CN1939096A - 有机el显示装置及全彩色器件 - Google Patents

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CN1939096A CNA2005800100719A CN200580010071A CN1939096A CN 1939096 A CN1939096 A CN 1939096A CN A2005800100719 A CNA2005800100719 A CN A2005800100719A CN 200580010071 A CN200580010071 A CN 200580010071A CN 1939096 A CN1939096 A CN 1939096A
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

一种有机EL显示装置，其包含：第一有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极(2)、(5)及在第一及第二反射性电极(2)、(5)之间存在的有机层4；第二有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极2、5及在第一及第二反射性电极(2)、(5)之间存在的透光层(3)、有机层4；使发自第二有机EL元件的光进行颜色变换的荧光变换膜(7G)、(7R)。通过调整第一及第二有机EL元件的光学膜厚L1、L2，使来自第二有机EL元件的发光强度的角度分布比来自第一有机EL元件的发光强度的角度分布狭窄。

Description

有机EL显示装置及全彩色器件
技术领域
本发明涉及一种有机场致发光(EL)显示装置及全彩色器件。
背景技术
通常情况下，EL元件因属于自发光性，故其目视性高，而且由于其是完全固体元件，所以其耐冲击性优良，同时操作容易，因此作为各种显示装置中的发光元件的应用正在受到关注。尤其是有机EL元件，由于其可以大幅度降低施加电压，因此，正在积极地对其进行实用化研究。
有机EL显示装置是由对置的电极间夹持有发光层的有机EL元件构成的。当在有机EL元件的两电极间施加电压时，从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在发光层复合。发光层中的有机发光分子利用复合能暂且形成激发态，然后，从激发态回到基态。通过将这时发出的能量以光的形式取出，有机EL元件发光。
在有机EL元件中，正在进行利用光的干涉效果的尝试。例如，专利文献1公开的显示元件是，在由光反射材料构成的第一电极和由透明电极构成的第二电极之间夹持发光层，发光层和第二电极的至少一个成为共振器结构的共振部。该元件在满足下述式的范围内构成共振部的光学距离L为正的最小值。
(2L)/λ+Φ/(2π)＝m(m为整数)
L：共振部的光学距离
Φ：发光层发出的光在共振部两端反射时产生的相位偏移
λ：发光层发出的光中想要取出的光的波谱的峰值波长
另外，专利文献2公开的是利用了上述干涉效果的有机EL元件。该元件在夹持有机层的一对反射性电极和将从有机层发出的光取出侧的反射性电极的外部，备有将其光的颜色进行荧光变换的膜。在该元件中，设定由一对反射性电极确定的反射性界面间的光学膜厚，以使从有机层发出的光中的特定波长的光的强度增强，且荧光变换膜具有吸收其特定波长的光、消除其方向性从而各向同性化的功能。
但是，在专利文献2中，特别是在顶发光型显示装置的场合，存在如下问题：从发光层发出的光在固体密封层和荧光变换膜的界面进行全反射的比例多，发光效率降低。其原因在于，作为固体密封层的通常使用的材料SiOxN1-X的折射率约为2.0～2.2，与此相对，荧光变换膜的折射率为1.5～1.7。
该发光效率的降低可以通过利用光谱级高的干涉效果来解决。其原因在于，成为高光谱级干涉的同时其光强度的角度分布变窄，荧光变换膜吸收的光的强度增强。但是，另一方面由于不含荧光变换膜的象素没有光的各向同性化功能，因此，存在的问题在于，成为高光谱级干涉的同时其视角变得非常狭窄。
专利文献1：国际公开第WO/0139554号
专利文献2：特开平9-92466号公报
本发明的目的在于，提供一种发光效率高、视角特性优良的有机EL显示装置及全彩色器件。
发明内容
本发明者专心致志地反复进行研究，结果发现，在包含荧光变换膜的象素和不包含荧光变换膜的象素中，通过改变反射性电极间的光学膜厚，改变发自有机EL元件的光的强度的角度分布，可以改善其发光效率和视角特性，完成了本发明。
根据本发明，提供以下有机EL显示装置及全彩色器件。
1、一种有机EL显示装置，其包含：
第一有机EL元件，其包含所述第一及第二反射性电极及在前述第一及第二反射性电极之间设有的有机层；
第二有机EL元件，其包含所述第一及第二反射性电极及在前述第一及第二反射性电极之间设有的透光层、有机层；
荧光变换膜，其将发自前述第二有机EL元件的光进行颜色变换。
来自前述第二有机EL元件的发光强度的角度分布比来自前述第一有机EL元件的发光强度的角度分布狭窄。
2、一种有机EL显示装置，其包含：
第一有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在前述第一及第二反射性电极之间设有的第一透光层、有机层；
第二有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在前述第一及第二反射性电极之间设有的第二透光层、有机层；
荧光变换膜，其将发自前述第二有机EL元件的光进行颜色变换。
来自前述第二有机EL元件的发光强度的角度分布比来自前述第一有机EL元件的发光强度的角度分布狭窄。
3、一种有机EL显示装置，其包含：
第一有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在前述第一及第二反射性电极之间设有的有机层；
第二有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在前述第一及第二反射性电极之间设有的第一透光层、有机层；
第三有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在前述第一及第二反射性电极之间设有的第二透光层、有机层；
第一荧光变换膜，其将发自前述第二有机EL元件的光进行颜色变换；
第二荧光变换膜，其将发自前述第三有机EL元件的光进行颜色变换。
来自前述第二有机EL元件的发光强度的角度分布比来自前述第一有机EL元件的发光强度的角度分布狭窄，
来自前述第三有机EL元件的发光强度的角度分布比来自前述第一有机EL元件的发光强度的角度分布狭窄。
4、如2或3所述的有机EL显示装置，其前述第二透光层的一部分包含第一透光层。
5、如1～4任一项所述的有机EL显示装置，其还包含密封有机EL元件的固体密封层。
6、如5所述的有机EL显示装置，其在前述第二反射性电极和前述荧光变换膜之间设有固体密封层。
7、如1～6任一项所述的有机EL显示装置，其前述第一及/或第二透光层是透明导电层或透明半导体层。
