CN1820412B - 吸收式微波单刀单掷开关 - Google Patents
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
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- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45466—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC being controlled, e.g. by a signal derived from a non specified place in the dif amp circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45638—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more coils
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Abstract
一种开关电路，包括第一差分放大器对(Q1，Q2)，用于提供一部分隔离通道；第二差分放大器对(Q3，Q4)，用于提供一部分传输通道；和第三差分放大器对(Q5，Q6)，用于提供用来选择传输通道或隔离通道的控制偏置。所述开关电路在15GHz-26GHz范围上在输入和输出之间提供35dB隔离，仍仅为500μ×250μ的大小。
Description
技术领域
本发明涉及微波开关，具体地说，涉及吸收式微波开关(absorptivemicrowave switch)。
背景技术
吸收式开关对于***设计者是有吸引力的部件，作为输入，且理想的是作为输出，开关的反射系数保持恒定，而与开关的状态无关。这减少了开关对诸如信号源的频率牵引的***参数的影响，或者其他瞬时效应的引入，其在基于很短间隔时间的***中可能是有问题的。
吸收式开关的一个缺陷在于：在将开关选择为处于非传输或隔离状态时，不得不将假(dummy)或附加的负载引入要出现在输入网络的电路中，以吸收任何入射能。该假负载占用了集成电路(IC)设计中的宝贵的电路板空间，这直接转化为增加的电路成本和降低的成品率。
因此，目前存在对一种不利用假负载的吸收式开关的需求。
发明内容
本发明的实施例包括：一种开关电路，其包括第一差分放大器对，用于提供一部分隔离通道，第二差分放大器对，用于提供一部分传输通道，和第三差分放大器对，用于提供用来选择传输通道或隔离通道(isolation channel)的控制偏置。
本发明的实施例还包括：一种用于在电路的输入和输出之间提供隔离的方法，包括步骤：提供包括至少一个第一差分放大器对的第一通道，所述第一通道提供在电路的输入和输出之间的隔离，提供包括至少一个第二差分放大器对的第二通道，所述第二通道提供在电路的输入和输出之间的耦合，以及提供用于选择第一通道或第二通道之一的控制偏置。
附图说明
图1示出了根据本发明的示例性实施例的开关电路。
图2示出了实现为集成电路的图1的开关电路。
图3(a)是示出了在隔离和传输两个状态下图1的开关电路的输入反射系数的频率相对于分贝(dB)响应的曲线图。
图3(b)是示出了当开关电路交替处于隔离和“传输”状态下时图1的开关电路的传输特性的频率相对于分贝(dB)响应的曲线图。
具体实施方式
本发明的实施例包括吸收式微波开关电路，其在15千兆赫兹(GHz)至26GHz的范围上在输入和输出之间提供35分贝(dB)的隔离，仍仅为500微米(μm)×250μm的大小。由于最近已经将24GHz用于提供用于近程汽车传感器的脉冲雷达***，所以本发明尤其将被应用于这样的***。开关电路保证了：在传输或吸收状态之间在输入反射系数中几乎不存在可察觉的变化。在传输状态下，开关为在14.2GHz和25.5GHz之间的输入信号提供了增益，并且具有超过12GHz的1dB损耗带宽。最后，恒定偏流方案的使用使得状态之间的切换极快，这使得开关被用来产生上升与下降时间为大约60微微秒(pS)的、长度为200pS的脉冲。包括偏置电路的整个开关仅需来自+5伏(V)电源的12毫安(mA)。
如上所述，本发明尤其将被应用于汽车传感***，需要其通常以小于10cm的距离分辨能力，检测距离在5厘米(cm)和10米(m)至30m之间的物体。这些要求直接转化为小于2纳秒(ns)的最小脉冲间周期(对应于从距离传感器10cm的物体反射的脉冲的双向飞行时间)，以及小于500pS的所需脉冲宽度。这些设计因素需要具有快切换的电路。
图1示出了根据本发明的示例性实施例的、吸收式单刀单掷(SPST)开关电路100，其包括输入端子Vin和输出端子Vout以及控制端子Vcontrol。开关电路100还包括：包括晶体管Q1和Q2的第一差分放大器对110、包括晶体管Q3和Q4的第二差分放大器对120、和包括晶体管Q5和Q6的第三差分放大器对130。晶体管Q1至Q4的每一个的集电极都耦合到电源电压Vcc。晶体管Q3和Q4还包括耦合在集电极和Vcc之间的电感器140、150。晶体管Q5的集电极被耦合到晶体管Q1和Q2的发射极，而晶体管Q6的集电极被耦合到晶体管Q3和Q4的发射极。晶体管Q5和Q6的发射极被耦合到电流源Icc。
