CN1889811A - 一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺，即对完成图形电镀及抗蚀刻层后的PCB进行深度钻孔，然后对深度钻孔后的PCB进行碱性蚀刻，最后去除电镀的抗蚀刻层。在PCB深度钻孔过程中，使用本发明工艺，可以降低深度钻孔***对对准准度的要求，即使不贯孔(1)直径与贯孔(2)直径相差很小，如在6mil－8mil之间，也可较彻底的去除孔壁铜，降低因不贯孔孔壁残留铜对PCB功能造成的影响。

Description

一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺

技术领域

本发明属于印刷电路板(PCB)制造技术领域，涉及一种深度钻孔的辅助工艺，具体是深度钻孔中辅助去除孔壁铜的工艺。

背景技术

所谓PCB深度钻孔，即通过机械钻孔的方式将一个贯孔2钻成由一部分贯孔2与一部分不贯孔1组成的孔，不贯孔1的深度通常控制在某两个相邻内层之间，且深度精度要求控制在±5mil(千分之一寸)(如图1所示，其中：L1……Ln代表第几层)。深度钻孔的主要目的是将已经金属化的孔内铜用钻孔的方式去掉一段。

钻孔过程中，当不贯孔1的直径与贯孔2的直径相差很多时，现有目前工艺为：首先对PCB进行图形电镀，即先对PCB进行两次镀铜及图形电镀抗蚀刻层5(如图2、图3所示)，然后进行碱性蚀刻(如图4所示)，碱性蚀刻后再将抗蚀刻层5去除，再通过钻针7进行深度钻孔(如图5所示)，完成钻孔(如图6所示)。

一般情况下，不贯孔1的轴线与贯孔2的轴线不同轴时，在钻针7进行深度钻孔时无法彻底钻除孔壁的铜3(如图8、图9所示)，但是如果可以控制钻针7的直径在一定范围内，还是可以钻掉不贯孔1的孔壁的铜3。可是很多情况下，不贯孔1的直径是受限制的，主要受限于孔壁到最近线路的距离8，即Drill to metal(D2M)值，即钻不贯孔1时钻针7直径受不贯孔1直径的限制(如图7所示)，D2M必须保证一定距离，否则在不贯孔钻孔准度不高的情况下，在层与层发生偏移，极易导致钻不贯孔1时钻到线路9上，造成对PCB功能影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种在不贯孔1直径与贯孔2直径相差很小时，如6mil≤不贯孔1与贯孔2的直径差＜8mil时，可以降低深度钻孔***对对准准度的要求，在深度钻孔中辅助去除孔壁的铜的工艺。

本发明的技术方案如下：

一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺：对完成图形电镀以及抗蚀刻层后的PCB进行深度钻孔，然后对深度钻孔后的PCB进行碱性蚀刻，最后去除电镀的抗蚀刻层；

进一步地，PCB进行图形电镀及抗蚀刻层过程中，不贯孔一侧预留钻孔的孔环直径小于贯孔一侧孔环直径；

进一步地，对PCB进行深度钻孔时不贯孔的孔深度，较碱性蚀刻完成后再进行深度钻孔工艺中深度钻孔时不贯孔的深度浅。

在对PCB进行深度钻孔时，不贯孔1直径与贯孔2直径相差不是很大时，如6mil≤不贯孔1与贯孔2的直径差＜8mil，使用本发明可以降低深度钻孔***对对准准度的要求，钻孔时对位的精度至少可以放宽±1mil，且可有效清除不贯孔2孔壁的残留铜3，降低因不贯孔孔壁的残留的铜对PCB功能影响。当不贯孔1比贯孔2直径差≥8mil时，本发明还同样也可使用。

本发明具有如下优点：有效防止两次钻孔中贯孔与不贯孔轴线不重合时不贯孔孔壁的残留的铜不能完全钻除的缺点，可以有效的清除钻孔后不贯孔孔壁的残留的铜，避免孔壁的残留的铜对PCB功能信号的影响。

附图说明：

图1为PCB深度钻孔后贯孔与不贯孔剖面示意图

图2为已镀过一次铜的孔剖面示意图

图3为已镀过两次铜且具有抗蚀刻层的孔剖面示意图

图4为已碱性蚀刻和去处抗蚀刻层后的孔剖面示意图

图5为已碱性蚀刻和去处抗蚀刻层后的孔进行深度钻孔剖面示意图

图6为已深度钻孔后贯孔与不贯孔剖面示意图

图7为不贯孔孔壁到最近线路距离示意图

图8为已镀过两次铜且具有抗蚀刻层孔的正进行深度钻孔的孔剖面示意图(贯孔与不贯孔轴线偏移)

图9为已镀过两次铜且具有抗蚀刻层孔的正进行深度钻孔的孔剖面示意图(贯孔与不贯孔轴线相交)

图10为已深度钻孔并蚀刻后的不贯孔，利用碱性蚀刻去除孔内残留的铜的孔剖面示意图

1-不贯孔                            2-不贯孔

3-铜                                5-抗蚀刻层

6-孔环                              7-钻针

8-孔壁到线路的距离                  9-线路

具体实施方式

下面结合附图2、3、8、9、10及实施例对本发明作进一步说明。

深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺，当不贯孔1直径与贯孔2直径相差不是很大时，如6mil≤不贯孔1与贯孔2的直径差＜8mil，首先对PCB进行图形电镀，即对PCB进行了两次镀铜后，再图形电镀抗蚀刻层5，并预留深度钻孔时钻孔的位置——孔环6；如图2、图3所示，其中不贯孔1一侧的孔环6直径较贯孔2一侧的孔环6直径小；如图8、9所示，依此保证钻针7钻孔过程可以更有效的钻除需要去掉孔壁的铜3，然后对图形电镀抗蚀刻层后的PCB进行深度钻孔，最后，如图10所示，对深度钻孔后的PCB进行碱性蚀刻，更进一步的清除孔壁在深度钻孔后没有钻除的残留的铜3，最后将抗蚀刻层5去除。

其中，当贯孔2与不贯孔1轴线平行或贯孔2与不贯孔1轴线相交，本发明均可有效的清除钻孔后孔壁残留的铜3，从而，大大降低了深度钻孔***对对准准度的要求，使钻孔时对位的精度至少可以放宽±1mil。

另外，由于将深度钻孔的时机由碱性蚀刻完成后提前至图形电镀完成后碱性蚀刻前进行，因碱性蚀刻会作用不贯孔1中未钻到的孔壁残留铜3，所以不贯孔1钻孔的深度较碱性蚀刻完成后再进行深度钻孔工艺中深度钻孔时不贯孔的钻孔深度浅。

Claims (3)

1、一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺，其特征在于：对完成图形电镀以及抗蚀刻层后的PCB进行深度钻孔，然后对深度钻孔后的PCB进行碱性蚀刻，最后去除电镀的抗蚀刻层。

2、根据权利要求1所述的一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺，其特征在于：PCB进行图形电镀以及抗蚀刻层过程中，不贯孔一侧预留钻孔的孔环直径小于贯孔一侧孔环直径。

3、根据权利要求1或2所述的一种深度钻孔中辅助去除孔壁铜工艺，其特征在于：对PCB进行深度钻孔时不贯孔的孔深度，较碱性蚀刻完成后再进行深度钻孔工艺中深度钻孔时不贯孔的深度浅。

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