8、如1～7任一项所述的有机EL显示装置，其在前述第一及第二反射性电极中，在光发出侧存在的反射性电极的反射率为小于50％且为25％以上，另一方的反射性电极的光反射率为50％以上。
9、如1～8任一项所述的有机EL显示装置，其前述第一反射性电极或前述第二反射性电极中的至少一个由电介质和透明电极的层积体构成。
10、如1～8任一项所述的有机EL显示装置，其前述第一反射性电极或前述第二反射性电极中的至少一个由金属膜和透明电极的层积体构成。
11、如1～8任一项所述的有机EL显示装置，其前述第一反射性电极或前述第二反射性电极中的至少一个包含电介质多层膜。
12、如3所述的有机EL显示装置，其前述第一荧光变换膜和前述第二荧光变换膜将发自前述有机层的光变换成各自不同的颜色。
13、如12所述的有机EL显示装置，来自所述第一有机EL元件的光的发光光谱的极大值中的一个在蓝色区域，
将来自所述第二有机EL元件的光进行颜色变换后的、来自所述第一荧光变换膜的光的发光光谱的极大值中的至少一个在绿色区域，
将来自所述第三有机EL元件的光进行颜色变换后的、来自所述第二荧光变换膜的发光光谱的极大值中的至少一个在红色区域。
在本发明中，在包含荧光变换膜的象素和不包含荧光变换膜的象素中，分别调整反射性电极间的光学膜厚，改变发自有机EL元件的光的强度的角度分布。亦即，在包含荧光变换膜的象素中，通过将其角度分布进一步窄化，利用荧光变换膜的最佳波长使其集中，来使发光效率提高。而且，在包含荧光变换膜的象素中，通过利用荧光变换膜消除所吸收光的方向性进行各向同性化，视角特性提高。在不包含荧光变换膜的象素中，与包含荧光变换膜的象素相比，没有必要使其角度分布变窄，而且，没有将角度分布狭窄的光进行各向同性化的荧光变换膜，因此，比包含荧光变换膜的象素的角度分布宽。由此在该象素中，视角特性也会变好。
这样一来，根据本发明，得到发光效率高、视角特性优良的有机EL显示装置及全彩色器件。
附图说明
图1是表示本发明的有机EL显示装置的一实施方式的图。
图2是表示本发明的有机EL显示装置的另外的实施方式的图。
图3是表示本发明的有机EL显示装置的另外的实施方式的图。
图4是表示本发明的有机EL显示装置的另外的实施方式的图。
具体实施方式
实施方式1
图1是表示本发明的有机EL显示装置的一实施方式的的图，在基板1的同一平面上，依次层积第一反射性电极2、透光层3、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6，在其上设计透明层8、绿色荧光变换膜7G、红色荧光变换膜7R。反射性电极5由金属膜5b和透明电极5a构成。两个反射性电极2，5中的一个是阳极，另一个成为阴极。箭头表示光的取出方向。
在此，由第一反射性电极2、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6构成第一有机EL元件，由第一反射性电极2、透光层3、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6构成第二有机EL元件。L1模式地表示第一有机EL元件的反射性电极2，5间的光学膜厚，L2模式地表示第二有机EL元件的反射性电极2，5间的光学膜厚。如后所述，光学膜厚是实际的膜厚和折射率的积。
另外，由第一有机EL元件和透明层8构成蓝色象素I，由第二有机EL元件和绿色荧光变换膜7G构成绿色象素II，由第二有机EL元件和红色荧光变换膜7R构成红色象素III。
从有机层4使其发出蓝色光。
在蓝色象素I中，从第二反射性电极5发出的蓝色光，直接通过透明层8向外传出。
在绿色色象素II中，从第二反射性电极5发出的蓝色光，利用绿色荧光变换膜7G变换成绿色向外传出。
在红色色象素III中，从第二反射性电极5发出的蓝色光，利用红色荧光变换膜7R变换成红色向外传出。
利用这些象素实现全彩色器件。
需要说明的是，优选蓝色光的发光光谱的极大值为420～500，绿色光的发光光谱的极大值为500～550，红色光的发光光谱的极大值为550～650。
在绿色象素II和红色象素III中，由于第二有机EL元件的光学膜厚L2如后所述进行调整，因此，从有机层4发出的光在相向的反射性电极2，5之间反复反射时，通过多重干涉，荧光变换膜7G、7R的最佳波长增强，亦即，以狭窄的角度分布从反射性电极5传到上方。其结果，荧光变换膜吸收的光的强度增强，从而来自荧光变换膜7G、7R的发光效率提高。而且，荧光变换膜7G、7R还具有如下功能：吸收从有机层4发出的光，消除其方向性进行各向同性化。因而，发自第二有机EL元件的角度分布狭窄的光，利用荧光变换膜7G、7R进行各向同性化从而向外传出。其结果，视角变得非常宽。另一方面，在蓝色象素I中，由于第一有机EL元件的光学膜厚L1如后所述进行调整，因此，和绿色象素II和红色象素III同样，从有机层4发出的光在相向的反射性电极2，5之间反复反射时通过多重干涉，蓝色波长增强，从反射性电极5传到上方。但是，由于光学膜厚L1相对光学膜厚L2如后所述进行调整，因此，发自第一有机EL元件的光的角度分布比发自第二有机EL元件的角度分布宽。因而，在蓝色象素I中，即使没有荧光变换膜，视角也宽。
需要说明的是，在本实施方式中，发光强度的角度分布是如下所述进行定义的。相对比测光面积足够宽的发光面，将用亮度计从发光面的法线方向测定的亮度设定为L0。当设定从自法线只倾斜角度θ的方向测定的亮度为L(θ)时，L(θ)·cosθ/L0表示发光强度的角度分布。
为了使从第二有机EL元件发出的光的强度的角度分布比从第一有机EL元件发出的光的强度的角度分布狭窄，在使由一对反射性电极2，5确定的反射性界面间的光学膜厚L满足式(1)的范围，是如下构成的：备有荧光变换膜的绿色、红色象素II，III的m比不具备荧光变换膜的蓝色象素I的m大。
(2L)/λ+Φ/(2π)＝m(m为整数)    (1)
L：反射性界面间的光学膜厚
Φ：有机层发出的光在反射性电极的两界面反射时产生的相位偏移
λ：有机层发出的光中的要取出的光的波谱的峰值波长
在此，优选m按照成为1～10的整数来构成，更优选m成为1～5的整数来构成，进一步优选绿色、红色象素II，III的m为2、蓝色象素I的m为1来构成。
在此，将求得反射性界面间的光学膜厚L的方法叙述如下。首先，在支持基板上，制作构成反射性电极2，5之间(有机层4)的材料的单独的薄膜。然后，用椭圆测定器等装置，进行制成的薄膜试样的光学测定，求出材料的折射率n。最后，通过计算制作有机EL元件时的各层的膜厚d和折射率n的积、求出其总和，得到反射性界面间的光学膜厚L。例如，构成有机层4的各层的各折射率为n1，n2，…，nk、膜厚为d1，d2，…，dk时，光学膜厚L由(2)求出。
L＝n1×d1+n2×d2+...+nk×dk    (2)
另外，相位偏移Φ用下式(3)表示。
Φ＝Φ1+Φ2    (3)
在此，Φ1是如下所述求出的。首先，在支持基板上，形成想要的反射性电极2，用椭圆测定器等装置，进行制成的薄膜试样的光学测定，求出材料的折射率n0和衰减系数k0。反射性电极中的光的振幅反射率r可以通过式(4)求出。在此，n1为和反射性电极2相接的层中与反射性电极5同侧的层的材料的折射率，i为虚数单位。
r = n 1 - ( n 0 - i K 0 ) n 1 + ( n 0 - i K 0 ) - - - ( 4 )
振幅反射率r是复数，可以表示为r＝a+i·b。这时，Φ1可以通过下式(5)进行计算。
Φ 1 = arctan ( 2 n 1 K 0 n 1 2 - n 0 2 - K 0 2 ) - - - ( 5 )
另外，就Φ2而言，可以在求出反射性电极5的折射率和衰减系数、还有与反射性电极5相接的层中和反射性电极2同侧的层的材料的折射率后，用式(5)进行计算。
反射性电极2，5是具有将从有机层4发出的光进行反射的功能的电传导性膜，通常为反射率为10％以上的物质，从本发明的效果方面考虑，在一对反射性电极2，5中，优选其中一个的反射率为50％以上、特别为70％以上，另一个的反射率为25％以上。而且，从本发明的效果方面考虑，在一对反射性电极2，5中，优选其反射率为50％以上的电极的膜厚为100～300nm，另一个为5～50nm。
在该实施方式中，为了将从有机层4发出的光从第二反射性电极5取出，优选第二反射性电极5的光反射率比第一反射性电极2的光反射率小。
所谓本发明中的反射性电极的反射率，是用以下方法测定的值。首先，准备反射率已知的反射镜(例如，氟化镁/铝层积反射镜)，将该反射率设定为R0。用钨灯等光源，使用反射型显微分光测定装置测定该反射镜的反射强度。将由此得到的反射镜的反射强度设定为I0。然后，同样测定反射性电极的反射强度。将这时的反射强度设定为Ie1。这时，反射性电极的反射率R为用式(6)计算出的值。
R＝R0×(Ie1/I0)    (6)
另外，为了增强从备有荧光变换膜的象素II，III发出的光的强度，希望只使远离荧光变换膜7G、7R侧的反射性电极2变厚。
在本实施方式的有机EL元件中，施加直流电压时，以阳极为+、阴极为-的极性施加5～40V左右的电压时，可以观测到色纯度高的发光。另外，即使以逆极性施加电压，电流也不流通完全不发光。而且，施加交流电压时，只在成为阳极为+、阴极为-的状态时发光。需要说明的是，施加的交流的波形可以是任意的波形。
需要说明的是，在本实施方式中，第一有机EL元件不含光学膜厚调整层，但也可以包含光学膜厚调整层，调整光学膜厚。另外，第一及第二有机EL元件包含的光学膜厚调整层，可以是单层，也可以是多层。
而且，在象素I，II，III中，也可以分别设置蓝、绿、红颜色滤光片。
实施方式2
图2是表示本发明的有机EL显示装置的另外的实施方式的图。
该有机EL显示装置如图2所示，在红色象素III中，和实施方式1的有机EL显示装置的不同之处在于，设置和第一透光层不同的第二透光层。
在该实施方式中，由第一反射性电极2、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6构成第一有机EL元件。
由第一反射性电极2、第一透光层3、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6构成第二有机EL元件。
由第一反射性电极2、第二透光层9、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6构成第三有机EL元件。第二透光层9在和第一透光层3相同的透光层上进一步设置透光层。该透光层可以由和第一透光层相同的材料或不同的材料形成。
L1模式地表示第一有机EL元件的反射性电极2，5间的光学膜厚，L2模式地表示第二有机EL元件的反射性电极2，5间的光学膜厚，L3模式地表示第二有机EL元件的反射性电极2，5间的光学膜厚。
另外，由第一有机EL元件和透明层8构成蓝色象素I，由第二有机EL元件和绿色荧光变换膜7G构成绿色象素II，由第三有机EL元件和红色荧光变换膜7R构成红色象素III。
如前所述，利用透光层的膜厚调整光学膜厚L1、L2、L3，经由第二有机EL元件增强荧光变换膜7G的最佳波长，以比第一有机EL元件狭窄的角度分布发光，经由第三有机EL元件增强荧光变换膜7R的最佳波长，以比第一有机EL元件狭窄的角度分布发光。其结果，由于荧光变换膜吸收的光的强度增强，因此，来自荧光变换膜7G、7R的发光效率提高。而且，和实施方式1同样，发自第二及第三有机EL元件的角度分布狭窄的光，利用荧光变换膜7G、7R进行各向同性化向外传出。
实施方式3
图3是表示本发明的有机EL显示装置的另外的实施方式的图。
本实施方式的有机EL显示装置的构成如下：如图3所示，在基板1的同一平面上，依次层积荧光变换膜7G、7R及透明层8、第二反射性电极5、透光层3、有机层4、第一反射性电极2及固体密封层6。该有机EL显示装置的荧光变换膜7G、7R及透明层8的位置和光发出方向，和实施方式1的有机EL显示装置不同。
亦即，在该装置中，从有机层4发出的光，从透明层8、或用荧光变换膜7G、7R进行颜色变换从基板1向外传出。和实施方式1同样，通过调整L1、L2，在绿色、红色象素II，III中，从有机层4发出的光的角度分布变得狭窄，利用荧光变换膜7G、7R进行各向同性化。
需要说明的是，在该实施方式中，第一反射性电极2的反射率提高。
实施方式4
图4是表示本发明的有机EL显示装置的另外的实施方式的图。
本实施方式的有机EL显示装置的构成如下：如图4所示，依次层积荧光变换膜7G、7R及透明层8、基板1、第二反射性电极5、有机层4、透光层3、第一反射性电极2及固体密封层6。
在此，由第一反射性电极2、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6构成第一有机EL元件，由第一反射性电极2、透光层3、有机层4、第二反射性电极5及固体密封层6构成第二有机EL元件。
在该有机EL显示装置中，从有机层4发出的光，通过基板1，从透明层8、或用荧光变换膜7G、7R进行颜色变换向外传出。和实施方式1同样，通过调整L1、L2，在绿色、红色象素II，III中，从有机层4发出的光的角度分布变得狭窄，利用荧光变换膜7G、7R进行各向同性化。
需要说明的是，在该实施方式中，第一反射性电极2的反射率提高。
在实施方式1-4中，在不影响本发明的目的的情况下，各部件间可以有其它夹杂层。例如，在实施方式1、2、3中，在荧光变换膜7G、7R和反射性电极5之间，可以根据需要夹杂光透过性的层。该光透过性的层例如有：由玻璃、氧化物、透明性聚合物等构成的层。
在实施方式1-4中，透光层3、9可以在第一及第二反射电极2，5之间的任何地方形成，但从制作成本低廉考虑，按照与有机层4相接的方式来形成。
下面，对上述实施方式中使用的构件进行说明。其它只要满足本发明的必要条件就可以使用公知的物质。
1.反射性电极
可以例举以下(1)～(4)所示的物质作为反射性电极。
(1)金属电极
由反射光的金属构成的物质可以例举：例如，Au、Ag、Al、Pt、Cu、W、Cr、Mn、Mg、Ca、Li、Yb、Eu、Sr、Ba、Na等、以及从这些金属中适当选择两种以上形成的合金，具体由Mg∶Ag、Al∶Li、Al∶Ca、Mg∶Li等构成的物质。在这些金属或合金中，优选功函数为4.0ev以下的物质作为阴极，另一方功函数为4.5ev以上的物质适合作为阳极。