在操作中，由控制信号Vcontrol给晶体管Q6加偏置以使其导通来选择开关100的“传输”状态。这是通过提供高于负侧上的晶体管Q6的结电压(例如，-0.7伏)的控制信号Vcontrol来实现的。在“传输”状态下，进入输入端子Vin的信号被耦合到输出端子Vout。晶体管Q6的偏压导通依次给晶体管Q3和Q4加偏置以使其导通，从而创建从输入端子Vin到在晶体管Q3和Q4的各个集电极处的输出端子Vout的信号路径。因此，输入信号被传输到输出。
或者，如果Vcontrol通过给晶体管Q5加偏置以使其导通来选择开关100的“隔离”状态，则进入输入端子Vin的信号与输出端子Vout去耦合。与“传输”状态下的相同，这是通过提供高于正侧上的晶体管Q5的结电压(例如，+0.7伏)的控制信号Vcontrol来实现的。晶体管Q5的偏压导通依次给晶体管Q1和Q2加偏置以使其导通，从而创建从输入端子Vin到晶体管Q2和Q3的基极之间的中点的信号路径。因此，输入与输出“隔离”。
在“传输”状态下，当截止时晶体管对Q1、Q2的高输入阻抗最小化了Q3和Q4上的电路负载，并且电路表现为标准的差分放大器，其在匹配时，可以给输入信号提供增益。以电感器140、150为形式的偏置扼流(bias choke)用来将DC电压源Vcc与输出微波信号Vout隔离。
在“隔离”状态下，由晶体管Q3和Q4呈现的高阻抗使得其仅给输入电路轻微加载。输入电压Vin主要被传送给Q1、Q2对，其中该Q1、Q2对当作虚拟的RF地。因而，差分对Q1、Q2可以被看作理想的单向放大器。
开关电路100提供了几个优点。首先，经过晶体管Q5和Q6有区别地施加控制信号Vcontrol使得能够容易地选择传输状态或隔离状态。此外，由于开关从来不必耗尽高电流密度，所以在两个差分放大器对110、120之间的恒定电流引导(steering)确保了在两个状态之间的极高速度的切换。特别地，开关电路提供了在24GHz时上升与下降时间为大约60pS的、大约220pS的脉冲宽度。
开关电路100可以使用任何基于商业上可用的晶体管的半导体处理工艺，诸如硅锗(SiGe)处理工艺(例如，Atmel SiGE2basic)，来实现。
图2示出了以SiGe实现的图1的开关电路100的照片。如本领域技术人员应该理解的，也可以以其它衬底，诸如硅镓砷(SiGaAs)或铟磷化物(InP)来实现。如图2中所示，开关电路还包括：输入和输出匹配网络(在图1的理想电路图中未示出)，其包括为以24GHz的中心频率运行而设计的一系列电感器和电阻器。将第一和第二差分放大器对110、120放置成彼此相邻，并经过输入信号网络并联。Q3-Q4的集电极连接到输出匹配网络，同时Q1-Q2的集电极直接连接在一起，并进一步直接连接到源电压Vcc。包括输入和输出匹配网络和偏置电路的、图2中所示的开关电路的整个电路区域是500μm×250μm。
图3(a)示出了在开关电路100的传输和吸收(隔离)两种状态下其输入反射系数。由于流经网络的DC电流已保持恒定，所以在每种状态下反射系数之间的差异是极小的。通过将差分对Q1-Q2的虚拟射频(RF)地用作负载，而不是将输入信号引导到匹配的负载中以提供吸收条件的更常规的技术，来使其生效。在传输状态下，如图3(b)所示，在14GHz-28GHz上实现了超过30dB的导通-截止比，并且测量到超过12GHz的1dB***损耗带宽。
尽管已通过示例性实施例描述了本发明，但是本发明不限于此。相反，所附的权利要求应当被更广泛地解释以包括本发明的其它变化和实施例，其可由本领域技术人员在不背离本发明的等同物的保护范围和变化范围的情况下来做出。
Claims (9)
1.一种开关电路，包括：
第一差分放大器对，用于提供一部分隔离通道；
输入端子，耦合到第一差分放大器对的基极；
第二差分放大器对，用于提供一部分传输通道；
输出端子，耦合到第二差分放大器对的集电极；
第三差分放大器对，用于提供用来选择传输通道或隔离通道的控制偏置；以及
控制端子，耦合到第三差分放大器对的基极，
其中，所述控制端子向第三差分放大器对提供偏置电压，以使能该差分放大器对内的两个晶体管之一；以及
其中，使能第一晶体管以允许输入信号进至电路的输出端子，并使能第二晶体管以禁止输入信号进至该输出端子。
2.如权利要求1的开关电路，其中电路在硅锗衬底上被形成为集成电路。
3.如权利要求1的开关电路，其中第一和第二差分放大器对的每一个包括其发射极耦合在一起的至少两个晶体管。
4.如权利要求1的开关电路，其中第二差分放大器对包括至少两个晶体管，其中至少一个电感器耦合到至少两个晶体管的各个集电极中的每一个。
5.如权利要求1的开关电路，其中控制偏置的脉冲宽度小于500微微秒。
6.如权利要求1的开关电路，其中控制偏置的脉冲宽度在200-300微微秒之间。
7.一种用于在电路的输入和输出之间提供隔离的方法，所述电路包括：
第一差分放大器对，用于提供一部分隔离通道；
输入端子，耦合到第一差分放大器对的基极；
第二差分放大器对，用于提供一部分传输通道；
输出端子，耦合到第二差分放大器对的集电极；
第三差分放大器对，用于提供用来选择传输通道或隔离通道的控制偏置；以及
控制端子，耦合到第三差分放大器对的基极，
其中，所述方法包括步骤：
所述控制端子向第三差分放大器对提供偏置电压，以使能该差分放大器对内的第一晶体管，以允许输入信号进至电路的输出端子；以及
所述控制端子向第三差分放大器对提供偏置电压，以使能该差分放大器对内的第二晶体管，以禁止输入信号进至该输出端子。
8.如权利要求7的方法，其中控制电压的脉冲宽度小于500微微秒。
