CN1902726A - 图像显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

以一定间隙彼此相对设置前基板(11)和后基板在预定位置由粘合部分(33)密封地粘合，限定了基板之间的密封空间。粘合部分具有形成在基板中至少任意一个基板上的底层(31a，31b)并具有由粘结材料制成、形成在底层上的粘结层(32)。底层厚度从5μm到22μm。

Description

图像显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及具有彼此相对设置的两块基板和将这些基板密封在一起的密封部分的图像显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，已经将各种平面图像显示装置评价为下一代轻便、薄型显示装置以取代阴极射线管(下文中称为CRT)。这些图像显示装置包括液晶显示器(下文中称为LCD)、等离子体显示器(下文中称为PDP)、场致发射平板显示装置(下文称为FED)、表面传导电子发射装置(下文中称为SED)等。LCD利用液晶取向来控制光的强度。PDP利用等离子体放电所产生的紫外线来激励荧光体发光。FED使用来自场致发射电子发射元件的电子束来激励荧光体发光。SED使用来自表面传导电子发射元件的电子束来激励荧光体发光。

例如，FED或SED通常包括在预定间隙两端的彼此相对的前基板和后基板。这些基板具有它们各自的被采用矩形框形式的由侧壁连接在一起的边框部分，从而形成真空密封外壳。荧光屏形成在前基板的内表面上。设置在后基板的内表面上的是用作电子发射源的大量电子发射元件，它们激励荧光体发光。

为了支承作用于后基板和前基板上的大气负荷，将多个支承构件排列在这些基板之间。在后基板侧上的电势基本上等于接地电势，并且阳极电压被施加到荧光屏上。把从电子发射元件发射的电子束施加到构成荧光屏的红、绿、蓝荧光体上，并通过使荧光体发光来显示图像。

根据用这种方式构成的FED或SED，显示装置的厚度可减少到大约几毫米，使得装置比用作现有TV或计算机的显示器的CRT更轻、更薄。

对于FED，例如，已经研究了各种利用矩形框形式的侧壁连接构成外壳的前基板和后基板制造方法。可给出一种方法作为示例，其中，用一定方式在例如真空设备中以大约350℃来烘焙前基板和后基板，使得在整个真空设备被抽成高真空时，基板彼此间保持足够的距离。当达到给定的温度和真空度时，根据该方法，前基板和后基板用侧壁连接在一起。通常，在该方法中，能够在相对低的温度时用于密封的铟被用作降低吸气剂的吸附能力的密封剂。例如，在第2002-184331号日本专利申请公开说明书中揭示的是一种用如下方式进行密封的方法(例如，参见专利文件1)。与铟具有良好气密性和润湿性的诸如银膏的材料作为基板上的底层通过印刷预先形成在基板上，以免在铟熔化时产生不需要的流动。把铟加到底层上以形成框形密封层，且该密封层被熔化。

尽管铟是低熔点金属，但是，其熔化温度大约为160℃，在该温度时人们发现吸气剂的吸附能力下降。根据经验确认，在此温度下操作密封的显示装置时寿命性能会降低。

在例如第2002-319346号日本专利申请公开说明书中描述的方法作为解决这些问题的方法被研究。在该方法中，(下文称为电加热)，把电流供给铟或用作密封剂的某些其它低熔点金属，密封剂本身被加热并被产生的焦耳热所熔化以将基板密封在一起。根据该方法，只有密封剂可被加热到高温，而必定将吸气剂形成区域保持在低温，使得能够防止吸气剂的吸附能力下降。此外，由于可把密封所需的时间缩短到10分钟或更少，能够显著降低制造成本。

但是，根据上述的电加热，熔化的密封剂的横截面积随时间而变化，整体上说，在表面张力和密封剂粘度的变化的影响下，密封剂以波动的方式流动，表面张力和密封剂粘度的变化可归因于瞬时温度的变化以及电流源在密封剂中产生的磁场。特别是，被加热到350℃的密封剂自身的表面不平度要大于加热之前，当它被通电时其横截面面积更加急剧地变化。因此，会产生以下问题，即在被通电的同时，以框形式布置的密封剂不可避免地要承受破裂或破裂。

这种密封剂的破裂发生在大多数已烘焙的基板中。如果密封剂破裂，基板自然也不能被密封在一起，而密封剂和底层则有可能被破裂所毁坏。在多数情况下，基板本身也会被损坏，很难回收和再使用这些基板。因此，又产生了密封工艺成功率降低以及难以有效地制造出令人满意的图像显示装置的新问题。