(2)由金属膜/透明电极或透明电极/金属膜构成的层积反射性电极
由于透明电极自身的反射率低，因此通过和金属膜层积，可以提高反射率。作为透明电极，优选导电性氧化物，特别优选ZnO∶Al、ITO(铟锡氧化物)、SnO2∶Sb、InZnO等。另一方面，可以优选例举上述(1)中所述的金属或合金构成的膜作为金属膜。在该层积反射性电极中，在和有机层相接的部分，可以设计透明电极、金属膜的任一种。
(3)由介电体膜/透明电极或透明电极/介电体膜构成的层积反射性电极
如前所述，由于透明电极自身的反射率低，因此，通过层积高折射率或低折射率的介电体膜，可以提高反射率。在此，作为高折射率介电体膜，优选折射率为1.9以上的透明性氧化物膜和透明性氮化物膜，另外，只要硫化物膜或硒化化合物也是透明性的物质，就优选。
这样的高折射率介电体膜的实例，优选例举由ZnO、ZrO2、HfO2、TiO2、Si3N4、BN、GaN、GaInN、AlN、Al2O3、ZnS、ZnSe、ZnSSe等构成的膜。另外，也可以使用将这些作成粉体分散于聚合物中形成的膜。
另一方面，作为低折射率介电体膜，可以优选例举由折射率为1.5以下的透明性的氧化物和氮化物构成的膜、将该氧化物和氮化物作成粉体分散于聚合物中形成的膜、或氟化聚合物膜等。具体来讲，由MgF2、CaF2、BaF2、NaAlF、SiOF等构成的膜、将这些化合物作成粉体分散于聚合物中形成的膜、或由氟化聚烯烃、氟化聚甲基丙烯酸酯、氟化聚亚酰胺等构成的膜适用。
(4)由介电体多层膜/透明电极或介电体多层膜/透明电极构成的层积反射性电极
该层积反射性电极中的介电体多层膜，是将上述(3)中说明过的高折射率介电体膜和低折射率介电体膜相互多次层积而成的。另外，可以例举上述(2)中说明过的物质作为透明电极，可以例举上述(1)中说明过的物质作为金属电极。
在本发明中，一对反射性电极中的一个电极，特别适合使用包含高折射率介电体和透明电极的层积体或介电体多层膜的物质。这样的反射性电极，可以利用例如蒸镀法和喷溅法等进行制作。蒸镀法的实例例如有：阻抗加热法和电子束法等，另外，喷溅法的实例例如有：DC喷溅法、离子束喷溅法、ECR(电子回旋共振)法等。
2.基板
在发出光的路径上有基板时，使用具有光透过性的基板。这样的基板例如有：由玻璃、石英、有机高分子化合物等构成的物质，在这些物质中，折射率为1.6以下的物质适用。
3.透光层
在本发明中，所谓透光层，是指调整一对反射性电极间的光学膜厚的层，相对可见光是透明性的物质(可见光区域中的透过率为50％以上)。
透光层使用的材料，只要是透明的，就没有特别限制，透明导电材料或透明半导体材料、透明有机材料适用。
透明导电材料或透明半导体材料，优选导电性氧化物。导电性氧化物的实例，可以例举ITO(锡掺杂氧化铟)、IZO(锌掺杂氧化铟)、ZnO、ZnO：Al、SnO2、SnO2：Sb、In2O3、NbO、LaO、NdO、SmO、EuOx、MoO3、MoO2、ReO2、ReO3、OsO2、IrO2、PtO2、LiTi2O4、LiV2O4、ErxNbO3、LaTiO3、SrVO3、CaCrO3、SrxCrO3、AxMoO3、AV2O5(A＝K、Cs、Rb、Sr、Na、Li、Ca)等。
作为透明有机材料，可以例举后述的有机层中使用的材料和导电性有机自由基盐、导电性聚合物等。导电性有机自由基盐的实例，可以例举：以TTF(四硫代富瓦烯)、TTT(四硫代四氢蒽)、TPBP(四苯基二亚吡喃、HMTTeF(六亚甲基四碲富瓦烯)、TMTSF(四甲基四硒富瓦烯)、TMTTF(四甲基四硫富瓦烯)、BEDT-TTF(双硫代二亚乙基四硫富瓦烯)、BEDO-TTF(双氧代二亚乙基四硫富瓦烯)、DMET(二甲基亚乙基二硫基双硒代双硫富瓦烯)、ETP(亚乙二硫基亚丙二硫基四硫富瓦烯)等为给予体，以将TCNQ(四氰基对醌二甲烷)、TCNQ-4F(氟化四氰基对醌二甲烷)、TCNDQ(四氰基二苯醌二甲烷)、TCNTQ(四氰基三苯醌二甲烷)、TNAP(四氰基2，6-萘醌二甲烷)、TANT(11，11，12，12-四氰基2，6-蒽醌二甲烷)、DCNQI(二氰基醌二亚胺)、下述式(1)表示的OCNAQ、下述式(2)表示的M(dmit)2(M＝Ni，Nd，Zn，Pt)等有机材料和TaF6、AsF6、PF6、ReO4、ClO4、BF4、Au(CN)2、Ni(CN)4、CoCl4、CoBr、I3、I2Br、IBr2、AuI2、AuBr2、Cu5I6、CuCl4、Cu(NCS)2、FeCl4、FeBr4、MnCl4、KHg(SCN)4、Hg(SCN)3、NH4(SCN)4等组合而成的盐为受体。另外，和有机材料的受体组合的给予体，也可以使用Li、K、Na、Rb、Ca、Cs、La、NH4等。
Figure A20058001007100161
Figure A20058001007100162
可以例举的导电性聚合物例如有：聚乙炔、聚薁、聚苯、聚苯乙烯、polyacene、聚苯基乙炔、聚二乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚噻酚乙烯等。另外，也可以使用在作为后述的固体密封层中使用的材料例示过的物质中具有光透过性的材料。这些物质可以单独使用，也可以混合或层积使用。
4.有机层
在一对反射性电极间夹持的有机层，例如从阳极的反射性电极侧到阴极的反射性电极侧，例示以下的构成。可以例举：
(1)空穴注入层/发光层
(2)空穴输送层/发光层
(3)发光层/电子注入层
(4)空穴注入层/发光层/电子注入层
(5)空穴输送层/发光层/电子注入层
(6)空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层
(7)空穴注入层/发光层/空穴阻止层/电子注入层
(8)空穴注入层/发光层/电子注入层/附着改善层
(9)空穴输送层/发光层/附着改善层
(10)空穴注入层/电子势垒层/发光层/电子注入层
的构成等。在这些构成中，空穴输送层/发光层、空穴输送层/发光层/电子注入层及空穴输送层/发光层/附着改善层的构成适用。需要说明的是，有机层也可以根据需要包含无机化合物层。
上部有机层部中的发光层，和通常的发光层同样，具有如下功能：(a)注入功能(在施加电压时，可以从阳极或空穴输送区域层注入空穴，且可以从阴极或电子注入层注入电子。)、(b)输送功能(可以使空穴及电子利用电场来移动。)、(c)发光功能(可以提供空穴和电子复合的场所，使其发光。)。该层的厚度没有特别限制，可以在满足前述式(1)的m的范围根据适当情况来确定，优选lnm～10μm，特别优选5nm～5μm。
上述发光层的形成方法，可以通过利用例如蒸镀法、旋压涂敷法、浇铸法、LB法等公知的方法进行薄膜化来形成，特别优选分子堆积膜。在此，所谓的分子堆积膜，是指该化合物从气相状态沉积形成的薄膜和该化合物从溶融状态或液相状态固化形成的膜。通常情况下，该分子堆积膜可以利用通过LB法形成的薄膜(分子累积膜)与凝集结构、高级结构的不同和由此引起的功能的不同来区分。另外，上述发光层可以和树脂等粘结材料一起溶于溶剂形成溶液后，将其利用旋压涂敷法等进行薄膜化来形成。