9.如权利要求7的方法，其中控制电压的脉冲宽度在200-300微微秒之间。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/614,495 US6987419B2 (en) | 2003-07-07 | 2003-07-07 | Absorptive microwave single pole single throw switch |
| US10/614,495 | 2003-07-07 | ||
| PCT/US2004/020334 WO2005011110A1 (en) | 2003-07-07 | 2004-06-23 | Absorptive microwave single pole single throw switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1820412A CN1820412A (zh) | 2006-08-16 |
| CN1820412B true CN1820412B (zh) | 2010-04-28 |
Family
ID=33564381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200480019549XA Expired - Fee Related CN1820412B (zh) | 2003-07-07 | 2004-06-23 | 吸收式微波单刀单掷开关 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6987419B2 (zh) |
| EP (1) | EP1652296B1 (zh) |
| JP (1) | JP2007527650A (zh) |
| KR (1) | KR101105491B1 (zh) |
| CN (1) | CN1820412B (zh) |
| DE (1) | DE602004024543D1 (zh) |
| WO (1) | WO2005011110A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7547993B2 (en) * | 2003-07-16 | 2009-06-16 | Autoliv Asp, Inc. | Radiofrequency double pole single throw switch |
| WO2008127752A2 (en) | 2007-01-25 | 2008-10-23 | Magna Electronics | Radar sensing system for vehicle |
| US20090028216A1 (en) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | M/A-Com, Inc. | Method and apparatus for generating a radio frequency pulse |
| US8531209B2 (en) * | 2009-01-16 | 2013-09-10 | Tektronix, Inc. | Multifunction word recognizer element |
| US8503593B2 (en) * | 2010-06-23 | 2013-08-06 | Raytheon Company | Waveform generator in a multi-chip system |
| KR101440000B1 (ko) | 2012-08-29 | 2014-09-12 | 한국과학기술원 | 다기능 ｓｐｓｔ 펄스변조 스위치 회로 및 이의 구동 방법 |
| CN112838852A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 重庆百瑞互联电子技术有限公司 | 一种具有高隔离度低***损耗的全差分单刀单掷开关 |
| US11916541B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-02-27 | Qorvo Us, Inc. | Dynamic band steering filter bank module with passband allocations |
| US12015430B2 (en) * | 2021-06-09 | 2024-06-18 | Qorvo Us, Inc. | Dynamic band steering filter bank module |
| CN114497928B (zh) * | 2022-04-18 | 2022-06-28 | 合肥芯谷微电子有限公司 | 一种毫米波单刀单掷开关 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181310A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧利得制御増幅装置 |
| JPH04150310A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アナログスイッチ回路 |
| JP3922773B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2007-05-30 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
