CN1831786A - 闪速存储器数据完整性保护方法 - Google Patents

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Abstract

一种闪速存储器数据完整性保护方法，包括以下过程：数据写操作：计算待写入数据的校验和，并将数据及其校验和写入存储区中的空白的区域；再找备份存储区相应位置，写入上述带有校验和的数据；数据擦除操作：先擦除主存储区一块数据，再擦除备份存储区相应位置的一块数据；数据完整性检测及恢复：读取和校验主存储区的数据，若主存储区数据已损坏，则读取和校验备份存储区相应位置的存储块数据，并用备份存储区的有效数据覆盖主存储区已损坏数据。本发明闪速存储器若在操作数据记录时发生特殊情况，主存储区内数据损坏，通过备份数据相应位置数据的覆盖，主存储区即可恢复到未发生特殊情况前的数据状态，使数据存储安全可靠。

Description

闪速存储器数据完整性保护方法
技术领域
本发明涉及数据存储，尤其涉及一种闪速存储器数据完整性保护方法。
背景技术
闪速存储器是一种高密度、低成本、非易失性、可重复写入的半导体存储器，其内部数据存储区被分为相同大小的许多存储块，对闪速存储器的写操作必须在空白的区域进行，擦除操作必须按存储块进行的，也就是说对于一个已经写入数据的区域如果要想再次写入数据，必须先将此区域所在块擦除，然后写入相关数据才能写入成功。闪速存储器数据记录写操作和擦除操作速度相对较慢，其在进行擦除操作和写操作时，异常掉电可能会使整个存储块的数据失效。
通常解决的办法是使用一块备用电池，长期带电，在异常掉电时，备用电池可以继续供电保证对数据记录的正常完成。但是，此方法有其不足之处，首先，增加备用电池，不仅增加了硬件电路设计的复杂程度，而且增加了成本；其次备用电池有一定的使用寿命；此外，一些特殊环境下无法保证电池一直有电，在这种情况下则仍会发生异常掉电，使整个存储块内数据失效。
因此，现有技术中数据存储功能的安全可靠性较低。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种安全可靠的闪速存储器数据完整性保护方法。
本发明实现上述目的的方案是：这种闪速存储器数据完整性保护方法，其特征在于：包括以下过程：
数据写操作：计算待写入数据的校验和，并将数据及其校验和写入存储区中的空白的区域；再找备份存储区相应位置，写入上述带有校验和的数据；
数据擦除操作：先擦除主存储区一块数据，再擦除备份存储区相应位置的一块数据；
数据完整性检测及恢复：读取和校验主存储区的数据，若主存储区数据已损坏，则读取和校验备份存储区相应位置的存储块数据，并用备份存储区的有效数据覆盖主存储区已损坏数据。主存储区和备份存储区内数据通过校验数据校验和验证，
若校验和验证正确，则为有效数据；
若校验和验证失败，则为已损坏数据。
主存储区和备份存储区数据存储空间大小相同。
本发明的有益效果是：在本发明中，闪速存储器设置有主存储区和备份存储区，进行数据的写操作或擦除操作时，首先在主存储区进行，操作完成后，再在备份存储区相应位置进行数据的备份，如此，若在闪速存储器进行写操作和擦除操作时发生特殊情况，如异常断电，而使主存储区的数据损坏，即可以在通电后进行数据完整性检测及恢复，将备份存储区相同位置的有效数据覆盖主存储区已损坏数据，使闪速存储器的数据恢复到断电之前的状态，避免数据丢失，安全可靠的进行数据的存储。
在本发明中，主存储区和备份存储区的存储块数据通过检测数据校验和验证，即对一段数据计算产生一个值，通过这个值检验原始的数据是否发生变化，且这个值和原始数据一起保存，以此检测存储块数据的有效性，进一步提高了数据存储的安全可靠性。
附图说明
图1为本发明数据写操作的流程示意图；
图2为本发明数据擦除操作的流程示意图；
图3为本发明数据完整性检测及恢复的流程示意图；
具体实施方式
下面对照附图并结合实施例对本发明作进一步详细说明：
本发明闪速存储器设置主存储区和备份存储区，其中主存储区和备份存储区分别具有一个或多个存储块，闪速存储器数据的写操作和擦除操作按存储块进行。
主存储区和备份存储区内存储块数据通过检测数据校验和验证，若校验和验证正确，则为有效数据；若校验和验证失败，则为已损坏数据。所述校验和是对一段数据计算产生一个值，通过这个值可以检验原始的数据是否发生变化，这个值和原始数据一起保存。
图1所示为新数据记录写操作过程，具体为：在主存储区找一个空白的区域，计算待写入数据的校验和，并将数据及其校验和写入该空白的区域；再找备份存储区相应位置，写入上述带有校验和的数据。
图2所示为存储块数据记录擦除操作过程，具体为：先擦除主存储区一块数据，再擦除备份存储区相应位置的一块数据。
图3所示为闪速存储器数据完整性检测及恢复过程，具体为：首先程序从主存储区起始位置读取一条数据；验证此条数据的校验和，若校验和验证正确，按主存储区数据位置读取并验证下一条数据，直至读取和校验主存储区最后一条数据；若校验和验证失败，则数据已损坏，读取备份存储区内相应位置的数据；验证备份存储区相应位置数据的校验和，若校验和验证正确，则用备份存储区的数据覆盖主存储区已损坏数据记录，若校验和验证失败，则数据记录和数据记录为无效数据，返回进行主存储区数据记录的。重复上述过程，直至主存储区最后一条数据检测结束，则完成主存储区数据记录的完整性检测和恢复。

Claims (3)

1.一种闪速存储器数据完整性保护方法，其特征在于：包括以下过程：数据写操作：计算待写入数据的校验和，并将数据及其校验和写入存储区中的空白的区域；再找备份存储区相应位置，写入上述带有校验和的数据；
数据擦除操作：先擦除主存储区一块数据，再擦除备份存储区相应位置的一块数据；
数据完整性检测及恢复：读取和校验主存储区的数据，若主存储区数据已损坏，则读取和校验备份存储区相应位置的存储块数据，并用备份存储区的有效数据覆盖主存储区已损坏数据。
2.根据权利要求1所述的闪速存储器数据完整性保护方法，其特征在于：所述主存储区和备份存储区内数据通过校验数据校验和验证，
若校验和验证正确，则为有效数据；
若校验和验证失败，则为已损坏数据。
3.根据权利要求2所述的闪速存储器数据完整性保护方法，其特征在于：所述主存储区和备份存储区数据存储空间大小相同。
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100462944C (zh) * 2007-03-07 2009-02-18 北京飞天诚信科技有限公司 基于非易失性存储器两个以上连续逻辑块的掉电保护方法
WO2009033397A1 (fr) * 2007-09-07 2009-03-19 Artek Microelectronics Co., Ltd. Procédé pour accéder à des données dans une mémoire flash et contrôleur d'accès à des données
CN101154447B (zh) * 2006-09-28 2010-08-18 北京握奇数据***有限公司 一种闪存控制方法及闪存
CN101452409B (zh) * 2007-12-04 2010-10-13 无锡江南计算技术研究所 数据校验冗余方法及装置
CN101894137A (zh) * 2010-06-23 2010-11-24 中兴通讯股份有限公司 嵌入式数据库中数据恢复的方法和装置
WO2010139245A1 (zh) * 2009-06-02 2010-12-09 中兴通讯股份有限公司 一种读写存储卡的方法及装置
CN101430705B (zh) * 2008-11-29 2011-01-19 中兴通讯股份有限公司 基于嵌入式数据库的存储方法和装置
CN101515259B (zh) * 2009-03-26 2011-05-25 浙江大华技术股份有限公司 一种嵌入式设备配置数据保护方法
CN101635020B (zh) * 2008-07-25 2011-12-07 联想(北京)有限公司 数据擦除方法和数据存储装置
CN101782875B (zh) * 2010-01-29 2012-01-04 成都市华为赛门铁克科技有限公司 存储设备和数据存储方法
CN102411523A (zh) * 2011-11-30 2012-04-11 广东威创视讯科技股份有限公司 文件备份存储方法、装置及其文件***备份方法
CN101589399B (zh) * 2006-09-27 2012-11-14 信托逻辑流动有限公司 用于保护数据的***和方法
CN103092727A (zh) * 2013-01-18 2013-05-08 大唐移动通信设备有限公司 Flash存储介质上的数据纠错方法和装置
CN102103834B (zh) * 2009-12-22 2013-10-02 上海天马微电子有限公司 驱动电路的数据维持方法和装置
CN103608866A (zh) * 2013-03-15 2014-02-26 华为技术有限公司 用于闪存存储器的数据擦除方法及装置
CN104424051A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 北京谊安医疗***股份有限公司 呼吸机、呼吸机日志文件的读写方法和读写装置
CN105912418A (zh) * 2016-04-25 2016-08-31 湖南省湘电试验研究院有限公司 一种基于crc校验方式的配电安全芯片掉电保护方法
CN106227625A (zh) * 2016-09-05 2016-12-14 深圳震有科技股份有限公司 一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及***
CN106325773A (zh) * 2016-08-23 2017-01-11 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种存储***数据的一致性保障方法、***及缓存装置
CN107729769A (zh) * 2017-09-27 2018-02-23 深信服科技股份有限公司 数据完整性保护方法、设备、***及可读存储介质
CN107808686A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 北京忆恒创源科技有限公司 读出错测试方法与装置
CN108228380A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 广州周立功单片机科技有限公司 关键数据安全冗余存储算法
CN110348245A (zh) * 2018-04-02 2019-10-18 深信服科技股份有限公司 基于nvm的数据完整性保护方法、***、装置及存储介质
CN111159781A (zh) * 2019-12-31 2020-05-15 海光信息技术有限公司 存储装置数据完整性保护方法及其控制器、片上***
CN112527566A (zh) * 2020-12-24 2021-03-19 广东芬尼科技股份有限公司 设备掉电运行参数读写异常保护方法、***和存储介质

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4701618B2 (ja) * 2004-02-23 2011-06-15 ソニー株式会社 情報処理装置及び情報処理方法、並びにコンピュータ・プログラム

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101589399B (zh) * 2006-09-27 2012-11-14 信托逻辑流动有限公司 用于保护数据的***和方法
CN101154447B (zh) * 2006-09-28 2010-08-18 北京握奇数据***有限公司 一种闪存控制方法及闪存
CN100462944C (zh) * 2007-03-07 2009-02-18 北京飞天诚信科技有限公司 基于非易失性存储器两个以上连续逻辑块的掉电保护方法
WO2009033397A1 (fr) * 2007-09-07 2009-03-19 Artek Microelectronics Co., Ltd. Procédé pour accéder à des données dans une mémoire flash et contrôleur d'accès à des données
US8234541B2 (en) 2007-09-07 2012-07-31 Artek Microelectronics Co., Ltd. Method and controller for data access in a flash memory
CN101452409B (zh) * 2007-12-04 2010-10-13 无锡江南计算技术研究所 数据校验冗余方法及装置
CN101635020B (zh) * 2008-07-25 2011-12-07 联想(北京)有限公司 数据擦除方法和数据存储装置
CN101430705B (zh) * 2008-11-29 2011-01-19 中兴通讯股份有限公司 基于嵌入式数据库的存储方法和装置
CN101515259B (zh) * 2009-03-26 2011-05-25 浙江大华技术股份有限公司 一种嵌入式设备配置数据保护方法
WO2010139245A1 (zh) * 2009-06-02 2010-12-09 中兴通讯股份有限公司 一种读写存储卡的方法及装置
US8775866B2 (en) 2009-06-02 2014-07-08 Zte Corporation Method and device for reading and writing a memory card
CN102103834B (zh) * 2009-12-22 2013-10-02 上海天马微电子有限公司 驱动电路的数据维持方法和装置
CN101782875B (zh) * 2010-01-29 2012-01-04 成都市华为赛门铁克科技有限公司 存储设备和数据存储方法
CN101894137A (zh) * 2010-06-23 2010-11-24 中兴通讯股份有限公司 嵌入式数据库中数据恢复的方法和装置
CN102411523A (zh) * 2011-11-30 2012-04-11 广东威创视讯科技股份有限公司 文件备份存储方法、装置及其文件***备份方法
CN102411523B (zh) * 2011-11-30 2014-08-20 广东威创视讯科技股份有限公司 文件备份存储方法、装置及其文件***备份方法
CN103092727A (zh) * 2013-01-18 2013-05-08 大唐移动通信设备有限公司 Flash存储介质上的数据纠错方法和装置
CN103092727B (zh) * 2013-01-18 2015-08-26 大唐移动通信设备有限公司 Flash存储介质上的数据纠错方法和装置
WO2014139184A1 (zh) * 2013-03-15 2014-09-18 华为技术有限公司 用于闪存存储器的数据擦除方法及装置
US9823878B2 (en) 2013-03-15 2017-11-21 Huawei Technologies Co., Ltd. Method and apparatus for erasing data in flash memory
CN103608866A (zh) * 2013-03-15 2014-02-26 华为技术有限公司 用于闪存存储器的数据擦除方法及装置
US10007468B2 (en) 2013-03-15 2018-06-26 Huawei Technologies Co., Ltd. Method and apparatus for erasing data in data section in flash memory
CN104424051A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 北京谊安医疗***股份有限公司 呼吸机、呼吸机日志文件的读写方法和读写装置
CN105912418A (zh) * 2016-04-25 2016-08-31 湖南省湘电试验研究院有限公司 一种基于crc校验方式的配电安全芯片掉电保护方法
CN106325773A (zh) * 2016-08-23 2017-01-11 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种存储***数据的一致性保障方法、***及缓存装置
CN106325773B (zh) * 2016-08-23 2019-05-28 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种存储***数据的一致性保障方法、***及缓存装置
CN106227625A (zh) * 2016-09-05 2016-12-14 深圳震有科技股份有限公司 一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及***
CN106227625B (zh) * 2016-09-05 2019-08-20 深圳震有科技股份有限公司 一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及***
CN107808686A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 北京忆恒创源科技有限公司 读出错测试方法与装置
CN108228380A (zh) * 2016-12-22 2018-06-29 广州周立功单片机科技有限公司 关键数据安全冗余存储算法
CN107729769A (zh) * 2017-09-27 2018-02-23 深信服科技股份有限公司 数据完整性保护方法、设备、***及可读存储介质
CN110348245A (zh) * 2018-04-02 2019-10-18 深信服科技股份有限公司 基于nvm的数据完整性保护方法、***、装置及存储介质
CN111159781A (zh) * 2019-12-31 2020-05-15 海光信息技术有限公司 存储装置数据完整性保护方法及其控制器、片上***
CN111159781B (zh) * 2019-12-31 2023-09-26 海光云芯集成电路设计(上海)有限公司 存储装置数据完整性保护方法及其控制器、片上***
CN112527566A (zh) * 2020-12-24 2021-03-19 广东芬尼科技股份有限公司 设备掉电运行参数读写异常保护方法、***和存储介质
CN112527566B (zh) * 2020-12-24 2023-11-21 广东芬尼科技股份有限公司 设备掉电运行参数读写异常保护方法、***和存储介质

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