CN1959912B - 一种铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铟封式荧光屏，包括光纤面板和金属封接环，其特征在于，所述金属封接环上设置有填铟槽，所述光纤面板的边缘设置有卡体，所述卡体与所述金属封接环通过填设在填铟槽内的铟焊料密封连接；一种采用该荧光屏的像管的制备工艺：金属封接环加工；光纤面板成型，卡体金属化处理；在制备好的金属封接环的填铟槽内填铟；光纤面板与金属封接环铟封；将铟封好光纤面板的金属封接环同管壳熔融焊接，形成管壳；管壳与光阴极封接。该铟封式荧光屏稳定性良好，耐冷热冲击、耐高强度的机械振动及应力变化，具备了更高的稳定性和使用寿命；该制备工艺简单，可与光阴极封接同时进行。
Description
技术领域
本发明涉及光电真空器件，具体涉及一种像管的铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺。
背景技术
现有像管的荧光屏同金属材料之间采用低玻粉封接，有以下缺点：首先需要对相应金属材料进行相应的处理，例如烧氢、打毛等等，程序复杂，还要对封接温度进行严格控制，对工艺条件要求比较高，不易操作；其次产品质量不高，在高储、低储、高低温循环以及应力测试表明在适应环境条件方面表现的稳定不高；再次，原有低玻封接的荧光屏在焊接过程中很容易由于焊接温度的影响，使得低玻封接承受不住传导的热量导致应力变化而漏气。
发明内容
本发明要解决的技术问题是如何提供一种铟封式荧光屏及采用该荧光屏的像管的制备工艺，该铟封式荧光屏稳定性良好，耐冷热冲击、耐高强度的机械振动应力变化，能具备更高的稳定性和使用寿命；该制备工艺简单，可与光阴极封接同时进行，能简化工艺流程和节约大量时间。
本发明的第一个技术问题是这样解决的：提供一种铟封式荧光屏，包括光纤面板和金属封接环，其特征在于：所述金属封接环上设置有填铟槽，所述光纤面板的边缘设置有卡体，所述卡体与所述金属封接环通过填设在填铟槽内的铟焊料密封连接。
本发明的第二个技术问题是这样解决的：提供一种铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：A、金属封接环加工，并设置填铟槽；B、光纤面板成型，并在其边缘设置卡体，对卡体进行金属化处理；C、在制备好的金属封接环的填铟槽内填铟：把铟焊料填入制备好的填铟槽内，并放入到真空排气***内，保持填铟槽水平，进行真空排气后，加热铟焊料使其融化，待冷却后将金属封接环取出，剔除填铟槽中铟表面的氧化层；D、光纤面板与金属封接环焊接：将制备好光纤面板放置到金属封接环的填铟槽表面，再次放入到真空排气***内，保持填铟槽的槽面水平，进行抽真空排气后，加热铟焊料，融化后停止加热，待其冷却后取出；E、将铟封好光纤面板的金属封接环同管壳熔融焊接，形成管壳；F、将管壳与光阴极封接。
按照本发明所提供的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，在两个真空排气过程结束后，真空度不低于10-3Pa。
按照本发明所提供的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，所述铟焊料是铟锡焊料丝或者高纯铟，所述高纯铟的纯度为99.999％或者高于99.999％。
按照本发明所提供的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，加热铟焊料的温度为170℃-300℃；如选取高纯铟，加热温度可设置为200℃。
本发明所提供的铟封式荧光屏以及采用该荧光屏的像管的制备工艺，主要是针对像管的荧光屏的封接方式发明的一种新式封接技术，其核心在于采用了铟封的形式将荧光屏同金属材料进行封接，具备许多现有产品不具备的特有优点：工艺简单，可以与光阴极铟封接同时进行(因其工艺条件相同)，节约时间和成本，产品性能稳定，耐冷热冲击、耐高强度的机械振动应力变化，并且具备了更高的稳定性和使用寿命.
附图说明
图1为现有技术中采用低玻粉封接的荧光屏的结构示意图；
图2是本发明所提供的铟封式荧光屏的结构示意图；
图3是采用图2所示荧光屏的像管的结构示意图。
其中，1、光纤面板，2、金属零件(光纤面板支架)，3、低玻粉封接面，4、管壳，5、光纤面板，6、金属封接环，7、铟焊料(铟封)，8、卡体，9、管壳，10、MCP芯片，11、光阴极，12、光阴极铟封，13、熔融焊接面。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细说明。
如图1所示，现有技术中，像管的光纤面板1(荧光屏)同金属零件2之间采用低玻粉封接，光纤面板上小下大，低玻粉密封面3设置在金属零件2的下侧。其工艺程序为：1、将金属零件涂低玻粉，室温干燥10小时以上，然后熔化，温度30分钟内升到300度以上，然后再降至室温，待用；2、封接，先慢速升温，再快速升温至450度，然后自然降温。其重要缺陷是工艺复杂，对温度要求苛刻，产品承受不住热传导的应力变化而容易漏气等等，此处不再赘述。
图2是本发明所提供的铟封式荧光屏的结构示意图，该铟封式荧光屏包括光纤面板5和金属封接环6(即荧光屏封接环)，金属封接环6设置有填铟槽，光纤面板5的边缘设置有卡体8，卡体8与金属封接环6通过填设在填铟槽内的铟焊料7密封连接，金属封接环6的填铟槽设置在光纤面板5的下侧，填铟槽开口向上，可避免光纤面板5由于自身重力而脱落。图3是采用图2所示荧光屏的像管的结构示意图，将封接好的荧光屏的金属封接环同管壳9熔融焊接(形成熔融焊接面13)，制成像管管壳，再将像管管壳与光阴极11通过光阴极铟封12封接，在像管中设置有MCP芯片10。制备工艺如下：
1、将金属封接环6和光纤面板5加工成如图2所示的形状，具体尺寸视管型而定，以光纤面板5为基底制备荧光屏，荧光屏的制作以及对卡体的金属化处理工艺与现有工艺相同；
2、在荧光屏封接环(即制备好的金属封接环6)的铟槽内填铟，其过程是把铟丝或铟锡焊料丝(都是现有材料)填入制备好的荧光屏封接环铟槽内，并放入到真空排气***内，保持铟槽面水平，先进行抽真空排气，待真空度在10-3Pa以上时，加热使铟(或铟锡焊料)融化，温度以选用的高纯铟或铟锡焊料完全融化为准，不同的合金成份，熔点不同，普通铟锡焊料的熔点为170℃(实际加热温度在170℃到300℃之间)，最好采用高纯铟，其纯度为99.999％或者高于99.999％，实验表明熔融温度可以采取170℃到300℃之间，其中200℃或者240℃或者220℃都比较合适，待冷却至室温时将填好铟的荧光屏封接环取出，剔除铟槽中铟表面的氧化层，把制备好的荧光屏放入到荧光屏封接环内，并一同放入到真空排气***内，进行铟封，操作同上，保持铟槽的槽面水平，先进行抽真空排气，待真空度在10-3Pa以上时，加热铟封，铟封的温度也以选用的高纯铟或铟锡焊料完全融化为准，待冷却至室温时取出；
3)、将铟封好的荧光屏同管壳熔融焊接形成管壳：此焊接过程是通过激光焊接机进行焊接的，也可采用其他能够保证气密性的焊接方式，而原有低玻封接的荧光屏在焊接过程中很容易由于焊接温度的影响使得低玻封接处承受不住传导的热导致的应力变化而漏气；
4)、管壳与阴极的封接：此过程以及光阴极的制备同现有工艺相同。
Claims (6)
1.一种铟封式荧光屏，包括光纤面板和金属封接环，其特征在于：所述金属封接环上设置有填铟槽，所述光纤面板的边缘设置有卡体，所述卡体与所述金属封接环通过填设在填铟槽内的铟焊料密封连接。
2.一种采用权利要求1所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：
A、金属封接环加工，并设置填铟槽；
B、光纤面板成型，并在其边缘设置卡体，卡体金属化处理；
C、在制备好的金属封接环的填铟槽内填铟：把铟焊料填入制备好的填铟槽内，并放入到真空排气***内，保持填铟槽水平，进行真空排气后，加热铟焊料使其融化，待冷却后将金属封接环取出，剔除填铟槽中铟表面的氧化层；
D、光纤面板与金属封接环焊接：将制备好光纤面板放置到金属封接环的填铟槽表面，再次放入到真空排气***内，保持填铟槽槽面水平，进行抽真空排气后，加热铟焊料，融化后停止加热，待其冷却后取出；
E、将铟封好光纤面板的金属封接环同管壳熔融焊接，形成管壳；
F、将管壳与光阴极封接。
3.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，在两个真空排气过程结束后，真空度都不低于10-3Pa。
4.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，所述铟焊料是铟锡焊料丝或者高纯铟，所述高纯铟的纯度为99.999％或者高于99.999％。
5.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，加热铟焊料的温度为170℃--300℃。
6.根据权利要求2所述的铟封式荧光屏的像管的制备工艺，其特征在于，所选铟焊料为高纯铟，加热温度为200℃。
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