CN1941140A - 高密度光盘的缺陷存储区域管理方法及其装置 - Google Patents

Abstract

本发明是关于高密度光盘的缺陷存储区域管理方法及其装置，是能够有效地对蓝光盘之类的高密度光盘在读取数据时所检测到的缺陷存储区域进行管理的方法及其装置。本发明的光盘缺陷存储区域管理方法及其装置，当在对上述光盘上的数据进行实时读取时检测到缺陷存储区域的情况下，就不会继续将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据存储到上述缺陷存储区域内，而是将其进行替代存储，并将有关上述缺陷存储区域的信息进行记录并加以管理。本发明能够更加有效地对上述高密度光盘进行管理，从而就使得数据的存储和读取更加顺利。

Description

高密度光盘的缺陷存储区域管理方法及其装置

技术领域

本发明是关于高密度光盘的技术，尤其是关于一种能够有效地对蓝光盘(Blu-ray Disc)之类的高密度光盘在读取数据时所检测到的缺陷存储区域进行管理的方法及其装置。

背景技术

现在，光盘作为光存储媒介正在被广泛使用，利用它能够存储大量的数据。其中，也包括最近正在研发的能够对高画质的视频数据和高音质的音频数据进行长时间地记录和存储的新的高密度光存储媒介(HD-DVD)。例如：蓝光盘(Blu-rayDisc，以下简称：“BD”)便是其中的一种。

对于采用第二代HD-DVD技术的蓝光盘(BD)来说，它采用了第二代光存储的解决方案，从而显著改善了原有DVD对数据的存储特性。目前，它与其它的数据设备一样，相关机构正在为其确立世界标准的技术规格。

与此相关的是，在上述蓝光盘中，与可重写蓝光盘(Blue ray Disc Re-writable)相关的各种标准方案已经确立。对于上述可重写蓝光盘来说，它按照与规定的存储单位相对应的簇(Cluster)单位对数据进行记录。对于其特性来说，它具有能够在光盘的特定区域内反复对数据进行记录的特性。

对于具有上述特性的可重写蓝光盘来说，当在对数据进行存储的过程中，检测出光盘存在缺陷存储区域(defect area)的情况下，就需要一种能够对上述缺陷存储区域进行有效管理的方法(defect management)。但是，现在的实际情况就是有关上述光盘的缺陷存储区域管理方法并不具备完善而统一的技术规格。特别是，现实的客观情况迫切需要有一种能够对光盘的缺陷存储区域进行有效管理的方法，即不仅能够对利用光盘在对数据进行存储时检测到的缺陷存储区域进行管理，而且能够对利用光盘在对数据进行读取时检测到的缺陷存储区域进行有效的管理。

发明内容

因此，本发明就是基于上述实际情况，为解决上述问题而提出的。本发明的目的在于提供一种能够对类似蓝光盘之类的高密度光盘的缺陷存储区域进行管理的方法及其装置。为此，本发明需要实现以下两个技术课题：

第一、提供一种能够对利用高密度光盘在对数据进行存储及读取时所检测到的缺陷存储区域进行有效地管理的方法。

第二、利用上述提供的对缺陷存储区域进行管理的方法提供一种能够有效地对数据进行记录和存储的光存储及读取装置。

为了实现上述目的，依据本发明的高密度光盘的缺陷存储区域管理方法具有以下特征，也就是说，对于包括导入区域、数据区域、导出区域的高密度光盘来说，它具有以下的特征：在对上述光盘上的数据进行实时读取时，当检测到缺陷存储区域的情况下，就不会继续将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据存储到上述缺陷存储区域内，而是将其进行替代存储，并将有关上述缺陷存储区域的信息进行记录并加以管理。

另外，对于依据本发明的高密度光盘的缺陷存储区域管理方法的存储及读取装置来说，它具有以下的特征，即它包括以下几个部分：将高密度光盘的管理信息读取出来，并将其进行存储的存储装置；通过上述存储的管理信息，在用户对自己想要读取的光盘内特定区域内的数据进行实时读取时，当检测到缺陷存储区域的情况下，就不继续将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据存储到上述缺陷存储区域内，而是将其进行替代存储，并将有关上述缺陷存储区域的信息按照替代安置缺陷RAD或者是不能替代分配缺陷NRD的形式进行记录和管理的微型计算机。

本发明的效果：

如上所述，对于本发明的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法及其装置来说，它不仅能够有效地对在存储数据的过程中检测出的缺陷存储区域进行管理，而且也能够有效地对在对数据进行实时读取时所检测出的新的缺陷存储区域进行管理。因此，这是一种非常有效的存储装置的缺陷存储区域管理方法。利用这种管理方法，不仅能够更加有效地对高密度光盘进行管理。同时，还能够确保顺利地将需要存储的数据存储到光盘的特定区域上，或者是顺利地将存储在光盘上的特定区域内的数据读取出来。这是依据本发明的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法及其装置所具有良好效果。

为进一步说明本发明的上述目的、结构特点和效果，以下将结合附图对本发明进行详细的描述。

附图说明

图1至图2是表示依据本发明的高密度光盘的基本结构的示意图。

图3a至图3b是表示对依据本发明的可重写高密度光盘的缺陷存储区域进行管理的方法的示意图。

图4a至图4b是表示对依据本发明的可重写光盘的数据进行实时读取时所检测到的缺陷存储区域进行管理的方法的示意图。

图5是表示依据本发明的光存储及读取装置的结构示意图。

附图中主要部分的符号说明：

10：存储读取装置    11：光拾取器

12：接口            13：数据处理器

14：伺服器          15：存储器

16：微型计算机      20：控制装置

具体实施方式

下面，将参照附图对本发明的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法及其装置的实施例进行更加详细的说明。同时，在对依据本发明的实施例进行说明的过程中，所使用的用语虽然是选择了当前广泛使用的普通用语。但是，在依据本发明的实施例中，本专利申请人也可以根据新技术的研发情况，而任意选择使用自己认为最合适的专业用语。对此，在对相关部分进行说明的过程中，就将对其用语的意义进行明确的说明。因此，在对本发明进行理解和掌握时，就不要单纯从用语的名称去理解，而应当根据用语本身所包含的意义对本发明进行理解和掌握。这一点是需特别注意的。

图1至图2是表示依据本发明的高密度光盘的基本结构的示意图。

首先，如图1所示，在依据本发明的高密度光盘中，对于具有单层(singlelayer)结构的光盘来说，它大致可以分为以下几个部分：即对光盘的各种管理信息进行记录的导入区域(Lead-in Zone)和导出区域(Lead-out Zone)。在上述导入区域和导出区域之间，设置有一个用户可以对数据进行记录和存储的数据区域(Data Zone 0)。另外，对于上述数据区域(Data Zone 0)来说，可以将其内部再分为以下几个区域：内部备用区域(Inner Spare Area，简称ISA 0)；用户实际对数据进行记录和存储的用户数据区域(User Data Area)；以及外部备用区域(Outer Spare Area，简称ISA 0)。

在这里，对于上述数据区域(Data Zone 0)内的备用存储区域(ISA 0、OSA0)来说，它是为对准备存储到上述用户数据区域(User Data Area)内可能出现缺陷的簇(Defective Cluster)上的数据进行替代存储而设置的一个存储区域。

为此，对于上述内部备用存储区域(ISA 0)来说，它具有固定的2048个物理簇(physica Cluster)大小的存储空间。而对于上述外部备用存储区域(OSA 0)来说，它具有可变的N*256个物理簇大小的存储空间。

另外，如图2所示，在依据本发明的高密度光盘中，对于具有双层结构(Duallayer)的光盘来说，它们一般都具有两层，第0层、第1层(layer 0、layer 1)，它们包括：分别对光盘的各种管理信息进行存储的导入/导出区域(Lead in/outZone)；外部区域(Outer Zone 1)；以及位于上述区域之间的数据区域0、1(DataZone 0、1)。

对于上述第0层的数据区域0(Data Zone 0)来说，可以再将其细分为以下几个区域：即内部备用区域0(ISA 0)；用户数据区域(User Data Area)；外部备用区域0(OSA 0)。而对于上述第1层的数据区域1(Data Zone 1)来说，则可以再将其细分为以下几个区域：即内部备用区域1(ISA 1)；用户数据区域(UserData Area)；外部备用区域1(OSA 1)。

在这里，如前所述，对于上述备用区域来说，它的作用就是对准备存储到上述各个用户数据区域内可能出现缺陷的簇上的数据进行替代记录和存储。

为此，对于上述内部备用区域0(ISA 0)来说，它具有固定的2048个物理簇大小的存储空间。对于上述外部备用区域0，1(OSA 0，1)来说，它具有可变的N*256个物理簇大小的存储空间。对于上述内部备用区域来1(ISA 1)来说，它具有可变的L*256个物理簇大小的存储空间。

下面，将参照附图对具有上述结构的高密度光盘的数据区域内可能出现缺陷的区域进行管理的方法进行更加详细的说明。

图3a至图3b是表示对依据本发明的可重写高密度光盘的缺陷存储区域进行管理的方法的示意图。

首先，如上述所，参照3a可以看出，对于依据本发明的可重写型高密度光盘来说，它包括以下几个部分：即导入区域(Lead-in Zone)；数据区域(Data Zone)；导出区域(Lead-out Zone)。特别是对于可重写型的高密度光盘来说，它具有以下的特征：即在上述导入区域(Lead-in Zone)和上述导出区域(Lead-out Zone)内设置有缺陷管理区域DMA(Defect Management Area)。(在这里，为了说明的方便，在图3a中仅对位于导入区域内的DMA进行了标示。)

对于具有上述结构的可重写型高密度光盘来说，如果在上述数据区域内的用户数据区域(User Data Area)出现缺陷存储区域(A，B)，则就使用将准备存储到上述缺陷存储区域(A，B)上的数据替代存储到上述备用存储区域(ISA 0，OSA 0)上的方法。也就是说，对于图3a所示的情况来说，它是表示将准备存储到上述用户数据区域内出现缺陷的区域(A，B)上的数据替代存储到上述备用存储区域中的内部备用存储区域0(ISA 0)(C，D)上。上述图3a所示的情况就是表示对上述情况举行进行说明的示意图。

对于上述这种缺陷存储区域(A，B)来说，它可以是由于光盘表面受到损伤(damage)或者是由于受到污染(contamination)等多种原因引起的。如果在上述用户数据区域内检测出上述缺陷存储区域(A，B)，则就将准备存储到上述缺陷存储区域(A，B)上的数据替代存储(Re-allocation)到上述备用存储区域内。这样，就能够有效地对上述缺陷存储区域进行管理，同时，也能够很好地对数据进行记录和存储了。对于像这样将准备存储到缺陷存储区域上的数据替代存储到备用存储区域内的情况来说，就专门称它为替代安置缺陷RAD(Re-Allocation Defect)方式。

如上所述，如果将准备存储到缺陷存储区域内的数据替代存储到备用存储区域内，则就将与上述进行替代存储有关的位置信息等作为缺陷目录(DFL：DefectList)条目(entry)而记录到缺陷管理区域DMA(Defect Management Area)。

下面，再对此作进一步的详细说明。对于上述DFL来说，它由目录构成。对于上述目录来说，它由将有关上述缺陷存储区域的位置信息按照8字节的条目(entry)而记录的多个条目构成的。在这种情况下，对于上述一个条目来说，它由以下几个区域构成：对是否进行替代存储及有关条目属性的信息进行记录的状况1、2(status 1、status 2)；对数据区域内的缺陷存储区域的第一个物理扇区编号(Physical Sector Number，简称PSN)信息进行记录的区域(Defective Clusterfirst PSN)；以及对替代上述缺陷存储区域的位置的第一个物理扇区编号信息(Physical Sector Number，PSN)进行记录的区域(Replacement Cluster firstPSN)。

因此，对于将准备存储到上述缺陷存储区域(A)内的数据正常地替代存储到替代区域(C)内的情况来说，在对这种正常替代存储的状态进行显示的状态1(status 1)上记录“0000”。而在缺陷存储区域的第一个物理扇区编号(DefectiveCluster first PSN)区域上记录代表上述缺陷存储区域的第一个物理扇区编号的“a”。

另外，对于可重写型高密度光盘的情况来说，状态2(status 2)是一个还没决定对其进行使用的区域。因此，比较理想的情况就是在其上面记录上“0000”。然后，根据是否对其使用的具体情况，就可以对其赋予多种形式的编码而进行使用，这一点是不言自明的。另外，最后在替代上述缺陷存储区域的位置的第一个物理扇区编号信息(Replacement Cluster first PSN)区域上记录代表进行替代存储区域的第一个物理扇区编号的“c”。

另外，如上所述，除上述情况之外，还存在不能够将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据进行正常的替代存储的情况。对于这种情况来说，当检测出缺陷存储区域(B)的情况下，能够对进行替代存储的区域(D)进行分配，但是却不能够对数据进行存储。这就是上述情况的具体表现。

下面，再举行对此作进一步详细的说明。在对广播录像等数据进行实时存储时，对于在已经存储信息的区域再进行数据的存储(overwrite)的情况来说，当遇到按照RAD方式存储数据的缺陷存储区域时，由于没有足够的时间将需要进行替代存储的数据替代存储到所分配的替代存储区域内。因此，就不能够进行正常的替代存储。也就是说，对于缺陷存储区域来说，就出现了不能够进行替代存储的替代存储区域。

因此，对于上述这种情况来说，当完成对数据进行实时存储的过程之后，就将已经存储的状态1(status 1)的状态从“0000”转换成对不能够进行替代存储的信息进行显示的“1000”状态。

如上所述，如果执行上述过程，就会显示确保存在可以对上述缺陷存储区域进行替代存储的区域的状态。然后，当再次执行非实时存储的动作时，就无需经过对替代存储区域进行再分配的过程，而就可以直接将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据存储到上述确保存在的可以进行替代存储的区域内。

下面，将参照图3a对此进行更加详细的说明。对于上述缺陷存储区域(B)的情况来说，由于它所代表的是不能够将准备存储到上述缺陷存储区域(B)上的数据替代存储到替代存储区域内的状态。因此，在状态1(status 1)区域上记录“1000”。在缺陷存储区域的第一个物理扇区编号(Defective Cluster first PSN)区域上记录代表上述缺陷存储区域的第一个物理扇区编号的“b”。在状态22(status 2)区域作为未被使用的区域，在它上面记录“0000”。在替代上述缺陷存储区域的位置的第一个物理扇区编号信息(Replacement Cluster first PSN)区域上记录代表进行替代存储区域的第一个物理扇区编号的“d”。

另外，对于在用户数据区域内出现缺陷存储区域的情况来说，也存在用于对准备存储到上述缺陷存储区域内的数据进行替代存储的区域本身未被分配的情况。

对于上述这种情况来说，例如，它可以会存在以下几种情况：用于进行替代存储的备用存储区域空间不足的情况；在对广播录像等信息进行实时存储时，或者是由于光盘驱动器的设定等原因而引起的禁止进行替代存储的情况。下面，将参照图3b对这种情况的缺陷存储区域的管理方法进行更加详细的说明。

如图3b所示，当在上述用户数据区域内发现缺陷存储区域(A，B)时，如果出现由前面所提到的原因引起的不能够进行替代存储的情况时，就采用先将有关上述缺陷存储区域的信息按照DFL条目进行记录。然后，再将其存储到DMA区域内的方法。

也就是说，如图3b所示，对上述每个缺陷存储区域各分配一个条目。然后，在状态1(status 1)区域上记录代表不能够进行替代存储的信息的“0001”。而在缺陷存储区域的第一个物理扇区编号(Defective Cluster first PSN)区域上分别记录代表上述缺陷存储区域的第一个物理扇区编号的“a”和“b”。另外，在“status 2”区域上记录代表未被使用的信息的“0000”。在替代上述缺陷存储区域的位置的第一个物理扇区编号信息(Replacement Cluster first PSN)区域上记录用于替代存储的区域未被分配的信息的“0”。

这样，将用于进行替代存储的区域未被分配的情况专门称作不能替代分配缺陷NRD(Non Re-allocatable Defect)方式。对于上述这种NRD方式来说，在以后对数据进行读取时，就参照上述DFL条目信息，并采用跳过上述缺陷存储区域的方式就可以了。

另外，在图3a至图3b中，虽然对可重写型高密度光盘的单层结构的情况进行了举例说明。但是，对于可重写型光盘的双层结构的情况来说，其基本的管理方法与上述可重写型高密度光盘的单层结构的管理方法没有太大的差别。因此，在这里就不再对其进行具体的说明了。

另外，对于依据本发明的光盘的缺陷存储区域管理方法及其装置来说，它不仅能够有效地对在存储数据的过程中检测出的缺陷存储区域进行管理，而且也能够有效地对在对数据进行实时读取时所检测出的新的缺陷存储区域进行管理。下面，将参照附图对此作进一步的详细说明。

图4a至图4b是表示对依据本发明的可重写光盘的数据进行实时读取时所检测到的缺陷存储区域进行管理的方法的示意图。

如图4a所示，对于可重写型高密度光盘来说，在对所存储的数据进行实时读取时，如果检测出新的缺陷存储区域(A)，则就采用按照RAD方式(状态1＝1000)将与上述缺陷存储区域相关的信息记录到DFL条目上的方法对与上述缺陷存储区域有关的信息进行记录和管理。

也就是说，在对所存储的数据进行实时读取时，如果发现新的缺陷存储区域(A)，由于没有足够的时间对需要进行替代存储的数据进行替代存储。因此，就采用只对替代存储区域(B)进行分配的方法。在这种情况下，毫无疑问，需要将与上述缺陷存储区域(A)及所分配的替代存储区域(B)的位置有关的信息存储到DFL条目上并加以管理。

如上所述，在对所存储的数据进行实时读取时，就将与上述所发现的缺陷存储区域(A)的位置有关的信息按照RAD(状态1＝1000)方式记录到DFL条目上。然后，当在对新的数据进行重写(overwrite)时，就参照与上述缺陷存储区域(A)有关的信息，并采用将准备存储到上述缺陷存储区域(A)的上数据存储到所分配的替代存储区域(B)上的方法而对上述需要进行替代存储的数据进行存储和管理。毫无疑问，在这种情况下，就应当将DFL条目上的“状态1”区域内的信息转换为“0000”。

因此，与图4a所示的情况相同，当在对所存储的数据进行实时读取时，如果发现新的缺陷存储区域，就采用RAD方式对有关信息进行记录和存储。在这种情况下，在“状态1”区域上就记录代表虽然替代存储区域已被分配，但是却不能够对数据进行替代存储的信息的“1000”。而在缺陷存储区域的第一个物理扇区编号(Defective Cluster first PSN)区域上则记录代表缺陷存储区域的第一个物理扇区编号的“a”。另外，在“status 2”区域上就记录表示在使用上述可重写型高密度光盘的情况下，由于上述区域不能够使用，因此就存储“0000”字节的信息。而在替代上述缺陷存储区域的位置的第一个物理扇区编号信息(ReplacementCluster first PSN)区域上则记录代表所分配的替代存储区域的第一个物理扇区编号的信息“b”。

另外，如图4b所示，对于上述可重写型高密度光盘来说，在对所存储的数据进行实时读取时，如果检测到新的缺陷存储区域(A)，就也可以采用按照NRD方式将与上述缺陷存储区域(A)有关的信息进行记录的方法而对与上述缺陷存储区域相关的信息进行存储和管理。

也就是说，将与在对所存储的数据进行实时读取时所检测到的新的缺陷存储区域(A)的位置相关的信息按照NRD方式记录到DFL条目上加以管理。这样，以后在对与包含上述缺陷存储区域(A)在内的区域有关的数据进行记录时，就可以参照上述存储的与缺陷存储区域相关的信息。

为此，在上述DFL条目内的“状态1”区域上记录代表NRD方式的信息的“0001”，在上述缺陷存储区域的第一个物理扇区编号(Defective Cluster first PSN)区域上记录代表上述缺陷存储区域的第一个物理扇区编号的信息“a”，在“状态2”区域上记录“0000”，而在替代上述缺陷存储区域的位置的第一个物理扇区编号信息(Replacement Cluster first PSN)区域上则记录“0。”

另外，图5是表示依据本发明的光存储及读取装置的结构示意图。

如图5所示，对于依据本发明的光存储及读取装置来说，它包括以下几个部分：能够将数据存储到光盘上或者将存储在光盘上的数据读取出来的数据存储及读取装置(recording/reproducing device)10；对上述读取及存储数据的过程进行控制的控制装置(Host or controller)20(注：对于上述数据存储及读取装置来说，它也常常被称作：“光盘驱动器(drive)”)。

如上所述，对于具有上述构成的光存储及读取装置来说，上述控制装置20的作用就是为使上述数据存储及读取装置10对存储在光盘的特定区域数据进行读取或者是将有关数据存储到上述光盘的特定区域内而输入相应的控制指令。然后，上述数据存储及读取装置10就会根据上述控制装置20所输入的指令而将需要存储的数据存储到光盘上特定的区域内或者是将存储在光盘特定区域内的数据读取出来。

在这种情况下，对于上述数据存储及读取装置10来说，它包括以下几个部分：具体地执行与上述控制装置20之间进行数据及指令传递等通信(communication)功能的接口装置12；将相关数据直接存储到光盘上或者是将相关数据直接从光盘上读取出来的光拾取器装置11；对从上述光拾取器装置11中读取出来的信号进行接收，然后按照用户所希望的信号值对其进行恢复。或者是需要存储的信号进行调制(modulation)处理，以将其处理成可以存储到光盘上的信号，然后，再将其进行传递的数据处理器13；为了能够从光盘上将相关信号正确地读取出来，或者是将相关信号正确地记录到光盘上，而对上述光拾取器装置11进行控制的伺服器14；将包含管理信息在内的多种信息及数据进行临时存储的存储器15；负责对上述数据存储及读取装置10内的各种构成要素进行控制的微型计算机16。

下面，将对利用具有上述构成的光存储及读取装置并按照依据本发明的方法对可重写型高密度光盘内的数据进行存储的过程进行更加详细的说明。

首先，将可重写型高密度光盘作为光存储及读取装置***到相关设备中，然后，将上述光盘内的所有管理信息读取出来。然后，再将其存储到上述数据存储及读取装置10内的存储器内。对于上述这些管理信息来说，当在将相关数据存储到光盘，或者是将存储在光盘上的相关数据进行读取的过程中就可以利用了。

在这种状态下，当用户希望将相关数据存储到上述光盘的特定区域内的时候，对于上述控制装置20来说，它就会将上述相关信息作为存储指令，并将用户所希望存储的特定位置信息与需要存储的数据一起向上述数据存储及读取装置10传输。

在这种情况下，对于上述数据存储及读取装置10内的微型计算机16来说，当它在接收到上述存储指令后，它就会通过存储在上述存储器15内的管理信息而对上述控制装置20所输入的有关用户希望将有关数据存储到光盘内的特定区域是否为缺陷存储区域，以及存储动作是否完成等情况进行判断。然后，再根据上述判断结果，并按照上述控制装置20所输入的存储指令而将相关数据存储到非缺陷存储区域内，或者是将其存储到不是已经存储过数据的区域内。

如上所述，在对上述相关数据进行存储的过程中，如果发现新的缺陷存储区域，则就将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据替代存储到数据区域内的其它存储区域(备用存储区域)内。然后，再将相关的信息存储到DMA存储区域内的DFL条目上。

