CN1933089A - 具有低电阻间隔器的电子发射显示器件 - Google Patents

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李天珪
宣亨来
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张东守
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Abstract

一种电子发射显示器件，包括：电子发射基板；设置在电子发射基板区域上的电子发射器件；在除了设置有电子发射器件的区域之外的部分处与电子发射基板电连接的辅助电极；图像形成基板；设置在图像形成基板上与电子发射器件对应的图像实现部；和间隔器，其用于支撑辅助电极和图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器包括导电材料。间隔器用导电材料涂敷，或用两种导电材料两次涂敷，所述两种导电材料具有彼此不同的电阻。通过增加间隔器的导电率使电荷装在间隔器中，从而可阻止电子束的轨迹扭曲，防止图像的扭曲和变化。

Description

具有低电阻间隔器的电子发射显示器件
技术领域
本发明涉及一种电子发射显示器件，更具体地，涉及一种具有低电阻间隔器的电子发射显示器件。
背景技术
一种电子发射显示器件包括阴极基板、阳极基板、设置在阴极基板表面上的线形阴极电极、和设置在阳极基板表面上的与阴极电极以垂直关系相交的线形阳极电极。在阴极电极的表面上是当产生电场时用于发射电子的电子发射部。在阳极电极的表面上是当从电子发射部发射电子时发射光的发光层。在阳极电极之间的阳极基板上设置有间隔器。当在高真空情况下密封阴极基板和阳极基板时，间隔器阻止基板变形或损坏。
图1是图解具有间隔器的常规电子发射显示器件一部分的截面图。
如图1所示，在常规的电子发射显示器件中，在阴极基板21表面上设置有线形阴极电极22，在阴极电极22上设置有表面型电子发射部23。在面对阴极基板21的阳极基板11上，线形阳极电极12以垂直的关系与阴极电极22相交并这样设置。在阳极电极上，设置有发光层14，其中从电子发射部23发射的电子与其碰撞并发射光。在阳极电极12之间，设置有用作遮光膜的辅助间隔器34a。在阳极基板11粘附到阴极基板21的区域中，以预定间隔设置有多个间隔器34。间隔器34通过熔合与阳极基板11和阴极基板21之一粘附。
因而，当由于熔合而使间隔器34粘附到阳极基板11或阴极基板21时，通过间隔器34保持阳极基板11与阴极基板21之间的距离(其可是预定的)。
然而，一些发射的电子在间隔器附近碰撞到间隔器，或由发射的电子产生的离子附着到间隔器并给间隔器充电。因为由于间隔器的高电阻充电的电子不会平稳地放电，所以由电子发射器件发射的电子的轨迹因间隔器的充电会改变，且发射的电子到达除了相应荧光体之外的其他地方，从而在间隔器附近产生扭曲的图像。
发明内容
电子发射显示器件包括：电子发射基板；设置在电子发射基板区域上的电子发射器件；在除了设置有电子发射器件的区域之外的部分处与电子发射基板电连接的辅助电极；图像形成基板；设置在图像形成基板上的与电子发射器件对应的图像实现部；和间隔器，其用于支撑辅助电极和图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器包括导电材料。
在一个实施方案中，所述间隔器通过粘结剂固定到电子发射基板或图像形成基板的至少一个上，和粘结剂包括导电材料。在间隔器的至少一侧上可以设置有低电阻材料，该低电阻材料具有等于或小于粘结剂电阻的电阻。在一个实施方案中，所述间隔器具有范围从104Ωcm到1014Ωcm的电阻。
间隔器的导电材料可以包括选自Ni，Cr，Au，Ag，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种金属、选自Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种合金、选自In2O3-SnO2，和RuO2的一种金属氧化物、或多晶硅。