发明内容

考虑到这些情况已经做出本发明，其目的是提供一种图像显示器件及其制造方法，其中在电加热过程中能够防止密封剂破裂并且能够高效、高可靠性地进行密封。

根据本发明的一个方面，提供了一种图像显示装置，该图像显示装置包括以一定间隙彼此相对设置的第一基板和第二基板、在给定位置密封前、后基板并限定所述前、后基板之间的密封空间的密封部分，

所述密封部分具有形成在第一和第二基板中至少一个的内表面上的底层以及由导电密封剂制成并形成在所述底层上的密封层，底层具有5到22μm的厚度。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造图像显示装置的方法，该图像显示装置包括以一定间隙彼此相对设置的第一基板和第二基板和在给定位置密封前、后基板并限定所述前、后基板之间的密封空间的密封部分，该方法包括：

沿着第一基板和第二基板中的至少一个的内表面形成厚度为5到22μm的底层；在所述底层上形成导电密封层；以及在前基板和后基板彼此相对并且将底层和密封层夹在其中间的状态下，将电流供给密封层以加热和熔化密封层，并用熔化的密封剂将前基板和后基板结合在一起。

附图说明

图1是示出根据本发明实施例的FED的整体的透视图；

图2是示出FED内部配置的透视图；

图3是沿图1的线III-III的截面图；

图4是放大示出一部分FED荧光屏的平面图；

图5是放大示出FED密封部分的截面图；

图6是详细示出密封部分配置的截面图；

图7A是示出底层形成在用于FED制造中的前基板上的情形的平面图；

图7B是示出底层形成在用于FED制造中的后基板上的情形的平面图；

图8A是示出密封层形成在前基板上的情形的平面图；

图8B是示出密封层形成在后基板上的情形的平面图；

图9是示出电极附着到FED的后基板的情形的透视图；

图10是示意性地示出在FED制造中使用的真空处理机的示图；

图11是示出在上面具有铟的后基板和前基板彼此相对的情形的截面图；以及

图12是典型地示出在FED制造工艺中电源与FED的电极相连接的情形的平面图。

具体实施方式

现在将参照附图描述将根据本发明的显示装置应用于FED的实施例。

如图1到4所示，FED包括前基板11和后基板12，它们各自由矩形的玻璃基板构成，并分别起到第一和第二基板的作用。这些基板用给定的间隔彼此相对设置。后基板12形成为具有比前基板11更大的尺寸。前基板11和后基板12用矩形框形式的侧壁18将它们各自的围缘部分连接在一起，从而形成将内部空间保持为高真空的平矩形真空外壳10。

多个板状的支撑构件14设置真空密封外壳10中，以便支撑作用于前基板11和后基板12上的大气载荷。这些支撑构件14各个以与真空外壳10的一侧平行的方向延伸，并以给定的间隔沿着垂直于这一侧的方向排列。支撑构件不限于板状的形状，也可以是柱形的。

起到图像显示屏作用的荧光屏16形成在前基板11的内表面上。通过设置荧光层R、G和B可形成荧光屏16，荧光层R、G和B分别发出红光、绿光和蓝光，而光屏蔽层20位于这些荧光层之间。荧光层R、G和B沿着平行于真空外壳10一侧的方向延伸，并沿着垂直于该一侧的方向以给定的间隔排列。例如，铝的金属基层17和钡的吸气剂膜27依次形成在荧光屏16上的层中。

如图3所示，设置在后基板12内表面上的是大量的电子发射元件22，它们作为电子发射源独立地发射电子束，用于激励荧光屏16的荧光层。这些电子发射元件22与各个像素彼此相对应在多列和多行中排列。具体地说，传导阴极层24形成在后基板12的内表面上，而具有大量空腔25的二氧化硅膜26形成在传导阴极层上。钼或铌的栅极电极28形成在二氧化硅膜26上。钼等的、锥形的电子发射元件22单独地设置在后基板12内表面上的空腔25中。以相互成直角延伸的带形状形成传导阴极层和栅极电极。大量把电势供给传导阴极层和栅极电极的布线23形成在后基板12的围缘部分上。

如图3和5中所示，用低熔点玻璃19将后基板12和侧壁18密封在一起。此外，通过包括底层和密封层的密封部分33将前基板11和侧壁18密封在一起。更具体地说，如图5中所示，密封部分33具有框状底层31a、框状底层31b和密封层32。底层31a形成在侧壁18的密封表面上，即面向前基板11的侧壁的上表面上。底层31b形成在前基板的密封表面上，即面向侧壁的内表面的围缘部分上。密封层32设置在这些底层之间。底层31a和31b由例如导电的银膏构成。该银膏含有主要由银和氧化铅构成的玻璃组分、以及溶剂和粘合剂以形成膏。密封层32由低熔点密封剂构成，例如用于密封剂具有良好传导率的铟(In)。

如图6中所示，与密封层32相接触的每一底层31a和31b的部分、密封部分33的主要部分，形成了底层材料和铟混合的混合层40。单独位于混合层相对侧上的那些部分单独形成了铟渗出并与底层材料相混合的渗出部分42。此外，位于渗出部分42之外的那些部分形成保持其初始状态而不含铟的底层31a或31b。如果在制造过程中进行烘焙，如下文所说明的那样，底层材料与铟完全混合，使得有时可能难以分辨密封层32和各混和层40之间的边界。在某些情况下，几乎没有任何底层可存在于渗出层42之外，或者相反地，几乎没有任何渗出层42可存在于底层之内。

在本实施例中，形成了具有8mm宽度的侧壁18，也形成了具有8mm宽度的每一底层31a或31b以和侧壁相一致。形成了厚度为12μm的每一底层31a或31b。形成了厚度为0.3mm且宽度为6mm的铟的密封层32。

本发明人对密封部分33进行了各种研究，证实密封层32和电加热的密封剂的破裂发生率深受底层31a或31b的厚度的影响。在测量破裂基板的各个底层厚度时，发现所有的底层厚度都小于5μm。当把底层31a或31b的厚度调整到5μm或更大时，即使在烘焙的基板中，密封层破裂发生率也急剧降低。当该厚度调节到8μm或更大时，几乎不发生任何破裂。已证实，破裂的发生率也受到底层31a和31b的宽度的影响。当把底层厚度调整到12μm或更大时，不考虑底层宽度或用于密封工艺以及其在前的工艺的条件，不发生密封层破裂。

另一方面，由于底层31a和31b以及第一和第二基板11和12或侧壁18由不同材料制成，它们具有不同的热膨胀系数。因此，如果底层31a和31b太厚，尽管在制造过程中没有特殊问题发生，底层和基板之间的边界在完成图像显示装置后几周内有时会因残余应力破裂，该残余应力归因于加热处理过程中诸热膨胀系数之间的不同。作为对这种界面破裂进行各种研究的结果，证实在将底层31a和31b的厚度调整为22μm时不发生界面破裂。

如果密封层32是通过把铟加到底层31a和31b上来形成，密封层32的宽度优选应小于底层的宽度。如果密封层32的宽度超过底层31a和31b的宽度，则当铟由于电加热熔化时，铟会从底层滑出并接触基板表面。在这种情况下，有可能从接触点处开始发生密封层的破裂。较佳地，应将密封层32的宽度调整为3mm或更大。可证实的是，如果宽度小于该值，显示装置在气密性的可靠性方面会产生问题。因此，考虑到加入铟时所引起的0.5mm最大横向错位或离差，最好是将底层31a和31b的宽度调整为4mm或更大。

如果底层31a和31b的宽度太大，会出现问题使得底层厚度容易变得不均匀、基板尺寸增加、布线排列麻烦、底层需要大量材料造成成本上升等。根据本发明人的研究，最好是把底层31a和31b的宽度调整为16mm或更小。

考虑到这些情况，形成了厚度为5到22μm、优选8到14μm的底层31a和31b。底层31a和31b的宽度范围从4到16mm，优选7到11mm。

在用这种方式构成的FED中，视频信号被供给电子发射元件22和形成在简单矩阵***中的电子发射元件22。当基于该电子发射元件的亮度在其最高水平时，施加+1,000V的栅极电压。此外，将+10kV施加给荧光屏16。由此，从电子发射元件22发射电子束。从电子发射元件发射的电子束的大小由栅极电极28的电压来调节。这些电子束激励荧光屏16的荧光层发光，从而显示图像。

以下是对以这种方式构成的FED的制造方法的详细描述。

首先，将荧光屏16形成在用作前基板11的平板玻璃上。在此过程中，制备与前基板11具有相同尺寸的平板玻璃，并通过使用绘图机将荧光带图案形成在平板玻璃上。把带有荧光带图案的平板玻璃和用于前基板的平板玻璃放在定位工具上并安放在曝光台上。在这种情况下通过曝光和显影，在平板玻璃上形成荧光屏以用作前基板11。其后，形成与荧光屏16重叠的金属基层17。

