CN1808549A - 电光学装置、驱动电路、驱动方法以及电子机器 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于稳定地生成成为数据信号的电流值的基准的电压。数据线驱动电路(20)，具有分别与数据线(103)相对应的多个单位电路(U)。单位电路(U)具有基准电压生成电路(21)与电流输出电路(23)。电流输出电路(23)，将对应于加载给基准电压线(25)的基准电压Vref1的数据信号Xj输出给数据线(103)。基准电压生成电路(21)，具有漏极端子与栅极端子相连接的补偿用晶体管(Ta)、保持该栅极端子的电压Vref0的电容器(C1)、以及多次给栅极端子加载让补偿用晶体管(Ta)处于导通状态的导通电压(Vr1)的开关元件(SW)，将与电容器(C1)所保持的电压(Vref0)相对应的基准电压(Vref1)加载给基准电压线(25)。

Description

电光学装置、驱动电路、驱动方法以及电子机器

技术领域

本发明涉及一种控制有机发光二极管(以下称作“OLED(OrganicLight Emitting Diode)”)元件等各种电光学元件的技术。

背景技术

具备这种电光学元件的电光学装置，具有分别对应于多根数据线而排列成面状的多个电光学元件，与根据指定电光学元件的灰度的数字数据(以下称作“灰度数据”)生成数据信号，输出给数字线的多个电流输出电路。各个电流输出电路，为包含有用作电流源的多个晶体管(以下称作“电流供给用晶体管”)的D/A变换器，通过将流入到这些电流供给用晶体管中的对应于灰度数据所选择了的晶体管中的电流加起来，来生成数据信号。

但是，各个电流输出电路中所含有的多个电流供给用晶体管的特性(特别是阈值电压)，特别是由于制造上的原因，有时会产生误差。这样，一旦各个电流供给用晶体管的特性产生偏差，就无法生成对应于灰度数据的所期望的电流值的数据信号，其结果是，存在显示品质降低的问题。

为了解决该问题，例如专利文献1中，公布了一种在每一个电流输出电路中设置补偿各个电流供给用晶体管的特性偏差的电路(以下称作“补偿电路”)的构成。该补偿电路，具有连接有漏极端子与栅极端子的晶体管(以下称作“补偿用晶体管”)，与保持该栅极端子的电压的电容器。补偿用晶体管具有与各个电流供给用晶体管大致相同的特性。这样，在将让补偿用晶体管暂时变为导通状态之后的栅极端子的电压(以下称作“基准电压”)，加载给各个电流供给用晶体管的栅极端子之后，就能够补偿各个电流供给用晶体管的特性的误差。

专利文献1：特开2004-88158(第0053段以及图3)。

发明内容

但是，一旦基准电压因噪声等而变动，则补偿用晶体管的栅极端子的电压便维持为该变动后的电平。所以，无法给各个电流供给用晶体管的栅极端子加载所期望的电平的基准电压，结果存在将数据信号控制成所期望的电流值受到了阻碍的问题。在这样的背景下，本发明的一个方式，目的在于解决稳定地生成数据信号这一问题。

为了解决该问题，本发明的相关电光学装置的驱动电路，是一种具有对应于输出给数据线的数据信号，控制各自的灰度的电光学元件的电光学装置的驱动电路，具备：生成基准电流的基准电流生成机构；以及信号输出机构，其根据灰度数据，生成对应于上述基准电流生成机构所生成的基准电流的电流值的数据信号，输出给上述数据线，上述基准电流生成机构，多次执行将上述基准电流的电流值设为给定值的更新动作。

通过采用该构成，由于多次执行更新动作，因此即使假设因噪声等引起基准电流变动，也能够通过下一次的更新动作来将基准电流设为所期望的值，因此能够高精度且稳定地生成对应于灰度数据的数据信号。另外，本发明中的信号输出机构“生成对应于基准电流的电流值的数据信号”，除了生成直接地反映基准电流的电流值的数据信号的构成之外，还包括生成与根据基准电流的电流值所生成的电压(基准电压)相对应的数据信号的构成。

本发明的第一方式中，上述基准电流生成机构包括：第一端子被加载电压，第二端子与栅极端子之间电连接的补偿用晶体管(例如图3的补偿用晶体管Ta)；保持上述补偿用晶体管的栅极端子的电压的电容部(例如图3的电容器C1)；以及电压加载机构(例如图3的电压供给线27与开关元件SW)，其多次执行将使得上述补偿用晶体管处于导通状态的导通电压加载给上述补偿用晶体管的栅极端子的上述更新动作，生成对应于上述电容部所保持的电压的上述基准电流(例如图3的基准电流Ir0)。该方式中，通过给补偿用晶体管的栅极端子加载导通电压，而将基准电流设定为所期望的电流值。另外，第一方式的具体例子将作为第一实施方式后述。

在有关第一方式的驱动电路中，设有生成对应于上述基准电流的基准电压(例如图3的基准电压Vref1)的变换机构；上述基准电流生成机构，包括通过将上述电容部中所保持的电压加载给栅极端子，来生成上述基准电流的电流生成用晶体管(例如图3的电流生成用晶体管Tb)；上述信号输出机构，根据灰度数据，生成对应于上述变换机构所生成的基准电压的数据信号，输出给上述数据线。该方式中的变换机构，包括例如生成与上述电流生成用晶体管所生成的基准电流相对应的镜像电流(例如图3的镜像电流Ir1)的电流反射镜电路，以及生成与上述电流反射镜电路所生成的镜像电流相对应的上述基准电压的机构(例如图3中的电压生成用晶体管Td)。通过该方式，由于电流生成用晶体管与变换机构介于补偿用晶体管的栅极端子与信号输出机构之间，因此能够可靠地使提供给信号输出机构的基准电压稳定化。另外，该构成中，为了可靠地补偿电流生成用晶体管的阈值电压的偏差，最好让电流生成用晶体管与补偿用晶体管具有大致相同的特性。但是，即使上述晶体管的特性并不严密地一致，也能够有效发挥本发明的效果。

在有关第一方式的驱动电路中，设有将上述补偿用晶体管的栅极端子的电压与给定电压进行比较的比较机构；上述电压加载机构，在与基于上述比较机构的比较结果相对应的时刻，给上述补偿用晶体管的栅极端子加载导通电压。给定的电压，被设为例如加载给补偿用晶体管的第一端子的电压，和将该电压与补偿用晶体管的阈值电压相加之后所得到电压(例如第一实施方式中的电压Va)之间的电压。通过该方式，能够只在补偿用晶体管的栅极端子的电压发生了变动的情况下，才给该栅极端子加载导通电压，因此与定期给补偿用晶体管的栅极端子加载导通电压的方式相比，降低了消耗功率。另外，该方式的具体例子如图7所示。

在本发明的第二方式中，上述基准电流生成机构具有：包括栅极端子以及第一端子、第二端子的电流生成用晶体管(例如图11的电流生成用晶体管TrA)；以及保持上述电流生成用晶体管的栅极端子的电压的电容部(例如图11的电容器C1)；上述更新动作包括：补偿动作，其通过在上述栅极端子与上述第一端子(图11中为漏极端子)电连接的状态下，给上述第二端子(图11中为源极端子)加载第一电压(例如图11的电压Vref)，而将该栅极端子的电压设定为对应于上述第一电压与上述电流生成用晶体管的阈值电压的电压值，并通过上述电容部来保持；以及生成动作，其通过在上述栅极端子与上述第一端子电断开的状态下，给上述第二端子加载与上述第一电压不同的第二电压(例如图11的电压Vdd)，而在上述第一端子与上述第二端子之间产生与通过上述补偿动作在上述电容部中所保持的电压相对应的上述基准电流(例如图11的电流Ir1)。

通过该方式，能够通过将电流生成用晶体管的栅极端子的电压设定为对应于其阈值电压的电压值的补偿动作，来补偿阈值电压的误差。例如，由电流生成用晶体管所生成的基准电流，由其增益系数或第一电压与第二电压的差值决定，而不依赖于阈值电压。所以，能够通过多次更新动作，稳定地生成对给定电流值进行了高精度调整的基准电流。另外，该方式的具体例子作为第二实施方式后述。

第二方式的相关驱动电路中，上述补偿动作包括：在第一期间(例如图12的期间A)中，通过在上述栅极端子与上述第一端子电连接的状态下，给上述第二端子加载上述第一电压，同时给上述栅极端子加载给定电压的第一动作，以及在接着上述第一期间的第二期间(例如图12的期间B)中，保持上述栅极端子与上述第一端子的电连接，停止给上述栅极端子加载上述给定的电压，通过这样，将该栅极端子的电压设定为对应于上述第一电压与上述电流生成用晶体管的阈值电压的电压值，并通过上述电容部来保持的第二动作；上述生成动作包括：在接着上述第二期间的第三期间(例如图12的期间C)中，将上述栅极端子与上述第一端子电断开的第三动作；以及在经过上述第三期间后的第四期间(例如图12的期间D)中，通过给上述第二端子加载上述第二电压，而在上述第一端子与上述第二端子之间，通过所述第2动作产生与在上述电容部中所保持的电压相对应的上述基准电流的第四动作。通过该方式，也能够起到相同的作用与效果。

第二方式的相关驱动电路中，上述基准电流生成机构，包括各个栅极端子共同连接在上述电容部中的多个上述电流生成用晶体管(例如图21的电流生成用晶体管TrA1至TrA4)；上述信号输出机构(例如图21的晶体管TrD1至TrD4)，对应于灰度数据选择上述多个电流生成用晶体管中的1个以上的电流生成用晶体管，将该1个以上的电流生成用晶体管中的第一端子与第二端子之间所流动的电流的总和，作为数据信号输出。通过该方式，将多个电流生成用晶体管所生成的基准电流的每一个，对应于灰度数据有选择地作为数据信号输出。另外，该方式的具体例子如图21所示。

上述基准电流生成机构，包括电压生成用晶体管(例如图11的电压生成用晶体管TrB)，其对应于被加载了第三电压(例如图11的接地电位Gnd)的第一端子与连接在栅极端子上的第二端子之间所流动的上述基准电流，将该栅极端子的电压设定为基准电压；上述信号输出机构，根据灰度数据，生成对应于上述电压生成用晶体管的栅极端子的基准电压的数据信号，输出给上述数据线；上述第一动作，包括通过将上述电流生成用晶体管的第一端子与上述电压生成用晶体管的第二端子电连接起来，来将上述电流生成用晶体管的栅极端子的电压，设定为与上述电流生成用晶体管与上述电压生成用晶体管之间的导通电阻的比以及上述第一电压、上述第三电压相对应的上述给定的电压(也即，将图11的电压Vref对应于电流生成用晶体管TrA与电压生成用晶体管TrB的电阻比分压之后所得到的电压)的动作；上述第二动作，包括通过将上述电流生成用晶体管的第一端子与上述电压生成用晶体管的第二端子电断开，来停止上述给定电压的加载的动作。通过该构成，也能够通过多次更新动作，稳定地生成对给定电流值进行了高精度调整的基准电流。

另外，第二方式中的上述第二期间，是比上述电流生成用晶体管的栅极端子的电压，从上述第一期间中所设定的上述给定的电压，变化到上述第一电压与上述电流生成用晶体管的阈值电压之间的差值为止的时长短的期间。通过该方式，能够缩短电流生成用晶体管的阈值电压的补偿动作所需要的时间。

其他方式中，上述第二期间，是比上述电流生成用晶体管的栅极端子的电压，从上述第一期间中所设定的上述给定的电压，变化到上述第一电压与上述电流生成用晶体管的阈值电压之间的差值为止的时长长的期间。通过该方式，能够可靠地补偿电流生成用晶体管的阈值电压。

本发明的第三方式中，包括：包括栅极端子与第一端子，以及被加载给定电压(例如图22的电源电位Vdd)的第二端子的电流生成用晶体管(例如图22的电流生成用晶体管TrA)；以及具有第一电极(例如图22的第一电极E1)以及与上述电流生成用晶体管的栅极端子相连接的第二电极(例如图22的第二电极E2)的电容部(例如图22的电容器C2)；上述更新动作包括：补偿动作，其通过在给上述第一电极加载了第一电压(例如图22的电压VINI)的状态下，将上述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子(图22中为漏极端子)电连接起来，给上述第二电极加载对应于上述给定电压与上述电流生成用晶体管的阈值电压的电压；以及生成动作，其通过在上述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子电断开的状态下，使上述第一电极的电压变化成与上述第一电压不同的第二电压(例如图22的电压Vref)，来使得上述第二电极的电压，从在上述补偿动作中所设定的电压开始对应于上述第一电压与上述第二电压之间的差别(ΔV)进行变化，在上述第一端子与上述第二端子之间产生对应于该变化后的电压的上述基准电流(图22的基准电流Ir0)。

该方式中，通过该方式，能够通过将电流生成用晶体管的栅极端子的电压设定为对应于其阈值电压的电压值的补偿动作，来补偿阈值电压的误差。另外，如果第一电极的电压从第一电压变化到第二电压，则通过电容部中的电容耦合，让电流生成用晶体管的栅极端子的电压对应于第一电压与第二电压的差别进行变化。因此，能够通过多次更新动作，稳定地生成对应于第一电压以及第二电压对期望电流值进行了高精度调整的基准电流。另外，该方式的具体例子作为第三实施方式后述。

有关第三方式的驱动电路中，上述补偿动作包括：在第一期间(例如图26的期间P0)中，通过在上述第二电极与上述电流生成用晶体管的栅极端子电断开的状态下，给上述第一电极加载上述第一电压，同时给上述第二电极加载第三电压(例如图25的接地电位Gnd)的第一动作；在接着上述第一期间的第二期间(例如图26的期间P1)中，停止给上述第二电极加载上述第三电压之后，将上述第二电极与上述电流生成用晶体管的栅极端子相连接的第二动作；以及在接着上述第二期间的第三期间(例如图26的期间P2)中，通过将上述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子连接起来，将上述第二电极的电压设为与上述给定电压以及上述电流生成用晶体管的阈值电压相对应的电压(图26的例示中为电压“Vdd-Vth”)的第三动作；上述生成动作包括：在接着第三期间的第四期间(例如图26的期间P3)中，将上述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子电断开(也即解除二极管连接)的第四动作；以及在接着上述第四期间的第五期间(例如图26的期间P4)中，通过使上述第一电极的电压变化为上述第二电压，而在上述第一端子与上述第二端子之间产生上述基准电流的第五动作。通过该方式，由于在阈值电压的补偿之前，电流生成用晶体管的栅极端子的电压不会降低到第三电压，因此能够降低电流生成用晶体管中的消耗功率，同时能够缩短栅极端子的电压到达用于阈值电压的补偿的电压值之前的时间。

第一至第三各方式的相关驱动电路中，设有分别包括上述基准电流生成机构与上述信号输出机构的多个单位电路(参照例如图3以及图11)。通过采用该构成，能够在每一个信号输出机构中高精度地生成基准电流。另外，也可以采用具有多个上述信号输出机构的构成，该机构分别生成与1个上述基准电流生成机构所生成的基准电压相对应的数据信号(参照例如图5与图17)。通过该构成，由于多个信号输出机构共用1个电流生成机构，因此与各个单位电路中包含有基准电流生成机构与信号输出机构的构成相比，缩小了电路规模。

第一至第三各方式的相关驱动电路中，设置多个上述基准电流生成机构，以及选择上述多个基准电流生成机构中的某个的选择机构(例如图8与图18中的选择电路29)；上述信号输出机构，根据灰度数据，生成对应于通过上述选择机构所选择的基准电流生成机构所生成的基准电流的数据信号，输出给上述数据线。通过该方式，为了有选择地生成数据信号，而采用由某个基准电流生成机构所生成的基准电流。例如，在通过某个基准电流生成机构所生成的基准电流正在变动时，根据其他基准电流生成机构所生成的基准电流，生成数据信号。所以，能够稳定地向信号输出机构供给基准电压。另外，该方式的具体例子如图8与图18所示。

更为理想的方式中，上述多个基准电流生成机构的每一个，分别在互不相同的时刻执行更新动作。通过该方式，在某个基准电流生成机构执行更新动作时，选择机构选择其他基准电流生成机构的基准电流，通过这样，能够更加稳定地生成数据信号。

另外，该方式如果特定化为第一方式的相关驱动电路，则具有生成电压的多个电压生成机构(例如图8的基准电压生成电路21)、将多个电压生成机构的某个所生成的电压选择为基准电压的选择机构(例如图8的选择电路29)、以及根据灰度数据生成对应于选择机构所选择的基准电压的数据信号，输出给数据线的电流输出机构；各个电压生成机构，具有第一端子被加载电压，同时第二端子与栅极端子之间连接的补偿用晶体管、保持补偿用晶体管的栅极端子的电压的电容部(电压保持机构)、以及多次将使得补偿用晶体管处于导通状态的导通电压加载给补偿用晶体管的栅极端子的电压加载机构；将电容部所保持的电压或与其相对应的电压作为基准电压输出。更详细地说，1个单位电路中所含有的各个电压生成机构的电压加载机构，在互不相同的时刻给该电压生成机构的补偿用晶体管的栅极端子加载导通电压，选择机构顺次选择补偿用晶体管中被加载了导通电压的电压生成机构所生成的基准电压。

本发明的第一至第三各方式的相关驱动电路中，上述基准电流生成机构，在每一个给定的期间中执行更新动作。通过该方式，即使在某个时刻基准电流偶然变动，也能够通过下一个更新动作来可靠地修正基准电流。

另外，也可以采用上述基准电流生成机构，在相继的水平扫描期间之间的间隔期间，或相继的垂直扫描期间之间的间隔期间中，执行更新动作的构成。通过该构成，具有能够避免更新动作(例如第一方式中给补偿用晶体管的栅极端子加载导通电压)给电光学元件的灰度带来影响的优点。

更为理想的构成中，上述基准电流生成机构，在上述信号输出机构开始动作之间的时刻，与开始动作之后的时刻中，执行更新动作。该构成中，由于在信号输出机构的动作开始之前执行更新动作，因此在信号输出机构的动作刚开始时，就能够稳定且高精度地生成数据信号。并且，在基于信号输出机构的动作开始之后，也执行更新动作，因此即使在信号输出机构的动作中基准电流发生了变动的情况下，也能够将其修正为所期望的值。

本发明中，也特定了具有以上所说明的各个方式的驱动电路的电光学装置。该电光学装置，具有对应于输出给数据线的数据信号控制各自的灰度的多个电光学元件，以及以上所例示的任一个方式的相关驱动电路。根据本发明的驱动电路，由于稳定维持基准电流的电流值(或对应于基准电流所生成的基准电压的电压值)，因此例如在用作显示装置或图像形成装置(印刷装置)的电光学装置中，能够输出高品质的图像。

本发明的相关电光学装置能够用于各种电子机器。该电子机器的典型例子，是将电光学装置用作显示装置的机器。这种电子机器，例如有个人计算机以及携带电话机等。但是，本发明的相关电光学装置的用途并不仅限于图像的显示。例如，本发明的发光装置，也能够用作通过光线的照射在感光体鼓等影像载体中形成潜像的曝光装置(曝光头)。

本发明还能够特定用来驱动电光学装置的方法。也即，该驱动方法是一种具有：对应于输出给数据线的数据信号，控制各自的灰度的多个电光学元件；生成基准电流的基准电流生成机构；根据灰度数据，生成对应于上述基准电流生成机构所生成的基准电流的电流值的数据信号，并输出给上述数据线的信号输出机构的电光学装置的驱动方法，其特征在于：多次执行将上述基准电流的电流值设为给定值的更新动作。通过该方法，能够通过多次更新动作稳定地生成基准电流(或对应于基准电流所生成的基准电压)。另外，本发明的驱动方法中，同样也能够采用对驱动电路所例示的各种方式。

另外，如果特别着眼于用来防止基准电流(或基于其所生成的基准电压)的误差的构成，则本发明能够特定为以下各方式的相关驱动电路。另外，这些驱动电路也能够适当采用以上所列举的各个方式。

首先，本发明的相关驱动电路的第一特征，具有生成基准电压的电压生成机构(例如图3或图5的基准电压生成电路21)，以及根据灰度数据，生成对应于上述电压生成机构所生成的基准电压的数据信号，输出给数据线的信号输出机构(例如图3或图5的电流输出电路23)；上述电压生成机构，具有第一端子被加载电压，同时第二端子与栅极端子之间连接的补偿用晶体管、保持上述补偿用晶体管的栅极端子的电压的电容部(例如图3或图5的电容器C1)、以及多次将使得上述补偿用晶体管处于导通状态的导通电压加载给上述补偿用晶体管的栅极端子的电压加载机构(例如图3或图5的开关SW)；将上述电容部所保持的电压或与其相对应的电压作为基准电压输出。

另外，本发明的相关驱动电路的第二特征，是一种具有通过经多根数据线中的一根进行供给并规定灰度的数据信号进行控制的多个电光学元件的电光学装置的驱动电路，至少具有生成成为上述数据信号的数据电流或作为上述数据电流的基准的基准电流的电流生成用晶体管，以及保持上述电流生成用晶体管的栅极端子的电压的电容部，如果设为了生成上述数据电流或上述基准电流，而加载给上述电流生成用晶体管的第一端子的电压为第一电压，设在上述电流生成用晶体管的栅极端子与第二端子互相连接的状态下加载给第一端子，决定作为上述电流生成用晶体管的栅极端子的电压值的栅极电压的电压为第二电压，则在通过上述电容部在上述电流生成用晶体管的栅极端子中保持有上述栅极电压的状态下，将上述电流生成用晶体管的栅极端子与第二端子断开，将加载给上述电流生成用晶体管的第一端子的电压从上述第二电压切换成上述第一电压，通过这样，上述电流生成用晶体管的增益系数、通过上述第一电压与上述第二电压的电压差所决定的上述数据电流、及上述基准电流，由上述电流生成用晶体管生成。

另外，另一方式的相关驱动电路，是一种具有对应于经数据线所供给的数据信号来控制各自的灰度的多个电光学元件的电光学装置的驱动电路，具有生成基准电压的电压生成机构，以及根据灰度数据，生成对应于上述电压生成机构所生成的基准电压的数据信号，输出给数据线的电流输出机构；上述电压生成机构，具有第一端子被加载电压，同时第二端子与栅极端子之间连接的补偿用晶体管、保持上述补偿用晶体管的栅极端子的电压的电容部、以及多次将使得上述补偿用晶体管处于导通状态的导通电压，加载给一端与上述补偿用晶体管的栅极端子相连接的电阻元件的另一端的电压加载机构；将上述电容部所保持的电压或与其相对应的电压作为基准电压输出。通过该方式，由于不需要在特定时刻给补偿用晶体管的栅极端子加载导通电压，因此能够简化驱动装置的构成。另外，该方式的具体例子在图10中公开。另外，该方式的驱动电路中也能够采用以上所说明的各个构成。

附图说明

图1为表示有关本发明的第一实施方式的电光学装置的构成的框图。

图2为表示一个像素电路的构成的电路图。

图3为表示数据线驱动电路的构成的电路图。

图4为用来说明数据线驱动电路的动作的时序图。

图5为表示有关第一变形例的数据线驱动电路的构成的电路图。

图6为用来说明有关第一变形例的数据线驱动电路的动作的时序图。

图7为表示有关第二变形例的基准电压生成电路的构成的电路图。

图8为表示有关第三变形例的电流输出电路的前段的构成的电路图。

图9为用于说明第三变形例的动作的时序图。

图10为表示有关第四变形例的基准电压生成电路的构成的电路图。

图11为表示有关本发明的第二实施方式的数据线驱动电路的单位电路的构成的电路图。

图12为用来说明数据线驱动电路的动作的时序图。

图13为表示期间A中的单位电路的状态的电路图。

图14为表示期间B中的单位电路的状态的电路图。

图15为表示期间C中的单位电路的状态的电路图。

图16为表示期间D中的单位电路的状态的电路图。

图17为表示有关第一变形例的数据线驱动电路的构成的电路图。

图18为表示有关第二变形例的数据线驱动电路的构成的电路图。

图19为用来说明第二变形例的动作的时序图。

图20为表示有关第三变形例的数据线驱动电路的构成的电路图。

图21为表示有关第四变形例的数据线驱动电路的构成的电路图。

图22为表示有关第三实施方式的数据线驱动电路的构成的电路图。

图23为用来说明数据线驱动电路的动作的时序图。

图24为等效地表示各个期间中的基准电压生成电路的状态的电路图。

图25为说明有关第三实施方式的第一变形例的数据线驱动电路的构成的电路图。

图26为用来说明基准电压生成电路的动作的时序图。

图27为等效地表示各个期间中的基准电压生成电路的状态的电路图。

图28为表示有关本发明的电子机器的形态(个人计算机)的立体图。

图29为表示有关本发明的电子机器的形态(携带电话机)的立体图。

图30为表示有关本发明的电子机器的形态(携带信息终端)的立体图。

图中：1-电光学装置，AA-电光学面板，P-像素区域，10-扫描线驱动电路，20-数据线驱动电路，U-单位电路，21-基准电压生成电路，211-补偿电路，213-变换电路，22-电流反射镜电路，23-电流输出电路，25-基准电压线，27-电压供给线，29-比较电路，30-控制电路，40-像素电路，41-OLED元件，101-扫描线，102-发光控制线，103-数据线，105-开关元件，Ta-补偿用晶体管，Tb、TrA-电流生成用晶体管，Td、TrB-电压生成用晶体管，C1、C2-电容器，R-电阻，Ir0-基准电流，Vref1-基准电压，Vr1-导通电压。

具体实施方式

<A：第一实施方式>

<A-1：第一实施方式的构成>

图1为表示有关本发明的第一实施方式的电光学装置的构成的框图。如图所示，电光学装置1具备电光学面板AA、扫描线驱动电路10、数据线驱动电路20、以及控制电路30。电光学面板AA中形成有像素区域P。该像素区域P中，形成有延伸在X方向(行方向)的m根扫描线101，以及与各根扫描线101成对且在X方向延伸的m根发光控制线102(m为自然数)。另外，像素区域P中，形成有在垂直于X方向的Y方向(列方向)延伸的n根数据线103(n为自然数)。另外，对应于扫描线101与发光控制线102之对与数据线103之间的各个交叉，设置像素电路40。所以，这些像素电路40，在像素区域P内呈矩阵状排列在X方向以及Y方向上。各个像素电路40包含有作为电流驱动型自发光元件的OLED元件41。

控制电路30是用来控制电光学装置1的动作的电路，将时钟信号等各种控制信号(例如后述的使能信号SENB以及控制信号SINI)输出给扫描线驱动电路10以及数据线驱动电路20。另外，控制电路30，将灰度数据D输出给数据线驱动电路20。该灰度数据D是指定各个OLED元件41的灰度(辉度)的4比特的数字数据。

扫描线驱动电路10是顺次分别选择m根扫描线101的电路。更详细地说，扫描线驱动电路10，在各个水平扫描期间，顺次将变为高电平的扫描信号Ya1、Ya2、…、Yam输出给各根扫描线101，同时将其逻辑电平反转之后的发光控制信号Yb1、Yb2、…、Ybm输出给各根发光控制线102。一旦扫描信号Yai(i为满足1≤i≤m的整数)转变为高电平，则选择第i行。

另外，数据线驱动电路20，给和扫描线驱动电路10所选择的扫描线101相连接的各个像素电路40供给数据信号X1、X2、…、Xn。数据信号Xj(j为满足1≤i≤n的整数)为指定第j列的像素电路40的辉度(灰度)的电流信号。本实施方式中的数据线驱动电路20，具有相当于数据线103的总数的n个单位电路U。第j列的单位电路U，是根据第j列像素电路40的灰度数据D生成数据信号Xj，并输出给数据线103的电路。另外，扫描线驱动电路10以及数据线驱动电路20与控制电路30，既可以通过例如COG(Chip OnGlass)技术安装在电光学面板AA上，又可以安装在该电光学面板AA的外部(例如安装在电光学面板AA中的布线基板上)。

接下来，对照图2对像素电路40的构成进行说明。图中，虽然只图示了属于第i行的第j列的1个像素40，但其他的像素电路40也是相同的构成。本实施方式中的像素电路40，是对应于数据信号Xj的电流值控制OLED元件41的辉度(灰度)的电流驱动型(所谓的电流编程方式)的电路。

如图2所示，像素电路40具有4个晶体管(例如薄膜晶体管)Tr1至Tr4，以及电容器C、OLED元件41。晶体管Tr1的导电型为p沟道型，晶体管Tr2至Tr4的导电型为n沟道型。其中，晶体管Tr1的源极端子与供给电源的高位侧电位(以下称作“电源电位”)Vdd的电源线相连接，其漏极端子与晶体管Tr2的源极端子、晶体管Tr3的漏极端子、以及晶体管Tr4的漏极端子相连接。

电容器C一端与晶体管Tr1的源极端子相连接，同时，另一端与晶体管Tr1的栅极端子与晶体管Tr2的漏极端子相连接。晶体管Tr3，其栅极端子与晶体管Tr2的栅极端子一起与扫描线101相连接，其源极端子与数据线103相连接。另外，晶体管Tr4的栅极端子与发光控制线102相连接，其源极端子与OLED元件41的阳极相连接。OLED元件41的阴极与供给电源的低位侧电位(以下称作“接地电位”)Gnd的接地线相连接。

各个垂直扫描期间中的第i个水平扫描期间中，扫描信号Yai变为高电平时，晶体管Tr2变为导通状态，晶体管Tr1被二极管连接，同时晶体管Tr3也变为导通状态。所以，对应于数据信号Xj的电流在路线：电源线→晶体管Tr1→晶体管Tr3→数据线103中流动，此时对应于晶体管Tr1的栅极端子电位的电荷，积蓄在电容器C中。

接下来，一旦第i个水平扫描期间结束，扫描信号Yai变为低电平，则晶体管Tr2以及Tr3均变为截止状态。此时，晶体管Tr1的栅极·源极间的电压保持为其前一个水平扫描期间中的电压。这样，如果发光控制信号Ybi转变为高电平，则晶体管Tr4变为导通状态，晶体管Tr1的源极·漏极之间，从电源线流入对应于其栅极电压的电流(也即对应于数据信号Xj的电流)，通过该电流的供给，OLED元件41发光。

接下来，图3为表示数据线驱动电路20中所含有的1个单位电路U的具体构成的电路图。另外，该图中只显示了第j列单位电路U的构成，但其他单位电路U的构成也一样。如图3所示，各个单位电路U，具有介由基准电压线25互相连接的基准电压生成电路21与电流输出电路23。

各个电流输出电路23，为生成对应于由控制电路30所供给的灰度数据D的电流值的数据信号Xj并输出给数据线103的D/A变换器，具有相当于灰度数据D的位数的4个晶体管Te(Te1至Te4)，和各个漏极端子与晶体管Tb的源极端子相连接的4个晶体管Tf(Tf1至Tf4)。这些晶体管Tf的栅极端子共通连接在基准电压线25上。各个晶体管Tf的源极端子，与加载接地电位Gnd的接地线相连接。

晶体管Tf1至Tf4的特性(特别是增益系数)，被选定为在给各个栅极端子加载了共通的电压时，各个晶体管Tf中流动的电流I1至I4的比为“I1∶I2∶I3∶I4＝1∶2∶3∶4”。也即，晶体管Tf1至晶体管Tf4，分别起到生成以不同的权值进行加权的多个电流(I1至I4)的电流源的功能。

另外，也可以采用将各个晶体管Tf的特性决定为让电流I1至I4的比为2的幂(例如变为“I1∶I2∶I3∶I4＝1∶2∶4∶8”)的构成。另外，即使只使用对应于权值的数目个的同样大小的晶体管并排列设置起来，也能够让电流I1至I4的比变为对应于期望权值的大小。例如，如果代替图3的晶体管Tf2，将与晶体管Tf1同样特性的两个晶体管并联起来，设置并联连接的4个晶体管来代替晶体管Tf3，同样，设置并联连接的8个晶体管来代替晶体管Tf4，就能够让电流I1至I4的比为“I1∶I2∶I3∶I4＝1∶2∶4∶8”。通过采用这样的构成，能够降低各个晶体管的阈值电压的偏差，高精度生成所期望的电流的数据信号Xj。

晶体管Te1至Te4的各个栅极端子中，被供给由控制电路30所输出的灰度数据D的各个位。这些晶体管Te1至Te4的漏极端子，经开关元件105与第j列的数据线103相连接。开关元件105，为用来控制是否允许向数据线103输出数据信号Xj的机构。设置在各个单位电路U的后段的所有的开关元件105，对应于由控制电路30共通供给的使能信号SENB来控制开闭。

图4为说明数据线驱动电路20的动作的时序图。如图所示，使能信号SENB，在以接通电光学装置1的电源的时刻T0为起点的给定时长的期间(以下称作“初始化期间”)PINI中，维持低电平。另外，使能信号SENB在经过了初始化期间PINI的终点T1之后，在选择任一个扫描线101的水平扫描期间H中维持高电平，同时，在从各个水平扫描期间H的终点到下一个水平扫描期间H的起点之间的期间(以下称作“间隔期间”)Hb中，维持低电平。开关元件105，在使能信号SENB维持高电平的各个水平扫描期间H中变为接通状态，允许数据信号Xj的输出，另外，在使能信号SENB维持低电平的初始化期间PINI以及各个间隔期间Hb中变为断开状态，禁止数据信号Xj的输出。

以上的构成中，让4个晶体管Te1至Te4中的对应于灰度数据D的晶体管Te有选择地变为导通状态。所以，在开关元件105变为接通状态的各个水平扫描期间H中，与变为导通状态的晶体管Te相连接的1个以上的晶体管Tf中流通电流I(从I1至I4中所选择出的1个以上的电流)，这些电流相加而成的信号作为数据信号Xj提供给数据线103。

图3中所示的基准电压生成电路21，是用来生成作为数据信号Xj的电流值的基准的电压(以下称作“基准电压”)Vref1的电路。具有补偿电路211与电流生成用晶体管Tb以及变换电路213。其中，电流生成用晶体管Tb，为从漏极端子向源极端子流通对应于栅极端子的电压Vref0的电流(以下称作“基准电流”)Ir0的n沟道型晶体管。该电流生成用晶体管Tb的源极端子，与供给接地电位Gnd的接地线相连接。

变换电路213，为生成对应于电流生成用晶体管Tb所生成的基准电流Ir0的基准电压Vref1，并加载给基准电压线25的机构，具有电流反射镜电路22与电压生成用晶体管Td。其中的电流反射镜电路22，具有各个栅极端子互相连接起来的p沟道型晶体管Tc1以及Tc2。晶体管Tc1的漏极端子，连接在其源极端子(也即二极管连接)上，同时与电流生成用晶体管Tb的漏极端子相连接。另外，晶体管Tc1以及Tc2的各个源极端子，与供给电源电位Vdd的电源线相连接。该电源电位Vdd，被设定为让电流生成用晶体管Tb与晶体管Tc1、Tc2、以及电压生成用晶体管Td在饱和区域中动作的电平。

如果电流生成用晶体管Tb所生成的基准电流Ir0流到晶体管Tc1中，则与其相对应(典型的是相一致)的镜像电流Ir1，从电源线经晶体管Tc2提供给电压生成用晶体管Td。该电压生成用晶体管Td，是源极端子与接地线相连接，同时漏极端子与栅极端子共同连接在基准电压线25上的n沟道型晶体管。电压生成用晶体管Td的栅极端子的电压，变为对应于镜像电流Ir1的基准电压Vref1。也即，电压生成用晶体管Td，用作将对应于镜像电流Ir1(所以对应于基准电流Ir0)的基准电压Vref1，加载给基准电压线25的机构。

但是，如果电流生成用晶体管Tb的特性(特别是阈值电压)因制造上的理由而与所期望的特性不同，则无法生成给定的电流值的基准电流Ir0(甚至给定电压值的基准电压Vref1)，其结果是，数据信号Xj的电流值中也能产生误差。图3所示的补偿电路211是用来补偿电流生成用晶体管Tb的特性偏差的电路。如图所示，补偿电路211具有补偿用晶体管Ta与开关元件SW以及电容器C1。

补偿用晶体管Ta，是漏极端子与栅极端子连接在电流生成用晶体管Tb的栅极端子上的n沟道型晶体管。补偿用晶体管Ta的源极端子与端子201相连接。该端子201中被未图示的电源电路加载电压Vr0。另外，电容器C1，是***在电流生成用晶体管Tb的栅极端子与接地线之间的电容，发挥保持补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压的功能。

开关元件SW，是用来切换补偿用晶体管Ta的栅极端子与电压供给线27之间的导通与不导通的机构。该电压供给线27中，被加载了图中未显示的电源电路所生成的电压(以下称作“导通电压”)Vr1。导通电压Vr1被设为使得补偿用晶体管Ta变为导通状态的电平。也即，导通电压Vr1被设定为比加载给端子201的电压Vr0与补偿用晶体管Ta的阈值电压Vth1相加的电压Va(＝Vr0+Vth1)高的电平。

开关元件SW的开闭，由控制电路30所供给的控制信号SINI进行控制。如图4所示，控制信号SINI，是在从初始化期间PINI的起点T0开始经过给定时长(短于初始化期间PINI的时长)为止的期间(以下称作“第一期间”)P1，与从各个间隔期间Hb的起点开始经过给定时间的期间中，维持高电平，在除此之外的期间中变为低电平的信号。开关元件SW，在控制信号SINI维持高电平的第一期间P1以及各个间隔期间Hb中变为接通状态，在此外的期间中变为断开状态。

<A-2：第一实施方式的动作>

接下来，对基准电压生成电路21的动作进行说明。首先，在第一期间P1中，第一控制信号SINI变为高电平，开关元件SW转变为导通状态时，补偿用晶体管Ta的栅极端子被加载电压供给线27的导通电压Vr1。由于导通电压Vr1被设定为高于电压Va的电平，因此，在第一期间P1中，补偿用晶体管Ta变为导通状态。另外，在第一期间P1中，电容器C1由导通电压Vr1被充电。

接下来，经过了第一期间P1，控制信号SINI转变为低电平之后，开关元件SW变为断开状态，停止给补偿用晶体管Ta的栅极端子加载导通电压Vr1。在接着该第一期间P1的第二期间P2中，通过导通电压Vr1，让电容器C1中所积蓄的电荷随着时间的经过经补偿用晶体管Ta进行放电。伴随着该放电，补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压Vref0从导通电压Vr1缓缓下降。这样，在电压Vref0降低到电压Va(＝Vr0+Vth1)的时刻，补偿用晶体管Ta转变为截止状态，此后，电压Vref0保持为电压Va。这样，在电压Vref0的电平稳定了之后的阶段，初始化期间PINI的终点T1到来。也即，第二期间P2，被选定为比电容器C1的电压Vref0从导通电压Vr1下降到电压Va所需要的时长更长的时长。另外，以下将把导通电压Vr1加载给补偿用晶体管Ta的动作(也即让开关元件SW为导通状态的动作)称作“更新动作”。

如上所示，在初始化期间PINI中将电压Vref0设为电压Va，但在该设定之后，补偿用晶体管Ta的栅极端子中所产生的电压Vref0有可能因所产生的噪声而变动。例如，在补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压Vref0因噪声而变为低于电压Va的电压的情况下，该电压Vref0维持为下降后的电压。如果伴随着该动作基准电压Vref1也下降，则数据信号Xj的电流值变得小于让电压Vref0维持为电压Va的正常状态，甚至会导致图像的对比度降低的结果。另外，在补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压Vref0因噪声而变为高于电压Va的电压的情况下，由于补偿用晶体管Ta转变为导通状态，因此电压Vref0再次降低到Va，所以图像几乎不会受到噪声的影响。也即，在图3所示的构成中，比电压Va低的电压的噪声(以下称作“负极性噪声”)尤其成为问题。为了消除该负极性噪声所引起的显示品位的降低，本实施方式中，即使在初始化期间PINI的经过后的各个间隔期间Hb中，也对应于控制信号SINI让开关元件SW变为导通状态，通过这样来定期进行更新动作。

也即，一旦在间隔期间Hb中控制信号SINI转变为高电平，则与第一期间PI一样，给补偿用晶体管Ta加载导通电压Vr1，同时由该导通电压Vr1对电容器C1进行充电。另外，一旦控制信号SINI从高电平转变为低电平，则由于电容器C1的放电，电压Vref0从导通电压Vr1下降到Va并稳定。为了防止在电压Vref0(还有电压Vref1)处于变化的过程中时，输出数据信号Xj，而将间隔期间Hb选定为比控制信号SINI保持高电平的时长与电压Vref0降低到电压Va之前的时长的合计还要长的时长。

如果如上那样在更新动作后，给栅极端子稳定加载电压Vref0，则电流生成用晶体管Tb中流动对应于电压Vref0的基准电流Ir0，另外，对应于该基准电流Ir0的镜像电流Ir1流动到电压生成用晶体管Td中。所以，基准电压线25中被加载对应于电压Vref0的基准电压Vref1。在初始化期间PINI的经过之后的各个水平扫描期间H中，使能信号SENB维持高电平，因此以基准电压Vref1为基准在各个电流输出电路23中所生成的数据信号X1至Xn，经开关元件105输出给数据线103。

这里，电流生成用晶体管Tb中所流动的基准电流Ir0，通过以下的式(1)来表示。

Ir0＝(1/2)β(Vref0-Vth2)²……(1)

式中，β为电流生成用晶体管Tb的增益系数，Vth2为电流生成用晶体管Tb的阈值电压。

由于经过上述初始化期间PINI后，电压Vref0稳定为电压Vr0与电压Vth1相加之后的电压Va(Vref0＝Va＝Vr0+Vth1)，因此式(1)可以通过以下的式(2)来表示。

Ir0＝(1/2)β(Vr0+Vth1-Vth2)² ……(2)

这里，由于电流生成用晶体管Tb与补偿用晶体管Ta互相靠近设置，因此其各自的特性大致相同。也即，可以认为阈值电压Vth1与阈值电压Vth2大致相等。所以式(2)可以变形为：

Ir0＝(1/2)β(Vr0)² ……(3)

从式(3)可以得知，基准电流Ir0并不依赖于电流生成用晶体管Tb的阈值电压Vth2。所以，根据该基准电流Ir0所生成的基准电压Vref1，成为补偿了电流生成用晶体管Tb的阈值电压Vth2的偏差的电压(也即不依赖于阈值电压Vth2的电压)。另外，基准电压Vref1，通过变化加载给端子201的电压Vr0来适当进行调整。由于数据信号Xj的电流值的最大值根据基准电压Vref1设定，因此通过变化电压Vr0，能够任意调整像素区域P中所显示的图形的对比度。

如上所述，本实施方式中，由于在包括初始化期间PINI以及各个间隔期间Hb的多次中执行更新动作，因此即使在补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压Vref0因负极性噪声而从电压Va下降的情况下，在其之后的间隔期间Hb中也能够恢复为电压Va。所以，降低了负极性噪声的影响，维持良好的显示品质。另外，本实施方式中，例示了在相邻的前后水平扫描期间之间的间隔期间Hb中，执行更新动作的构成，但也可以代替该构成，或与该构成一起，采用在相邻的前后的垂直扫描期间之间的间隔期间中，执行更新动作的构成。

另外，由于成为基准电压Vref1的基础的电压Vref0，通过使导通电压Vr1降低到电压Va而产生，因此如果在该电压Vref0下降的过程中的某个阶段中，实施数据信号Xj的输出，则无法将该数据信号Xj设定为所期望的电流值。本实施方式中，在经过了初始化期间PINI以及间隔期间Hb，电压Vref0已经稳定化了的阶段中，开始数据信号Xj的输出，因此具有能够高精度生成对应于灰度数据D的电流值的数据信号Xj这一优点。

<A-3：第一实施方式的变形例>

以上的方式中能够添加各种各样的变形。具体的变形方式如下所示。另外，以下的各个方式可以适当组合起来。

<A-3-1：第一变形例>

以上的方式中，例示了对1个电流输出电路23设置1个基准电压生成电路21的构成。与此相对，本变形例中，采用通过多个电流输出电路23共用1个基准电压生成电路21的构成。

图5为表示有关本变形例的电光学装置1的数据线驱动电路20的构成的框图。如图所示，本变形例的数据线驱动电路20，具有1个基准电压生成电路21，与相当于数据线103的总根数的n个电流输出电路23。另外，图5中，只详细图示了对应于第j列数据线103的电流输出电路23的构成，但其他电流输出电路23的构成也一样。如图5所示，数据线驱动电路20中所含有的所有电流输出电路23中的晶体管Tf1至Tf4的栅极端子，共同连接在基准电压线25上。

如上说明所示，本变形例中，通过多个电流输出电路23共用1个基准电压生成电路21，因此与对各个电流输出电路23设置基准电压生成电路21的图3的构成相比，能够缩小数据线驱动电路20的电路规模。

另外，由于补偿电路211与基准电压线25之间***有电流生成用晶体管Tb以及变换电路213，因此起到了能够让基准电压Vref1高精度稳定在所期望的电平这一效果。如果对该效果进行详细说明，则如下所述。

作为多个电流输出电路23共用1个基准电压生成电路21的构成，还可以考虑不设置电流生成用晶体管Tb以及变换电路213，而是将补偿电路211所生成的电压Vref0直接加载给基准电压线25，提供给各个电流输出电路23的构成(也即让补偿用晶体管Ta的栅极端子与基准电压线25相连接的构成)。该构成(以下称作“对比构成”)中，所有的电流输出电路23的各个晶体管Tf1至Tf4共同连接在补偿用晶体管Ta的栅极端子上。这里，一旦各个晶体管Tf的栅极端子与源极端子之间产生电流泄漏，补偿用晶体管Ta的电压Vref0便从所期望的电平下降。在对比构成中，由于补偿用晶体管Ta的栅极端子与多个晶体管Tf直接连接，因此存在晶体管Tf中产生电流泄漏，电压Vref0下降的可能性较高这一问题。

与此相对，本变形例中，通过让补偿用晶体管Ta的栅极端子与1个电流生成用晶体管Tb相连接，在由电流生成用晶体管Tb以及变换电路213生成了对应于电压Vref0的基准电压Vref1之后，加载给各个电流输出电路23的晶体管Tf1至Tf4的栅极端子。所以，即使哪个电流输出电路23的晶体管Tf中产生了电流泄漏，也能够将基准电压Vref1维持为所期望的电平，其结果是，能够高精度控制数据信号Xj的电流值。另外，该效果虽然也能够通过图3的构成来实现，但在1个基准电压生成电路21中连接多个晶体管Tf的本变形例的构成中，可以说是一种特别有效的效果。

图5的构成中，与第一实施方式一样，在包括初始化期间PINI以及各个间隔期间Hb的多次中执行更新动作。但是，本变形例中，也可以如图6所示，采用只在初始化期间PINI中执行更新动作的构成(各个间隔期间Hb中不执行更新动作的构成)。

<A-3-2：第二变形例>

以上的方式中例示了定期执行更新动作的构成。与此相对，本变形例中，只在电压Vref0低于电压Va的情况下执行更新动作。

图7为表示本变形例的各个单位电路U中所设置的基准电压生成电路21的构成的电路图。如图所示，本变形例中的基准电压生成电路21具有比较电路(CMP)28。该比较电路28，是将加载给端子202的电压Vr2与补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压Vref0进行比较，对应于该比较结果控制开关元件SW的开闭的机构。更具体地说，比较电路28，在电压Vref0低于电压Vr2的情况下，让开关元件SW处于接通状态，执行更新动作，在电压Vref0超过了电压Vr2的情况下，维持开关元件SW为断开状态。电压Vr2被设定为电压Vr0至Va之间的任一个电平(Vr0＜Vr2＜Va＝Vr0+Vth1)。

该构成中，在没有产生负极性噪声的情况下(完全没有产生噪声的情况以及因噪声所引起的电压Vref上升了的情况)，电压Vref0高于电压Vr2，因此开关元件SW维持断开状态。所以，该情况下不执行更新动作。与此相对，如果产生了负极性噪声，电压Vref0低于Vr2，则通过比较电路28让开关元件SW处于导通状态。此时，补偿用晶体管Ta的栅极端子被加载导通电压Vr1，执行更新动作。

这样，本变形例中，由于只在电压Vref0下降了的情况下执行更新动作，因此与不管有没有噪声，均定期实施更新动作的第一实施方式的构成相比，能够抑制消耗功率。

<A-3-3：第三变形例>

接下来，对第三变形例进行说明。本变形例的相关数据线驱动电路20中，与第一实施方式一样，不但在初始化期间PINI中，在其经过之后也定期执行更新动作。

图8为表示单位电路U中的电流输出电路23的前段构成的电路图。如图所示，本变形例中，1个单位电路U具有两个基准电压生成电路21a以及21b。基准电压生成电路21a以及21b各自的构成与第一实施方式中所示的基准电压生成电路21一样。也即，基准电压生成电路21a，根据由电流生成用晶体管Tb对应于补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压Vref0_a所生成的基准电流Ir0_a，输出基准电压Vref1_a，基准电压输出电路21b，根据对应于电压Vref0_b的基准电流Ir0_b，输出基准电压Vref1_b。

基准电压生成电路21a的开关元件SW，根据控制信号SINI_a来控制开闭，基准电压生成电路21b的开关元件SW，根据控制信号SINI_b来控制开闭。图9为说明本变形例中的数据线驱动电路20的动作的时序图。在初始化期间PINI的经过之后，控制信号SINI_a以及SINI_b，如图9所示，在每一个给定的期间P交互转变为高电平。所以，基准电压生成电路21a以及21b中，在每一个期间P中交互执行更新动作。也即，为下述状况：在某个期间P中基准电压生成电路21a执行了更新动作之后，在接下来的期间P中，基准电压生成电路21b执行更新动作，进而在下一个期间P中，基准电压生成电路21a执行更新动作。

如图8所示，在基准电压生成电路21a以及21b的后段设置选择电路29。该选择电路29，是选择基准电压生成电路21a所生成的基准电压Vref_a以及基准电压生成电路21b所生成的基准电压Vref_b中的某个，并加载给基准电压线25的机构，具有设置在基准电压生成电路21a的后段的开关元件SWa，与设置在基准电压生成电路21b的后段的开关元件SWb。其中的开关元件SWa，介于基准电压生成电路21a的电压生成用晶体管Td的栅极端子与基准电压线25之间，由控制电路30所供给的选择信号Sc_a控制开闭。另外，开关元件SWb，介于基准电压生成电路21b的电压生成用晶体管Td的栅极端子与基准电压线25之间，由控制电路30所供给的选择信号Sc_b控制开闭。

如图9所示，选择信号Sc_a以及Sc_b，在每一个期间P中交互变为高电平。更详细地说，选择信号Sc_a，在控制信号SINI_a变为高电平的期间P的紧接着的期间P的起点到终点之间变为高电平。同样，选择信号Sc_b，在控制信号SINI_b变为高电平的期间P的紧接着的期间P的起点到终点之间变为高电平。换而言之，选择信号Sc_a，在控制信号SINI_b为高电平的期间P中变为高电平，选择信号Sc_b，在控制信号SINI_a为高电平的期间P中变为高电平。

该构成中，在通过基准电压生成电路21a以及21b中的一方执行更新动作时，另一方将基准电压Vref1加载到基准电压线25上。例如，在控制信号SINI_a变为高电平，通过基准电压生成电路21a实施更新动作的期间P中，选择信号SINI_b转变为高电平，开关元件SWb变为接通状态，因此基准电压生成电路21b所生成的基准电压Vref_b作为基准电压Vref1加载给基准电压线25。另外，在控制信号SINI_b变为高电平的期间P中，通过选择信号SINI_a让开关元件SWa变为导通状态，将基准电压Vref_a输出给基准电压线25。

这样，本变形例中，由于基准电压生成电路21a以及21b相补进行动作，因此尽管电压Vref0伴随着更新动作而变动，也能够常时将一定的基准电压Vref1提供给各个电流输出电路23。所以，不需要禁止数据信号Xj的输出的期间(也即让开关元件105处于断开状态的期间)以及用来对其进行禁止的开关元件105。

但是，本变形例的构成中，在将基准电压Vref1的供给源从基准电压生成电路21a以及21b的一方切换到另一方的时刻，基准电压线25中有可能会产生噪声且导致基准电压Vref1变动。因此，在采用在间隔期间Hb中切换基准电压Vref1的供给源(也即使选择信号Sc_a以及Sc_b的电平变化)的构成之后，可以与第一实施方式一样，让开关元件105在间隔期间Hb中处于断开状态。由于能够产生因基准电压Vref1的供给源的切换所引起的噪声的期间的时长，与伴随着更新动作让电压Vref0从导通电压Vr1变动到电压Va的时间长相比足够短，因此该构成中，具有能够缩短间隔期间Hb的优点。

另外，图8中例示了具有两个基准电压生成电路21a以及21b的单位电路U，但也可以采用1个单位电路U中具有3个以上基准电压生成电路21的构成。该构成中，在各个基准电压生成电路21中，顺次在每一个期间P中执行更新动作，另外，选择电路29，对于在期间P中执行了更新动作之后的基准电压生成电路21所生成的基准电压，在其之后的期间P中进行选择。

<A-3-4：第四变形例>

图10为表示本变形例的单位电路U中所设置的基准电压生成电路21的构成的电路图。如图所示，该基准电压生成电路21，代替第一实施方式中的开关元件SW，具有电阻R。也即，被加载了导通电压Vr1的电压供给线27与补偿用晶体管Ta的栅极端子经电阻R电连接。电阻R具有让该电阻R中流通微小电流Ir这一程度的高电阻值。电流Ir，为在电压Vref0处于接近电压Va的程度时，与补偿用晶体管Ta中所流动的电流大致相等的电流或比其稍大的电流。

通过该构成，由于从电压供给线27经电阻R常时给补偿用晶体管Ta供给微小的电流Ir，因此不进行像第一实施方式以及第一至第三变形例那样的更新动作，就能够让电流生成用晶体管Tb的栅极端子的电压Vref0保持为电压Va。所以，能够简化基准电压生成电路21的构成以及用来控制其动作的构成(例如控制电路30)。另外，该构成中，由于通过电阻R维持补偿用晶体管Ta的栅极端子的电压大致为一定，因此适当省略了用来保持该电压的电容器C1。

<A-3-5：其他变形例>

第一实施方式以及第一至第四变形例中还能够添加以下变形。

(1)上述方式中，例示了在补偿电路211与基准电压线25之间***有电流生成用晶体管Tb以及变换电路213的构成，但也可以采用省略了电流生成用晶体管Tb以及变换电路213的构成，也即将补偿电路211所生成的电压Vref0直接加载给基准电压线25，提供给电流输出电路23的构成(也即补偿用晶体管Ta的栅极端子与基准电压线25相连接的构成)。通过采用该构成，便具有能够简化各个单位电路U的构成的优点。但是，如果像第一实施方式那样，基准电压生成电路21是具备电流生成用晶体管Tb与变换电路213的构成，则与本变形例的构成相比，起到了能够高精度地让基准电压Vref1稳定到所期望的电平的效果。关于该效果的详细内容如下所述。

本变形例的构成中，电流输出电路23的所有晶体管Tf1至Tf4共同连接在补偿用晶体管Ta的栅极端子上。这里，如果各个晶体管Tf的栅极端子与源极端子之间产生了电流泄漏，则补偿用晶体管Ta的电压Vref0便从所期望的电平开始下降。本变形例的构成中，由于在补偿用晶体管Ta的栅极端子中直接连接多个晶体管Tf，因此存在晶体管Tf中产生电流泄漏，电压Vref0下降的可能性较高这一问题。另外，为了实现图像的多灰度化，需要增加数据信号Xj的电流值的等级数，但由于因此就需要增加晶体管Tf的个数，因此该问题变得更加显著。

另外，第一实施方式中，通过在补偿用晶体管Ta的栅极端子中连接1个电流生成用晶体管Tb，在通过电流生成用晶体管Tb以及变换电路213生成了对应于电压Vref0的基准电压Vref1之后，再加载给各个晶体管Tf1至Tr4的栅极端子。所以，即使假设电流输出电路23的某个晶体管Tf中产生了电流泄漏，也能够将基准电压Vref1维持为所期望的电平，其结果是，具有能够高精度控制数据信号Xj的电流值这一优点。

(2)以上的各个方式中，例示了在电流生成用晶体管Tb的栅极端子上连接有电容器C1的构成，但该电容器C1不一定是必须的。例如，如果通过补偿用晶体管Ta以及电流生成用晶体管Tb的栅极电容能够得到与各个方式相同的作用，便不需要在其他要素之外独立设置电容器C1。

(3)以上的各个方式中，例示了补偿用晶体管Ta与电流生成用晶体管Tb具有相同特性的构成，但这些特性不需要严格地一致。例如，只要由电光学装置1所显示的图像中没有在视觉上出现影响的限度内，补偿用晶体管Ta的阈值电压Vth1与电流生成用晶体管的阈值电压Vth2也可以不同。

(4)适当变更构成基准电压生成电路21的各个晶体管的导电型。例如，也可以采用将基准电压生成电路21中的n沟道型晶体管(Ta、Tb以及Td)替换成p沟道型晶体管，将p沟道型晶体管(Tc1以及Tc2)替换成n沟道型晶体管的构成。但是，这些构成中，例如需要将图1中所示的电源电位Vdd替换成接地电位Gnd，同时将接地电位Gnd替换成电源电位Vdd。

(5)任意变更像素电路40的构成。所以，数据信号Xj的方式中也对应于像素电路40的构成适当进行变更。例如，以上的各个方式中，例示了输出对应于灰度数据D的电流值的数据信号Xj的电光学装置1，但通过对应于灰度数据D的时间密度中，输出成为第一电流值以及第二电流值的数据信号Xj的脉冲宽度调制方式的电光学装置中，也能够使用本发明。另外，在将数据信号Xj在各个列中顺次输出的点顺次驱动方式以及将全列的数据信号X1至Xn一起输出的线顺次驱动方式的任一种电光学装置中，都能够适用本发明。

<B：第二实施方式>

接下来，对本发明的第二实施方式进行说明。另外，给与本实施方式中的与第一实施方式相同的要素标注相同的符号，适当省略其说明。

<B-1：数据线驱动电路的构成>

图11为表示数据线驱动电路20中所含有的1个单位电路U的具体构成的电路图。另外，图中，虽然只图示了属于第j列的单位电路U的构成，但其他的单位电路U也是相同的构成。如图11所示，各个单位电路U，具有作为经基准电压线25互相连接的基准电压生成部的基准电压生成电路21，与作为电流输出部的电流输出电路23。各个电流输出电路23的构成与第一实施方式一样。设置在各个单位电路U的后段的所有的开关元件105，对应于从控制电路30所共同供给的使能信号SENB来控制开闭。

图12为用来说明数据线驱动电路20的动作的时序图。如图所示，使能信号SENB，在从作为接通电光学装置1的电源的定时的时点t0到时点t3之间的初始化期间PINI中，维持低电平。另外，使能信号SENB在经过了作为初始化期间PINI的终点的时点t3之后，在选择任一根扫描线101的水平扫描期间H中维持高电平，同时，在从作为各个水平扫描期间H的终点的时点t4到作为下一个水平扫描期间H的起点的时点t7之间的间隔期间Hb中，维持低电平。

<基准电压生成电路的构成>

图11中所示的基准电压生成电路21，是生成作为数据信号Xj的电流值的基准的基准电压Vrefl的电路，由生成作为基准电压Vref1的基础的基准电流Ir0的电流生成用晶体管TrA、作为电容部的电容器C1、输出基准电压Vref1的电压生成用晶体管TrB、以及4个开关元件SWA、SWB、SWC、SWD构成。

基准电压生成电路21中，由电源电路(图示省略)供给电源电位Vdd以及设定的比其更低的给定的电位Vref。例如在电源电位Vdd为15V的情况下，电位Vref被设为13V左右。

电容器C1中，一方端子与电源电位Vdd相连接，另一方端子与电流生成用晶体管TrA的栅极端子相连接，起到保持电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压的作用。

电压生成用晶体管TrB是n沟道型，源极端子与被加载了接地电位Gnd的接地线相连接，栅极端子与漏极端子互相连接(二极管连接)，漏极端子经基准电压线25与电流输出电路23的晶体管Tf(Tf1至Tf4)的栅极端子相连接。

开关元件SWA，其一方端子与电源电位Vdd相连接，另一方端子与电流生成用晶体管TrA的源极端子相连接，对应于来自控制电路30的控制信号SA，切换成连接状态(导通状态)与非连接状态(非导通状态)的某一个。本实施方式的开关元件SWA，在控制信号SA为高电平时变为连接状态，在为低电平时变为非连接状态。

开关元件SWB，其一方端子与电位Vref相连接，另一方端子与电流生成用晶体管TrA的源极端子相连接，对应于来自控制电路30的控制信号SB，切换成连接状态与非连接状态的某个。本实施方式的开关元件SWB，在控制信号SB为高电平时变为连接状态，在为低电平时变为非连接状态。

开关元件SWC，其一方端子与电流生成用晶体管TrA的栅极端子相连接，另一方端子与电流生成用晶体管TrA的漏极端子相连接，对应于来自控制电路30的控制信号SC，切换成连接状态与非连接状态的某个。本实施方式的开关元件SWC，在控制信号SC为高电平时变为连接状态，在为低电平时变为非连接状态。

开关元件SWD，其一方端子与电流生成用晶体管TrA的漏极端子相连接，另一方端子与电压生成用晶体管TrB的漏极端子相连接，对应于来自控制电路30的控制信号SD，切换成连接状态与非连接状态的某个。本实施方式的开关元件SWD，在控制信号SD为高电平时变为连接状态，在为低电平时变为非连接状态。

电流生成用晶体管TrA是p沟道型，在来自控制电路30的控制信号SA为高电平且控制信号SB为低电平时，开关元件SWA变为连接状态，且开关元件SWB变为非连接状态，给源极端子加载电源电位Vdd；在控制信号SB为高电平且控制信号SA为低电平时，开关元件SWB变为连接状态，且开关元件SWA变为非连接状态，给源极端子加载电位Vref。另外，如图12所示，对控制信号SA与SB进行控制，使其互相相反，逻辑电平不同。

另外，电流生成用晶体管TrA，在来自控制电路30的控制信号SC为高电平时，开关元件SWA变为连接状态，栅极端子与漏极端子互相连接(二极管连接)。另外，在来自控制电路30的控制信号SD为高电平时，开关元件SWD变为连接状态，电流生成用晶体管TrA的漏极端子与电压生成用晶体管TrB的漏极端子相连接。

<B-2：第二实施方式的动作>

接下来，对本实施方式的动作进行说明。另外，由于本实施方式中除了基准电压生成电路21以外的动作均与第一实施方式相同，因此以下重点对基准电压生成电路21的动作进行说明。

图12为说明基准电压生成电路21的动作的时序图。如图12所示，在基准电压生成电路21进行动作的期间，分为从时点t0到时点t1之间的期间A(第一期间)、从时点t1到时点t2之间的期间B(第二期间)、从时点t2到时点t3之间的期间C(第三期间)、从时点t3到时点t4之间的期间D(第四期间)。图13为表示期间A中的单位电路U的状态的电路图，图14为表示期间B中的单位电路U的状态的电路图，图15为表示期间C中的单位电路U的状态的电路图，图16为表示期间D中的单位电路U的状态的电路图。以下，将基准电压生成电路21的动作划分为期间A至期间D，分别进行说明。

<期间A的动作>

最初，在期间A中，如图12所示，通过控制电路30，将使能信号SENB设为低电平，将控制信号SA设为低电平，将控制信号SB设为高电平，将控制信号SC设为高电平，将控制信号SD设为高电平。通过该设定，如图13所示，开关元件SWA变为非连接状态，开关元件SWB与开关元件SWC以及开关元件SWD变为连接状态。所以，电流生成用晶体管TrA的源极端子被加载电位Vref，电流生成用晶体管TrA的栅极端子与漏极端子相互连接(二极管连接)，电流生成用晶体管TrA的漏极端子与电压生成用晶体管TrB的漏极端子相连接。

通过该连接的状态，电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电位，变为由电流生成用晶体管TrA与电压生成用晶体管TrB的导通电阻的比所决定的电位。导通电阻的比，由电流生成用晶体管TrA与电压生成用晶体管TrB各自的栅极宽度与栅极长度以及移动度的比决定。例如，设电流生成用晶体管TrA的栅极宽度＝5μm、栅极长度＝10μm、移动度＝0.5、电压生成用晶体管TrB的栅极宽度＝5μm、栅极长度＝15μm、移动度＝1.0，则电流生成用晶体管TrA与电压生成用晶体管TrB的导通电阻的比变为4∶3。设电位Vref＝13V，则电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电位变为＝Vref×3/(3+4)≈5.57V。另外，该期间A中，输出给基准电压线25的基准电压Vref1尚未被设为所期望的值，但由于在期间A中，通过低电平的使能信号SENB让开关元件105变为非连接状态，因此不会对数据线103输出不稳定的数据信号Xj。

<期间B的动作>

在接着期间A的期间B中，如图12所示，通过控制电路30，保持使能信号SENB为低电平，控制信号SA为低电平，控制信号SB为高电平，控制信号SC为高电平，将控制信号SD从高电平切换成低电平。通过该设定，如图14所示，开关元件SWD变为非连接状态。继续给电流生成用晶体管TrA的源极端子加载电位Vref，电流生成用晶体管TrA的栅极端子与漏极端子相连接(二极管连接)，因此，如果设电流生成用晶体管TrA的阈值电压为VthA，则电流生成用晶体管TrA的栅极电位缓缓上升，达到“Vref-VthA”。

<期间C的动作>

在接着期间B的期间C中，如图12所示，通过控制电路30，保持使能信号SENB为低电平，控制信号SA为低电平，控制信号SB为高电平，控制信号SD为低电平，将控制信号SC从高电平切换成低电平。通过该设定，如图15所示，开关元件SWC变为非连接状态，电流生成用晶体管TrA的栅极端子与漏极端子变为非连接状态，因此电容器C1中保持电位“Vref-VthA”。

<期间D的动作>

接下来的期间D中，如图12所示，通过控制电路30，保持控制信号SC为低电平，分别将使能信号SENB从低电平切换成高电平，控制信号SA从低电平切换成高电平，控制信号SB从高电平切换成低电平，控制信号SD从低电平切换成高电平。通过该设定，如图16所示，开关元件SWA变为连接状态，开关元件SWB变为非连接状态，加载给电流生成用晶体管TrA的源极端子的电位，从电位Vref切换成电源电位Vdd，开关元件SWD变为连接状态，电流生成用晶体管TrA的漏极端子与电压生成用晶体管TrB的漏极端子相连接。另外，由于电流生成用晶体管TrA的栅极端子被电容器C1保持为电位“Vref-VthA”，因此从电源电位Vdd向接地电位Gnd产生基准电流Ir0。另外，通过电压生成用晶体管TrB，从基准电压线25向电流输出电路23供给基准电压Vref1。

电流输出电路23的基准电压Vref1提供给晶体管Tf(Tf1至Tf4)，如果对应于灰度数据D的晶体管Te(Te1至Te4)变为导通状态，则晶体管Tf中流动电流I(从I1至I4中所选择出的1个以上的电流)，这些电流相加起来的信号作为数据信号Xj提供给数据线103。

基准电流Ir0，如果设电流生成用晶体管TrA的增益系数为β，电流生成用晶体管TrA的阈值电压为VthA，电流生成用晶体管TrA的栅极-源极间电位为Vgs，则由于Vgs＝Vdd-(Vref-VthA)，因此Ir1＝(1/2)×β×(Vgs-VthA)²＝(1/2)×β×(Vdd-(Vref-VthA)-VthA)²＝(1/2)×β×(Vdd-Vref)²。也即，基准电流Ir0没有受到电流生成用晶体管TrA的阈值电压VthA的影响，而通过电源电位Vdd与电位Vref的设定来决定。

另外，间隔期间Hb(期间A与期间B以及期间C)中的更新动作，在作为水平扫描期间H的期间D之间电容器C1的电位“Vref-VthA”开始下降之前执行(图12的时点t4至时点t7)。该更新动作，在相继的水平扫描期间之间的间隔期间或相继的垂直扫描期间之间的间隔期间中执行。

如上所述，本实施方式中，基准电流Ir0(以及基准电压Vref1)不会受到电流生成用晶体管TrA的阈值电压VthA的影响，而是根据电源电位Vdd与电位Vref来决定的。所以，能够降低制造工序所引起的阈值电压VthA的偏差以及与其相对应的特性误差，高精度地生成所期望的电流值的基准电流Ir0(或所期望的电压值的基准电压Vref1)。另外，由于通过多次执行更新动作，来随时将基准电流Ir0的电流值设定为所期望的值，因此能够将稳定的基准电压Vrefl提供给电流输出电路23。

<B-3：第二实施方式的变形例>

以上的第二实施方式中能够添加各种各样的变形。如果例示具体的变形方式，则如下所述。另外，以下的各个方式可以适当组合起来。

<B-3-1：第一变形例>

第二实施方式中，例示了数据线驱动电路20中所含有的各个单位电路U中包含有1个基准电压生成电路21与1个电流输出电路23的构成。与此相对，本变形例中，与图5的构成一样，多个电流输出电路23与1个基准电压生成电路21相连接。

图17为表示本变形例中的数据线驱动电路20的构成的电路图。如图17所示，与基准电压生成电路21的电压生成用晶体管TrB的漏极端子相连接的基准电压线25，共同连接在多个电流输出电路23的晶体管Tf(Tf1至Tf4)的栅极端子上。通过采用该构成，与各个单位电路U中设有基准电压生成电路21的构成相比，能够缩小电路规模。

<B-3-2：第二变形例>

第一实施方式中，例示了数据线驱动电路20中所含有的1个单位电路U中包含有1个基准电压生成电路21的构成。与此相对，本变形例中，与图8所例示的构成一样，两个基准电压生成电路21中的某个有选择地与电流输出电路23相连接。

图18为表示本变形例中的数据线驱动电路20的构成的电路图。如图18所示，数据线驱动电路20的单位电路U，包含有两个基准电压生成电路21A、21B、选择电路29、以及电流输出电路23。基准电压生成电路21A、21B各自的构成，与图11所示的第二实施方式的基准电压生成电路21一样。

基准电压生成电路21A的开关元件SWA、SWB、SWC、SWD，分别由来自控制电路30的控制信号SA1、SB1、SC1、SD1进行控制。另外，基准电压生成电路21B的开关元件SWA、SWB、SWC、SWD，分别由来自控制电路30的控制信号SA2、SB2、SC2、SD2进行控制。

选择电路29具有开关元件SW1、SW2。开关元件SW1，其一方端子与基准电压生成电路21A的电流生成用晶体管TrA的栅极端子(基准电压Vref1A)相连接，同时另一方端子与基准电压线25相连接，对应于来自控制电路30的控制信号S1，切换为连接状态与非连接状态中的某个。开关元件SW2，其一方端子与基准电压生成电路21B的电流生成用晶体管TrA的栅极端子(基准电压Vref1B)相连接，同时另一方端子与基准电压线25相连接，对应于来自控制电路30的控制信号S2，切换为连接状态与非连接状态中的某个。

接下来，对照图18以及图19，对基于控制电路30的基准电压生成电路21A、21B的动作进行说明。图19为用来说明基于控制电路30的基准电压生成电路21A、21B与选择电路29的动作的时序图。如图19所示，对应于来自控制电路30的控制信号SA(SA1、SB1、SC1、SD1)，在基准电压生成电路21A的电流生成用晶体管TrA的栅极端子中生成基准电压Vref1A的动作，与对照图12所说明的动作(基准电压生成电路21生成基准电压Vref1的动作)相同。

在图19中所示的时点t3，基准电压生成电路21A变为期间D，基准电压生成电路21A的电流生成用晶体管TrA的栅极电位Vref1A保持为Vref-VthA。在该时点，控制电路30的控制信号S1从低电平切换成高电平，选择电路29的开关元件SW1变为连接状态，向基准电压线25供给基准电压生成电路21A的电流生成用晶体管TrA的栅极电位Vref1A。另外，控制信号S2保持低电平。

另外，基准电压生成电路21B，从时点t3开始变为期间A，在时点t4变为期间B，在时点t5变为期间C，在时点t6变为期间D。时点t6中，基准电压生成电路21B的电流生成用晶体管TrA的栅极电位Vref1B保持为Vref-VthA。在该时点，控制电路30的控制信号S2从低电平切换成高电平，选择电路29的开关元件SW2变为连接状态，向基准电压线25供给基准电压生成电路21B的电流生成用晶体管TrA的栅极电位Vref1B。另外，控制信号S从高电平切换成低电平，选择电路29的开关元件SW1变为非连接状态。

时点t7中，基准电压生成电路21A再次变为期间A，在时点t10变为期间D，控制信号S1从低电平切换成高电平，选择电路29的开关元件SW1变为连接状态，向基准电压线25供给基准电压生成电路21A的电流生成用晶体管TrA的栅极电位Vref1A。另外，控制信号S2从高电平切换成低电平，选择电路29的开关元件SW2变为非连接状态。

之后，重复从时点t3开始至时点t10为止的动作，交互向基准电压线25供给基准电压生成电路21A的电流生成用晶体管TrA的栅极电位Vref1A，与基准电压生成电路21B的电流生成用晶体管TrA的栅极电位Vref1B。

如果采用以上方式，通过进行控制让两个基准电压生成电路21A、21B交互动作，能够常时向基准电压线25供给稳定的基准电压。另外，即使在无法长期设定间隔期间的情况下，也能够常时向基准电压线25供给稳定的基准电压。

<B-3-3：第三变形例>

第二实施方式中，例示了数据线驱动电路20中所含有的1个单位电路U中包含有基准电压生成电路21与电流输出电路23的构成。与此相对，本变形例中，采用将通过电流生成用晶体管TrA所生成的基准电流Ir0直接输出给数据线103，来驱动像素电路40的脉冲宽度调制(PWM：Pulse WidthModulation)方式的PWM用电路。

图20为表示本变形例中的数据线驱动电路20的构成的电路图。如图20所示，数据线驱动电路20的单位电路U中包含有1个基准电流生成电路210。基准电流生成电路210具有电流生成用晶体管TrA、电容器C1、4个开关元件SWA、SWB、SWC、SWD，以及晶体管TrD。电流生成用晶体管TrA、电容器C1、以及3个开关元件SWA、SWB、SWC的构成，与图11的基准电压生成电路21相同。

开关元件SWD，一方端子与电流生成用晶体管TrA的漏极端子相连接，另一方端子中，被电源电路(图示省略)供给比电位Vref与电流生成用晶体管TrA的阈值电压的差还要低的电位Vref2。

晶体管TrD是n沟道型，源极端子与电流生成用晶体管TrA的漏极端子相连接，漏极端子与开关元件105的一方端子相连接，定义数据信号Xj的脉冲宽度的灰度数据D，从控制电路30被提供给栅极端子。也即，从晶体管TrD经基准电流线220输出给数据线103的数据信号Xj，是在对应于灰度数据D的脉冲宽度中，电流值成为基准电流Ir0的脉冲信号。

<B-3-4：第四变形例>

第三变形例中，例示了将PWM用电路用作基准电流生成电路210的构成，但以下的变形例中，采用分别将不同的电流生成用晶体管TrA所生成的多个基准电流Ir0有选择地输出，并驱动像素电路40的脉冲振幅调制(PAM：pulse amplitude modulation)方式的电流相加型电路。

图21为表示本变形例中的1个单位电路U的构成的电路图。如图21所示，本变形例的单位电路U具有1个基准电流生成电路211。该基准电流生成电路211具有电容器C1、两个开关元件SWA以及SWB、4个电流生成用晶体管TrA(TrA1至TrA4)、4个开关元件SWC(SWC1至SWC4)、4个开关元件SWD(SWD1至SWD4)、4个晶体管TrD(TrD1至TrD4)。

4个电流生成用晶体管TrA各自的源极端互相连接，同时各自的栅极端子共同连接在电容器C1的一方端子上。另外，各个电流生成用晶体管TrA的漏极端子，与设置在其后段的1个晶体管TrD的源极端子相连接。4个晶体管TrD的各自的源极端子中被供给灰度数据D的各个位，各自的漏极端子共同连接在开关元件105上。也即，本变形例的单位电路U，是电流生成用晶体管TrA与晶体管TrD以及开关元件SWC以及SWD所构成的电路(也即与图20相同的电路)的4个并列设置起来的构成。

4个开关元件SWC(SWC1至SWC4)的每一个，其一方端子与电流生成用晶体管TrA(TrA1至TrA4)的栅极端子相连接，另一方端子与电流生成用晶体管TrA(TrA1至TrA4)的漏极端子相连接，对应于来自控制电路30的控制信号SC，切换为连接状态与非连接状态中的某个。另外，4个开关元件SWD(SWD1至SWD4)的每一个，其一方端子与电流生成用晶体管TrA(TrA1至TrA4)的漏极端子相连接，另一方端子与电位Vref2相连接，对应于来自控制电路30的控制信号SD，切换为连接状态与非连接状态中的任一个。

如果对应于灰度数据D选择了4个晶体管TrD1中的至少一个，则通过对应于该晶体管TrD1的电流生成用晶体管TrA所生成的基准电流Ir0，在基准电流线220中相加之后，作为数据信号Xj输出给数据线103。这样，本变形例中，4个晶体管TrD1至TrD4，起到将对应于基准电流Ir0的数据信号Xj输出给数据线103的机构(信号输出机构)的作用。通过采用该构成，由于能够不需要图11中的电流输出电路23，因此能够削减单位电路U的配置中所需要的面积。

<B-3-5：其他变形例>

第二实施方式及其变形例中，分别可以添加以下所述的变形。

(1)第二实施方式中，例示了在相继的水平扫描期间之间的间隔期间或相继的垂直扫描期间之间的间隔期间中执行更新动作的构成，但也可以以多个水平扫描期间H或多个垂直扫描期间为单位，来执行一次更新动作。例如，可以采用每当像素区域P的所有扫描线101都只选择了给定次数时，执行更新动作的构成。

(2)第二实施方式中，对电流生成用晶体管TrA由p沟道型晶体管构成，电压生成用晶体管TrB由n沟道型晶体管构成的情况进行了说明，但也可以是电流生成用晶体管TrA由n沟道型晶体管构成，电压生成用晶体管TrB由p沟道型晶体管构成。

(3)第二实施方式中，对在期间A中让开关元件SWD处于连接状态，将电流生成用晶体管TrA的漏极端子与电压生成用晶体管TrB的漏极端子连接起来，来设定电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电位进行了说明，但也可以采用将使得电流生成用晶体管TrA导通的电压，加载给电流生成用晶体管TrA的栅极端子与漏极端子的构成。如果采用这样的构成，则能够让更新动作所需要的期间从(期间A+期间B+期间C)变换成(期间B+期间C)，将更新动作的期间缩短了期间A的期间。

(4)第二实施方式中，例示了从控制电路30输出控制信号SA与控制信号SB这两个***的信号的构成，但也可以只从控制电路30输出控制信号SA以及控制信号SB中的一方，另一方信号通过由反相器将逻辑电平反转来生成。

(5)第二变形例中，如图18所示，对由两个基准电压生成电路21A、21B、以及选择电路29构成的情况进行了说明，但也可以采用让基准电压生成电路21A、21B的电压生成用晶体管TrB共用，交互地输出基准电流的构成。另外，第二变形例中，例示了将2个基准电压生成电路21A以及21B经选择电路29与1个电流输出电路23相连接的构成，但也可以如第一变形例所例示的那样，采用将2个基准电压生成电路21A以及21B经选择电路29与多个电流输出电路23相连接的构成。

(6)以上的各个方式中，对电流生成用晶体管TrA的栅极端子中连接有电容器C1的构成进行了说明，但如果能够保持电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压，则不一定要由电容器构成。

<C：第三实施方式>

接下来，对本发明的第三实施方式进行说明。另外，给与本实施方式中的与第一实施方式相同的要素标注相同的符号，适当省略其说明。

<C-1：第三实施方式的构成>

图22为表示本实施方式的数据线驱动电路20中的1个单位电路U的构成的电路图。如图所示，该单位电路U，具备基准电压生成部21与电流输出电路23。电流输出电路23的构成与第一实施方式一样。如图22所示，本实施方式的基准电压生成电路21，具有p沟道型电流生成用晶体管TrA、n沟道型电压生成用晶体管TrB、电容器C2、以及4个开关元件SW(SW1至SW4)。

电流生成用晶体管TrA，是用来生成基准电流Ir0的机构，其源极端子被供给电源电位Vdd。电压生成用晶体管TrB，是生成对应于基准电流Ir0的基准电压Vrefl，输出给基准电压线25的机构。电压生成用晶体管TrB的栅极端子以及漏极端子，共同连接在电流生成用晶体管TrA的漏极端子与基准电压线25上。另外，电压生成用晶体管TrB的源极端子接地。

电容器C2，是第一电极E1与第二电极E2之间的间隙中介有电介质的电容。第一电极E1，经开关元件SW1与端子T1相连接，同时，经开关元件SW2与端子T2相连接。端子T1中通过电源电路(图示省略)加载电压VINI。同样，端子T2中被加载电压Vref。另外，第二电极E2与电流生成用晶体管TrA的栅极端子相连接。另外，也可以采用将用来保持电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压Vg的保持电容，***在电流生成用晶体管TrA的栅极端子与源极端子之间的构成。

开关元件SW3介于电流生成用晶体管TrA的栅极端子与接地电位Gnd之间。开关元件SW4，介于电流生成用晶体管TrA的栅极端子与漏极端子之间。所以，如果开关元件SW4转变为导通状态，则电流生成用晶体管TrA便被二极管连接。

各个开关元件SW，是在提供给其的控制信号S(S1至S4)变为高电平时转变为接通状态(导通状态)，在变为低电平时转变为断开状态(不导通状态)的开关。例如，开关元件SW1，在控制信号S1为高电平时变为导通状态，在为低电平时变为断开状态。各个控制信号S由控制电路30供给。

<C-2：第三实施方式的动作>

图23为用来说明本实施方式中的基准电压生成电路21的动作的时序图。本实施方式中，将使能信号SENB维持高电平的水平扫描期间H(第四期间P4)和使能信号SENB维持低电平的间隔期间Hb作为周期T，多次执行更新动作。间隔期间Hb被划分为第一期间P1、第二期间P2以及第三期间P3。第一期间P1与第二期间P2是用来补偿电流生成用晶体管TrA的阈值电压Vth的误差(偏差)的期间，第三期间P3与第四期间P4(水平扫描期间H)是用来实际生成基准电流Ir0的期间。

控制信号S1，在间隔期间Hb中维持高电平，同时，在水平扫描期间H中维持低电平。另外，控制信号S2，是将控制信号S1的逻辑电平反转之后所得到的信号，在间隔期间Hb中维持低电平，同时，在水平扫描期间H中维持高电平。控制信号S3，在间隔期间Hb的第一期间P1中维持高电平，在此外的期间中维持低电平。控制信号S4，在间隔期间Hb的第一期间P1与第二期间P2中维持高电平，在此外的期间中维持低电平。

接下来，对照图23以及图24，对基准电压生成电路的具体动作进行说明。图24为表示第一期间P1至第四期间P4的各个期间中的基准电压生成电路21的等效构成的电路图。

如图23所示，第一期间P1中，控制信号S1与S3以及S4维持高电平，同时控制信号S2维持低电平。所以，开关元件SW1与SW3以及SW4转变为接通状态，同时开关元件SW2维持断开状态。也即，如图24的部分(a)中等价图示，电压INI被加载给电容器C2的第一电极E1，同时，电容器C2的第二电极E2(电流生成用晶体管TrA的栅极端子)的电压Vg，降低到接地电位Gnd。

第一期间P1的经过后的第二期间P2中，控制信号S3转变为低电平，同时此外的控制信号S维持与第一期间P1相同的电平。所以，如图24的部分(b)中等效的图示，开关元件SW3转变为断开状态，通过这样，停止对第二电极E2供给接地电位Gnd。其结果是，第二电极E2的电压Vg，从第一期间P1中所设定的接地电位Gnd开始慢慢上升，如图23以及图24的部分(b)所示，在达到了电源电位Vdd与电流生成用晶体管TrA的阈值电压Vth之间的差值(Vdd-Vth)的阶段稳定下来。也即，第二期间P2中，第二电极E2的电压Vg被设为对应于电源电位Vdd与阈值电压Vth的电压值。

第二期间P2的经过后的第三期间P3中，控制信号S4转变为低电平，同时此外的控制信号S维持与第二期间P2相同的电平。所以，如图24的部分(c)中所示，通过开关元件SW4转变为断开状态，而解除电流生成用晶体管TrA的二极管连接。第三期间P3中，第二电极E2的电压Vg维持为“Vdd-Vth”。

接下来，第三期间P3的经过后的第四期间P4中，控制信号S1从高电平转变为低电平，同时控制信号S2从低电平转变为高电平。所以，加载给第一电极E1的电压从端子T1的电压VINI变化成端子T2的电压Vref。第四期间P4中，由于第二电极E2处于电漂浮状态，因此由于电容器C2中的电容耦合，第二电极E2的电压Vg变换了对应于第一电极E1的电压变动量ΔV(＝VINI-Vref)的电平。更具体地说，第二电极E2的电压变动量，利用对应于电流生成用晶体管TrA的栅极电容以及寄生在其附近的电容(在电流生成用晶体管TrA的栅极端子与源极端子之间***有保持电容的构成中还包括保持电容的静电容)的系数k，表现为“k·ΔV”。也即，如图24的部分(d)所示，在第四期间P4中，通过将该变动后的电压Vg(＝Vdd-Vth-k·ΔV)加载给栅极端子，电流生成用晶体管TrA转变为导通状态，其源极端子与漏极端子之间流过基准电流Ir0。

如果假设在第四期间P4中，电流生成用晶体管TrA在饱和状态下进行动作，则基准电流Ir0通过下式来表示。

Ir0＝(β/2)·(Vgs-Vth)²

该式中的电压Vgs是电流生成用晶体管TrA的栅极-源极之间的电压。现在，由于第四期间中，栅极端子的电压Vg被设为“Vdd-Vth-k·ΔV”，因此栅极-源极之间的电压Vgs被表示为“Vdd-(Vdd-Vth-k·ΔV)”。如果将该电压Vgs带入上式并进行变形，则导出下式。

Ir0＝(B/2)·k·ΔV

也即，本实施方式中的基准电流Ir0，不依赖于电流生成用晶体管TrA的阈值电压Vth，而被设为对应于电压Vref与电压VINI的差值的ΔV的电流值。所以，根据该基准电流Ir0通过电压生成用晶体管TrB所生成的基准电压Vref1，成为不依赖于电流生成用晶体管TrA的阈值电压Vth的误差的电压。另外，本实施方式中，决定基准电流Ir0的系数k依赖于电容器C2的电容。但是，各个单位电路U中的电容器C2的电容的误差比阈值电压Vth的误差更容易控制。所以，即使考虑到电容器C2的电容误差，通过采用本实施方式，可以说也能够比现有的技术更可靠且容易地补偿阈值电压Vth的误差。

本实施方式中，多次执行以上所说明的更新动作(将基准电流Ir0设定为给定值的动作)，因此即使例如因电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压Vg以及基准电压Vrefl因噪声等而发生了变化的情况下，在紧接着的间隔期间Hb中也能够恢复到所期望值。所以，本实施方式中也能够得到与第一实施方式相同的效果。另外，本实施方式中，为了进行基于电容耦合的电压Vg的设定以及其的保持，而兼用电容器C1，因此与为了进行电压Vg的设定以及其保持，而设置另外的电容器的构成相比，能够缩小电路的规模。

<C-3：第三实施方式的变形例>

在第三实施方式中能够添加各种各样的变形例。如果例示具体的变形方式，则如下所述。另外，以下的各个方式可以适当组合起来。

<C-3-1：第一变形例>

图25为表示本变形例中的单位电路U的构成的电路图。如图所示，本变形例的单位电路U中的基准电压生成电路21，除了图22的要素之外，还包含有开关元件SW5。该开关元件SW5是***在电流生成用晶体管TrA的栅极端子与电容器C2的第二电极E2之间，对二者的电连接进行控制的开关。开关元件SW5，如果由控制电路30所供给的控制信号S5为高电平，则变为接通状态，如果该控制信号S5为低电平，则变为断开状态。

接下来，图26为用来说明本变形例中的基准电压生成电路21的动作的时序图。本变形例中也与第三实施方式一样，在每一个给定周期T中多次执行更新动作。周期T包括期间P0以及第一期间P1至第五期间P5。期间P0至第二期间P2之间的期间是用来补偿电流生成用晶体管TrA的阈值电压Vth的误差的期间，第三期间P3与第四期间P4(水平扫描期间)是用来实际生成基准电流Ir0的期间。以下对照图26与图27，对基准电压生成电路21的具体动作进行说明。图27为表示从期间P0到第五期间P5的每个期间中，基准电压生成电路21的等效构成的电路图。

如图26所示，期间P0中，控制信号S1与S3变为高电平，控制信号S2、S4与S5变为低电平。所以，如图27的部分(a)所示，期间P0中，在电流生成用晶体管TrA的栅极端子与电容器C2的第二电极E2电断开之后，给第一电极E1加载电压VINI，同时，给第二电极E2加载接地电位Gnd。该期间P0中，电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压Vg，通过电容器C2以外的电容成分(例如电流生成用晶体管TrA的栅极电容)，维持为第五期间P5的终点所加载的电压。该电压是使电流生成用晶体管TrA处于导通状态的电压。

紧接着期间P0的第一期间P1中，如图26所示，控制信号S3转变为低电平，同时控制信号S5转变为高电平。所以，如图27的部分(b)所示，停止对第二电极E2供给接地电位Gnd，且电流生成用晶体管TrA的栅极端子与电容器C2的第二电极E2电连接起来。由于期间P0中第二电极E2接地，因此在第一期间P1中，与第二电极E2相连接的电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压Vg，变化为比期间P0中低的电压值(让电流生成用晶体管TrA变为导通状态的电压值)。

在接着第一期间P1的第二期间P2中，如图26以及图27的部分(c)所示，控制信号S4转变为高电平，开关元件SW4变为接通状态。从而，与第三实施方式相同，电压Vg，从第一期间P1中所设定的电压值开始慢慢上升，在达到了电源电位Vdd与电流生成用晶体管TrA的阈值电压Vth之间的差值(Vdd-Vth)的阶段稳定下来。另外，在接着第二期间P2的第三期间P3中，通过控制信号S4转变为低电平，而解除电流生成用晶体管TrA的二极管连接(图27的部分(c))。

第四期间P4中，与第三实施方式一样，加载给第一电极E1的电压从电压VINI开始，在电压Vref中变化“ΔV”，通过这样，电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压Vg变化“k·ΔV”。所以，根据与第三实施方式相同的理由，电流生成用晶体管TrA的源极端子与漏极端子之间，如图27的部分(d)所示，流通不依赖于该阈值电压Vth的基准电流Ir0。

经过第四期间P4后的第五期间P5中，通过让控制信号S5维持低电平，使得电流控制晶体管TrA的栅极端子与第二电极E2电断开。所以，栅极端子的电压Vg，将第四期间P4中的电压值一直维持到期间P0的终点。

如上所述，本变形例中，电流生成用晶体管TrA的栅极端子在任一个期间中都不接地，因此该电流生成用晶体管TrA不会变为完全导通的状态。所以，通过采用本实施例，与在第一期间P1中电流生成用晶体管TrA的栅极端子接地的第三实施方式相比，在进行用来补偿阈值电压Vth的动作时，抑制了电流生成用晶体管TrA中流动的电流，其结果能够降低消耗功率。另外，由于电流生成用晶体管TrA的栅极端子不接地，因此与第三实施方式相比，具有能够缩短栅极端子的电压Vg在第二期间P2中达到“Vdd-Vth”之前的时长这一优点。

<C-3-2：第二变形例>

图22以及图25中，例示了通过电容器C2以外的电容成分(例如电流生成用晶体管TrA的栅极电容)，来保持电流生成用晶体管TrA的栅极端子的电压Vg的构成，但也可以采用独立设置用来保持该电压Vg的构成。例如，与第一实施方式的电容器C1(图3)一样，在电容器C2之外，将用来保持电压Vg的电容器***在电流生成用晶体管TrA的栅极端子与给定布线(例如电源线或接地线)之间的构成。

<C-3-3：其他变形例>

本实施方式中，也能够适当采用与第一实施方式以及第二实施方式相同的变形例。例如，图22以及图25中例示了每一个电流输出电路23中设有1个基准电压生成电路21的构成，但也可以采用1个基准电压生成电路21与多个电流输出电路23相连接的构成(也即由多个电流输出电路23共用基准电压生成电路21的构成)。另外，也可以如图8以及图18所示，将多个基准电压生成电路21中所生成的基准电压(或成为其基础的基准电流)，有选择地输出给电流输出电路23的构成。

<D：其他方式>

各个方式(各实施方式及其变形例)中，除了以上所例示的以外，还能够添加各种各样的变形。具体的变形方式如下所述。

(1)任意变更像素电路40的构成。例如，以上的各个方式中，例示了电流编程方式的像素电路40，但也可以采用对应于数据信号Xj的电压值，控制OLED元件41的辉度(灰度)的电压编程方式的像素电路。该构成中，例如，将通过电流/电压变换电路将各个方式的电流输出电路23所输出的电流值变换成电压值之后的信号，作为数据信号Xj输出给各根数据线103。

另外，以上的各个方式中，例示了将用来控制OLED元件41的开关元件(例如图2的Tr1至Tr4)设置在像素电路40中的有源矩阵方式的电光学装置，但在像素电路40中没有这些开关元件的无源矩阵方式的电光学装置中，也能够使用本发明。

(2)第一实施方式中，例示了初始化期间PINI以及各个间隔期间Hb双方中均执行更新动作的构成，但也可以采用只在各个间隔期间Hb中执行更新动作的构成。另外，以上的各个方式中，执行更新动作的时刻并不仅限于初始化期间PINI以及间隔期间Hb。这样，本发明中，只要是多次执行更新动作的构成就足够了。

(3)对照图20所说明的方式也能够同样适用于第一实施方式与第三实施方式。例如，第一实施方式中，可以采用电流生成用晶体管Tb中所流动的基准电流Ir0(或镜像电流Ir1)，通过对应于灰度数据D的时间密度(脉冲宽度)作为数据信号Xj输出给数据线103的构成。对于第三实施方式也一样，也可以采用图22的电流生成用晶体管TrA中所流动的基准电流Ir0，通过对应于灰度数据D的时间密度(脉冲宽度)作为数据信号Xj输出给数据线103的构成。

(4)以上的各个方式中例示了使用OLED元件41的电光学装置1，但在利用此外的电光学元件的电光学装置中也能够适用本发明。例如，在使用无机EL元件的显示装置、电场发射显示器(FED：Field EmissionDisplay)、表面导电型电子发射显示器(SED：Surface-conductionElectron-emitter Display)、弹道电子发射显示器(B SD：Ballistic electronSurface emitting Display)、使用发光二极管的显示装置，或光写入型打印机与电子复印机的写入头等各种电光学装置中，也能够适用本发明。

<E：应用例>

接下来，对适用本发明的相关电光学装置的电子机器进行说明。图28为表示将实施方式的相关电光学装置1用作显示装置的便携式个人计算机的构成的立体图。个人计算机2000，具有作为显示装置的电光学装置1与主体部2010。主体部2010中，设有电源开关2001以及键盘2002。由于该电光学装置1使用OLED元件41，因此能够显示出宽视角的容易观看的画面。

图29中，表示了适用实施方式的相关电光学装置1的携带电话机的构成。携带电话机3000，具有多个操作按钮3001与滚动按钮3002，以及作为显示装置的电光学装置1。通过操作滚动按钮3002，能够滚动电光学装置1中所显示的画面。

图30中，显示了适用实施方式的相关电光学装置1的信息携带终端(PDA：Personal Digital Assitants)的构成。信息携带终端4000，具有多个操作按钮4001与电源开关4002，以及作为显示装置的电光学装置1。通过操作电源开关4002，能够在电光学装置1中显示地址录以及日程表等各种信息。

另外，适用本发明的相关电光学装置的电子机器，除了图28至图30所示的之外，还能够列举出数码相机、电视机、摄像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、电子纸、计算器、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端、打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、具有触摸屏的机器等。

Claims (27)

1.一种电光学装置的驱动电路，是一种具有对应于输出给数据线的数据信号，控制各自的灰度的电光学元件的电光学装置的驱动电路，其特征在于，具备：

生成基准电流的基准电流生成机构；以及

信号输出机构，其根据灰度数据，生成对应于所述基准电流生成机构所生成的基准电流的电流值的数据信号，输出给所述数据线，

所述基准电流生成机构，多次执行将所述基准电流的电流值设为给定值的更新动作。

2.如权利要求1所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述基准电流生成机构包括：

补偿用晶体管，其第一端子被加载电压，第二端子与栅极端子之间电连接；

电容部，其保持所述补偿用晶体管的栅极端子的电压；以及

电压加载机构，其多次执行将使得所述补偿用晶体管处于导通状态的导通电压加载给所述补偿用晶体管的栅极端子的所述更新动作，

生成对应于所述电容部所保持的电压的所述基准电流。

3.如权利要求2所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

具备生成对应于所述基准电流的基准电压的变换机构，

所述基准电流生成机构，包括电流生成用晶体管，其通过将所述电容部中所保持的电压加载给栅极端子，来生成所述基准电流，

所述信号输出机构，根据灰度数据，生成对应于所述变换机构所生成的基准电压的数据信号，输出给所述数据线。

4.如权利要求3所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述变换机构，包括：电流反射镜电路，其生成与所述电流生成用晶体管所生成的基准电流相对应的镜像电流；以及生成与所述电流反射镜电路所生成的镜像电流相对应的所述基准电压的机构。

5.如权利要求2～4中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

具备将所述补偿用晶体管的栅极端子的电压与给定电压进行比较的比较机构，

所述电压加载机构，在与所述比较机构的比较结果相对应的时刻，给所述补偿用晶体管的栅极端子加载导通电压。

6.如权利要求5所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述给定电压，是加载给所述补偿用晶体管的第一端子的电压，和将所述补偿用晶体管的阈值电压与该电压相加之后的电压之间的电压。

7.如权利要求1所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述基准电流生成机构包括：

电流生成用晶体管，其包括栅极端子、第一端子及第二端子；以及

电容部，其保持所述电流生成用晶体管的栅极端子的电压；

所述更新动作包括：

补偿动作，其通过在所述栅极端子与所述第一端子电连接的状态下，给所述第二端子加载第一电压，而将该栅极端子的电压设定为对应于所述第一电压与所述电流生成用晶体管的阈值电压的电压值，并通过所述电容部来保持；以及

生成动作，其通过在所述栅极端子与所述第一端子电断开的状态下，给所述第二端子加载与所述第一电压不同的第二电压，而在所述第一端子与所述第二端子之间产生与通过所述补偿动作在所述电容部中所保持的电压相对应的所述基准电流。

8.如权利要求7所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述补偿动作包括：

第一动作，其在第一期间中，通过在所述栅极端子与所述第一端子电连接的状态下，给所述第二端子加载所述第一电压，同时给所述栅极端子加载给定电压；以及

第二动作，其在接着所述第一期间的第二期间中，仍维持所述栅极端子与所述第一端子之间的电连接，停止给所述栅极端子加载所述给定的电压，通过这样，将该栅极端子的电压设定为对应于所述第一电压与所述电流生成用晶体管的阈值电压的电压值，并通过所述电容部来保持，

所述生成动作包括：

第三动作，其在接着所述第二期间的第三期间中，将所述栅极端子与所述第一端子电断开；以及

第四动作，其在所述第三期间经过后的第四期间中，通过给所述第二端子加载所述第二电压，而在所述第一端子与所述第二端子之间，产生与通过所述第二动作在所述电容部中所保持的电压相对应的所述基准电流。

9.如权利要求7或8所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述基准电流生成机构，包括各个栅极端子共同连接在所述电容部中的多个所述电流生成用晶体管，

所述信号输出机构，对应于灰度数据选择所述多个电流生成用晶体管中的1个以上的电流生成用晶体管，将该1个以上的电流生成用晶体管中的第一端子与第二端子之间所流动的电流的总和，作为数据信号输出。

10.如权利要求8所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述基准电流生成机构，包括电压生成用晶体管，其对应于被加载了第三电压的第一端子与连接在栅极端子上的第二端子之间所流动的所述基准电流，将该栅极端子的电压设定为基准电压，

所述信号输出机构，根据灰度数据，生成对应于所述电压生成用晶体管的栅极端子的基准电压的数据信号，输出给所述数据线，

所述第一动作，包括通过将所述电流生成用晶体管的第一端子与所述电压生成用晶体管的第二端子电连接起来，来将所述电流生成用晶体管的栅极端子的电压，设定为与所述电流生成用晶体管与所述电压生成用晶体管之间的导通电阻的比以及所述第一电压、所述第三电压相对应的所述给定的电压的动作，

所述第二动作，包括通过将所述电流生成用晶体管的第一端子与所述电压生成用晶体管的第二端子电断开，来停止所述给定电压的加载的动作。

11.如权利要求8～10中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述第二期间，是比所述电流生成用晶体管的栅极端子的电压，从所述第一期间中所设定的所述给定的电压，变化到所述第一电压与所述电流生成用晶体管的阈值电压之间的差值为止的时长短的期间。

12.如权利要求8～10中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述第二期间，是比所述电流生成用晶体管的栅极端子的电压，从所述第一期间中所设定的所述给定的电压，变化到所述第一电压与所述电流生成用晶体管的阈值电压之间的差值为止的时长长的期间。

13.如权利要求1所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

包括：电流生成用晶体管，其包括栅极端子、第一端子及被加载给定电压的第二端子；以及

电容部，其包括第一电极以及与所述电流生成用晶体管的栅极端子相连接的第二电极，

所述更新动作包括：

补偿动作，其通过在给所述第一电极加载了第一电压的状态下，将所述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子电连接起来，给所述第二电极加载对应于所述给定电压与所述电流生成用晶体管的阈值电压的电压；以及

生成动作，其通过在所述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子电断开的状态下，使所述第一电极的电压变化为与所述第一电压不同的第二电压，来使得所述第二电极的电压，从在所述补偿动作中所设定的电压开始对应于所述第一电压与所述第二电压之间的差别进行变化，在所述第一端子与所述第二端子之间产生对应于该变化后的电压的所述基准电流。

14.如权利要求13所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述补偿动作包括：

第一动作，其在第一期间中，通过在所述第二电极与所述电流生成用晶体管的栅极端子电断开的状态下，给所述第一电极加载所述第一电压，同时给所述第二电极加载第三电压；

第二动作，其在接着所述第一期间的第二期间中，停止给所述第二电极加载所述第三电压之后，将所述第二电极与所述电流生成用晶体管的栅极端子相连接；以及

第三动作，其在接着所述第二期间的第三期间中，通过将所述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子连接起来，将所述第二电极的电压设为与所述给定电压以及所述电流生成用晶体管的阈值电压相对应的电压，

所述生成动作包括：

第四动作，其在接着第三期间的第四期间中，将所述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子电断开；以及

第五动作，其在接着所述第四期间的第五期间中，通过使所述第一电极的电压变化为所述第二电压，而在所述第一端子与所述第二端子之间产生所述基准电流。

15.如权利要求1～14中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

具备分别包括所述基准电流生成机构与所述信号输出机构的多个单位电路。

16.如权利要求1～14中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

具备多个所述信号输出机构，其分别生成与1个所述基准电流生成机构所生成的基准电压相对应的数据信号。

17.如权利要求1～14中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

具备：多个所述基准电流生成机构；以及

选择机构，其选择所述多个基准电流生成机构中的某个，

所述信号输出机构，根据灰度数据，生成对应于通过所述选择机构所选择的基准电流生成机构所生成的基准电流的数据信号，输出给所述数据线。

18.如权利要求17所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述多个基准电流生成机构的每一个，在互不相同的时刻执行更新动作。

19.如权利要求1～18中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述基准电流生成机构，在每一个给定的期间中执行更新动作。

20.如权利要求1～19中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述基准电流生成机构，在相继的水平扫描期间之间的间隔期间，或相继的垂直扫描期间之间的间隔期间中，执行更新动作。

21.如权利要求1～20中任一项所述的电光学装置的驱动电路，其特征在于，

所述基准电流生成机构，在所述信号输出机构开始动作之前的时刻，与开始动作之后的时刻，执行更新动作。

22.一种电光学装置，其特征在于，具备，

对应于输出给数据线的数据信号控制各自的灰度的多个电光学元件；以及

如权利要求1～21中任一项所述的驱动电路。

23.一种电子机器，其特征在于，

具备权利要求22中所述的电光学装置。

24.一种电光学装置的驱动方法，是一种具备：对应于输出给数据线的数据信号，控制各自的灰度的多个电光学元件；生成基准电流的基准电流生成机构；和根据灰度数据，生成对应于所述基准电流生成机构所生成的基准电流的电流值的数据信号，并输出给所述数据线的信号输出机构、的电光学装置的驱动方法，其特征在于，

多次执行将所述基准电流的电流值设为给定值的更新动作。

25.如权利要求24所述的电光学装置的驱动方法，其特征在于，

所述基准电流生成机构包括：

补偿用晶体管，其第一端子被加载电压，第二端子与栅极端子之间电连接；以及

电容部，其保持所述补偿用晶体管的栅极端子的电压，

多次执行将使得所述补偿用晶体管处于导通状态的导通电压，加载给所述补偿用晶体管的栅极端子的所述更新动作，生成对应于所述电容部所保持的电压的所述基准电流。

26.如权利要求24所述的电光学装置的驱动方法，其特征在于，

所述基准电流生成机构包括：

电流生成用晶体管，其包括栅极端子、第一端子及第二端子；以及

电容部，其保持所述电流生成用晶体管的栅极端子的电压，

所述更新动作包括：

补偿动作，其通过在所述栅极端子与所述第一端子电连接的状态下，给所述第二端子加载第一电压，而将该栅极端子的电压设定为对应于所述第一电压与所述电流生成用晶体管的阈值电压的电压值，并通过所述电容部来保持；以及

生成动作，其通过在所述栅极端子与所述第一端子电断开的状态下，给所述第二端子加载与所述第一电压不同的第二电压，而在所述第一端子与所述第二端子之间产生与通过所述补偿动作在所述电容部中所保持的电压相对应的所述基准电流。

27.如权利要求24所述的电光学装置的驱动方法，其特征在于，

包括：电流生成用晶体管，其包括栅极端子、第一端子及被加载给定电压的第二端子；以及

电容部，其具有第一电极以及与所述电流生成用晶体管的栅极端子相连接的第二电极，

所述更新动作包括：

补偿动作，其通过在给所述第一电极加载了第一电压的状态下，将所述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子电连接起来，给所述第二电极加载对应于所述给定电压与所述电流生成用晶体管的阈值电压的电压；以及

生成动作，其通过在所述电流生成用晶体管的栅极端子与第一端子电断开的状态下，使所述第一电极的电压变化为与所述第一电压不同的第二电压，来使得所述第二电极的电压，从在所述补偿动作中所设定的电压开始对应于所述第一电压与所述第二电压之间的差别进行变化，在所述第一端子与所述第二端子之间产生对应于该变化后的电压的所述基准电流。

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