在一个实施方案中，在间隔器的至少一侧上设置有导体层，其具有比间隔器高的导电率，且电子发射器件包括：阴极电极；与阴极电极电连接的电子发射部；形成在阴极电极上的第一绝缘层；与阴极电极交叉从而从电子发射部发射电子的栅极电极；形成在栅极电极上的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上以收集来自栅极电极发射的电子的辅助电极。
在另一个实施方案中，外部电源单独给辅助电极施加范围从-50V到+100V的电压。图像实现部可包括：由于从电子发射器件发射的电子而发光的发光层；设置在发光层之间的遮光膜；和与发光层电连接的阳极电极。
可以给阳极电极施加一电压，以及可以给辅助电极施加对应于施加给阳极电极的电压的负压。
电子发射显示器件的另一个实施方案包括：电子发射基板；设置在电子发射基板区域上的电子发射器件；在除了设置有电子发射器件的区域之外的部分处与电子发射基板电连接的辅助电极；图像形成基板；设置在图像形成基板上的与电子发射器件对应的图像实现部；和间隔器，其用于支撑辅助电极和图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器用导电材料涂敷。
涂敷间隔器的导电材料可以包括选自Ni，Cr，Au，Ag，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种金属、选自Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种合金、选自RuO2和In2O3-SnO2的一种金属氧化物、或多晶硅，和所述间隔器可以具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻。
电子发射显示器件的另一个实施方案包括：电子发射基板；设置在电子发射基板区域上的电子发射器件；在除了设置有电子发射器件的区域之外的部分处与电子发射基板电连接的辅助电极；图像形成基板；设置在图像形成基板上的与电子发射器件对应的图像实现部；和间隔器，其用于支撑辅助电极和图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器具有第一导电材料的第一涂层和第二导电材料的第二涂层，第一导电材料具有不同于第二导电材料的电阻。
第一或第二导电材料可包括选自Ni，Cr，Au，Ag，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种金属、选自Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种合金、选自RuO2和In2O3-SnO2的一种金属氧化物、或多晶硅。
在一实施方案中，所述间隔器具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻，并由选自硅玻璃、含有Na的玻璃、太阳能-石灰(solar-lime)玻璃、氧化铝、和含有氧化铝的陶瓷的绝缘材料形成。在另一实施方案中，间隔器的热膨胀系数近似等于电子发射基板的热膨胀系数和图像形成基板的热膨胀系数。
附图说明
本发明各种实施方案的这些和/或其他的方面和特征将从下面结合附图的实施方案的描述而变得显而易见和更容易理解，其中：
图1是图解具有间隔器的常规电子发射显示器件一部分的截面图；
图2是示意性地图解依照本发明实施方案的电子发射显示器件结构的分解透视图；
图3是示意性地图解依照图2中所示实施方案的电子发射显示器件结构的截面图；
图4是示意性地图解图3中间隔器结构的视图；
图5A是图解依照本发明实施方案给具有低电阻间隔器的电子发射显示器件施加阳极电压和辅助电极电压的示意图；
图5B是图解依照本发明实施方案单独给具有低电阻间隔器的电子发射显示器件施加辅助电极电压的示意图；
图6是图解通过依照图5A和5B中所示本发明实施方案给具有低电阻间隔器的电子发射显示器件施加阳极电压和辅助电极电压所产生的电场的示意图；
图7是图解依照本发明另一个实施方案的电子发射显示器件结构的示意性截面图；
图8是图解图7中低电阻间隔器的示意图；
图9是图解依照本发明另一个实施方案的电子发射显示器件结构的示意性截面图；和