随后，将电子发射元件22形成在用于后基板12的平板玻璃上。在这种情况下，首先将传导阴极层24形成在平板玻璃上，再通过热氧化法、CVD法或溅射法将用作二氧化硅膜的介电膜形成在该阴极层上。其后，通过例如溅射法或电子束蒸发法，将诸如钼或铌的用于栅极电极形成的金属膜形成在该介电膜上。然后，通过光刻将对应于待形成的栅极电极的形状的光刻胶图案形成在金属膜上。使用该光刻胶图案作为掩膜，通过湿法刻蚀法或干法刻蚀法通过刻蚀金属膜形成栅极电极28。

其后，利用光刻胶图案和栅极电极28作为掩膜，通过湿法或干法刻蚀方法刻蚀介电膜形成空腔25。在随后除去光刻胶图案之后，通过从与其成给定角度的方向使后基板表面经受电子束蒸发，将例如铝或镍的释放层形成在栅极电极28上。其后，通过电子束蒸发方法，从与其成直角的方向把例如钼的阴极形成材料沉积在后基板表面上。于是，在空腔25中个别地形成电子发射元件22。然后，沿着上面的金属膜，通过卸下法除去该释放层。

随后，通过低熔点玻璃19将侧壁18和支撑构件14密封在后基板12的内表面上。如图7A和7B所示，此后，在侧壁18的密封表面上将银膏丝网印刷为8mm宽和18μm厚，覆盖其整个周边。同样地，在面向侧壁的前基板11的密封表面上将银膏丝网印刷为8mm宽和18μm厚。其后，通过以500℃单独烧结第一和第二基板11和12形成底层31a和31b。通过烧结，银膏在其厚度方向上收缩，于是底层31a和31b的厚度减少到12μm。

于是，如图8A和8B中所示，通过超声波加热，把作为传导的低熔点密封剂的铟以4.4mm宽度和0.3mm厚度加载到第一和第二基板11和12的底层31a和31b上。形成了遍及底层31a和31b的整个周边伸展的框形密封层32。

随后，如图9所示，把一对电极30a和30b附着到密封侧壁18的后基板12。它们以使其有与后基板12弹性啮合的方式进行装配。具体地说，用于电流供给的电极30a和30b装配在后基板12上，后基板12的围缘部分被夹持部分35有弹性地夹住。这样，侧壁18上电极30a和30b的接触部分36与密封层32接触，使得电极与密封层电连接。

电极30a和30b被用作给密封层32供电的电极，并且在基板上需要一对电极，正的和负的。较佳地，应使电流在一对电极之间并联供给的用于密封层的传导路径相同。为此，一对电极30a和30b安装成靠近后基板12的两个对角的相对边角部分，且位于电极之间的密封层的那些部分的各自长度在每个电极的相对侧上基本相等。

在装配了电极30a和30b之后，后基板12和前基板11彼此相对，它们之间有预定空间，在这种情况下，放入真空处理机。例如，在图10中示出的真空处理机100被用作该目的。真空处理机100包括加料室101、烘焙和电子束清洁室102、冷却室103、除气剂膜蒸发室104、装配室105、冷却室106和卸料室107。装配室105与用于电流供给的DC电源120和用于控制电源的计算机122相连。真空处理机100的每一室都构成为允许真空处理的处理室。在FED的制造过程中所有室被抽成真空。这些独立的处理室通过闸门阀(未示出)连接。

设置成如上所述彼此隔开的前基板11和后基板12首先放入加料室101。在加料室101中的气氛降低到真空气氛之后，将基板送入烘焙和电子束清洁室102。在烘焙和电子清洁室102中，各个部件被加热到350℃，并且释放出在每一基板上的表面吸附气体。在此温度，形成密封层32的铟熔化。但由于铟形成在具有高亲和力的底层31a和31b上，它会保持在底层上而不流动，使得能够防止铟从基板向外流动或流向电子发射元件22或荧光屏16。

与此同时，把来自附着到烘焙和电子束清洁室102的电子束发生器(未示出)的电子束施加到前基板11的荧光屏表面和后基板12的电子发射元件表面。在此过程中，用于扫描的电子束被附着到电子束发生器外部的偏转器偏转，于是用该电子束个别地清洁荧光屏表面和电子发射元件的整个表面。

在电子束清洁之后，将前基板11和后基板12输送到冷却室103。在那里将它们冷却到大约120℃之后，把基板送到除气剂膜蒸发室104。在该除气膜蒸发室104中，通过气相沉积将钡膜形成为在金属基层17外部的除气剂膜27。该钡膜表面可防止氧或碳的污染，使得其工作状态得以保持。

随后，将前基板11和后基板12输送到装配室105。如图11所示，分别保持用于保温的加热板131和132，与彼此相对的前基板11和后基板12紧密接触。前基板11的边缘部分被固定夹具133固定，以免它掉下来。前基板11和后基板12被加热板131和132加热到给定的温度。

其后，以所需压力将前基板11和/或后基板12，例如在这种情况下的两块基板，互相面对面地加压。完成该操作之后，把电极30a和30b的各个接触部分36夹在两块基板的各个密封层32之间。于是，使电极同时与基板11和12的密封层32接触。

在这种情况下，如图12中所示，通过一对馈送端子50和一对电极30a和30b，按恒电流模式将140A的DC电流从电源120供给密封层32。完成该操作后，铟在大约15秒内熔化，并且其温度在20秒内上升并超过大约200℃。由于该瞬时温度变化，表面张力和粘度改变，且与底层31a和31b的润湿性变化。此外，在供给电流时，在铟中产生磁场，并且铟要承受由该磁场所引起的朝向其中心的力。在铟熔化之后横截面面积改变。在这些影响下，整体上说，熔化的密封层32的横截面形状随时间而改变并以波动方式流动。但是，由于底层31a和31b具有12μm的足够厚度，所以可制止密封层破裂。在铟熔化之后，通过加压，密封层的宽度增加到6mm，多余的铟通过电极30a和30b的接触部分36流入后基板12的边角区域。

其后，当停止电流供给时，熔化的铟冷却并凝固，前基板11和侧壁18通过密封层32密封在一起，形成真空外壳10。密封的真空外壳10被传送到冷却室206，在那里冷却到常温，并从卸料室207取出。

在上述过程中完成了图像显示装置。在密封后可除去电极30a和30b。

在上述FED及其制造方法中，底层31a和31b由气密性良好且与传导低熔点密封剂具有可润湿性的材料构成，即具有高亲和力的材料。底层可以由除上述银膏之外的任何金属膏构成，诸如金、铝、镍或铜膏。或者，银、金、铝、镍或铜的沉积物、气相沉积膜、溅射膜、玻璃材料层可用来取代金属膏。

除了上述的铟之外，采用的低熔点密封剂可以是从In、Ga、Pb、Sn和Zn构成的组中选择的纯金属或包含从In、Ga、Pb、Sn和Zn构成的组中选择的至少一种金属的合金。特别是，理想的是，使用In金属、Ga金属或包含从In和Ga构成的组中选择的至少一种元素的合金。由于包含In或Ga的低熔点密封剂可与主要由SiO₂构成的玻璃的基板高度润湿，所以它特别适合于其上设有低熔点密封剂的基板由主要由SiO₂组成的玻璃所构成的情况。In金属和包含In的合金是最优选的低熔点密封剂。包含In的合金可例如包括：包含In和Ag的合金、包含In和Sn的合金、包含In和Zn的合金、包含In和Au的合金等。在本实施例的情况下，In是适用于本发明目的的适合材料，它具有杰出的特性，使得其熔点低至156.7℃、其蒸汽压力较低、较软且高度耐冲击、且它在低温时从来不会变得易碎。

采用的低熔点密封剂应当是熔点大约为350℃或更低的低熔点金属材料并且具有高粘附力和高结合能力。如果熔点高于350℃，基板的温度局部上升以应付低熔点密封剂的温度上升，特别是，在边角区域会产生巨大的应力。因此，基板有可能因为电加热而破裂。此外，如果没有产生破裂，也有可能在密封工艺的过程中产生的残余应力会降低密封层32的气密可靠性。如果铟被用作低熔点密封剂，由电加热所产生的温度上升被限制在大约350℃，使得不会产生基板破裂。因此，通过加速可靠性测试有可能证实，作为显示装置的气密可靠性没有问题。

根据上述的FED及其制造方法，形成了具有足够厚度的底层，使得在电加热的过程中能够防止密封层破裂，并能够高效和高可靠性地进行密封。因而，提供了在必定保持吸气剂吸附能力的情况下可获得可靠、满意的图像的FED及其制造方法。

根据依照本发明的FED及其制造方法，通过使用电极可将电流稳定地供给密封剂。此外，通过组合真空处理机中的烘焙和电子束清洁，可充分除去表面吸附的气体。此外，通过在低温进行吸气剂蒸发能够获得具有良好吸附能力的吸气剂膜。通过执行电加热，不必对整个基板进行加热，从而能够防止吸气剂膜的劣化。与此同时，能够将密封时间缩短到小于10分钟，使得给制造方法能够提高大批量生产能力。

本发明并不直接受限于上述实施例，在不背离本发明精神的情况下，可以修改的形式来体现其组件。此外，结合前面的实施例通过适当地组合所描述的多种组件可做成各种发明。例如，可省去一些根据前面的实施例的组件。此外，可按照需要组合根据不同实施例的组件。

例如，在装配室105中进行密封的过程中，可对前基板和后基板分开地供给电流，使得在密封剂熔化之后，可对两块基板以所需压力互相面对面地加压。在这种情况下，每一基板需要按两对排列的四个电极。这些电极独立地附着到后基板12的四个边角。一对电极被用来把电流供给到在后基板12侧的密封层，而另一对电极被用来把电流供给到前基板11侧的密封层。

此外，外壳的侧壁可预先与后基板或前基板进行整体地模制。要理解的是，真空密封外壳的外部形状和支撑构件的配置不限于前面的实施例。可形成矩阵形光屏蔽层和荧光层，使得可将具有十字形横截面的柱形支撑构件放置和密封到光屏蔽层。采用的电子发射元件可以是pn型冷阴极元件或表面传导电子发射元件。尽管已结合前面的实施例描述了在真空气氛中连接基板的过程，本发明也可应用在任何其它环境气氛。本发明不限于FED，而是可应用于任何其它图像显示装置，诸如SED、PDP等，或外壳内部不保持高真空的图像显示装置。

工业适用性

根据本发明，在电加热过程中能够防止密封层的破裂，并且能够高效率和高可靠性地进行密封。因而，提供了在必定保持吸气剂吸附能力的情况下可获得可靠、满意的图像的图像显示装置及其制造方法。

Claims (12)

1.一种图像显示装置，包括彼此相对设置的第一基板和第二基板，它们之间存在间隙；以及在给定位置密封前基板和后基板并限定所述前基板和所述后基板之间的密封空间的密封部分，

所述密封部分具有形成在所述第一基板和所述第二基板中的至少一个基板的内表面上的底层，以及由导电密封剂制成并形成在所述底层上的密封层，所述底层具有5到22μm的厚度。

2.如权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于，所述底层形成为具有4到16mm的宽度。

3.如权利要求2所述的图像显示装置，其特征在于，所述底层的厚度范围从8到14μm。

4.如权利要求1到3的任何一项所述的图像显示装置，其特征在于，底层具有导电性。

5.如权利要求1到3的任何一项所述的图像显示装置，其特征在于，所述底层由包含银、金、铝、镍和铜中的至少一种元素的金属材料构成。

6.如权利要求1到3的任何一项所述的图像显示装置，其特征在于，所述底层包含铅。

7.如权利要求1到3的任何一项所述的图像显示装置，其特征在于，所述密封剂由熔点为350℃或更低的低熔点金属材料构成。

8.如权利要求7所述的图像显示装置，其特征在于，所述低熔点金属材料是铟或含有铟的合金。

9.如权利要求1到3的任何一项所述的图像显示装置，其特征在于，所述密封层的宽度小于所述底层的宽度并且叠加在所述底层上。

10.如权利要求1到3的任何一项所述的图像显示装置，其特征在于，沿着所述第一基板和所述第二基板的各自围缘部分设置所述密封部分。

11.一种制造图像显示装置的方法，所述图像显示装置包括其间有一间隙的彼此相对设置的第一基板和第二基板以及在给定位置密封前基板和后基板并限定所述前基板和所述后基板之间的密封空间的密封部分，所述方法包括：

沿着所述第一基板和所述第二基板中的至少一个的内表面形成厚度为5到22μm的底层；

在所述底层上形成导电密封剂的密封层；以及

将电流供给所述密封层以加热和熔化所述密封层，其中前基板和后基板彼此相对且密封层夹在它们之间，并用熔化的密封剂将所述前基板和所述后基板结合在一起。

12.如权利要求11所述的制造图像显示装置的方法，其特征在于，将宽度小于所述底层宽度的所述密封层叠加在所述底层上后，对所述密封剂供给电流。

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