其次，尽管空穴输送层不一定是必须的，但为了提高发光性能，优选使用空穴输送层。该空穴输送层，优选在更低的电场输送空穴到发光层的材料，而且，空穴的迁移率，例如在施加104～106V/cm的电场时，只要其至少为10-6cm2/V·秒就优选。空穴输送材料，只要是具有前述优选性质的物质，就没有特别限制，可以从以下物质中选择任意的物质来使用：一直以来，在光传导材料中作为空穴的电荷输送材料常用的物质；EL元件的空穴输送层中使用的公知的物质。
空穴输送层可以如下形成：将空穴输送材料利用例如真空蒸镀法、旋压涂敷法、LB法等公知的薄膜法进行制膜。
该空穴输送层的膜厚没有特别限制，通常为5nm～5μm。该空穴输送层可以由空穴输送材料一种或两种以上构成的一层来构成，或者也可以是将由另外种类的材料构成的多个空穴输送层层积而成的物质。
为了将电子留在发光层内，在发光层和阳极的反射性电极之间，可以使用电子势垒层。
电子注入层是由电子注入材料构成的物质，具有将从阴极注入的电子传送到发光层的功能。这样的电子注入材料没有特别限制，可以从现有公知的化合物中选择任意的物质来使用。
电子注入层可以如下形成：将电子注入材料利用例如真空蒸镀法、浇注法、旋压涂敷法、LB法等公知的薄膜化法进行制膜。
该电子注入层的膜厚，通常在5nm～5μm的范围选择。该电子注入层可以由这些电子注入材料一种或两种以上构成的一层来构成，或者也可以是将由另外种类的材料构成的多个电子注入层层积而成的物质。
而且，附着改善层优选含有电子传导性优良且相对发光层及阴极附着性高的材料。这样的材料例如有：8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、包含例如喹啉(一般为8-羟基喹啉Quinolinol或8-羟基喹啉hydroxyquinoline)的螯合的金属螯合氧化物。具体来讲，可以例举：三(8-羟基喹啉)铝、三(5，7-二氯-8-羟基喹啉)铝、三(5，7-二溴-8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、以及铝以外的铟、镁、铜、镓、锡、铅的络合物等。
5.固体密封层
用于固体密封层的材料，可以使用氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)等，例如，以500～10000nm的膜厚进行成膜。
6.荧光变换膜
荧光变换膜是为了改变从有机层发出的中心波长入的光的颜色、在取出发出光侧的反射性电极外部设计的物质，由荧光体构成。
用于该荧光变换膜的材料有无机荧光体、有机荧光体，特别适用的是将有机荧光物质分散于聚合物中形成的物质。作为该有机荧光物质，例如香豆素类、若丹明类、荧光素类、花青苷类、porphyrins类、萘二甲酰亚胺类、紫苏烯类、喹吖酮类等，由于其荧光量子收率高，因此优选。特别优选的物质是，在分散于聚合物粘结剂中的状态荧光量子收率为0.3以上的物质。该有机荧光物质，可以使用一种，也可以将两种以上组合使用。另外，聚合物粘结剂，可以优选使用透明性树脂，例如聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚亚酰胺、聚酰胺酸、聚烯烃、聚苯乙烯等。
该荧光变换膜具有如下功能：吸收有机层发出的中心波长λ的光，消除其方向性进行各向同性化。这样的荧光变换膜的制作方法没有特别限制，可以使用各种各样的方法。例如，在将有机荧光物质分散于聚合物粘结剂中后，将其使用浇铸法、旋压涂敷法、印刷法、棒涂法、挤压成形法、辊成形法、冲压法、喷射法、辊涂法等方法进行制膜，以使其成为通常500～50000nm、优选1000～5000nm的膜厚，由此得到荧光变换膜。在这些制膜方法中，使用有机溶剂时，该有机溶剂可以使用例如二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、氯仿、丙酮、环己酮、甲苯、苯、二甲苯、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、1，2-二甲氧基乙烷、二乙二醇二甲基醚等。这些溶剂可以分别单独使用，也可以将两种以上混合使用。
7.透明层
在本发明中，所谓的透明层，是指使从第一有机EL元件发出的光的全部或一部分通过的层。优选在可见光区域中的透过率为50％以上的物质。
透明层的材料，可以例举聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素等透明树脂(高分子)等。这些材料可以分别单独使用，或者也可以将两种以上混合使用。
另外，也可以根据需要使用用于调整作为透明层的色纯度的颜色滤光片材料。作为颜色滤光片材料，可以例举色素或将色素溶解或分散于粘结剂树脂中而成的固体状态的物质。色素的实例，可以例举：铜酞菁类颜料、靛葱醌类颜料、靛酚类颜料、花青苷类颜料、二噁嗪类颜料等，这些颜料可以单独使用，也可以将两种以上混合使用。色素的粘结剂树脂的实例，可以例举：聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素等透明树脂(高分子)等，这些物质可以单独使用，也可以将两种以上混合使用。需要说明的是，粘结剂树脂优选使用光刻法可以应用的感光性树脂。这样的感光性树脂的实例，可以例举：丙烯酸类、甲基丙烯酸类、聚肉桂酸乙烯基酯类、环化橡胶类等具有反应性乙烯基的光固化型抗蚀剂材料等。这些感光性树脂可以单独使用，也可以将两种以上混合使用。
8.有机EL元件的制造方法
以基板/第一反射性电极膜/光学膜厚调整层/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层/第二反射性电极/固体密封层/荧光变换膜的构成为例，说明有机EL元件的适宜制作方法。
首先，在适当的透明基板上，形成由红色荧光介质、绿色荧光介质、蓝色颜色滤光片构成的荧光介质。荧光介质的形成方法，利用旋压涂敷和印刷法等来进行，设计使其成为通常500～50000nm、优选1000～5000nm的范围的膜厚。
另一方面，在另外的适当的基板上，利用蒸镀或喷溅等方法，制作所希望的膜厚的第一反射性电极膜(阳极)和透光层。然后，利用蚀刻等只在备有荧光变换膜的象素的部分，留下透光层。然后，形成由空穴注入材料、空穴输送材料、发光材料及电子注入材料构成的各薄膜。
该薄膜化的方法，有旋压涂敷法、浇铸法、蒸镀法等，从容易得到均质薄膜、且难以生成气孔等方面考虑，优选真空蒸镀法。在该薄膜化中，采用该蒸镀法时，其蒸镀条件因使用的化合物的种类、分子堆积膜的想要的结晶结构、缔合结构等的不同而异，通常优选在以下范围适当选择：boat加热温度50～450℃、真空度10-5～10-8pa、蒸镀速度0.01～50nm/sec、基板温度-50～300℃、膜厚5nm～5μm。然后，在这些层形成后，在其上利用例如蒸镀或喷溅等方法设计第二反射性电极(阴极)，以使其成为通常为10～500nm、优选50～200nm的范围的膜厚。
[实施例]
实施例1
(1)荧光变换膜基板的制作(具有RGB象素的荧光介质的制作方法)
在25mm×75mm×1.1mm的支持基板(透明基板)(OA2玻璃：日本电气硝子社制)上，旋压涂敷作为黑矩阵(BM)的材料的V259BK(新日铁化学社制)，通过将成为格子状图案类的光掩膜进行紫外线曝光，在2％碳酸钠水溶液中显影后，在200℃烧固，形成黑矩阵(膜厚1.5μm)的图案。
然后，旋压涂敷作为蓝色颜色滤光片的材料的V259B(新日铁化学社制)，通过可以得到320根长方形(90μm线、240μm间隔)条纹图案类的光掩膜，定位在BM上进行紫外线曝光，在2％碳酸钠水溶液中显影后，在200℃烧固，形成蓝色颜色滤光片(膜厚1.5μm)的图案。
然后，旋压涂敷作为绿色颜色滤光片的材料的V259G(新日铁化学社制)，通过可以得到320根长方形(90μm线、240μm间隔)条纹图案类的光致掩膜，定位在BM上进行紫外线曝光，在2％碳酸钠水溶液中显影后，在200℃烧固，在蓝色颜色滤光片邻近形成绿色颜色滤光片(膜厚1.5μm)的图案。
然后，旋压涂敷作为红色颜色滤光片的材料的V259R(新日铁化学社制)，通过可以得到320根长方形(90μm线、240μm间隔)条纹图案类的光致掩膜，定位在BM上进行紫外线曝光，在2％碳酸钠水溶液中显影后，在200℃烧固，在蓝色颜色滤光片和绿色颜色滤光片之间形成红色颜色滤光片(膜厚1.5μm)的图案。
然后，作为绿色荧光介质的材料，使成为0.04mol/kg(相对固体成份)量的香豆素6溶解于丙烯酸类负型光致抗蚀剂(V259PA、固体成份浓度50％：新日铁化学社制)，配制成油墨。
将该油墨涂敷在先前的基板上，在绿色颜色滤光片上进行紫外线曝光，在2％碳酸钠水溶液中显影后，在200℃烧固，在绿色颜色滤光片上形成绿色变换膜的图案(膜厚10μm)。
然后，作为红色荧光介质的材料，使香豆素6∶0.53g、碱性紫11∶1.5g、若丹明6G∶1.5g溶解于丙烯酸类负型光致抗蚀剂(V259PA、固体成份浓度50％：新日铁化学社制)：100g，配制成油墨。
将该油墨涂敷在先前的基板上，在红色颜色滤光片上进行紫外线曝光，在2％碳酸钠水溶液中显影后，在180℃烧固，在红色颜色滤光片上形成红色变换膜的图案(膜厚10μm)，得到荧光变换膜基板。
作为平坦化膜，将丙烯酸类热固性树脂(V259PH：新日铁化学社制)旋压涂敷在先前的基板上，在180℃烧固，形成平坦化膜(膜厚12μm)。由此作成形成了荧光介质的密封用构件。
(2)有机EL元件的制作
另一方面，将长25mm、宽75mm、厚1.1mm的玻璃基板进行异丙醇清洗及紫外线清洗后，将该基板固定在真空蒸镀装置(日本真空技术株式会社制)内的基板座上。
在该基板上，利用喷溅法形成铬(Cr)膜。这时，在喷溅气中使用氩气(Ar)将成膜环境内的气体压力保持在0.2Pa左右，将DC输出功率设定为300W进行成膜，作成200nm左右的膜厚。该Cr膜具有反射性电极的功能。
在该Cr膜之后，将IZO喷溅成膜进行50nm层积。然后，只在备有荧光变换膜的象素的部分利用蚀刻等，留下IZO膜。该IZO膜具有透光层的功能。
然后，将基板移动至真空蒸镀装置中，在真空蒸镀装置内的钼制加热板上，预先分别填充了：作为空穴注入材料的N，N’-二(N，N’-二苯基-4-氨苯基)-N，N-二苯基-4，4’-二氨基-1，1’-联苯膜(TPD232)、及作为空穴输送材料的4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]联苯(NPD)、作为有机发光材料的苯乙烯基衍生物DPVDPAN和式[1]表示的B1、作为电子注入材料的三(8-羟基喹啉)铝(Alq)。在该状态，将蒸镀装置的真空度减压至655×10-7Pa，调整各层的膜厚，以使式(1)的m值符合备有荧光变换膜的象素的部分为2、且不具备荧光变换膜的象素的部分为1，并且从电子注入层到空穴注入层的形成，在途中不破坏其真空状态，用一次抽真空进行层积。
Figure A20058001007100221
Figure A20058001007100231
而且，将镁(Mg)和银(Ag)的合金层，以Mg和Ag的成膜速度之比为Mg∶Ag＝9∶1、膜厚10nm进行蒸镀。
该Mg∶Ag膜具有反射性电极的功能。
然后，将基板移动至喷溅装置，将具有上部电极功能的IZO喷溅成膜进行500nm层积。
然后，在导入了干燥氮气的干燥箱内，在上部电极上，将具有芴骨架的聚酯树脂O-PET树脂层压、将密封介质成膜，作成有机EL元件。
(3)有机EL显示装置的制作
将上述(1)中得到的荧光变换膜基板配置在上述(2)中制作的有机EL元件的密封介质上。然后，相对荧光变换膜基板的周边部分用阳离子固化型粘结剂TB3102(スリ一ボンド株式会社制)处理，使其光固化，作成有机EL显示装置。
(4)有机EL显示装置的评价
在上述(2)中制作的有机EL元件的上部电极和Cr反射性电极之间，通过有源矩阵回路，施加了DC12V的电压。用トプコン制分光放射亮度计SR-3(0.1°视野)，分别测定来自设有荧光变换膜的象素部分和没有设置荧光变换膜的象素部分的发光面的正面的发光强度。进一步使上述分光放射亮度计由基板正面倾斜，分别测定得到来自正面的发光强度为半值时的角度。其结果，设有荧光变换膜的部分的象素为32°，没有设置荧光变换膜的部分的象素为51°。亦即，来自不设置荧光变换膜的部分的象素的发光其强度的角度分布大，来自不设有荧光变换膜的部分的象素的发光其强度的角度分布小。
另外，在上述(3)中制作的有机EL显示装置的上部电极和Cr反射性电极之间，通过有源矩阵回路，施加了DC12V的电压时，发出白色光。用前述分光放射亮度计测定来自发光面的正面的发光强度时，其发光效率为12cd/A。另外，即使从有机EL显示装置的倾斜方向看，也能看到白色。
比较例1
调整各层的膜厚，以使有机EL元件的设有荧光变换膜的象素部分、不设置荧光变换膜的象素部分的式(1)的m值都为1，除此以外，其余和实施例1同样，制作、评价有机EL元件及有机EL显示装置。
有机EL元件的来自设有荧光变换膜的部分的象素的发光强度的角度分布为52°，来自没有设置荧光变换膜的部分的象素的发光强度的角度分布为52°。
另一方面，有机EL显示装置发出白色光，但其发光效率为9cd/A，比实施例1低。
比较例2
调整各层的膜厚，以使有机EL元件的设有荧光变换膜的象素部分、不设置荧光变换膜的象素部分的式(1)的m值都为2，除此以外，其余和实施例1同样，制作、评价有机EL元件及有机EL显示装置。
来自有机EL元件的设有荧光变换膜的部分的象素的发光强度的角度分布为32°，来自没有设置荧光变换膜的部分的象素的发光强度的角度分布为32°。
另一方面，有机EL显示装置发出白色光，其发光效率为12cd/A，是从正面可以看到白色、从倾斜方向可以方便看到附加了黄色的有机EL显示装置。其原因在于，由于来自有机EL元件的不设置荧光变换膜的部分的象素的发光强度的角度分布小，蓝色象素的视角狭窄。
[表1]
备有荧光变换膜的象素的m值 不具备荧光变换膜的象素的m值 白色光的发光效率(cd/A)   可得从基板正面测定的光的1/2强度的视野角度(°)
备有荧光变换膜的象素 不具备荧光变换膜的象素
实施例1     2     1     12     32     51
比较例1     1     1     9     52     52
比较例2     2     2     12     32     32
工业应用的可能性
本发明的有机EL显示装置及全彩色器件，可以用作各种生活用及工业用显示器，具体可以用作便携电话、PDA、汽车导航、监测器、TV等显示器。

Claims (13)

1、一种有机EL显示装置，包含：
第一有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在所述第一及第二反射性电极之间设置的有机层；
第二有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在所述第一及第二反射性电极之间设置的透光层、有机层；
荧光变换膜，其将来自所述第二有机EL元件的光进行颜色变换，
并且来自所述第二有机EL元件的发光强度的角度分布比来自所述第一有机EL元件的发光强度的角度分布窄。
2、一种有机EL显示装置，包含：
第一有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在所述第一及第二反射性电极之间设置的第一透光层、有机层；
第二有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在所述第一及第二反射性电极之间设置的第二透光层、有机层；
荧光变换膜，其将来自所述第二有机EL元件的光进行颜色变换，
并且来自所述第二有机EL元件的发光强度的角度分布比来自所述第一有机EL元件的发光强度的角度分布窄。
3、一种有机EL显示装置，包含：
第一有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在所述第一及第二反射性电极之间设置的有机层；
第二有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在所述第一及第二反射性电极之间设置的第一透光层、有机层；
第三有机EL元件，其包含第一及第二反射性电极及在所述第一及第二反射性电极之间设置的第二透光层、有机层；
第一荧光变换膜，其将来自所述第二有机EL元件的光进行颜色变换；
第二荧光变换膜，其将来自所述第三有机EL元件的光进行颜色变换，
并且来自所述第二有机EL元件的发光强度的角度分布比来自所述第一有机EL元件的发光强度的角度分布窄，
来自所述第三有机EL元件的发光强度的角度分布比来自所述第一有机EL元件的发光强度的角度分布窄。
4、如权利要求2或3所述的有机EL显示装置，所述第二透光层的一部分包含第一透光层。
5、如权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，还包含密封有机EL元件的固体密封层。
6、如权利要求5所述的有机EL显示装置，在所述第二反射性电极和所述荧光变换膜之间设有固体密封层。
7、如权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，所述第一和/或第二透光层是透明导电层或透明半导体层。
8、如权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，在所述第一及第二反射性电极中，在光取出侧存在的反射性电极的反射率为小于50％且为25％以上，另一反射性电极的光反射率为50％以上。
9、如权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，所述第一反射性电极或所述第二反射性电极中的至少一个由电介质和透明电极的层积体构成。
10、如权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，所述第一反射性电极或所述第二反射性电极中的至少一个由金属膜和透明电极的层积体构成。
11、如权利要求1～3中任一项所述的有机EL显示装置，所述第一反射性电极或所述第二反射性电极中的至少一个包含电介质多层膜。
12、如权利要求3所述的有机EL显示装置，所述第一荧光变换膜和所述第二荧光变换膜分别将来自所述有机层的光变换成不同的颜色。
13、如权利要求12所述的有机EL显示装置，来自所述第一有机EL元件的光的发光光谱的极大值中的一个在蓝色区域，
将来自所述第二有机EL元件的光进行颜色变换后的、来自所述第一荧光变换膜的光的发光光谱的极大值中的至少一个在绿色区域，
将来自所述第三有机EL元件的光进行颜色变换后的、来自所述第二荧光变换膜的发光光谱的极大值中的至少一个在红色区域。
CNA2005800100719A 2004-04-06 2005-03-29 有机el显示装置及全彩色器件 Pending CN1939096A (zh)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105826478A (zh) * 2015-01-26 2016-08-03 财团法人工业技术研究院 发光元件
CN105826479A (zh) * 2015-01-26 2016-08-03 财团法人工业技术研究院 发光元件
CN106229416A (zh) * 2015-06-02 2016-12-14 柯尼卡美能达株式会社 电致发光元件
US9704924B2 (en) 2015-01-26 2017-07-11 Industrial Technology Research Institute Light emitting device
US9741959B1 (en) 2016-02-19 2017-08-22 Industrial Technology Research Institute Light emitting device

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7057339B2 (en) * 2004-04-08 2006-06-06 Eastman Kodak Company OLED with color change media
JP4731211B2 (ja) * 2004-06-18 2011-07-20 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンスパネル
US7601988B2 (en) 2004-09-24 2009-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4573672B2 (ja) * 2005-02-28 2010-11-04 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
KR101404546B1 (ko) * 2007-11-05 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101146980B1 (ko) * 2009-02-17 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
JP2010232163A (ja) 2009-03-03 2010-10-14 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
FR2946799B1 (fr) * 2009-06-15 2012-03-02 Astron Fiamm Safety Diode et procede de realisation d'une diode electroluminescente organique incluant une couche de planarisation du substrat
KR101696455B1 (ko) * 2009-10-16 2017-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP5670178B2 (ja) 2010-12-28 2015-02-18 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光装置
US20130056054A1 (en) * 2011-09-06 2013-03-07 Intermolecular, Inc. High work function low resistivity back contact for thin film solar cells
CN117119820A (zh) 2014-05-30 2023-11-24 株式会社半导体能源研究所 发光装置、显示装置及电子设备
JPWO2019234543A1 (ja) 2018-06-06 2021-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
CN110164854B (zh) * 2018-07-25 2021-01-22 友达光电股份有限公司 照明装置
KR20200138528A (ko) 2019-05-30 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210030538A (ko) 2019-09-09 2021-03-18 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2021077639A (ja) 2019-11-08 2021-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器および照明装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06283271A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Ricoh Co Ltd 有機電界発光素子
JP3187695B2 (ja) * 1995-02-06 2001-07-11 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
JP2000068069A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP3463867B2 (ja) * 1999-09-24 2003-11-05 富士電機株式会社 蛍光色変換膜、それを用いた蛍光色変換フィルターおよび該蛍光色変換フィルターを具備した有機発光素子
JP2002359076A (ja) * 2001-03-27 2002-12-13 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、発光方法、表示方法および透明基板
JP2003234186A (ja) * 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP3501155B1 (ja) * 2002-07-03 2004-03-02 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
CN1685770B (zh) * 2002-10-01 2010-12-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 改进了光耦合输出的电致发光显示器
JP2005079014A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Toyota Industries Corp 発光装置
JP4403399B2 (ja) * 2003-09-19 2010-01-27 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP4716699B2 (ja) * 2003-09-30 2011-07-06 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4439260B2 (ja) * 2003-12-26 2010-03-24 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105826478A (zh) * 2015-01-26 2016-08-03 财团法人工业技术研究院 发光元件
CN105826479A (zh) * 2015-01-26 2016-08-03 财团法人工业技术研究院 发光元件
US9704924B2 (en) 2015-01-26 2017-07-11 Industrial Technology Research Institute Light emitting device
CN105826478B (zh) * 2015-01-26 2018-01-16 财团法人工业技术研究院 发光元件
CN106229416A (zh) * 2015-06-02 2016-12-14 柯尼卡美能达株式会社 电致发光元件
CN106229416B (zh) * 2015-06-02 2018-06-01 柯尼卡美能达株式会社 电致发光元件
US9741959B1 (en) 2016-02-19 2017-08-22 Industrial Technology Research Institute Light emitting device

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Publication number Publication date
EP1737276A1 (en) 2006-12-27
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JP2005302313A (ja) 2005-10-27

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