CN1897316A

CN1897316A - 具有反射层的高亮度发光二极管结构

Info

Publication number: CN1897316A
Application number: CNA2006100942342A
Authority: CN
Inventors: 王会恒; 刘进祥; 林昆泉
Original assignee: QUANXIN PHOTOELECTRIC SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: QUANXIN PHOTOELECTRIC SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date: 2005-07-12
Filing date: 2006-06-27
Publication date: 2007-01-17
Also published as: TWI324400B; US20070012937A1; TW200703723A; US7335924B2

Abstract

本发明提供一种发光二极管结构，其包括：基板，以及在该基板上依序形成的金属层、非合金欧姆接触层与发光结构。该金属层作为反射镜，且由于该金属层由纯金属或金属氮化物所形成，因此其能具有优异的反射性。该非合金欧姆接触层夹在该金属层与该发光结构之间，以达到所需的欧姆接触。为了避免该金属层与该非合金欧姆接触层彼此相混，且为了维持第一金属层反射表面的平坦性，将根据需要的介电层夹在该金属层与该非合金欧姆接触层之间。

Description

具有反射层的高亮度发光二极管结构

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，更特别的是，本发明涉及一种具有反射层的发光二极管，以解决发光二极管基板的吸光问题。

背景技术

图1a是已知发光二极管结构的示意剖面图。如图1a所示，发光二极管100包括：半导体基板103；发光结构102，其位于该半导体基板103上；以及二个欧姆接触电极101、109，其分别形成在发光结构102上以及在基板103的另一面上。

发光结构102通常系由多层的含铝的III-V族化合物半导体层所组成，例如：可发出红外光及红光的AlGaAs，或者可发出黄绿光、黄光及红光的AlGaInP。该基板103的材料通常为砷化镓(GaAs)，而砷化镓的晶格常数可与发光结构102的晶格常数相匹配。由发光结构102所发出的光是射向所有方向(即，同向性)。然而，由于GaAs基板103的能隙能量小于可见光的能量，因此该GaAs基板103会吸收发光结构102所发出大部分的光，而使得发光二极管100的外部量子效率(external quantum efficiency)大幅降低，因此发光二极管100的亮度也会随之降低。

图1b是另一已知发光二极管结构的剖面示意图。如图1b所示，需要对发光二极管100’的部分发光结构102’进行蚀刻，以使电极109’与电极101’皆位于发光二极管100’的同一侧。此外，如图1a所示的发光二极管100的基板103必须具有导电性，以使电极101与电极109之间可导通电流，然而如图1b所示的发光二极管100’的基板103’可具有导电性或不具有导电性。与发光二极管100一样，发光二极管100’也有基板吸光的问题。下文将图1a所示的发光二极管100称为具有垂直电极配置的发光二极管，而将图1b所示的发光二极管100’称为具有平面电极配置的发光二极管。

现已提出多种方法以解决基板吸光的问题。除了将基板上的发光结构夹在上、下两个分布布拉格反射镜(distributed Bragg reflectors，DBRs)之间的习知方法以外，美国专利第4,570,172与5,237,581号揭示与本文图1相似的发光二极管结构。在使用分布布拉格反射镜的情形下，当发光结构所发出的光射向基板时，会被反射回去，因而解决了基板的光吸收问题。然而分布布拉格反射镜仅对垂直进入的入射光有高的反射率，而当光的入射角增加时，其反射率会随之降低。因此，即使使用分布布拉格反射镜，发光二极管的外部量子效率及其亮度的提升仍会受到限制。

美国专利第5,376,580号揭示另两种利用芯片粘贴(wafer bonding)技术的方法。第一种方法为先在GaAs基板上成长发光二极管磊晶结构，然后再利用芯片粘贴技术将该发光二极管磊晶结构接合至一透明基板。第二种方法为先在GaAs基板上成长发光二极管磊晶结构，然后再利用芯片粘贴技术将发光二极管磊晶结构接合至反射镜。上述两种方法皆通过移除会吸光的GaAs基板来提升发光二极管的外部量子效率，其中，第一种方法是利用透明基板来透过光，而第二种方法是利用反射镜来反射光。然而第一种方法中使用透明基板的问题为：芯片粘贴须在高回火温度下进行一段时间，因此会造成其中掺杂物的重新分布，进而降低发光二极管的效能。第二种方法中使用反射镜的问题为：在芯片粘贴过程中直接以反射镜的反射表面来进行接合，因此会造成该反射表面粗糙或变质，而使反射镜的反射表面受到污染。

Horng等人在1999年11月15日发行的应用物理通信(Applied PhysicsLetters)的第20期第75册第3054至3056页的“利用芯片粘贴技术制造具有反射镜基板的AlGaInP发光二极管”中揭示另一技术。该技术是在移除GaAs吸光基板之前，先将具有Au/AuBe反射镜的硅基板粘贴至发光二极管磊晶结构。一般而言，AlGaInP发光二极管中使用的Au/AuBe系与p型材料形成欧姆接触。此处，在应用芯片粘贴技术的发光二极管磊晶结构中，Au/AuBe作为粘合层及金属反射镜。然而由于AuBe合金材料的反射性不佳，因而并无法提升发光二极管的亮度。此外，在合金过程中通常需要较高的回火温度，如此会使反射镜的表面平坦度不佳，进而造成其反射性变差。

美国专利第6,797,987号也揭示一种使用反射金属层的发光二极管，其将例如铟锡氧化物(ITO)层的透明导电氧化物层夹在反射金属层与发光结构之间，以使该反射金属层在芯片粘贴过程中不会与发光结构发生反应。为了增进ITO层与发光结构之间的欧姆接触，美国专利第6,797,987号所揭示的结构在ITO层中形成欧姆接触格子形图案(ohmic contact grid pattern)或信道(channels)，或在ITO层与发光结构之间形成合金金属网目(alloy metal mesh)。由于所揭示的结构的制作过程颇为复杂，因此其制造成本会增加。合金金属网目需利用高温合金工序来制造，且要将合金金属蚀刻成网目的形状其实是相当困难。此外，也需注意合金的厚度。若合金金属层太薄，则合金金属与发光结构之间的欧姆接触将会不佳，但若合金金属层太厚，则芯片粘贴之后的接合力将会不强。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种高亮度发光二极管结构，以避免已知在解决基板吸光问题上的缺点。

本发明的发光二极管结构包括：发光结构，以及在该发光结构上依序形成的非合金欧姆接触层、第一金属层及基板。形成上述发光二极管结构之后，其再经由包括形成电极及其它相关步骤的芯片加工步骤(chip process)来制造成发光二极管芯片。

该基板可具导电性或不具导电性。若使用不具有导电性的基板，则在后续芯片加工步骤中形成的电极须以平面方式配置。若使用具有导电性的基板，则在后续芯片加工步骤中形成的电极可以垂直方式或平面方式配置。若电极系以平面方式配置，则发光二极管结构可在基板与最下层金属层之间根据需要形成的绝缘层，以加强绝缘性质。

本发明发光二极管结构的主要特征为非合金欧姆接触层及第一金属层的联合效果(joint effect)，以解决基板吸光问题。第一金属层作为反射镜，且其材料为具有优异反射性的纯金属或金属氮化物。由于本发明是以纯金属或金属氮化物来取代已知合金反射镜，因此可避免由合金金属或高温回火所造成的反射性不佳问题的发生。非合金欧姆接触层夹在发光结构与第一金属层之间，以获得所需的低电阻导电效应。非合金欧姆接触层的材料可具有光学透明性或光学吸收性。至于光学吸收性非合金欧姆接触层，可沿着其表面根据需要形成多个凹槽，以降低光的吸收并改进注入电流(injection current)的分布。至于光学透明性非合金欧姆接触层，仍可形成多个凹槽，以改进注入电流的分布。

为了防止第一金属层与非合金欧姆接触层及发光结构彼此相混，且为了维持第一金属层的反射表面的平坦性，本发明可在第一金属层与非合金欧姆接触层之间***具有光学透明性及导电性的第一介电层。此外，为了加强基板与第一金属层之间的接合力，可将至少另一层其它金属层夹在第一金属层与基板之间。同样地，为了防止其它金属层与第一金属层彼此相混而造成第一金属层的反射性不佳，本发明可在第一金属层与其它金属层之间***第二介电层。

由本发明的下述详细说明及附图，本发明的前述及其它目的、特征、观点及优点将会更加明了。

附图说明

图1a是已知发光二极管结构的示意剖面图。

图1b是另一已知发光二极管结构的示意剖面图。

图2a是根据本发明第一实施例的发光二极管结构的示意剖面图。

图2b是根据本发明第二实施例的发光二极管结构的示意剖面图。

图2c是根据本发明第三实施例的发光二极管结构的示意剖面图。

图2d是根据本发明第四实施例的发光二极管结构的示意剖面图。

图2e是根据本发明第五实施例的发光二极管结构的示意剖面图。

图2f是根据本发明第六实施例的发光二极管结构的示意剖面图。

图2g～图2i是根据本发明实施例在发光二极管结构上形成电极的示意剖面图。

图3a～3f是显示如图2a所示的发光二极管结构的制作过程的剖面图。

主要组件符号说明

100、100’ 发光二极管

101、101’、109、109’电极

102、102’、202 发光结构

103、103’ 基板

201、209 电极

203 临时成长基板

204 非合金欧姆接触层

2041 凹槽

205 第一金属层

2051 第一介电层

206 第二金属层

2061 第二介电层

207 永久基板

2071 绝缘层

208 第三金属层

具体实施方式

下述说明仅作为实施例之用，而非用来限制本发明的范围、应用或组态。由于下述说明仅为实施本发明的实例，因此可对这些实例的组件作出多种功能及配置的修改及变化而不脱离本发明的精神和范围，且其皆被包括权利要求的范围及其均等者中。

图2a是根据本发明一实施例的发光二极管结构的示意剖面图。如图2a所示，该发光结构202包括发光结构202。该发光结构202包括p-n接面的活性层，其可因导通电流而发光。该发光结构202通常包含但并不限于，多层III-V族化合物半导体层。然而该发光结构202的细节对本发明而言并非关键。为方便起见，图2a～图2i中所有接近发光结构202的方向或位置称为上方或上方位置而相反的方向称为下方或下方位置。

该发光结构202位于第一金属层205上。该第一金属层205作为反射镜，而当由发光结构202所发出的光射向第一金属层205时，该光会被反射回该发光结构202。第一金属层205的材料为纯金属或金属氮化物，例如为Au、Al、Ag、氮化钛(TiNx)或氮化锆(ZrNx)。以纯金属或金属氮化物来取代已知合金反射镜，不但可达到优异的反射效果，同时又可省略高温回火步骤。该非合金欧姆接触层204夹在发光结构202与第一金属层205之间，以获得所需的低电阻导电性。

该非合金欧姆接触层204是但并不限于，光学透明或光学吸收的p型或n型掺杂的半导体层，而其掺杂密度通常系至少1×10¹⁹/cm³。该非合金欧姆接触层204材料的实例包含但并不限于：碳掺杂AlAs、碳掺杂GaP、碳掺杂AlP、碳掺杂AlGaAs、碳掺杂InAlAs、碳掺杂InGaP、碳掺杂InAlP、碳掺杂AlGaP、碳掺杂GaAsP、碳掺杂AlAsP、碳掺杂AlGaInP、碳掺杂AlGaInAs、碳掺杂InGaAsP、碳掺杂AlGaAsP、碳掺杂AlInAsP、碳掺杂InGaAlAsP、镁掺杂AlAs、镁掺杂GaP、镁掺杂AlP、镁掺杂AlGaAs、镁掺杂InAlAs、镁掺杂InGaP、镁掺杂InAlP、镁掺杂AlGaP、镁掺杂GaAsP、镁掺杂AlAsP、镁掺杂AlGaInP、镁掺杂AlGaInAs、镁掺杂InGaAsP、镁掺杂AlGaAsP、镁掺杂AlInAsP、镁掺杂InGaAlAsP、锌掺杂AlAs、锌掺杂GaP、锌掺杂AlP、锌掺杂AlGaAs、锌掺杂InAlAs、锌掺杂InGaP、锌掺杂InAlP、锌掺杂AlGaP、锌掺杂GaAsP、锌掺杂AlAsP、锌掺杂AlGaInP、锌掺杂AlGaInAs、锌掺杂InGaAsP、锌掺杂AlGaAsP、锌掺杂AlInAsP、锌掺杂InGaAlAsP、碳掺杂InP、碳掺杂InAs、碳掺杂GaAs、碳掺杂InAsP、镁掺杂InP、镁掺杂InAs、镁掺杂GaAs、镁掺杂InAsP、碳掺杂InP、锌掺杂InAs、锌掺杂GaAs以及锌掺杂InAsP。值得注意的是，上述掺杂的化合物半导体可具有光学透明性或光学吸收性而其系端视构成该化合物半导体的元素而定。

如图2b所示，在非合金欧姆接触层204沉积之后，可视需要对该非合金欧姆接触层204进行蚀刻，以在其上形成多个凹槽2041。在该非合金欧姆接触层204上形成多个凹槽2041的优点是其有助于控制注入电流(injectioncurrent)的分布。形成多个凹槽2041的另一优点是当该非合金欧姆接触层204由光学吸收材料所形成时，藉由多个凹槽2041的形成可降低光的吸收。蚀刻后通常会曝露出部分的发光结构202。

在另一实施例中，如图2c所示，可将具有光学透明性的导电第一介电层2051插在第一金属层205与非合金欧姆接触层204之间，而***第一介电层2051的目的在于避免第一金属层205与非合金欧姆接触层204及发光结构202之间彼此相混，以维持第一金属层205的反射性及其反射表面的平坦性。该第一介电层2051材料通常为透明的导电氧化物(transparent conductiveoxide，TOC)，其实例包含但并不限于：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌(ZnO)、铝掺杂氧化锌、氧化铟(InO)、氧化镉(CdO)、锡酸镉(CTO)、氧化铜铝(CuAlO)、氧化铜钙(CuCaO)以及氧化锶铜(SrCuO)。

在另一实施例中，如图2d所示，可将第二金属层206夹在基板207与第一金属层205之间。该第二金属层206的材料为纯金属或合金金属，而其在芯片粘贴步骤中用来加强对基板207的粘贴，以形成本发明的发光二极管结构。本发明工序的实例将述于下文。同样地，为了避免第二金属层206与第一金属层205彼此相混，且为了维持第一金属层205的反射性，可将第二介电层2061夹在第一金属层205与第二金属层206之间，如图2e所示。

值得注意的是，当第一金属层205作为反射镜时，第二介电层2061的光学特性无关紧要。此外，若图2e所示的发光二极管结构的电极系以垂直方式配置，则第二介电层2061必须具有导电性，以便在电极之间形成导电通路。若图2e所示的发光二极管结构的电极是以平面方式配置，则第二介电层2061是否具有导电性，将会影响电极中的一者的配置，而其细节将说明如下。

值得注意的是，可将额外的多对介电层及金属层形成在第二金属层206与基板207之间。同样地，额外形成的介电层不需要具有光学透明性及导电性，而额外形成的金属层的材料可为纯金属或合金金属。如上所述的第二介电层2061及其它额外的介电层的材料可为透明的导电氧化物(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌(ZnO)、铝掺杂氧化锌、氧化铟(InO)、氧化镉(CdO)、锡酸镉(CTO)、氧化铜铝(CuAlO)、氧化铜钙(CuCaO)或氧化锶铜(SrCuO))；金属氮化物(例如非光学透明的TiNx、ZrNx)；或绝缘材料(例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx))。图2f系本发明的又一实施例。如图2f所示，在基板207上可形成第三金属层208。第三金属层208的材料可为纯金属或合金金属，而其也可用来增强芯片粘贴作用。细节将述于下文工序实例中。

由于第一金属层205可反射大部分(若不是全部)射向基板207的光，因此该基板207的光学特性并不重要。该基板207可为半导体基板、金属基板或其它适宜基板。该基板207可具有导电性或不具有导电性。具有导电性的基板207的材料实例包含但并不限于：掺杂的Ge、掺杂的Si、掺杂的GaAs、掺杂的GaP、掺杂的InP、掺杂的InAs、掺杂的GaN、掺杂的AlGaAs、掺杂的SiC、掺杂的GaAsP、Mo、Cu以及Al。不具有导电性的基板207’的材料实例包含但并不限于：Ge、Si、GaAs、GaP、InP、InAs、GaN、AlN、AlGaAs、SiC、GaAsP、蓝宝石、玻璃、石英以及陶瓷。

如图2g所示，若该基板207具有导电性，则可在后续芯片加工步骤中以垂直方式配置电极201、209。若该基板207不具有导电性，则这些电极必须以平面方式配置。如图2h所示，对图2f所示的发光二极管结构的一部份向下进行蚀刻，直达到一适当深度而曝露出位于非合金欧姆接触层204与基板207之间的金属层中的一者。在此实施例中，即为对发光二极管结构的一部份进行蚀刻，直至曝露出部分第一金属层205。然后分别在发光结构202及第一金属层205曝露出的区域上形成电极201及209。值得注意的是，若有多层金属层形成，则只要电极201及209之间可导通电流，对发光二极管结构向下进行蚀刻的深度并无特别限制。例如在图2i中，对发光二极管结构进行蚀刻直至曝露出部分第二金属层206。如上所述，第二介电层是否具有导电性将会影响平面配置电极中的一者的配置。因此，为了使图2i中平面配置的电极201及209运转，第二介电层2061必须具有导电性。另一方面，由于图2h中的第二介电层2061并不在电极201及209之间的导电通路上，因此第二介电层2061可不具有导电性。

若基板207具有导电性，则电极201及209仍可以图2i所示的平面方式配置。同样地，对发光二极管结构进行蚀刻直至曝露出部分第二金属层206。然后分别在发光结构202及第二金属层206曝露出的区域上形成电极201及209。值得注意的是，由于基板207具有导电性，因此将绝缘层2071直接置于基板207上，且使该绝缘层2071位于最下层金属层的下。该绝缘层2071的材料可为SiNx或SiOx。值得注意的是，若第二介电层2061与其它介电层中的至少一者不具有导电性，则可不需绝缘层2071。然而由于介电层通常无法提供所需的绝缘功能，因此仍需形成绝缘层2071。为了达到更佳的绝缘功能，在图2h所示的不具导电性的基板207上可形成有绝缘层2071。

图3a～图3f图是图2g所示的结构的制作过程的剖面示意图。如图3a所示，首先提供一临时成长基板203，接着在该临时成长基板203上成长多层半导体层作为发光结构202。对基板203的主要考量是其如何使发光结构202的发光效率提高。例如，由于GaAs可与发光结构202的晶格相匹配，因此基板203的材料可采用GaAs。

接着，如图3b所示，利用磊晶成长法、真空蒸发法、沉积法、溅镀法或电镀法在发光结构202上形成非合金欧姆接触层204。可在发光结构202成长之后，立即于同一反应器内进行非合金欧姆接触层204的沉积。在另一实施例中，先制备包含发光结构202与基板203的磊晶结构，并予以储存。然后需要时再将非合金欧姆接触层204形成在储存的磊晶结构上。为了通过非合金欧姆接触层204来增进注入电流的分布及/或降低光的吸收，对该非合金欧姆接触层204的表面进行蚀刻，以在其上形成多个凹槽2041。

接着，如图3c所示，利用真空蒸发法、沉积法、溅镀法或电镀法在非合金欧姆接触层204上依序形成第一介电层2051、第一金属层205、第二介电层2061及第二金属层206。

接着，如图3d所示，提供一导电永久基板207，利用真空蒸发法、沉积法、溅镀法或电镀法在该永久基板207上形成第三金属层208。

接着，使图3c所示的结构的第二金属层206与图3d所示的结构的第三金属层208彼此贴合，并利用芯片粘贴技术将两个结构接合在一起。值得注意的是，在芯片粘贴步骤中，金属层206与208系作为粘合剂，如此可简化芯片粘贴步骤，并可明显降低回火温度且缩短操作时间。此外，第三金属层208也提供永久基板207所需的欧姆接触。

与已知利用芯片粘贴技术将反射镜接合至发光结构的技术相较，本发明在芯片粘贴步骤之前，先在真空下将作为反射镜的第一金属层205直接形成在发光结构上，因此在芯片粘贴步骤中反射镜的反射表面并不会直接参与接触面的接合。本发明反射镜的反射表面因不参与反应而不会受到污染，因此其反射表面不会变得粗糙。与利用已知技术所形成的反射镜相较，本发明的第一金属层205能具有极佳的反射性。

然后可将临时成长基板203移除。因为临时成长基板203是在发光结构202与永久基板207接合之后，再予以移除，所以因发光结构202太薄而不易处理的问题可获得解决。至此，已完成本发明的发光二极管结构。接着，通过已知的芯片加工步骤将本发明的发光二极管结构制造成芯片。如图3f所示，芯片加工步骤包括将两层金属膜分别形成在发光二极管结构的顶面及底面作为电极209与201。

值得注意的是，可利用实质上相同的方法来形成图2h或图2i所示的发光二极管结构。首先须适当地确定如图3d所示的永久基板207的电性。其次，在形成电极之前，对部分发光二极管结构进行蚀刻，即从其发光结构202向下蚀刻直至曝露出金属层中的一者。接着，在发光结构202与曝露出的金属层上分别形成电极201与209。

对所有熟习此领域的技术人员而言，本发明明显地可以作出多种修改及变化而不脱离本发明的精神和范围。因此，本发明包括这些修改及变化，且其皆被包括在权利要求的范围及其均等者中。