因此，对于上述微型计算机16来说，它就会将与进行替代存储区域或者是缺陷存储区域有关的位置信息和相关数据向上述伺服器14和数据处理器13进行传输。然后，再通过光拾取器装置11而将相关数据存储或者是替代存储到上述光盘内用户所希望存储的位置上。

下面，将对通过上述方法存储在可重写型光盘内的数据再通过依据本发明的数据读取方法对上述存储的数据进行读取的过程进行更加详细的说明。

首先，对于存储有数据的可重写型光盘来说，当将上述数据存储及读取装置***后，就将存储在上述光盘内的所有管理信息都读取出来，然后，再将其存储到上述数据存储及读取装置10内的存储器15内。对于上述这些管理信息来说，当在将相关数据存储到光盘，或者是将存储在光盘上的相关数据进行读取的过程中就可以利用了。

在这种状态下，当用户想要将存储在上述光盘内特定区域内的数据进行实时读取时，对于上述控制装置20来说，它就会将上述相关信息作为存储指令，并将用户所希望读取数据的位置信息向上述数据存储及读取装置10进行传输。在这种情况下，对于上述数据存储及读取装置10内的微型计算机16来说，它就会根据上述实时读取指令而将存储在光盘内的数据进行实时读取。

如上所述，当根据上述方法在对数据进行读取的过程中，如果检测到新的缺陷存储区域，则就将上述检测出的新的缺陷存储区域的相关信息按照RAD(状态1＝1000)方式，或者是按照NRD方式进行记录。然后，当再将有关新的数据存储到上述区域内时，就可以参照上述存储的相关信息了。

为此，对于上述微型计算机16来说，它就会将有关上述新的缺陷存储区域的位置信息和在上述RAD方式的情况下的替代存储区域的位置信息向伺服器14和数据处理器13进行传输，然后，再通过上述光拾取器装置11而将上述有关信息存储到上述光盘的DMA区域内。

本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明权利要求书的范围内。

Claims (7)

1、一种高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法，是对于可以将光盘区分为导入区域、数据区域、导出区域而对数据进行存储的高密度光盘，其特征在于包括：

当在对存储在上述光盘上的数据进行实时读取时检测到缺陷存储区域的情况下，就不会继续将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据存储到上述缺陷存储区域内，而是将其进行替代存储，并将有关上述缺陷存储区域的信息进行记录并加以管理。

2、如权利要求+1所述的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法，其特征在于：

上述缺陷存储区域的信息包括按照替代安置缺陷方式记录的与上述缺陷存储区域及替代上述缺陷存储区域的替代存储区域的位置相关的信息。

3、如权利要求2所述的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法，其特征在于：

上述替代存储区域是没有进行数据存储的区域。

4、如权利要求2所述的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法，其特征在于：

上述替代安置缺陷RAD方式的状态1区域上记录信息是“1000”。

5、如权利要求1所述的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法，其特征在于还包括：

上述缺陷存储区域的信息包括按照不能替代分配缺陷NRD方式记录的与上述缺陷存储区域的位置相关的信息。

6、如权利要求1所述的高密度光盘的缺陷存储区域的管理方法，其特征在于：

上述缺陷存储区域的信息被记录在上述高密度光盘的缺陷管理区域DMA内的缺陷目录DFL条目上。

7、一种高密度光盘的缺陷存储区域的管理装置，其特征在于由以下几个部分构成：

将高密度光盘的管理信息读取出来，并将其进行存储的存储器；

通过上述存储器存储的管理信息，在用户对自己想要读取的光盘内特定区域内的数据进行实时读取时，当检测到缺陷存储区域的情况下，就不继续将准备存储到上述缺陷存储区域内的数据存储到上述缺陷存储区域内，而是将其进行替代存储，并将有关上述缺陷存储区域的信息按照替代安置缺陷RAD或者是不能替代分配缺陷NRD的形式进行记录和管理的微型计算机。

Images