图10是图解图9中低电阻间隔器结构的示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图描述依照本发明的实施方案的例子，其中提供了对本发明实施方案的介绍，使本领域熟练技术人员更容易理解。
图2是示意性地图解依照本发明一个实施方案的电子发射显示器件结构的分解透视图，和图3是示意性地图解依照图2中所示实施方案的电子发射显示器件结构的截面图。
如图2和3中所示，依照本发明此实施方案的电子发射显示器件包括其中设置有至少一个电子发射器件160且辅助电极180与没有形成电子发射器件160的区域电连接的电子发射基板100、具有与电子发射器件160对应的图像实现部的图像形成基板200、和设置在电子发射基板100的辅助电极180上的间隔器320，间隔器320支撑辅助电极180从而与图像形成基板200间隔开。
电子发射基板100包括电子发射区域，在该区域中，在阴极电极配线以预定形式与栅极电极配线交叉的区域内设置有多个电子发射器件160。在一个实施方案中，配线以矩阵形式交叉。每个电子发射器件160都包括阴极电极120、与阴极电极120交叉的栅极电极140、定位在两个电极120和140之间用于绝缘的第一绝缘层130、形成在栅极电极140上的第二绝缘层170、和形成在第二绝缘层170上的辅助电极180。电子发射基板100还包括与阴极电极120电连接的电子发射部150。电子发射器件对应于形成在图像形成基板200上的荧光体230。
在底基板110上，以预定形状，例如以条形设置有至少一个阴极电极120。底基板110一般是玻璃或硅基板。在一个实施方案中使用透明基板，例如玻璃用于底部曝光，用于形成碳纳米管浆料制成的电子发射部150。
阴极电极120分别给各个电子发射器件施加从数据驱动部(没有示出)和扫描驱动部(没有示出)传输的数据信号和扫描信号。这里，每个电子发射器件160都包括形成在阴极电极120与栅极电极140交叉区域中的电子发射部150。
第一绝缘层130在阴极电极120上形成并使阴极电极120与栅极电极140电绝缘。第一绝缘层130由绝缘材料，如PbO和SiO2的玻璃混合物形成。
栅极电极140以预定形状，例如条形在第一绝缘层130上形成，并设置成与阴极电极120交叉。栅极电极140分别给各个电子发射器件施加从数据驱动部或扫描驱动部传输的数据信号或扫描信号。栅极电极140由具有优异导电性的金属，如金(Au)，银(Ag)，铂(Pt)，铝(Al)，铬(Cr)，或至少一个金(Au)，银(Ag)，铂(Pt)，铝(Al)，铬(Cr)的合金形成。
第二绝缘层170在栅极电极140上形成，并使栅极电极140与辅助电极180电绝缘。第二绝缘层170由绝缘材料，如PbO和SiO2的玻璃混合物形成。
辅助电极180在第二绝缘层170的上侧形成并由具有优异导电性的金属，如金(Au)，银(Ag)，铂(Pt)，铝(Al)，铬(Cr)，或至少一个金(Au)，银(Ag)，铂(Pt)，铝(Al)，铬(Cr)的合金形成。
当弧形放电时辅助电极180阻止阴极电极120和栅极电极140损坏，并保护阴极电极120、栅极电极140和电子发射部150免于受到由于施加给阳极电极220的高电压而产生的阳极电场的影响。
开口155穿透依序层叠的第一绝缘层130、栅极电极140、第二绝缘层170和辅助电极180。开口155露出阴极电极120。开口155是形成电子发射部150的区域。换句话说，在阴极电极120与栅极电极140交叉的区域中形成至少一个开口155。
电子发射部150分别与由开口155暴露的阴极电极电连接，且在一些实施方案中，电子发射部150由碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、类金刚石碳、C60、硅纳米导线、或它们的组合形成。
图像形成基板200包括具有阳极电极220的图像形成区域、形成在阳极电极220上由于电子发射器件160发射的电子而发光的荧光体230、和形成在荧光体230之间的遮光膜240。
阳极电极220设置在顶基板210上，并成功地收集从电子发射器件160发射的电子。为了收集发射的电子，给阳极电极220施加正(+)的高电压，从而使发射的电子朝着荧光体230加速。
在一个实施方案中，顶基板210和阳极电极220由透明材料形成。例如，顶基板由玻璃形成，和阳极电极220由ITO电极形成，从而可将从荧光体230发射的光传输到外部。