| US6393260B1 (en) * | 1998-04-17 | 2002-05-21 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for attenuating spurious signals and receiver |
| US6073002A (en) * | 1998-05-04 | 2000-06-06 | Motorola | Mixer circuit and communication device using the same |
| US6157257A (en) | 1999-06-30 | 2000-12-05 | Conexant Systems, Inc. | Low power folding amplifier |
| WO2002045253A1 (fr) | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute fréquence |
| JP2002223126A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Fujitsu Ltd | 周波数逓倍装置 |
| US6518842B1 (en) | 2002-06-07 | 2003-02-11 | Analog Devices, Inc. | Bipolar rail-to-rail input stage with selectable transition threshold |
-
2003
- 2003-07-07 US US10/614,495 patent/US6987419B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-23 EP EP04777044A patent/EP1652296B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-23 WO PCT/US2004/020334 patent/WO2005011110A1/en active Application Filing
- 2004-06-23 CN CN200480019549XA patent/CN1820412B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-23 KR KR1020067000319A patent/KR101105491B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-23 JP JP2006518682A patent/JP2007527650A/ja active Pending
- 2004-06-23 DE DE602004024543T patent/DE602004024543D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1652296A1 (en) | 2006-05-03 |
| US6987419B2 (en) | 2006-01-17 |
| KR20060026959A (ko) | 2006-03-24 |
| EP1652296B1 (en) | 2009-12-09 |
| CN1820412A (zh) | 2006-08-16 |
| JP2007527650A (ja) | 2007-09-27 |
| US20050007196A1 (en) | 2005-01-13 |
| DE602004024543D1 (de) | 2010-01-21 |
| WO2005011110A1 (en) | 2005-02-03 |
| KR101105491B1 (ko) | 2012-01-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090320 Address after: Utah, USA Applicant after: Autoliv ASP Inc. Address before: Massachusetts, USA Applicant before: Pine Valley Investments, Inc. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: AUTOLIV ASPCO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: M/ A-COM CO.,LTD. Effective date: 20090320 |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180621 Address after: michigan Patentee after: United States company Address before: Utah, USA Patentee before: Autoliv ASP Inc. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100428 Termination date: 20210623 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |