CN1934220A - 发光器件及照明装置 - Google Patents
发光器件及照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1934220A CN1934220A CNA2005800091917A CN200580009191A CN1934220A CN 1934220 A CN1934220 A CN 1934220A CN A2005800091917 A CNA2005800091917 A CN A2005800091917A CN 200580009191 A CN200580009191 A CN 200580009191A CN 1934220 A CN1934220 A CN 1934220A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- fluorescent substance
- luminescent device
- fluor
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 24
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 13
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 claims description 4
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 claims description 4
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 claims description 4
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 claims description 4
- HXQQNYSFSLBXQJ-UHFFFAOYSA-N COC1=C(NC(CO)C(O)=O)CC(O)(CO)CC1=NCC(O)=O Chemical compound COC1=C(NC(CO)C(O)=O)CC(O)(CO)CC1=NCC(O)=O HXQQNYSFSLBXQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 15
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 12
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 11
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 7
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 5
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 4
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 2
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011148 calcium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001669 calcium Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 cerium activated yttrium aluminum garnet Chemical class 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
- C04B35/6262—Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3865—Aluminium nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
- C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
- C04B2235/3873—Silicon nitrides, e.g. silicon carbonitride, silicon oxynitride
- C04B2235/3878—Alpha silicon nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/442—Carbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/766—Trigonal symmetry, e.g. alpha-Si3N4 or alpha-Sialon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
提供一种即使在色温度低的区域也是高效率的、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件(1)和使用该发光器件的照明装置。荧光体(7)为第1荧光物质和第2荧光物质混合而成的物质,其中,第1荧光物质发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任一种,第2荧光物质比第1荧光物质的发光主波长长,发出黄红色光或红色光,第1荧光物质为用通式Cax (Si,Al) 12 (O,N) 16:Euy 2+表示的、主相具有α-塞隆结晶结构的塞隆荧光体。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光器件和使用该发光器件的照明装置。
背景技术
在照明领域中,固体照明、特别是使用半导体发光二极管的白色照明备受期待,一直在进行广泛的研究开发。
另外,白色发光二极管灯已经达到和白炽灯同等以上的发光效果,而且还在进一步完善,认为在不久的将来,作为节能照明设备将广泛普及。
另外,白色发光二极管灯还具有不含有汞等环境负荷高的物质的一大优点。而且,由于元件尺寸小,因此,多装入液晶显示装置的背照光和手提电话等中使用。
上述白色发光二极管灯使用具备:在蓝色等短波长下发光的发光二极管元件、和通过吸收该发光二极管发出的光的一部分或全部进行激发并且发出更长波长的黄色等荧光的荧光物质的白色光发光二极管。
作为该白色光发光二极管的一个实例,例如可以列举,具备化合物半导体蓝色发光二极管元件和吸收蓝色光发出作为蓝色补色的黄色荧光的铈激活的钇铝石榴石(Yttrium Aluminium Garnet:YAG)型荧光体的白色发光二极管(例如,参照日本专利第2900928号公报、日本专利第2927279号公报、K.Bando,K.Sakano,Y.Noguchi and Y.Shimizu,“Development of High-bright and Pure-white LED Lamps,”J.Light & Vis.Env.Vol.22,No.1(1998),pp.2-5)。
另外,为了弥补红色成分的不足,有时也追加红色荧光体。具体来讲,对由蓝色发光二极管元件和用铈激活的YAG型荧光体构成的白色发光二极管添加作为红色荧光体的(Sr1-x-y-zBaxCay)2Si5N8:Euz 2+或SrS:Eu,CaS:Eu,(CaxSr1-x)S:Eu2+(例如,参照特开2003-273409号公报、特开2003-321675号公报及M.YAMADA,T.NAITOU,K.IZUNO,H.TAMAKI,Y.MURAZAKI,M.KAMESHIMA and T.MUKAI,“Red-Enhanced White-Light-Emitting Diode Using a New Phosphor,”Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.42(2003)pp.L20-L23)。
另外,有时也利用蓝色发光二极管元件、蓝色激发绿色发光荧光体和蓝色激发红色发光荧光体,实现白色发光二极管(例如,参照特开平10-163535号公报)。
另外,有时也使用作为蓝色激发绿色发光荧光体的SrGa2S4:Eu2+和作为蓝色激发红色发光荧光体的SrS:Eu2+(例如,参照Paul S.Martin,“Performance,Thermal,Cost & Reliability challenges for Solid StateLighting,”OIDA Conference,May 30th 2002)。
另外,近年来,氧氮化物荧光体和氮化物荧光体的研究日益盛行,作为其中的一个实例,例如,使铕元素(Eu)激活了的钙(Ca)固溶α-塞隆荧光体(アルフアサイアロン)(例如,参照特开平2002-363554号公报)。由于该荧光体通过用蓝色光激发发出黄色光,因此,适合用作白色发光二极管用波长变换材料。
发明内容
以往,在如上所述的荧光体中,氧化物荧光体或硫化物荧光体为主流,近年来,长期可靠性更优良的氧氮化物荧光体或氮化物荧光体的开发日益盛行。
另一方面,将半导体发光元件和荧光体组合而成的固体照明器件的研究盛行,但在这些照明器件中,氧化物荧光体或硫化物荧光体为主流。
因此,发明者通过使用蓝色发光二极管元件和使铕元素(Eu)激活了的钙(Ca)固溶α-塞隆荧光体,实现了在电灯色范围中发出有温暖感的白色光的白色发光二极管灯。
但是,实现的电灯色发光二极管灯,由于红色成分有些不足,因此,在与红色关联的演色性评价结果中,得出了其还有改善余地的结论。
因而,本发明的目的在于,提供一种特别是在色温度低的区域中也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件和使用该发光器件的照明装置。
如权利要求1所述的本发明,其主要特征在于,具有发出蓝紫色光或蓝色光的半导体发光元件和吸收从半导体发光元件发出的光的一部分或全部并发出和该光不同波长的荧光的荧光物质,所述荧光物质是第1荧光物质X%和第2荧光物质Y%混合而成的物质,其中,第1荧光物质发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任一种,第2荧光物质比第1荧光物质的发光主波长长,发出黄红色光或红色光,其混合比例为:0<X≤100、且0≤Y<100、且0<X+Y≤100,第1荧光物质是用通式Cax(Si,Al)12(O,N)16:Euy 2+表示的、主相具有α-塞隆结晶结构的塞隆荧光体。
如权利要求2所述的本发明,其主要特征在于,在权利要求1所述的发明中,塞隆荧光体中的前述x为0.75以上1.0以下、且前述y为0.04以上0.25以下。
如权利要求3所述的本发明,其主要特征在于,在权利要求1或2所述的发明中,第2荧光物质是通式(Sr1-x-y-zBaxCay)2Si5N8:Euz 2+表示的氮化物结晶红色荧光体。
如权利要求4所述的本发明,其主要特征在于,在权利要求1或2所述的发明中,第2荧光物质是通式Ca1-xAlSiN3:Eux 2+表示的氮化物结晶红色荧光体。
如权利要求5所述的本发明,其主要特征在于,在权利要求1~4任一项所述的发明中,半导体发光元件是发光中心波长为400nm至480nm的半导体发光二极管元件。
如权利要求6所述的本发明,其主要特征在于,具有:如权利要求1~5任一项所述的发光器件、安装了发光器件的支持部、和用于驱动发光器件的发光器件驱动部。
如权利要求7所述的本发明,其主要特征在于,在权利要求6所述的发明中,具有利用半透明材料或光散射材料制作的覆盖发光器件的罩。
本发明的发光器件,具有发出蓝紫色光或蓝色光的半导体发光元件和吸收从半导体发光元件发出的光的一部分或全部并发出和该光不同波长的荧光的荧光物质,荧光物质是用通式Cax(Si,Al)12(O,N)16:Euy 2+表示、主相具有α-塞隆结晶结构、发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任一种光的塞隆荧光体,因此,可以提供一种特别是在色温度低的区域也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件。
另外,本发明的发光器件,具有发出蓝紫色光或蓝色光的半导体发光元件和吸收从半导体发光元件发出的光的一部分或全部并发出和该光不同波长的荧光的荧光物质,荧光物质是发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任一种的第1荧光物质和比第1荧光物质的发光主波长长并发出黄红色光或红色光的第2荧光物质混合而成的物质,第1荧光物质是用通式Cax(Si,Al)12(O,N)16:Euy 2+表示、主相具有α-塞隆结晶结构的塞隆荧光体,因此,可以实现特别是在色温度低的区域也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件。
另外,由于上述塞隆荧光体的前述x为0.75以上1.0以下、且前述y为0.04以上0.25以下,因此,可以实现特别是在色温度低的区域也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件。
另外,由于上述第2荧光物质是通式(Sr1-x-y-zBaxCay)2Si5N8:Euz 2-表示的氮化物结晶红色荧光体,因此,可以实现特别是在色温度低的区域也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件。
另外,由于上述第2荧光物质是通式Ca1-xAlSiN3:Eux 2+表示的氮化物结晶红色荧光体,因此,可以实现特别是在色温度低的区域也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件。
另外,由于上述半导体发光元件是发光中心波长为400nm至480nm的半导体发光二极管元件,因此,可以实现特别是在色温度低的区域也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的发光器件。
另外,本发明的照明装置,由于具有:上述发光器件、安装了发光器件的支持部、和用于驱动发光器件的发光器件驱动部,因此,可以实现特别是在色温度低的区域也是高效率、长期可靠性优良、且演色性得到改善的照明装置。
另外,本发明的照明装置,由于具有利用半透明材料或光散射材料制作的覆盖发光器件的罩,因此,可以防止发光器件发出的光直接照射人的眼睛。
附图说明
[图1]图1是本发明的第1实施例的白色发光二极管灯的断面图。
[图2]图2是图1所示的白色发光二极管灯的立体图。
[图3]图3是表示荧光体的发光光谱的图。
[图4]图4是表示荧光体的激发光谱的图。
[图5]图5是表示蓝色发光二极管元件和荧光体的色度坐标的图。
[图6]图6是表示只使用了第1荧光体的白色发光二极管灯的发光光谱的图。
[图7]图7是表示使用了第1及第2荧光体的白色发光二极管灯的发光光谱的图。
[图8]图8是表示白色发光二极管灯的色度坐标的图。
[图9]图9是本发明的第2实施例的照明装置的断面图。
具体实施方式
下面,使用附图,对本发明的发光器件及照明装置进行说明。
需要说明的是,在以下的实施例中,表示本发明的发光器件是照明用白色发光二极管灯的情况,但是以下的实施例毕竟是用于说明本发明的,并不限制本发明的范围。因而,本领域的技术人员可以采用包含这些的各要素或全部要素的各种实施例,这些实施例也包含在本
发明的范围内。
另外,在用于说明以下的实施例的全图中,同一要素赋予同一符号,将省略相关的重复说明。
(实施例1)
为了解决上述问题,发明者对具有蓝色发光二极管元件和使铕元素(Eu)激活了的钙(Ca)固溶α-塞隆荧光体、在电灯色范围中发出有温暖感的白色光的白色发光二极管灯进一步添加若干氮化物红色荧光体,由此在高可靠性电灯色(白色)发光二极管灯中提高了演色性。下面,对其详细情况进行阐述。
首先,对本发明中的第1荧光体进行说明。
该第1荧光体是用2价的铕(Eu)激活的钙(Ca)固溶α-塞隆荧光体,其组成用通式Cax(Si,Al)12(O,N)16:Euy 2+表示,发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任一种。需要说明的是,在以后的说明中,适当将该荧光体称为“塞隆荧光体”。
通过将上述通式中的x值及y值进行各种变更合成多个试样,比较其发光特性,结果判明,其中在其组成范围为0.75≤x≤1.0(x为0.75以上1.0以下)且0.04≤y≤0.25(y为0.04以上0.25以下)时,发光强度特别强。
下面,对上述塞隆荧光体的合成进行说明。
准备氮化硅粉末、氮化铝粉末、碳酸钙粉末、氧化铕粉末作为塞隆荧光体的原料粉末。
然后,为了得到组成式Ca0.875Si9.05Al2.94O0.98N15.02:Eu0.07 2+表示的组成,分别称量氮化硅粉末65.78重量%、氮化铝粉末18.71重量%、碳酸钙粉末13.59重量%、氧化铕粉末1.91重量%,添加正己烷,用湿式行星式球磨机混合2小时。
然后,将混合好的原料粉末利用旋转蒸发器干燥,将其用研钵充分揉开,收纳于氮化硼制的带盖容器中。
然后,将上述带盖容器和原料粉末一起装入气体加压烧结炉,在烧结温度1700℃、氮气环境0.5Mpa下进行气体加压,烧结50小时。
烧结后的粉末形成一个块,但其只需稍微用力就可以变成粉末状。
对于通过如上所述进行粉碎得到的荧光体粉末,使用Cu的Kα射线进行粉末X射线衍射测定,由得到的图形可以确认,该荧光体粉末具有钙固溶α-塞隆结晶相(结构)。
以上对本发明中的第1荧光体进行了说明,下面,对本发明中的第2荧光体进行说明。
该第2荧光体是为了弥补红色成分而添加的,其发出黄红色光或红色光。
作为具有可以利用的光学特性的第2荧光体,例如可以列举:(Zn1-x,Cdx)S:Cu,Al荧光体、(Zn1-x,Cdx)S:Cu,Cl荧光体、(Zn1-x,Cdx)S:Ag,Cl荧光体、(Zn1-x,Cd)S:Ag,Al荧光体、SrS:Eu、CaS:Eu、(CaxSr1-x)S:Eu2+等。
但是,这些荧光体全部是氧化物荧光体或硫化物荧光体,从确保长期可靠性方面考虑,希望选择氮化物荧光体。
作为本发明中的第2荧光体可以利用的氮化物荧光体,有(Sr1-x-y-zBaxCay)2Si5N8:Euz 2+和Ca1-xAlSiN3:Eux 2+。
特别是Ca1-xAlSiN3:Eux 2+,其激发效率、发光强度优良,适合使用。
因而,下面,对Ca1-xAlSiN3:Eux 2+的合成进行说明。
准备氮化硅粉末、氮化铝粉末、氮化钙粉末、和将金属铕在氨中氮化合成的氮化铕作为该荧光体的原料粉末。
然后,为了得到组成式Eu0.0005Ca0.9995AlSiN3表示的组成,分别称量氮化硅粉末34.0735重量%、氮化铝粉末29.8705重量%、氮化钙粉末35.9956重量%、氮化铕粉末0.06048重量%。
然后,将其用玛瑙制研棒和研钵混合30分钟,将得到的混合物用金属模具施加20MPa的压力进行成形,作成直径12mm、厚5mm的成形体。
需要说明的是,粉末的称量、混合、成形的各工序,都是在可以保持水分为1ppm以下及氧1ppm以下的氮气环境的手套箱中进行的。
然后,将该成形体装入氮化硼制的坩锅中,置于石墨电阻加热方式的电炉中。
进行焙烧时,首先,利用扩散泵使焙烧环境成为真空,以每小时500℃的升温速度从室温加热到800℃,在800℃导入纯度为99.999体积%的氮气,使压力为1MPa,然后,以每小时500℃的升温速度升温至1800℃,在1800℃恒温2小时。
焙烧后,将得到的烧结体用玛瑙制研棒和研钵粉碎,对于由此得到的荧光体粉末,使用Cu的Kα射线进行粉末X射线衍射测定,由得到的图形可以确认,该粉末荧光体具有CaAlSiN3结晶相(结构)。
下面,对经过如上所述的程序合成的第1荧光体及第2荧光体的光学特性进行说明。
该测定使用了分光荧光光度计。该测定器是使用若丹明B法、标准光源进行校正,以此为基准进行光谱校正,然后进行测定。
图3是表示第1荧光体及第2荧光体的发光光谱的图,图中的线12表示第1荧光体的发光光谱,线13表示第2荧光体的发光光谱。
需要说明的是,假定通过蓝色发光二极管引起的激发,都用激发波长450nm进行测定。
第1荧光体在CIE1931的XYZ表色系色度图上的色度坐标为:x=0.52、y=0.48,主波长(dominant wavelength)为581nm。这相当于JISZ 8110的参考附图的色度区分的“黄”。
另外,第2荧光体的色度坐标为:x=0.67、y=0.33,主波长为612nm。这相当于JIS Z 8110的参考附图的色度区分的“红”。
图4是表示第1荧光体及第2荧光体的激发光谱的图,图中的线14表示第1荧光体的激发光谱,图中的线15表示第2荧光体的激发光谱。
需要说明的是,测定第1荧光体的激发光谱时,将其发光监测波长设定为585nm。
另外,测定第2荧光体的激发光谱时,将其发光监测波长设定为653nm。
由图可知,任一个荧光体都在蓝色区域具有非常广泛的激发峰,特别是利用波长为450nm左右的蓝色光可以进行高效率地激发。
图5是在CIE1931的XYZ表色系色度图上,表示出黑体辐射轨迹(图中的线16)、发光中心波长为450nm的蓝色发光二极管元件的色度坐标(图中的点17)、第1荧光体的色度坐标(图中的点18)、和第2荧光体的色度坐标(图中的点19)的图。
在本实施例中,对在发出色温度低的电灯色附近的有温暖感的白色光的白色发光二极管灯中附加红色成分使其演色性提高进行了说明,但是,根据具有第1荧光体和第2荧光体的本发明的发光器件的结构,可以很容易地实现用图5中三角形表示的区域20的任意中间色发光的中间色可见光发光二极管灯,这样的发光器件也包含在本发明的范围内。
下面,对作为本发明的第1实施例(实施例1)的发光器件的白色发光二极管灯进行说明。
图1是上述白色发光二极管灯1的断面图,图2是图1所示的白色发光二极管灯1的立体图。
白色发光二极管灯1是前端部形成了透镜状弯曲面的大致圆筒形状,换言之,具有与炮弹相似的形状,其由引线2以及3、发出蓝色光的蓝色发光二极管元件(半导体光源元件)4、接合线5、上述荧光体7、透明的第1树脂6及第2树脂8构成,引线2以及3的下部露出。
在引线2的上端部设置凹部,在该凹部安装发光二极管元件4。发光二极管元件4通过使用导电膏的小片接合等和引线2电连接。另外,发光二极管元件4通过使用接合线5的丝焊等和引线3也电连接。
另外,在包含前述凹部的蓝色发光二极管元件4的附近,利用第1树脂6密封,该第1树脂6中分散有荧光体7。
另外,上述引线2及3、蓝色发光二极管元件4、接合线5、第1树脂6利用第2树脂8密封。
另外,发光中心波长为400nm~480nm的蓝色发光二极管元件适合作为蓝色发光二极管元件4,其中,特别优选可以有效激发塞隆荧光体的450nm的蓝色发光二极管元件。对本实施例中使用的蓝色发光二极管元件进行了实际测定,结果发光中心波长为454nm。
下面,对上述白色发光二极管灯1的制作程序进行说明。
在第1工序,称量作为荧光体7的第1荧光体和第2荧光体,并进行混合。
在第2工序,用导电膏将蓝色发光二极管元件4小片接合在引线2具有的元件安装用凹部。
在第3工序,用接合线5将发光二极管元件和另一引线3丝焊。
在第4工序,用分散有35重量%的荧光体7的第1树脂6预浸渍元件安装用凹部,使得覆盖蓝色发光二极管元件4,并使第1树脂6固化。
在第5工序,使引线2及3的上部、蓝色发光二极管元件4、第1树脂6用第2树脂8包围、固化。需要说明的是,该第5工序通常是利用铸造法来进行的。
另外,引线2及3可以制作成一体,这时,引线2及3具有连结其下部的形状,使用这样制作成一体的引线时,工序5后设置除去连结引线2及3的部分,使引线2及3成为分别的部件的第6工序。
需要说明的是,第1树脂6和第2树脂8使用同一环氧树脂。
另外,在本实施例中,表示了将荧光体分散于第1树脂6中的情况,但并不限定于此,也可以是将荧光体7分散于用于密封引线2及3、蓝色发光二极管元件4、接合线5的单一树脂(相当于本实施例的第2树脂8)中的结构。
另外,在本实施例中,表示了蓝色发光二极管元件4在上部(接合线5侧)具有1个电极、在下部(引线2的凹部底面侧)具有另一个电极的情况,但也可以使用下部没有电极上部有两个电极的发光二极管元件。
这时,由于蓝色发光二极管元件4适当固定即可,因此,在第2工序中不必使用导电膏,在第3工序中利用2根接合线进行接合。
另外,本发明中的引线的形状,只要可以安装发光二极管元件,任何一种都可以使用。
图6是表示只使用了第1荧光体作为上述荧光体7的白色发光二极管灯1的发光光谱(图中的线21)的图。进行该测定时,使用了高速LED试验测定装置。
另外,该白色发光二极管灯在CIE1931的XYZ表色系色度图上的色度坐标为:x=0.46、y=0.41,由该结果判明,可以实现在电灯色范围中以高亮度发出有温暖感的白色光的非常优良的白色发光二极管灯。
图7是使用了将第1荧光体和第2荧光体以重量比3∶1混合而成的物质作为上述荧光体7的白色发光二极管灯1的发光光谱(图中的线22)。
需要说明的是,这时,为了使其与前述黑体辐射轨迹一致,和具有图6所示的发光光谱的白色发光二极管灯相比,稍微增加了分散有荧光体7的第1树脂的涂布量。
需要说明的是,在CIE1931的XYZ表色系色度图上的色度坐标为:x=0.50、y=0.42。
如上所述,通过添加第2荧光体,其演色性从使用第1荧光体时的Ra55提高到了Ra65。该值和通常荧光灯的Ra60相比毫不逊色,可以广泛应用于一般照明用途。
需要说明的是,如图8所示,具有图6所示的发光光谱的白色发光二极管灯的色度坐标(图中的点23)、具有图7所示的发光光谱的白色发光二极管灯的色度坐标(图中的点24)都在黑体辐射轨迹16上,色温度为:只使用了第1荧光体的发光二极管灯(图6)为2750K,混合使用了第1荧光体和第2荧光体的发光二极管灯(图7)为2300K。
如上所述,通过使用氧氮化物荧光体和氮化物荧光体,在发出有温暖感的白色光的色温度低的白色发光二极管灯中得到高可靠性,同时,可以弥补红色成分的不足,提高演色性。
(实施例2)
下面,对本发明的第2实施例(实施例2)的照明装置进行说明。
图9是上述照明装置9的断面图。照明装置9具有:1个或多个白色发光二极管灯1、安装了白色发光二极管灯1的支持部10、用于驱动白色发光二极管灯1的灯(发光器件)驱动部(没有图示)、利用半透明材料或光散射材料制作的覆盖白色发光二极管灯的罩11。
支持部10是具有一定强度的箱状构件,成为固定在顶篷或侧壁上的结构。
驱动部是利用从外部供给的电源将白色发光二极管灯1点亮的电路,安装于支持部中。
另外,驱动部通常由电源电路和白色发光二极管灯用驱动器IC和附属于它们的外周部件构成。
另外,驱动器IC也可以对白色发光二极管灯1赋予脉冲驱动功能和调光功能。
在支持部10上,设置1个或多个白色发光二极管灯1,与前述驱动部电连接。
罩11是为了覆盖白色发光二极管灯1的整体而配置的,其使用半透明材料或光散射材料。该光散射材料的实例中例如有:毛玻璃、表面具有一定粗糙度的树脂等。
利用该罩11,从白色发光二极管灯1发出的白色光不会直接照射人的眼睛,被看作照明装置9的整体在进行明亮发光,即使白色发光二极管灯1是高亮度发光器件,也可以防止其刺眼变成直接的问题。
产业实用性
根据本发明,由于使用比氧化物荧光体和硫化物荧光体长期可靠性优良的氧氮化物荧光体及氮化物荧光体,因此可以实现具有高可靠性的发光二极管灯及照明装置。另外,通过弥补红色成分,也可以提高其演色性。
Claims (7)
1.一种发光器件,其特征在于,
具有:
半导体发光元件,其发出蓝紫色光或蓝色光;和
荧光物质,其吸收从所述半导体发光元件发出的光的一部分或全部并发出和该光不同波长的荧光;
所述荧光物质是第1荧光物质X%和第2荧光物质Y%混合而成的物质,其中,所述第1荧光物质发出黄绿色光、黄色光或黄红色光中的任一种,所述第2荧光物质比第1荧光物质的发光主波长长,发出黄红色光或红色光,并且其混合比例为:0<X≤100、且0≤Y<100、且0<X+Y≤100;
所述第1荧光物质是用通式Cax(Si,Al)12(O,N)16:Euy2+表示的、主相具有α-塞隆结晶结构的塞隆荧光体。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述塞隆荧光体中的所述x为0.75以上1.0以下、且所述y为0.04以上0.25以下。
3.如权利要求1或2所述的发光器件,其特征在于,所述第2荧光物质是用通式(Sr1-x-y-zBaxCay)2Si5N8:Euz 2+表示的氮化物结晶红色荧光体。
4.如权利要求1或2所述的发光器件,其特征在于,所述第2荧光物质是用通式Ca1-xAlSiN3:Eux 2+表示的氮化物结晶红色荧光体。
5.如权利要求1~4任一项所述的发光器件,其特征在于,所述半导体发光元件是发光中心波长为400nm至480nm的半导体发光二极管元件。
6.一种照明装置,其特征在于,具有:
如权利要求1~5任一项所述的发光器件,
安装了所述发光器件的支持部,和
用于驱动所述发光器件的发光器件驱动部。
7.如权利要求6所述的照明装置,其特征在于,具有利用半透明材料或光散射材料制作的用于覆盖所述发光器件的罩。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP083399/2004 | 2004-03-22 | ||
JP2004083399 | 2004-03-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1934220A true CN1934220A (zh) | 2007-03-21 |
CN100549129C CN100549129C (zh) | 2009-10-14 |
Family
ID=34993684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005800091917A Expired - Fee Related CN100549129C (zh) | 2004-03-22 | 2005-03-18 | 发光器件及照明装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7564065B2 (zh) |
EP (1) | EP1734096B1 (zh) |
JP (1) | JP4045298B2 (zh) |
KR (1) | KR100841677B1 (zh) |
CN (1) | CN100549129C (zh) |
TW (1) | TW200604325A (zh) |
WO (1) | WO2005090517A1 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102227826A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-10-26 | 昭和电工株式会社 | 显示装置用照明装置和显示装置 |
US8608980B2 (en) | 2007-09-03 | 2013-12-17 | National Institute For Materials Science | Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same |
CN104145003A (zh) * | 2012-03-29 | 2014-11-12 | 宇部兴产株式会社 | 氧氮化物荧光体粉末 |
CN104968761A (zh) * | 2013-01-16 | 2015-10-07 | 欧司朗股份有限公司 | 用于制造粉末状的前驱体材料的方法、粉末状的前驱体材料及其应用 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100590171C (zh) * | 2004-06-18 | 2010-02-17 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | α型赛隆陶瓷和α型赛隆陶瓷荧光体及其制造方法 |
JP4565141B2 (ja) | 2004-06-30 | 2010-10-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と発光器具 |
JP4511885B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2010-07-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体及びled並びに光源 |
US7671529B2 (en) * | 2004-12-10 | 2010-03-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Phosphor converted light emitting device |
US20060255712A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-11-16 | Masatsugu Masuda | Light emitting apparatus, liquid crystal display apparatus and lighting apparatus |
CN101175835B (zh) | 2005-05-24 | 2012-10-10 | 三菱化学株式会社 | 荧光体及其应用 |
US7262439B2 (en) * | 2005-11-22 | 2007-08-28 | Lumination Llc | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications |
US8159126B2 (en) | 2005-11-07 | 2012-04-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device with an improved CaAlSiN light converting material |
JP4769132B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP5137847B2 (ja) | 2005-12-21 | 2013-02-06 | クリー インコーポレイテッド | 照明装置、および照明方法 |
JP4726633B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2011-07-20 | シャープ株式会社 | 発光素子の製造方法 |
KR101517244B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2015-05-04 | 크리, 인코포레이티드 | 조명 기기 및 조명 방법 |
WO2007122531A2 (en) * | 2006-04-25 | 2007-11-01 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Fluorescent lighting creating white light |
EP2043165B1 (en) * | 2006-06-27 | 2014-12-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Illuminating device |
JP5378644B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2013-12-25 | Dowaホールディングス株式会社 | 窒化物蛍光体または酸窒化物蛍光体の製造方法 |
US8125060B2 (en) | 2006-12-08 | 2012-02-28 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with layered frame |
KR100818518B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-03-31 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 |
WO2011108053A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | パナソニック株式会社 | Ledランプおよびled照明装置 |
JP5170344B2 (ja) | 2010-03-31 | 2013-03-27 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体 |
DE102010046790A1 (de) * | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
BR112013013485B1 (pt) * | 2010-12-01 | 2020-12-29 | Lumileds Holding B.V. | material ba1-x-y-zsrxcayeuz)2si5-a-balan8-a-4boa+4b, estrutura emissora de luz e sistema |
JP5105132B1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-19 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具 |
DE102011115879A1 (de) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Leuchtstoffe |
DE102012101920A1 (de) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP6284079B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-02-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、照明用光源、および照明装置 |
WO2016094863A1 (en) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | Nitto Denko Corporation | Nitride phosphor element for light emitting diodes |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1999-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JPH10163535A (ja) | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Kasei Optonix Co Ltd | 白色発光素子 |
JP2900928B2 (ja) | 1997-10-20 | 1999-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
US6680569B2 (en) | 1999-02-18 | 2004-01-20 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Red-deficiency compensating phosphor light emitting device |
EP1104799A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
US6632379B2 (en) * | 2001-06-07 | 2003-10-14 | National Institute For Materials Science | Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor |
JP3668770B2 (ja) * | 2001-06-07 | 2005-07-06 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体 |
DE10133352A1 (de) * | 2001-07-16 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
DE10147040A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
JP2003321675A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
JP4207489B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2009-01-14 | 株式会社豊田中央研究所 | α−サイアロン蛍光体 |
US6717353B1 (en) * | 2002-10-14 | 2004-04-06 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor converted light emitting device |
JP4072632B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-04-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び発光方法 |
JP4052136B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2008-02-27 | 宇部興産株式会社 | サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法 |
JP4524470B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源 |
-
2005
- 2005-03-18 CN CNB2005800091917A patent/CN100549129C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-18 EP EP05726716A patent/EP1734096B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-18 WO PCT/JP2005/004973 patent/WO2005090517A1/ja active Application Filing
- 2005-03-18 TW TW094108482A patent/TW200604325A/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-18 KR KR1020067021529A patent/KR100841677B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-03-18 JP JP2006511246A patent/JP4045298B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-22 US US11/085,070 patent/US7564065B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8608980B2 (en) | 2007-09-03 | 2013-12-17 | National Institute For Materials Science | Phosphor, method for producing the same and light-emitting device using the same |
CN102227826A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-10-26 | 昭和电工株式会社 | 显示装置用照明装置和显示装置 |
US8550645B2 (en) | 2008-11-28 | 2013-10-08 | Showa Denko K.K. | Illumination device for display device, and display device |
CN102227826B (zh) * | 2008-11-28 | 2014-05-07 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 显示装置用照明装置和显示装置 |
CN104145003A (zh) * | 2012-03-29 | 2014-11-12 | 宇部兴产株式会社 | 氧氮化物荧光体粉末 |
CN104145003B (zh) * | 2012-03-29 | 2016-08-24 | 宇部兴产株式会社 | 氧氮化物荧光体粉末 |
CN104968761A (zh) * | 2013-01-16 | 2015-10-07 | 欧司朗股份有限公司 | 用于制造粉末状的前驱体材料的方法、粉末状的前驱体材料及其应用 |
US10287496B2 (en) | 2013-01-16 | 2019-05-14 | Osram Gmbh | Method for producing a powdered precursor material, powdered precursor material and use thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2005090517A1 (ja) | 2008-01-31 |
KR20070013283A (ko) | 2007-01-30 |
EP1734096A4 (en) | 2008-12-31 |
US7564065B2 (en) | 2009-07-21 |
TW200604325A (en) | 2006-02-01 |
WO2005090517A1 (ja) | 2005-09-29 |
CN100549129C (zh) | 2009-10-14 |
JP4045298B2 (ja) | 2008-02-13 |
US20070278510A1 (en) | 2007-12-06 |
KR100841677B1 (ko) | 2008-06-26 |
EP1734096B1 (en) | 2011-07-06 |
EP1734096A1 (en) | 2006-12-20 |
TWI293327B (zh) | 2008-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1934220A (zh) | 发光器件及照明装置 | |
EP2056366B1 (en) | Light emitting device and illumination device | |
KR100754034B1 (ko) | 발광 소자 및 조명 기구 | |
CN100549128C (zh) | 氧氮化物荧光体及发光器件 | |
JP2007088248A (ja) | 有色発光ダイオードランプ、装飾用照明装置及びカラーディスプレイサイン装置 | |
CN1922741A (zh) | 发光元件和照明器具 | |
JP2009516774A (ja) | 照明用途において使用するための電荷補償窒化物蛍光体 | |
US8674392B2 (en) | Light-emitting device | |
CN101032037A (zh) | 具有可调cri的白光led | |
JP2008050462A (ja) | 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置 | |
US8901591B2 (en) | Light-emitting device | |
JP2013175548A (ja) | 白色led及びそれを備える白色発光デバイス | |
CN1885576A (zh) | 发光二极管 | |
JP6357107B2 (ja) | 蛍光体、発光装置及び照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091014 Termination date: 20170318 |