在顶基板210上，以预定间隔选择性地设置荧光体230，其由于从电子发射部150发射的电子的撞击而发光。作为G荧光体，就是说用于发射绿光的荧光体，可以使用ZnS:Cu、Zn2SiO4:Mn、ZnS:Cu+Zn2SiO4:Mn、Gd2O2S:Tb、Y3Al5O12:Ce、ZnS:Cu，Al、Y2O2S:Tb、ZnO:Zn、ZnS:Cu，Al+In2O3、LaPO4:Ce，Tb，BaO·6Al2O3:Mn、(Zn，Cd)S:Ag、(Zn，Cd)S:Cu，Al，ZnS:Cu，Au，Al、Y3(Al，Ga)2O12:Tb、Y2SiO5:Tb、或LaOCl:Tb。在该实施方案中，使用ZnS:Cu，Al。此外，作为B荧光体，即用于发射蓝光的荧光体，可以使用ZnS:Ag、ZnS:Ag，Al、ZnS:Ag，Ga，Al、ZnS:Ag，Cu，Ga，Cl、ZnS:Ag+In2O3、Ca2B5O9Cl:Eu2+、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+、Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+、BaMgAl16O26:Eu2+、添加CoO，Al2O3的ZnS:Ag、添加CoO、Al2O3的ZnS:Ag，Ga，和在该实施方案中，使用ZnS:Ag，Cl。作为R荧光体，即用于发射红光的荧光体，可以使用Y2O2S:Eu、Zn3(PO4)2:Mn、Y2O3:Eu、YVO4:Eu、(Y，Gd)BO3:Eu、γ-Zn3(PO4)2:Mn、(ZnCd)S:Ag、(ZnCd)S:Ag+In2O3、或添加有Fe2O3的Y2O2S:Eu。在该实施方案中使用Y2O2S:Eu。
荧光体230是指单独单色荧光体。尽管在该实施方案中公开了荧光体230为分别发射红色、绿色、蓝色光的荧光体，但是本发明并不限于这些。在一个实施方案中，顶基板210由透明材料形成，从而将从荧光体230发射的光传输到外部。
遮光膜240吸收和遮断外部光，并以预定间隔设置在荧光体230之间，从而阻止串扰，以提高对比度。
在荧光体230上还可形成金属反射膜(没有示出)，用于成功地收集来自电子发射部150发射的电子并将由于电子撞击而产生的光反射向顶基板210，从而提高反射效率。
低电阻间隔器320位于辅助电极180和遮光膜240之间，且由导电材料形成，该导电材料具有充分的绝缘性，以承受施加在电子发射基板100和图像形成基板200之间的高压，并具有充分的导电率，以阻止给间隔器320的表面充电。
低电阻间隔器320由具有充分绝缘性的材料，如硅玻璃、含有Na的玻璃、太阳能-石灰玻璃、氧化铝、或含有氧化铝的陶瓷形成。在一个实施方案中，低电阻间隔器320的热膨胀系数近似于电子发射基板100和图像形成基板200的热膨胀系数。
因而，阻止从电子发射基板100发射的电子的轨迹集中在低电阻间隔器320附近，从而可减小由于电子的轨迹扭曲所导致的不同颜色光的发射和由于不同颜色光的发射所导致的图像的扭曲和变化。
在一个实施方案中，间隔器320用导电粘结剂330a和330b粘附到电子发射基板100和图像形成基板200的至少一个上，在该实施方案中其通过粘结剂330a和330b固定到遮光膜240和辅助电极180。
如上所述的电子发射显示器件300还包括密封器310，其用于密封电子发射基板100和图像形成基板200并用于保持真空。
图4是示意性地图解图3中间隔器结构的视图。如图中所示，通过添加导电材料形成低电阻间隔器320，所述导电材料具有充分的绝缘性，以承受施加在电子发射基板100和图像形成基板200之间的高电压，并具有充分的导电率，以阻止给间隔器320的表面充电。
更详细地说，低电阻间隔器320由具有充分绝缘性的材料，如硅玻璃、含有Na的玻璃、太阳能-石灰玻璃、氧化铝、或含有氧化铝的陶瓷形成。在此实施方案中，低电阻间隔器320的热膨胀系数近似于电子发射基板100和图像形成基板200的热膨胀系数。
低电阻间隔器320包括低电阻材料321，从而阻止间隔器320的表面充电和阻止由于间隔器320或其表面充电所导致的电子发射路径的扭曲。实现低电阻间隔器320的低电阻的低电阻材料321选自具有充分低电阻的材料，例如像Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的金属，Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的合金，像Pd，Ag，Au，和RuO2的金属，Pd，Ag，Au，和RuO2的金属氧化物，像In2O3-SnO2的透明导体，以及如多晶硅的半导体。
通过这样，低电阻间隔器320可以具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻。
在低电阻间隔器320的两侧上，可以形成低电阻材料322，且它们的电阻等于或小于粘结剂330a和330b的电阻。在低电阻间隔器320的至少一侧上，可形成具有比低电阻间隔器320高的导电率的导体层。
图5A是图解依照本发明一个实施方案给具有低电阻间隔器的电子发射显示器件施加阳极电压和辅助电极电压的视图。如图中所示，在具有低电阻间隔器320的电子发射显示器件300中，外部电源给阴极电极120施加正(+)电压，给栅极电极140施加负(-)电压，和给阳极电极220施加正(+)电压。通过这样，由于阴极电极120和栅极电极140间的电压差，在电子发射部150周围产生电场，由那里发射电子，通过给阳极电极220施加高电压来将发射的电子导向，以撞击相应的荧光体230，从而荧光体230发射光，以形成预定的图像。
此时，当给阳极电极220施加正(+)电压时，辅助电极180给阳极电极220施加负(-)电压，从而从电子发射部150发射的电子集中在阳极电极220处。
图5B是图解依照本发明一个实施方案单独给具有低电阻间隔器的电子发射显示器件施加辅助电极电压的示意图。如图中所示，单独给辅助电极180施加负(-)电压，从而从电子发射部150发射的电子集中在阳极电极220处。此时，单独给辅助电极220施加从-50V到+100V的电压。
图6是图解通过依照图5A和5B中所示本发明实施方案给具有低电阻间隔器的电子发射显示器件施加阳极电压和辅助电极电压所产生的电场的示意图。如图中所示，在包含辅助电极的电子发射显示器件中，通过辅助电极180使从电子发射部发射的电子的轨迹集中在阳极电极220上，从而阻止电子给间隔器320充电。因而，可减小由于电子的轨迹扭曲所导致的不同颜色光的发射和由于不同颜色光的发射所导致的图像的扭曲和变化。
此外，通过增加间隔器的导电率使电荷充电在间隔器中，从而可阻止电子束的轨迹扭曲。
图7是图解依照本发明另一个实施方案的电子发射显示器件结构的示意性截面图，和图8是图解图7中低电阻间隔器的示意图。如图中所示，依照本发明该实施方案的使用低电阻间隔器的电子发射显示器件700包括在其中设置有至少一个电子发射器件的电子发射基板100和辅助电极718，辅助电极718与除了形成电子发射器件的区域之外的电子发射基板部分电连接。电子发射显示器件还包括其中形成有对应于电子发射器件的图像实现部的图像形成基板200和低电阻间隔器730，低电阻间隔器730用于将电子发射基板710的辅助电极718与图像形成基板200间隔开，以支撑辅助电极718。间隔器通过在其表面上涂覆导电材料形成。
低电阻间隔器730通过在间隔器元件上涂覆低电阻材料731形成，用于支撑电子发射基板100，以与对应的图像形成基板200间隔开。
低电阻间隔器730由如上所述的材料，如硅玻璃、含有Na的玻璃、太阳能-石灰(solar-lime)玻璃、氧化铝、或含有氧化铝的陶瓷形成。
在间隔器730的表面上，选择并涂覆上述的导电材料731，如像Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的金属，Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的合金，像Pd，Ag，Au，RuO2，和Pd-Ag的金属，Pd，Ag，Au，RuO2，和Pd-Ag的金属氧化物，像In2O3-SnO2的透明导体，和如多晶硅的半导体。
通过这样做，低电阻间隔器730可以具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻。此外，在低电阻间隔器730的两侧上，可形成低电阻材料732，且它们的电阻等于或小于粘结剂733a和733b的电阻。在低电阻间隔器730的至少一侧上，可形成具有比低电阻间隔器730高的导电率的导体层。
图9是图解依照本发明另一个实施方案的电子发射显示器件结构的示意性截面图，且图10是图解图9中低电阻间隔器结构的示意图。依照本发明该实施方案使用低电阻间隔器的电子发射显示器件包括其中设置有至少一个电子发射器件的电子发射基板100和辅助电极918，辅助电极918在除了形成电子发射器件的区域之外处与电子发射基板的其他部分电连接。该实施方案还包括其中形成有对应于电子发射器件的图像实现部的图像形成基板200和低电阻间隔器930，低电阻间隔器930用于将电子发射基板100的辅助电极918与图像形成基板200间隔开，以支撑辅助电极918。通过两次涂覆具有与图像形成基板200不同电阻的导电材料形成间隔器。
用第一和第二低电阻材料931和932涂覆用于支撑电子发射基板以与对应的图像形成基板间隔开的低电阻间隔器930。这里，间隔器的描述如参照上述图8所述的，因此省略掉了。
第一低电阻材料931和第二低电阻材料932包括具有不同电阻的材料。例如，第一次涂覆的导电材料可以是像Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd这样的金属，Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的合金，像Pd，Ag，Au，RuO2和Pd-Ag这样的金属，Pd，Ag，Au，RuO2，和Pd-Ag的金属氧化物，像In2O3-SnO2这样的透明导体，和如多晶硅的半导体。第二次涂覆的导电材料具有与首先涂覆的导电材料不同的电阻。
通过这样做，低电阻间隔器930可以具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻。此外，在低电阻间隔器930的两侧上，可形成低电阻材料934，且它们的电阻可等于或小于粘结剂933a和933b的电阻。在低电阻间隔器930的至少一侧上，可形成具有比低电阻间隔器930高的导电率的导体层。
尽管已经示出和描述了本发明的几个实施方案，但本领域熟练技术人员应当理解到，在不脱离本发明的原理和精神的情况下这些实施方案可以变化，其范围由权利要求及其等价物确定。
本申请要求2005年7月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2005-0069811号的优先权和权益，其全部内容在这里结合作为参考。

Claims (20)

1.一种电子发射显示器件，包括：
电子发射基板；
设置在所述电子发射基板的区域上的电子发射器件；
在除了设置有所述电子发射器件的区域之外的部分处与所述电子发射基板电连接的辅助电极；
图像形成基板；
设置在所述图像形成基板上的与所述电子发射器件对应的图像实现部；和
间隔器，其用于支撑所述辅助电极和所述图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器包括导电材料。
2.根据权利要求1所述的电子发射显示器件，其中所述间隔器通过粘结剂固定到电子发射基板或图像形成基板的至少一个上。
3.根据权利要求2所述的电子发射显示器件，其中所述粘结剂包括导电材料。
4.根据权利要求1所述的电子发射显示器件，其中所述间隔器的所述导电材料包括选自Ni，Cr，Au，Ag，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种金属、选自Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种合金、选自In2O3-SnO2和RuO2的一种金属氧化物、或多晶硅。
5.根据权利要求1所述的电子发射显示器件，其中所述间隔器具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻。
6.根据权利要求2所述的电子发射显示器件，其中在间隔器的至少一侧上设置有低电阻材料，该低电阻材料具有等于或小于粘结剂电阻的电阻。
7.根据权利要求1所述的电子发射显示器件，其中在间隔器的至少一侧上设置有导体层，该导体层具有比间隔器高的导电率。
8.根据权利要求1所述的电子发射显示器件，其中电子发射器件包括：
阴极电极；
与所述阴极电极电连接的电子发射部；
在所述阴极电极上形成的第一绝缘层；
与所述阴极电极相交以从所述电子发射部发射电子的栅极电极；
在所述栅极电极上形成的第二绝缘层；和
在所述第二绝缘层上形成以收集由所述栅极电极发射的电子的辅助电极。
9.根据权利要求8所述的电子发射显示器件，其中外部电源单独给辅助电极施加-50V到+100V的电压。
10.根据权利要求1所述的电子发射显示器件，其中图像实现部包括：
由于从所述电子发射器件发射的电子而发光的发光层；
在所述发光层之间设置的遮光膜；和
与所述发光层电连接的阳极电极。
11.根据权利要求10所述的电子发射显示器件，其中给所述阳极电极施加一电压，和给所述辅助电极施加对应于施加给阳极电极的电压的负压。
12.一种电子发射显示器件，包括：
电子发射基板；
在所述电子发射基板的区域上设置的电子发射器件；
在除了设置有所述电子发射器件的区域之外的部分处与所述电子发射基板电连接的辅助电极；
图像形成基板；
在所述图像形成基板上设置的与所述电子发射器件对应的图像实现部；和
间隔器，其用于支撑所述辅助电极和所述图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器用导电材料涂敷。
13.根据权利要求12所述的电子发射显示器件，其中涂敷间隔器的导电材料包括选自Ni，Cr，Au，Ag，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种金属、选自Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种合金、选自RuO2和In2O3-SnO2的一种金属氧化物、或多晶硅。
14.根据权利要求12所述的电子发射显示器件，其中所述间隔器具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻。
15.一种电子发射显示器件，包括：
电子发射基板；
在所述电子发射基板的区域上设置的电子发射器件；
在除了设置有所述电子发射器件的区域之外的部分处与所述电子发射基板电连接的辅助电极；
图像形成基板；
在所述图像形成基板上设置的与所述电子发射器件对应的图像实现部；和
间隔器，其用于支撑所述辅助电极和所述图像形成基板，以使它们彼此间隔开，所述间隔器具有第一导电材料的第一涂层和第二导电材料的第二涂层，所述第一导电材料具有与所述第二导电材料不同的电阻。
16.根据权利要求15所述的电子发射显示器件，其中第一导电材料包括选自Ni，Cr，Au，Ag，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种金属、选自Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种合金、选自RuO2和In2O3-SnO2的一种金属氧化物、或多晶硅。
17.根据权利要求16所述的电子发射显示器件，其中第二导电材料包括选自Ni，Cr，Au，Ag，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种金属、选自Ni，Cr，Au，Mo，W，Pt，Ti，Al，Cu和Pd的一种合金、选自RuO2和In2O3-SnO2的一种金属氧化物、或多晶硅。
18.根据权利要求15所述的电子发射显示器件，其中所述间隔器具有104Ωcm到1014Ωcm的电阻。
19.根据权利要求15所述的电子发射显示器件，其中间隔器由选自硅玻璃、含有Na的玻璃、太阳能-石灰玻璃、氧化铝、和含有氧化铝的陶瓷的绝缘材料形成。
20.根据权利要求15所述的电子发射显示器件，其中所述间隔器的热膨胀系数近似等于所述电子发射基板的热膨胀系数和所述图像形成基板的热膨胀系数。
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C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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