Claims

1.一种发光二极管结构，包括：

基板；

第一金属层，位于该基板上，且其材料是纯金属或金属氮化物；

非合金欧姆接触层，位于该第一金属层上；以及

发光结构，位于该非合金欧姆接触层上，而当电流通过该发光二极管结构时，该发光结构就会发光。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该第一金属层的材料是选自Au、Al、Ag、TiNx以及ZrNx所成组群。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包括具有光学透明性的导电第一介电层，其位于该第一金属层与该非合金欧姆接触层之间。

4.如权利要求3所述的发光二极管结构，其中，该第一介电层的材料是透明导电氧化物。

5.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中，该第一介电层的材料选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化铟、氧化镉、锡酸镉、氧化铜铝、氧化铜钙以及氧化锶铜所成组群。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包括第二金属层，其位于该第一金属层与该基板之间。

7.如权利要求6所述的发光二极管结构，其中，该第二金属层的材料是纯金属或合金金属。

8.如权利要求6所述的发光二极管结构，更包括第二介电层，其位于该第一金属层与该第二金属层之间。

9.如权利要求8所述的发光二极管结构，其中，该第二介电层的材料选自透明导电氧化物、金属氮化物以及绝缘材料所成组群。

10.如权利要求9项所述的发光二极管结构，其中，该第二介电层的材料选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化铟、氧化镉、锡酸镉、氧化铜铝、氧化铜钙、氧化锶铜、TiNx、ZrNx、SiNx以及SiOx所成组群。

11.如权利要求6所述的发光二极管结构，还包括第三金属层，其位于该第二金属层与该基板之间。

12.如权利要求11所述的发光二极管结构，其中，该第三金属层的材料是纯金属或合金金属。

13.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该非合金欧姆接触层是掺杂半导体层。

14.如权利要求13所述的发光二极管结构，其中，该非合金欧姆接触层的材料选自碳掺杂AlAs、碳掺杂GaP、碳掺杂AlP、碳掺杂AlGaAs、碳掺杂InAlAs、碳掺杂InGaP、碳掺杂InAlP、碳掺杂AlGaP、碳掺杂GaAsP、碳掺杂AlAsP、碳掺杂AlGaInP、碳掺杂AlGaInAs、碳掺杂InGaAsP、碳掺杂AlGaAsP、碳掺杂AlInAsP、碳掺杂InGaAlAsP、镁掺杂AlAs、镁掺杂GaP、镁掺杂AlP、镁掺杂AlGaAs、镁掺杂InAlAs、镁掺杂InGaP、镁掺杂InAlP、镁掺杂AlGaP、镁掺杂GaAsP、镁掺杂AlAsP、镁掺杂AlGaInP、镁掺杂AlGaInAs、镁掺杂InGaAsP、镁掺杂AlGaAsP、镁掺杂AlInAsP、镁掺杂InGaAlAsP、锌掺杂AlAs、锌掺杂GaP、锌掺杂AlP、锌掺杂AlGaAs、锌掺杂InAlAs、锌掺杂InGaP、锌掺杂InAlP、锌掺杂AlGaP、锌掺杂GaAsP、锌掺杂AlAsP、锌掺杂AlGaInP、锌掺杂AlGaInAs、锌掺杂InGaAsP、锌掺杂AlGaAsP、锌掺杂AlInAsP、锌掺杂InGaAlAsP、碳掺杂InP、碳掺杂InAs、碳掺杂GaAs、碳掺杂InAsP、镁掺杂InP、镁掺杂InAs、镁掺杂GaAs、镁掺杂InAsP、碳掺杂InP、锌掺杂InAs、锌掺杂GaAs以及锌掺杂InAsP所成组群。

15.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该非合金欧姆接触层的表面上形成有复数个凹槽。

16.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该基板是导电性基板。

17.如权利要求16所述的发光二极管结构，其中，该基板的材料是选自掺杂的Ge、掺杂的Si、掺杂的GaAs、掺杂的GaP、掺杂的InP、掺杂的InAs、掺杂的GaN、掺杂的AlGaAs、掺杂的SiC、掺杂的GaAsP、Mo、Cu以及Al所成组群。

18.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，若该发光二极管结构的复数个电极是以平面方式配置，则该发光二极管结构还包括绝缘层，其位于该基板表面上。

19.如权利要求18所述的发光二极管结构，其中，该绝缘层的材料是SiNx或SiOx。

20.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中，该基板是非导电性基板。

21.如权利要求20所述的发光二极管结构，其中，该基板的材料选自Ge、Si、GaAs、GaP、InP、InAs、GaN、AlN、AlGaAs、SiC、GaAsP、蓝宝石、玻璃、石英以及陶瓷所成组群。