率十分高,采用平面种植石斛方法,每平方米面积可种植石斛54丛,而采用立体种植石斛的方法,每平方米面积可种植石斛207丛,作业空间大大节省,具有明显的经济价值。
本发明与传统的平面基质栽培相比具有如下的优点:1.解决了铁皮石斛根部既要求一定水分又需要高通透性的矛盾,克服了传统基质栽培中容易出现根腐病、烂根或缺水等造成毁灭性损失的弊病,植株根部一面附着在湿润的墙体上,另外大部分暴露在空气中,既满足了植株对水分的需求,又解决了高通透性的问题,充分满足了石斛植物的附生特性,因而植株生长旺盛,产量高;2.墙体不会腐烂,真正做到了一次投资多年受益,克服了传统栽培中需要定期更换栽培基质而导致植株损伤的现象;3.大植株可接受雨露的营养,减少了病虫害的发生和农药施用量,产品质量符合国家中药材质量管理规范(GAP)要求。总之,本发明克服了现有野生铁皮石斛生长存在的环境差,成品率低,成材时间缓慢的缺陷而提供一种从育种到栽培,确保幼苗分阶段良好生长,确保大苗具有良好的透气性,光照适度,营养充分,能充分满足石斛附生的特性,又能确保铁皮石斛药性,并能实现节约化、规模化、高产化生产的模式。
下面结合实施例进一步阐述本发明的内容。
具体实施方式
实施例一:将铁皮石斛种子经过常规的消毒程序,放入1/2MS基本培养基+NAA(a-萘乙酸)0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行种子萌发培养,培养温度22~25℃,将形成的原球茎转入1/2MS基本培养基+BA(6-苄基腺嘌呤)0.2mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行原球茎增殖培养,再将生出的小苗转入1/2MS基本培养基+NAA0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行壮苗生根培养成中苗,约2个月;再将中苗再转接到同样的培养基里,进行大苗培养,约2个月可培养出5cm高以上的大苗,苗高3厘米以上的粗壮瓶苗可出瓶练苗,炼苗采用的炼苗基质土为地衣或树苔,定期喷施营养液,炼苗时控制相对湿度在85%-90%内。
大苗种植方法为:墙体材料主要选择普通烧制的粘土砖作为基材,也可以用经加工切割的石材六面矩形体为基材。以一块砖的宽度作为墙体厚度,靠砖与砖的错位放置形成孔洞。本实施例采用长×宽×厚为230×115×56mm的普通砖垒砌墙体,墙体1的厚度为砖的宽度115mm,孔洞为矩形孔,长×宽为70×80mm,在墙体顶部设置管式的滴灌装置,培植土采用的炼苗基质土为地衣或树苔,将培植土填满孔洞,石斛株苗采用经培植6~8个月的组培苗,在每一孔洞的下方左右两边各种植一棵石斛苗,墙体与墙体之间的距离为1200mm,墙体视长度需要在每4000mm处建筑一个砖墩7用以增加墙体的强度,生长环境年平均温度以15~22℃为宜,最冷控制在8℃以上,空气湿度控制在80%以上,培植土以肥沃疏松,透气性好,能保湿为宜。采用透光率为25%的遮阳网6将种植面积全部覆盖起来,在每堵墙的顶部安装塑料的滴灌装置,以保湿为目的,适时进行滴灌,并于5~8天定期对株苗喷施以市面上直接可购得的MS1/2的营养液,或在MS1/2营养液的基础上再配以一些其他对石斛生长有利的物质,靠湿润的墙面和残留在墙体表面的营养液使墙面逐步生成苔藓,使石斛的根系爬附在苔藓上,促进株苗生长,待生长至花期约4~8个月,果期6~10个月便可采集成熟石斛。
实施例二:将铁皮石斛种子经过常规的消毒程序,放入1/2MS基本培养基+NAA(a-萘乙酸)0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行种子萌发培养,培养温度22~25℃,将形成的原球茎转入1/2MS基本培养基+BA(6-苄基腺嘌呤)0.2mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行原球茎增殖培养,再将生出的小苗转入1/2MS基本培养基+NAA0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行壮苗生根培养成中苗,约2个月;再将中苗再转接到同样的培养基里,进行大苗培养,约2个月可培养出5cm高以上的大苗,苗高3厘米以上的粗壮瓶苗可出瓶练苗,炼苗采用的炼苗基质土为地衣或树苔;定期喷施营养液,炼苗时控制相对湿度在85%-90%内。
采用夹层木板作为墙体,在木板墙体上按错位方式每排以中心距为180mm均布开设圆形孔洞,将壁厚为5mm的经烧制而成的陶瓷筒***夹层两面的木板上对应开设的孔洞2内,在孔洞内填放培植土,石斛的种植方法同
实施例一。
Claims (2)
1、一种铁皮石斛栽培方法,其特征是,将种子经过常规的消毒程序,放入1/2MS基本培养基+NAA(a-萘乙酸)0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行种子萌发培养,培养温度22~25℃,将形成的原球茎转入1/2MS基本培养基+BA(6-苄基腺嘌呤)0.2mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行原球茎增殖培养,再将生出的小苗转入1/2MS基本培养基+NAA0.4mg/L+10%香蕉汁+0.7%琼脂的培养基里,进行壮苗生根培养成中苗,约2个月;再将中苗再转接到同样的培养基里,进行大苗培养,约2个月可培养出5cm高以上的大苗,苗高3厘米以上的粗壮瓶苗可出瓶练苗,炼苗采用的炼苗基质土为地衣或树苔,定期喷施营养液,炼苗时控制相对湿度在85%-90%内,保持棚内通风透气,春季炼苗时间2-3个月,冬季4-5个月;
大苗种植方法为:采用高1500~2500mm,宽140~400mm的墙体的两个侧面作为种植面,在墙体上均布设有直径为30~120mm的孔洞,将石斛株苗用地衣或树苔包裹根部后栽植在孔洞中,并在墙体顶部设置滴灌装置,以滴灌方式保持墙体湿润,并8-10天对株苗施以植物常规营养液,使整个墙体逐步生成苔藓,利于大苗生长,在墙体上方设置有遮阳网用以控制光照强度。
2、根据权利要求1所述的一种铁皮石斛栽培方法,其特征是,在大苗种植中,相邻墙体之间间隔距离为800~2000mm,开设在墙体上的孔洞每一横排与上、下相邻排等距离错位排列,每一横排孔洞之间的中心间距为240~280mm,每相邻两排孔洞中心线的垂直间距为120~180mm,孔洞最大直径为30~120mm。
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |