CN1792126A - 双面布线基板和双面布线基板的制造方法以及多层布线基板 - Google Patents

Abstract

在核心基材(110)的两面的粗糙化的基材表面(110S)上分别用半添加法仅设置了1层布线层(191、192)。上述核心基材两侧的布线层的布线经由配设在核心基材上的通孔(180)电气地连接。通孔由通过激光在核心基材上形成的贯通孔构成，贯通孔内由镀敷形成的导通部(193)填充。在使规定的端子部(170)露出的状态下，核心基材两面被阻焊剂(160)覆盖。通过机械研磨、化学机械研磨等，对通孔的外表面及布线层的布线部的外表面侧进行平坦化处理。

Description

双面布线基板和双面布线基板的制造方法以及多层布线基板

技术领域

本发明涉及在核心基材的两面上设置布线层、经由配设在核心基材上的贯通孔将两面的布线层电气连接、并在使规定的端子露出的状态下配设覆盖该两面的阻焊剂的双面布线基板及其制造方法。

背景技术

近年来，为了对应电子设备的日益小型化和轻量化，在多层的印刷基板(以下也称为多层布线基板)中，作为与以往的贴合型印刷基板相比能够高密度地收容微细的布线图案的印刷基板，开发出了各种使用在核心基材的两面上配设布线层的核心基板、在该核心基材的两面上将依次由绝缘层、布线层构成的组合层再进行层叠而形成的组合方式的、组合型的多层布线基板(以下也称为组合基板)，其制造方法也各种各样。

此外，为了对应电子设备的小型化，要求对装载在电子设备中的半导体部件进行高密度安装，作为伴随着半导体器件的性能提高的要求，将半导体芯片以倒装构造安装到主板等布线电路基板上的倒装片方式正受到关注。

其中，也进行将组合型的多层布线基板(组合基板)用作中介层，将半导体芯片以倒装片方式或引线接合方式安装在该双面布线基板上。

例如如图9所示，以倒装片方式用焊接凸起21将半导体芯片20倒装地接合装载在多层布线基板10的阻焊剂12上，将底部填充剂30填充到半导体芯片20与多层布线基板10的阻焊剂12间的空隙中，再通过密封用树脂40将半导体芯片20、焊接凸起21、和布线部件11密封。

另外，所谓倒装片是在裸芯片上安装了Au或称作焊接凸起的连接突起而构成的，根据多管脚、高频率特性及小型化要求，端子通常采用面排列状、安装性也为窄间距者。

倒装片法是由IBM在1963年实用化的方法，是经由倒装片的凸起与电路基板的布线电极连接，由于是一次性地进行与芯片固定件电气连接的，所以即使芯片的管脚数增加也不会增加组装所需要的时间，可以说是可很好地对应多管脚的连接方式。

这里，作为一例，根据附图简单地说明以往的组合基板中的核心基板的制造方法。

首先，在将铜箔712配设在核心基材711的两面上的铜片层叠板710上，使用钻机机械地形成通孔715。(图7(a))

接着，清洗通孔715内，通过非电解镀层在整个面上以规定的厚度形成铜镀层720，使通孔715(图7(a))内导电化，然后通过电解镀铜在整个面上以规定的厚度形成铜镀层730，将通孔715内电气地连接。(图7(b))

接着，在通孔715内填充由导电性金属材料或非导电性膏剂构成的填充材料740，进行通过物理研磨进行的表面平滑处理。(图7(c))

然后，通过干薄膜抗蚀剂或液状抗蚀剂进行成膜处理，进行规定的图案曝光、显影而形成抗蚀剂图案。接着，以该抗蚀剂图案作为掩模对铜镀层730、非电解铜720、铜箔712进行图案蚀刻，形成镀层通孔部750、想要的线路布线(未图示)，形成核心基板760。(图7(d))

然后，在这样制造的核心基板760(图7(d))的两面上，通过组合法形成高密度布线，形成组合多层布线基板。该组合多层布线基板例如如图8所示那样作为半导体组装用的中介层使用。

图8所示的多层布线基板810可以如以下这样制造。

即，在核心基板760(图7(d))的两面上形成玻璃环氧树脂(Prepreg，预浸材料)及树脂的绝缘层851、851a，使用二氧化碳气体激光器、或UV-YAG激光器，在各绝缘层851、851a的规定位置上形成小径的孔部，使核心基板760上的镀层通孔750(图7(d))及线路布线的所希望的部位露出。

接着，在清洗后，在孔部内通过非电解镀层形成导电层，通过电解镀层在包括上述孔部的露出部上形成通路871，形成第1层的组合层。

重复该操作，形成多个组合层(在图示例子中为在两面上各2层)，制造出多层布线基板810。

接着，在半导体芯片装载侧的组合层上，形成所需的布线和半导体芯片装载用的连接衬层865。

接着，将连接用衬层865、855开口，配设阻焊剂885。

在这种多层布线基板810中，可以将半导体芯片890经由焊锡等金属凸起891装载在半导体芯片装载用的连接用衬层865上。

此外，设有多层布线基板810的背面侧外部连接端子880，可以装载在印刷布线板(主板等)上。

另外，图8是简略地表示多层布线基板的一部分的图。

当然，可以将半导体芯片以引线接合方式连接到图8所示的组合多层布线基板上，将该多层布线基板作为半导体组装用的中介层使用。

通过图7所示的以往的方法形成的核心基板760，由于用机械钻形成通孔，用金属面腐蚀法形成布线，所以作为通孔直径/钻刃直径，难以做得比150μm/300μm的程度还小，此外，由于通过金属面腐蚀法形成线路，所以作为线路/间隔，难以进行50μm/50μm以下的制造。

由于仅用这样的核心基板760是不能提高布线的密度的，所以在现实中，通过将设有2层或1层图8所示那样的组合层作为中介层，来对应高密度布线、布线的引绕界限。但是，在这种组合多层布线基板的制造中工序数较多，将直接导致成本提升。

并且，在图8所示那样的布线基板中，在通孔中电力损耗较大，对于需要高频率的用途是不适合的。

参照特愿2002-299665号(特开0000-0000)。

如上所述，对于将通过以往的金属面腐蚀法形成的核心基板原样用作半导体组装用的布线基板，在布线的引绕方面有问题，不具有实用性。在现状下，虽然将在核心基板的两面形成有组合层的组合多层布线基板用作组装用的布线基板，但这样的组合多层布线基板的制造工序多而烦杂，成本也变高，而且在通孔中电力损耗较大，对于需要高频率的输入输出的用途是不适合的，要求有可以对应的方案。

发明内容

本发明用来对应这种问题，目的是提供一种能够对应高密度安装、并且比以往的组合多层布线基板在生产性方面好、还能够解决高频率输入输出的电力损耗问题的组装用布线基板。

特别地，目的是能够可靠地提供在半导体芯片组装中的引线接合或倒装片接合时不易发生横向滑动、没有填充型的通孔上的凹陷(也称为凹槽)的构造、并且能够使布线层厚的偏差变得均匀的组装用布线基板。

同时，目的是提供制造这种布线基板的布线基板制造方法。

本发明的双面布线基板的特征在于，具有：核心基材，两面具有被粗糙化的基材表面；布线层，设在核心基材的各基材表面上；各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通。

本发明的双面布线基板的特征在于，在贯通孔内填充有导通部。

本发明的双面布线基板的特征在于，在设于核心基材的两面上的各布线层上，以使端子部露出的状态设置阻焊剂。

本发明的双面布线基板的特征在于，设在核心基材的两面上的各布线层的外表面与贯通孔的导通部的外表面一起被进行了平坦化处理。

本发明的双面布线基板的特征在于，核心基材的两面的基材表面的表面粗糙度是各个10点平均粗糙度RzJIS在2μm～10μm的范围内。

本发明的双面布线基板的特征在于，双面布线基板为半导体封装用双面布线基板。

本发明的双面布线基板的特征在于，核心基材的一面侧的端子部为用来与半导体芯片连接的连接衬层，另一面侧的端子部为用来与外部电路连接的外部连接端子。

本发明的双面布线基板的特征在于，设在核心基材两面上的端子部具有从内侧向外侧依次配置的Ni镀层、和Au镀层。

另外，这里的平坦化处理，是用来使包括贯通孔的外表面的各布线层的布线部的外表面都处于同一平面上，且为平面。该平坦化处理是通过机械研磨或化学机械研磨来进行的。在封装用布线基板的情况下，在基板内，各表面的位置限制在距离同一平面±5μm以内的偏差范围内。

此外，这里的10点平均粗糙度RzJIS根据JIS B0601-2001定义并表示的。

由此，从粗糙度曲线在其平均线方向上仅抽取基准长度。对从该抽取部分的平均线在纵向放大率方向上测量的、从最高的峰顶到第5高的峰顶的山顶的标高的绝对值的平均值、和从最低的谷底到第5低的谷底的标高的绝对值的平均值求和，将用微米(μm)表示的该求和的值称为10点平均粗糙度RzJIS，这里，使基准长度为0.25mm。

此外，在上述技术方案中，通过在核心基板的两面上使端子部露出的状态设置阻焊剂，能够在阻焊剂上设置开口，仅使规定的端子部区域露出。进而，也可以使规定的端子部区域露出、并在布线基板的整个半导体芯片装载区域上开口地设置阻焊剂。

本发明的双面布线基板的特征在于，在贯通孔内表面上设有导电镀层，在贯通孔内填充有抗蚀剂。

本发明的双面布线基板的特征在于，在设于核心基材两面上的各布线层上，以使端子部露出的状态设有阻焊剂。

本发明的双面布线基板的特征在于，核心基材的两面的基材表面的表面粗糙度是各个10点平均粗糙度RzJIS在2μm～10μm的范围内。

本发明的双面布线基板的特征在于，双面布线基板为半导体封装用双面布线基板。

本发明的双面布线基板的特征在于，核心基材的一面侧的端子部为用来与半导体芯片连接的连接衬层，另一面侧的端子部为用来与外部电路连接的外部连接端子。

本发明的双面布线基板的特征在于，设在核心基材两面上的端子部具有从内侧向外侧依次配置的Ni镀层、和Au镀层。

另外，这里的10点平均粗糙度RzJIS根据JIS B0601-2001定义并表示的。

由此，从粗糙度曲线在其平均线方向上仅抽取基准长度。对从该抽取部分的平均线在纵向放大率方向上测量的、从最高的峰顶到第5高的峰顶的山顶的标高的绝对值的平均值、和从最低的谷底到第5低的谷底的标高的绝对值的平均值求和，将用微米(μm)表示的该求和的值称为10点平均粗糙度RzJIS，这里，使基准长度为0.25mm。

本发明的双面布线基板的特征在于，核心基材的贯通孔的截面具有大致梯形形状。

本发明的双面布线基板的特征在于，核心基材的贯通孔是从一端向内部其孔径减小，截面具有第1梯形形状，并且从内部向另一端其孔径增加，截面具有第2梯形形状。

本发明的双面布线基板的特征在于，贯通孔的第1梯形形状具有比第2梯形形状大的形状。

本发明的双面布线基板的制造方法用于制造具有两面具有被粗糙化的基材表面的核心基材、和设在核心基材的各基材表面上的布线层、且各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通的双面布线基板，其特征在于，具有：将具有粗糙面的Cu箔以其粗糙面朝向绝缘性树脂薄膜侧的方式压接层叠在核心基材用绝缘树脂薄膜的两面上的工序；将绝缘性树脂薄膜上的Cu箔蚀刻除去、将Cu箔的粗糙面复制在绝缘性树脂薄膜的两面上，来制造核心基材的工序；通过激光在该核心基材上形成贯通孔的工序；对核心基材的两面及贯通孔内表面实施非电解镀层，形成非电解镀层的工序；在核心基材的两面上形成抗蚀剂图案，将非电解镀层作为通电层，实施电解Cu镀敷，形成电解Cu镀层的工序；将抗蚀剂除去后，通过快速蚀刻将向外露出的不需要的非电解镀层除去的工序。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在形成电解Cu镀层时，通过电解Cu镀层形成填充到贯通孔内的导通部。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在形成非电解镀层之前，对贯通孔内表面实施除污处理。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，对电解Cu镀层进行机械研磨或化学机械研磨，使电解Cu镀层平坦化。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，还具有：通过快速蚀刻将非电解镀层除去后，在核心基材的两面的电解Cu镀层上涂敷感光性的阻焊剂，形成阻焊层的工序；对阻焊层进行掩模曝光、显影，使电解Cu镀层的一部分露出，形成端子部的工序。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，压接在绝缘性树脂薄膜上的Cu箔的粗糙面具有10点平均粗糙度RzJIS为2μm～10μm的表面粗糙度。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在核心基材的一个面上配置不过剩反射激光的挡板，从核心基材的另一个面进行激光照射，在核心基材上形成贯通孔。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在端子部表面上依次实施Ni镀敷和Cu镀敷。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在形成电解Cu镀层时，在核心基材的两面上设置干薄膜抗蚀剂，进行掩模曝光、显影，形成抗蚀剂图案。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，还具有：通过快速蚀刻将非电解镀层除去后，在核心基材的两面的电解Cu镀层上涂敷感光性的阻焊剂，形成阻焊层，并通过绝缘性树脂部填充贯通孔的工序；对阻焊层进行掩模曝光、显影，使电解Cu镀层的一部分露出，形成端子部的工序。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，压接在绝缘性树脂薄膜上的Cu箔的粗糙面具有10点平均粗糙度RzJIS为2μm～10μm的表面粗糙度。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在核心基材的一个面上配置不过剩反射激光的挡板，从核心基材的另一个面进行激光照射，在核心基材上形成贯通孔。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在端子部表面上依次实施Ni镀敷和Cu镀敷。

本发明的双面布线基板的制造方法的特征在于，在形成电解Cu镀层时，在核心基材的两面上设置干薄膜抗蚀剂，进行掩模曝光、显影，形成抗蚀剂图案。

这里，将端子部、焊盘部、连接用布线等统称作布线部。在称作布线时，也有除了连接用布线以外还包括端子部、焊盘部的情况。

通过使电解Cu镀层平坦化，使电解Cu镀层的表面侧都在同一平面上，且为平面。这种平坦化是通过机械研磨或化学机械研磨，在组装用布线基板的情况下、在基板内将各表面的位置限制在距离上述同一平面±5μm以内的范围来进行的。

本发明的双面布线基板通过做成这种结构，能够提供可对应高密度安装、且与以往的组合多层布线基板相比生产性方面及高频率输入输出的电力损耗方面较好的组装用布线基板。

详细地讲，通孔具有由激光在核心基材上形成的贯通孔，贯通孔的直径为150μm以下。

当然，也可以形成比150μm大的贯通孔。

此外，在通过激光在核心基材上形成贯通孔时，可以形成激光照射侧的孔径较大、与激光照射侧相反侧的孔径较小的截面梯形形状。在通过镀敷填充核心基材的贯通孔时，填充变得容易，贯通孔区域也通过镀敷而成为平坦状，所以可以将贯通孔区域也做成平坦状，将阻焊剂配设在其两面上。结果，通过由激光在核心基材上形成贯通孔，其制造中的作业性变好，也成为良好的品质。

此外，通孔的贯通孔被由镀敷形成的导通部填充，贯通孔区域也成为平坦状，所以能够将端子部(也称为衬层)设置在通孔区域。

即，可以进行衬层在通孔上的设计，设计的自由度变大，并且能够提高布线密度。

在以往的核心基板中，为了制造贯通孔而使用机械钻，不能使其直径为150μm以下。

此外，可以使核心基材的两面粗糙化，通过半添加法进行布线形成，通过由半添加法形成布线，能够制造微细的、高密度的布线。

进而，在使贯通孔区域也平坦化、不涂敷阻焊剂而使布线层多层化的情况下，能够可靠地进行通过组合法将通路(偏孔)配置到平坦的通孔上。此外，能够可靠地进行如下的多层化方法：将铜箔经由绝缘层层叠在核心基材的布线层侧，通过光刻法处理铜箔而形成布线层，并且将凸起作为布线层间的连接机构。

由此，在用作半导体封装用双面布线基板时，能够进行将图7(d)所示那样的核心基板作为半导体封装用的中介层时所不能进行的布线的引绕。能够使用本发明的双面布线基板代替配置了1层以上的组合层的组合多层布线基板的组装用布线基板。

特别是，包括通孔的外表面的各布线层的布线部的外表面侧通过机械研磨或化学机械研磨而实施了平坦化处理。通过这样，在半导体芯片组装中的引线接合或倒装片接合时不易发生横向滑动，能够做成在填充型的通孔上没有凹陷(凹槽)的构造，并且能够使布线厚度的偏差变得均匀。

此外，作为核心基材两侧的被粗糙化的核心基材表面的10点平均厚度RzJIS，由于2μm～10μm的范围是实用水平，所以是优选的。

当RzJIS比2μm小时，与布线的密接强度不充分，如果使RzJIS比10μm大，则核心基材表面的凹凸会影响布线的形状，成为阻碍布线微细化的重要原因，并且在电解Cu箔的制造中的负荷也变大。

本发明的双面布线基板与组合多层布线基板相比，在生产性的方面较好。

作为本发明的双面布线基板，列举了在一个面上具有用来通过倒装片方式或引线接合方式装载半导体芯片的连接衬层、在另一个面上具有用来与外部电路连接的外部连接端子的方式。

此时，可以列举设置开口以使仅有规定的端子部露出的方式、使规定的端子部区域露出、并在布线基板的半导体芯片装载区域整体上开口的方式。

特别是，通孔区域是平坦的，在不配设阻焊剂的状态下，能够进行直接芯片的装载。

在装载直接芯片时，由于没有芯片侧凸起的制约，所以有利于倒装片连接。在芯片贴装时，不会发生通孔侧的气泡卷入。

通常，端子部依次实施Ni镀层、Au镀层。

此外，在本发明的双面布线基板上，对于其两面没有设置阻焊剂的状态者，可以在其两面上形成组合层。通过这样，核心基板的布线变为高密度，在通孔上也能够布线，所以可以以与以往相比较少的层数构成高密度的布线基板。

在本发明中，通过激光在核心基材上形成通孔。由于激光加工机的位置精度很好，所以能够削减用来包容焊盘与通孔的位置偏差的焊盘直径的边缘，配合通孔的小径化，可以使焊盘直径在250μm以下。

此外，由于清楚了用来确保树脂层与布线的密接强度的具体的方法，所以能够采用半添加工艺。

通过在核心基材用绝缘性树脂层的两面上复制形成电解Cu箔的粗糙面的形状，能够形成想要的粗糙面。

由此，在本发明的双面布线基板中，作为最小线路/间隔，确认可以形成20μm/20μm。

本发明的双面布线基板的制造方法是通过做成这种结构，具体而言，在核心基材的两面上设置布线，经由配设在核心基材上的填充有镀层的通孔，将核心基材两面的布线电气连接。并且，在使规定的端子部露出的状态下，配设覆盖核心基材两面的阻焊剂。通孔具有通过激光在核心基材上形成的贯通孔，在贯通孔内实施通孔镀敷，并且通过镀敷将贯通孔填充。通过半添加法在核心基材上形成布线。

由此，能够提供可对应高密度安装、并且与以往的组合多层布线基板相比在生产性方面、品质方面较好的组装用布线基板的制造方法。

详细地讲，通过在核心基材用的绝缘性树脂层的两面上复制形成电解Cu箔的粗糙面形状，能够形成想要的粗糙面。通过半添加法充分确保与核心基材的密接强度而形成布线。

此外，上述核心基材的粗糙面形成方法可适用材料的限制较少，能够扩大作为核心基材用绝缘性树脂层的树脂的选择范围。

此外，通孔用贯通孔是通过激光在核心基材上形成的。贯通孔通过其梯形的截面形状，在由镀层填充贯通孔时，填充变得容易。并且，贯通孔区域的表面也可以形成得足够平坦。

特别是，在选择镀敷工序后、除去抗蚀剂之前，或者在除去抗蚀剂后、将不需要的非电解镀层快速蚀刻除去之前，通过机械研磨或化学机械研磨进行平坦化。通过该平坦化处理，使通过选择镀敷工序镀敷形成的布线部、衬层部、通孔部的截面形状平坦化。具体而言，对于布线部、衬层部、通孔部的外侧表面，可以将距离同一平面的偏离的偏差抑制在±5μm内。

通过选择镀敷工序镀敷形成的布线部、衬层部在外侧为半圆柱状截面形状，但可以将其做成大致矩形。此外，通过选择镀敷工序镀敷形成的填充型的通孔部的截面形状为中央部向基板侧凹陷，但可以将其做成平坦的。

这样，通过进行机械研磨或化学机械研磨，在半导体芯片组装中的引线接合或倒装片接合时不易发生横向滑动，能够消除填充型的通孔上的凹陷(凹槽)。并且能够使布线厚度的偏差变得均匀。

在不进行机械研磨或化学机械研磨的情况下，分别如图10(a)、图10(b)、图10(c)所示，连接用布线910、端子部(也称作衬层)920的截面形状在外表面侧为半圆柱状。此时，包括焊盘部的通孔部930的截面形状为中央部向基板侧凹陷，而通过对这些表面部进行机械研磨或化学机械研磨，分别如图10(a1)、图10(b1)、图10(c1)所示，连接用布线910、端子部(也称作衬层)920、通孔部930的外表面侧变成平坦状。

另外，这里将端子部、焊盘部、连接用布线等统称作布线部，在称作布线部时，除了连接用布线以外，也包含端子部、焊盘部。

此外，在本发明的双面布线基板的制造方法中，通孔区域上的凹陷较少，特别在实施了机械研磨或化学机械研磨的情况下，不会产生通孔区域中的凹陷，能够将阻焊剂平坦地配设在两面上。使用通过这种制造方法制造的双面布线基板，在其上装载半导体芯片的情况下，不会发生气泡进入到它与芯片之间而损害半导体装置的可靠性的问题。因此，能够减轻生产过程中的负荷。

本发明的双面布线基板通过做成这种结构，能够提供可对应高密度安装、并且与以往的组合多层布线基板相比在生产性方面较好的组装用布线基板。

详细地讲，通孔具有通过激光在核心基材上形成的贯通孔，其直径为150μm以下。

当然，也可以形成比150μm大的贯通孔。

此外，在通过激光在核心基材上形成贯通孔的情况下，可以使贯通孔的截面形状形成为激光照射侧的孔径较大、与激光照射侧相反侧的孔径较小的梯形形状。因此，在将阻焊剂填充到核心基材的贯通孔中时，较容易填充。此外，在贯通孔区域也可以凹陷较少地、很平坦地将阻焊剂配设在布线基板的两面上。结果，通过由激光在核心基材上形成贯通孔，其制造中的作业性较好，还可做成高品质的面。

在以往的核心基板中，在通孔制造中使用机械钻，不能使其直径为150μm以下。

此外，可以将核心基材的两面粗糙化，通过半添加法形成布线。此外，通过由半添加法形成布线，能够进行微细的、高密度的布线的制造。

由此，在用作半导体封装用双面布线基板的情况下，能够进行图7(d)所示那样的将核心基板作为半导体封装用的中介层时所不能进行的布线的引绕。此外，能够使用本发明的双面布线基板代替配设了1层以上组合层的组合多层布线基板的封装用布线基板。

作为核心基材两侧的被粗糙化的核心基材表面的10点平均厚度RzJIS，由于2μm～10μm的范围是实用水平，所以是优选的。

当RzJIS比2μm小时，与布线的密接强度不充分，如果使RzJIS比10μm大，则核心基材表面的凹凸会影响布线的形状，成为阻碍布线微细化的重要原因，并且在电解Cu箔的制造中的负荷也变大。

当然，本发明的双面布线基板与组合多层布线基板相比，在生产性的方面较好。

作为本发明的双面布线基板，列举了在一个面上具有用来通过倒装片方式或引线接合方式装载半导体芯片的连接衬层、在另一个面上具有用来与外部电路连接的外部连接端子的方式。

通常，端子部依次实施Ni镀层、Au镀层。

在本发明中，通过激光在核心基材上形成通孔，由于激光加工机的位置精度很好，所以能够削减用来包容焊盘与通孔的位置偏差的焊盘直径的边缘，配合通孔的小径化，可以使焊盘直径在250μm以下。

此外，由于清楚了用来确保树脂层与布线的密接强度的具体的方法，所以能够采用半添加工艺。

通过在核心基材用绝缘性树脂层的两面上复制形成电解Cu箔的粗糙面的形状，能够形成想要的粗糙面。

由此，在本发明的双面布线基板中，作为最小线路/间隔，确认可以形成20μm/20μm。

本发明的双面布线基板的制造方法可以制造如下的双面布线基板：在核心基材的两面上设置布线，经由配设在核心基材上的通孔，将核心基材两面的布线电气连接，并且，在使规定的端子部露出的状态下，配设有覆盖核心基材两面的阻焊剂。通孔具有通过激光在核心基材上形成的贯通孔，在贯通孔内实施通孔镀敷，进而贯通孔被上述绝缘树脂部填充。通过半添加法在核心基材上形成布线。

详细地讲，通过在核心基材用的绝缘性树脂层的两面上复制形成电解Cu箔的粗糙面的形状，能够形成想要的粗糙面。通过半添加法形成布线。

此外，通孔用贯通孔是通过激光在核心基材上形成的。贯通孔通过其梯形的截面形状，在将阻焊剂填充到贯通孔中时，填充变得容易。并且，贯通孔区域的表面也可以形成得足够平坦。

此外，扩大了作为核心基材用绝缘性树脂层的树脂的选择范围。

由此，能够提供可对应高密度安装、并且与以往的组合多层布线基板相比在生产性方面、品质方面较好的组装用布线基板的制造方法。

本发明的多层布线基板的特征在于，具有：双面布线基板，具有两面具有被粗糙化的基材表面的核心基材和设在核心基材的各基材表面上的布线层，各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通；追加布线基板，经由绝缘树脂部设在该双面布线基板的一侧；追加布线基板具有两面具有基材表面的追加核心基材、和设在追加核心基材的各基材表面上的追加布线层，各追加布线层彼此经由设在追加核心基材上的追加贯通孔导通。

本发明的多层布线基板的特征在于，双面布线基板和追加布线基板经由凸起连接。

本发明的多层布线基板的特征在于，凸起设在对应于双面布线基板的贯通孔的位置上。

本发明的多层布线基板的特征在于，在双面布线基板的贯通孔中填充有导通部。

本发明的多层布线基板的特征在于，具有：双面布线基板，具有两面具有被粗糙化的基材表面的核心基材和设在核心基材的各基材表面上的布线层，各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通；追加布线基板，经由绝缘树脂部设在该双面布线基板的两侧。

本发明的多层布线基板的特征在于，在各追加布线层上，以使追加端子部露出的状态设有追加绝缘树脂部。

附图说明

图1(a)是表示本发明的双面布线基板的第1实施方式的部分剖视图。

图1(b)是表示图1(a)所示的第1实施方式的变形例的图。

图2(a)～图2(g)是表示图1(a)所示的第1实施方式的制造工序的一部分的工序剖视图。

图3(a)～图3(d)是表示接着图2(a)～图2(g)的工序的工序剖视图。

图4(a)～图4(f)是表示比较例的制造工序的一部分的工序剖视图。

图5(a)～图5(g)是表示接着图4(a)～图4(f)的工序的工序剖视图。

图6(a)～图6(d)是表示接着图5(a)～图5(g)的工序的工序剖视图。

图7(a)～图7(d)是以往的核心基板的制造方法的工序剖视图。

图8是以往的多层布线基板的概要剖视图。

图9是表示使用了多层布线基板的半导体组装的概要剖视图。

图10(a)～图10(c)是表示机械研磨前的剖面形状的图。

图10(a1)～图10(c1)是分别表示对应的机械研磨后的剖面形状的图。

图11(a)是表示本发明的双面布线基板的第2实施方式的部分剖视图。

图11(b)是表示图11(a)所示的第2实施方式例的变形例的图。

图12(a)～图12(g)是表示图11(a)所示的实施方式例的制造工序的一部分的工序剖视图。

图13(a)～图13(d)是表示接着图12(a)～图12(g)的工序的工序剖视图。

图14(a)～图14(f)是表示比较例的制造工序的一部分的工序剖视图。

图15(a)～图15(d)是表示接着图14(a)～图14(f)的工序的工序剖视图。

图16是表示设在核心基材上的贯通孔的变形例的图。

图17是表示本发明的多层布线基板的图。

图18是表示另一种多层布线基板的图。

具体实施方式

根据附图说明本发明的第1实施方式。

图1(a)是表示本发明的双面布线基板的第1实施方式的部分剖视图；图1(b)是表示图1(a)所示的第1实施方式的变形例的图；图2是表示图1(a)所示的第1实施方式的制造工序的一部分的工序剖视图；图3是表示接着图的工序的工序剖视图；图4是表示比较例的制造工序的一部分的工序剖视图；图5是表示接着图4(的工序的工序剖视图；进而图6是表示接着图5的工序的工序剖视图；图10是用来说明机械研磨工序的各部分的剖面形状的图；图10(a)、图10(b)、图10(c)表示机械研磨前的剖面形状；图10(a1)、图10(b1)、图10(c1)分别表示对应的机械研磨后的剖面形状。

在图1～图6、图10中，标号110为核心基材，标号110H为通孔的贯通孔，标号110S为基材表面，标号115为电解Cu箔，标号120为激光，标号130为非电解镀层，标号140为抗蚀剂，标号145为开口，标号150为电解Cu镀层，标号160为阻焊剂，标号165为开口，标号170为连接用衬层(也单称为“端子部”)，标号170a为外部连接衬层(也单称为“端子部”)，标号171为Ni镀层，标号172为Au镀层，标号175、175a为端子部，标号180为通孔，标号191、192为布线，标号193为(通孔的)导通部，标号210为核心基材，标号211H为(通孔的)贯通孔，标号215a为电解Cu箔，标号215为通过蚀刻而减薄的电解Cu箔，标号230、235为非电解镀层，标号240、245为电解Cu镀层，标号250为绝缘性油墨硬化物(树脂油墨硬化物)，标号260为抗蚀剂，标号265为开口，标号270为阻焊剂，标号275为开口，标号280为通孔，标号291、292为布线，标号293为通孔的导通部，标号295、295a为端子部，标号296为Ni镀层，标号297为金镀层，标号910、910a为连接用布线，标号920、920a为端子部(也称作衬层)，标号930、930a为通孔部，标号931为凹陷(也称为凹槽)，标号932、932a为台肩，标号935为(通孔的)导通部，标号950为绝缘基材部。

首先，根据图1(a)说明本发明的双面布线基板的第1实施方式的例子。

本发明的双面布线基板具有：核心基材110，具有两面被粗面化的基材表面110S；布线层191、192，设在核心基材110的各基材表面110S上。即，双面布线基板由后述图2～图3所示的工序制造，构成为，在核心基材110的两侧的粗面化的基材表面110S上分别仅设有1层由半添加法形成的布线层191、192，经由由设在核心基材110上的贯通孔110H构成的通孔180将上述核心基材110的两面的布线层191、192、即布线191和192电气地连接。此外，将规定的端子部170、170a与布线层191、192连接，在使端子部170、170a在核心基材110的两面上露出的状态下，设置阻焊剂160。这种双面布线基板为半导体封装用的双面布线基板，在图9所示那样的半导体封装中，代替作为中介层的多层布线基板10来使用。

通孔180由用激光形成的核心基材110的贯通孔110H构成，在贯通孔110H内实施通孔镀敷，通过该通孔镀敷填充贯通孔110H而设置导通部193。此外，对应于该导通部193而形成有阻焊剂160的开口165。

如上所述，在核心基材110的一个面(布线191一侧的面)上设有连接衬层(端子部)170，用来通过倒装片方式或引线接合方式经由焊接凸起21装载半导体芯片20，在另一个面(布线192一侧的面)上设有外部连接端子(端子部)170a，用来与外部电路连接。

当然，可以自由地选择将连接衬层170和外部连接端子170a设在核心基材110的哪个面上。

连接衬层(端子部)170、外部连接端子(端子部)170a都具有在非电解镀层130上形成的电解Cu镀层150、和设在该电解铜镀层150上、盖住阻焊剂160的开口而依次形成的Ni镀层171和Cu镀层172。

另外，核心基材110的基材表面110S表面的10点平均粗糙度RzJIS为2μm～10μm的范围。通过使基材表面110S的RzJIS采用该范围，能够提高布线191、192对于基材表面110S的密接强度，能够达到布线的微细化。因此，从其制造方面也可以说是实用的水平。

作为核心基材110，采用在耐热性的热硬化型绝缘性树脂层中适当混入了玻璃纤维布、芳香族聚酰胺无纺布、液晶聚合体无纺布，多孔质聚四氟乙烯布(例如商品名科阿代克斯有网眼塑料薄膜)等的基材。

作为树脂层，可以列举氰酸盐类树脂、BT树脂(由双马来酰亚胺和三嗪构成的树脂)、环氧树脂、PPE(聚苯醚)等。

根据试验，在使用日立制679F系列(氰酸盐类树脂)作为树脂层的情况下，核心基材110的基材表面110S的Rz为5μm，抗剥强度为800g/cm(JISC5012-1987 8.1)。

如后面所述，核心基材110的树脂层的表面110S是将电解Cu箔115(图2)的镀敷面一侧热压接在核心基材110上、使其硬化而形成的。电解Cu箔115的镀敷面的粗糙形状复制到核心基材110的基材表面110S上(参照后面所说明的图2～图3的工序)，核心基材110的基材表面110S与布线191、192的密接性变好。

通孔180由通过激光设在核心基材110上的贯通孔110H构成，通常通过CO₂激光或UV激光在核心基材110上形成通孔形成用的贯通孔110H，贯通孔110H的直径为150nm以下。

形成布线191、192、通孔的导电部193等的电解Cu镀层150用公知的盲通孔填充用的镀敷方法形成。

布线部191、192从导电性的方面考虑，优选为厚度5μm～30μm左右，但在制造中为了可靠地进行镀敷填充，例如在核心基材110的厚度为100μm、贯通孔110H的激光照射侧的孔径为100μm、相反侧的孔径为70μm的情况下，布线191、192的厚度通常为10μm～30μm左右。

非电解镀层130是通过非电解Ni镀敷、非电解Cu镀敷等公知的方法形成的，是在实施用来形成通孔的导通部193的电解Cu镀敷150时作为通电层的。非电解镀层130为规定的厚度，只要是通过快速蚀刻能够不损伤其他部分而容易除去的厚度就可以。

图1(b)所示的双面布线基板是在图1(a)所示的双面布线基板中，没有端子170、170a的Ni镀层171、Au镀层172的状态，根据情况，会在该状态下出厂。

关于各构成部分，与图1(a)所示的双面布线基板相同，省略其说明。

接着，根据图2、图3说明图1(a)所示的第1例的双面布线基板的制造方法。

另外，以此在本发明中代替对双面布线基板的制造方法的实施方式的说明。

首先，在核心基材用的绝缘性树脂层(绝缘性树脂薄膜)110的两面上，通过分别将其电解镀敷形成的粗糙面的电解Cu箔115使其粗糙面朝向树脂层110侧压接层叠，来制造3层构造的加工用坯材110a备用。(图2(a))

这里，使用热硬化型树脂层作为绝缘性树脂薄膜110，将电解Cu箔115热压接在树脂薄膜110的两面上。

作为核心基材110的材料，采用在绝缘性树脂中适当地混入了玻璃纤维布、芳香族聚酰胺无纺布、液晶聚合体无纺布、多孔质聚四氟乙烯布(例如商品名科阿代克斯有网眼塑料薄膜)等的材料。

作为绝缘性树脂，采用氰酸盐类树脂、BT树脂(由双马来酰亚胺和三嗪构成的树脂)、环氧树脂、PPE(聚苯醚)等。

接着，将绝缘性树脂薄膜110的两面的电解Cu箔115蚀刻除去，形成具有复制形成了电解Cu箔115的表面状态的基材表面110S的核心基材110。(图2(b))

对电解Cu箔115的蚀刻是用氯化高铁溶液、或氯化铜溶液、或碱性蚀刻液来进行的。

在清洗后，有选择地照射激光120，在核心基材110上形成通孔形成用的贯通孔110H。(图2(c))

作为激光120，配合核心基材110的材质而采用CO₂激光或UV激光。

在核心基材110的一个面上配设不过剩地反射激光120的黑色等的挡板120a，从另一个面进行激光102的照射。由此，通过激光在核心基材110上形成贯通孔110H。此时，使激光120照射侧的贯通孔110H的孔径较大，使与激光120的照射侧相反侧的孔径较小，可以使贯通孔110H的截面形成为梯形形状。

例如，在使用CO₂激光的情况下，在使用了100μm厚的氰酸盐类树脂的核心基材110上，可以设置使照射侧的孔径为100μm、使与激光120的照射侧相反侧的孔径为70μm的贯通孔110H。

由此，在将此后进行的电解镀敷150填充到核心基材110的贯通孔110H中时，电解镀敷150的填充变得容易。进而，在基材110的两面上设置阻焊剂160时，使贯通孔110H区域成为平坦状，来设置阻焊剂160。

此外，在以往的核心基板中，在通孔制造中使用机械钻，不能将其直径做到150μm以下，而根据本发明，由于通过激光在核心基材110上形成贯通孔110H，所以可以形成150μm以下孔径的贯通孔110H。

贯通孔110H的最小孔径，在二氧化碳激光的情况下可达到80μm左右，在UV-YAG激光的情况下可达到25μm左右。

接着，进行将核心基材110的贯通孔110H内的加工残渣除去的除污处理，然后在包括贯通孔110H的表面的整个核心基材110的表面上实施非电解镀敷，形成作为通电层的非电解镀层130。(图2(d))

作为非电解镀敷，可以应用公知的非电解Cu镀敷、非电解Ni镀敷。

接着，在核心基材110的两面上设置开口145，以露出用来形成布线191、192或通孔180的导通部193的规定区域，形成抗蚀剂140。(图2(e))

接着，将非电解镀层130作为通电层，实施电解Cu镀敷，通过电解Cu镀敷150有选择地形成布线191、192、以及填充贯通孔110H的导通部193。(图2(f))

非电解镀层130是通过非电解Ni镀敷、非电解Cu镀敷等公知的方法形成的，具有作为形成用来形成布线191、192的电解Cu镀层150时的通电层的厚度，只要是通过后面进行的快速蚀刻能够不损伤其他部分而容易地除去的厚度就可以。

作为抗蚀剂140，只要是具有想要的解像性、具有耐镀性、处理性良好就可以，没有特别的限制。

由于干薄膜抗蚀剂容易处理，所以通常采用它作为抗蚀剂140。

接着，除去抗蚀剂140(图2(g))，然后通过快速蚀刻将露出的不需要的非电解镀层130除去(图3(a))。

作为用来除去非电解镀层130的蚀刻液，可以列举出过水硫酸、过硫酸、盐酸、硝酸、氰类、有机类蚀刻液。

接着，在核心基材110的两面上涂敷感光性的阻焊剂，在核心基材110的两面上形成阻焊剂层160。(图3(b))

接着，使用规定的光掩模等对阻焊剂层160进行掩模曝光、显影，使端子部170、170a露出。(图3(c))

接着，在端子部170、170a表面上依次形成Ni镀层171、Au镀层172。(图3(d))。这样，形成了本例的双面布线基板。

另外，将如下的双面布线基板作为图1(a)所示的双面布线基板的比较例进行说明，所述双面布线基板与图7所示的以往的核心基板同样，在核心基材的两面上仅配设1层布线，并且通过机械钻在基材上设置贯通孔，实施通孔镀敷，将两面的布线电气地连接。在这种情况下，将绝缘性油墨(树脂油墨)填充到核心基材的通孔形成用贯通孔中，用阻焊剂将核心基材的两面的布线覆盖住。根据图4～图6简单地说明作为这种比较例的组装用双面布线基板。

首先，预备通过将电解Cu箔215a热压接、层叠在核心基材210的两面上而具有3层构造、与图2(a)所示相同的加工用坯材210a(图4(a))。通过对设在核心基材210的两面上的电解Cu箔215a进行蚀刻，将其减薄到规定的厚度(图4(b))。接着，用机械钻在加工用坯材210a上开设通孔用的贯通孔211H(图4(c)，经过用来除去毛边的研磨处理、除污处理，实施非电解镀敷，来设置非电解镀层230(图4(d))。接着，将非电解镀层作为通电层230，实施电解Cu镀敷，在核心基材210的两面上设置电解Cu镀层240，在贯通孔211H内形成导通部293。(图4(e))

接着，从核心基材210的两面侧或单面侧，用热硬化的绝缘性油墨(树脂油墨)将通孔用的贯通孔211H掩埋，加热使其硬化，用绝缘性油墨硬化物250将通孔形成用的贯通孔填充。(图4(f))

接着，在将绝缘性油墨硬化物250研磨(图5(a))后，从核心基材210的两面进行半蚀刻，将核心基材210的表面部的电解镀层240、非电解镀层230除去(图5(b))，再对从减薄的电解Cu箔215的表面突出的绝缘油墨硬化物250进行研磨，使其变得平坦。(图5(c))

接着，在核心基材210的两面整个表面上实施非电解镀敷，来设置非电解镀层235(图5(d))，再实施电解Cu镀敷来设置电解Cu镀层245，使该电解Cu镀层成为用来形成布线的规定的厚度。(图5(e))

接着，在核心基材210的两面上，分别在规定区域设置开口265，形成耐蚀刻用的抗蚀剂260(图5(f))。接着通过氯化高铁溶液等蚀刻液将从抗蚀剂260的开口265露出的电解Cu镀层245、非电解镀层235、减薄的电解Cu箔215蚀刻除去(图5(g))。然后，将抗蚀剂260除去(图6(a))，从核心基材210的两面涂敷感光性的阻焊剂270。(图6(b)

然后，通过光刻法在阻焊剂270的端子形成区域275上开口(图6(c))，在露出的电解Cu镀层245上依次设置Ni镀层296、Au镀层297，这样，就能够得到比较例的双面布线基板。(图6(d))

但是，该制造方法的布线形成，是将预先准备并减薄的电解Cu箔215、非电解镀层235、电解Cu镀层245蚀刻而进行布线形成的。所以，该制造方法基本上是以蚀刻形成布线部的金属面腐蚀法为主，形成与图7所示的方法同样的布线，不能对应布线的微细化、高密度化。

因而，作为双面布线基板上的线路/间隔，50μm/50μm水平以下的制造是很困难的。

此外，由于通过机械钻在核心基材210上形成通孔形成用的贯通孔211H，所以其直径变大。因此，与图7(d)所示的以往的核心基板同样，作为通孔直径/钻刃直径，不能做得比150μm/350μm的水平更小。

此外，组合多层布线基板的制造工序长而烦杂，成本也变高，而且在通孔中电力损耗较大，对于需要高频输入输出的用途是不适合的。

即，在比较例的双面布线基板中，具有上述各种问题，不能对应于高密度安装的组装用基板。

接着，列举本发明的双面布线基板的实施方式的变形例。

变形例的双面布线基板是在图1至图3中，通过机械研磨或化学机械研磨，将核心基材110中的通孔110H的外表面和各布线层191、192的外表面进行了平坦化处理。

通过机械研磨或化学机械研磨，使通孔110H的表面和各布线层191、192的外表面侧平坦化。通过做成这种结构，双面布线基板在半导体芯片组装中的引线接合或倒装片接合时不易发生横向滑动，能够做成没有填充型的通孔上的凹陷(凹槽)的构造，并能够使布线厚度的偏差变得均匀。

特别在用作组装基板的情况下是有效的。

作为双面布线基板的制造方法的变形例，列举了如下方法：例如在图2、图3所示的双面布线基板的制造方法中，在选择镀敷工序后将抗蚀剂图案除去之前(对应于图2(f)的状态)，或者在除去抗蚀剂图案后而在将不需要的非电解镀层快速蚀刻除去之前(对应于图2(g))，或者在将不需要的非电解镀层快速蚀刻除去之后(对应于图3(a))，为了使通过选择镀敷工序有选择地形成的电解Cu镀层150平坦化，进行机械研磨或化学机械研磨；处理研磨以外，与上述制造方法相同，在此省略其说明。

作为机械研磨，使用抛光研磨，最近化学机械研磨(也称为CMP)被用在各处理中。

通过使电解Cu镀层150平坦化，可以将电解Cu镀层150的平坦性限制在±(0.05～0.5μm)的偏差范围内。

另外，作为研磨的终点检测方式，有通过旋转力矩的判断方式、通过静电电容的判断方式等。

作为变形例，也可以如图1(b)所示的双面布线基板那样，在端子部上设置Ni镀层和Au镀层。根据情况，会在该状态下将双面布线基板出厂。

该制造方法是在图1(a)所示的双面布线基板的制造方法中，不对端子部170、170a实施镀敷的方法。

本发明如上所述，能够提供可对应高密度安装、并且比以往的组合多层布线基板在生产性方面更好、还能够解决高频率的输入输出的电力损耗问题的组装用布线基板。

特别是，能够可靠地提供在半导体芯片组装中的引线接合或倒装片接合时不易发生横向滑动、没有填充型通孔上的凹陷(凹槽)的构造、并且能够使布线厚度的偏差均匀的组装用布线基板。

同时，能够提供制造这种布线基板的布线基板制造方法。

通过焊盘的小型化和线路的微细化，以往，在核心基材的两面上分别设置1层用金属面腐蚀法形成的布线层，再在各布线层上用镀敷形成布线层的添加法设置1层布线层。具有这样的构造，用于CSP及堆叠封装。能够将4层布线构造的以往的双面布线基板，用在核心基材两面上分别配设1层布线层的2层布线构造的本发明的双面布线基板替代。

本发明的双面布线基板与以往的4层布线构造相比，构造简单、其制造工序数也减少了，在生产性方面、高频率输入输出的电力损耗方面都很好。

第2实施方式

根据附图说明本发明的第2实施方式。

图11(a)是表示本发明的双面布线基板的第2实施方式例的部分剖视图，图11(b)是图11(a)所示的实施方式例的变形例，图12是表示图11(a)所示的实施方式的制造工序的一部分的工序剖视图，图13是表示接着图12的工序的工序剖视图，图14是表示比较例的制造工序的一部分的工序剖视图，图15是表示接着图14的工序的工序剖视图。

在图11～图15中，标号110为核心基材，标号110H为通孔的贯通孔，标号110S为基材表面，标号115为电解Cu箔，标号120为激光，标号130为非电解镀层，标号140为抗蚀剂，标号145为开口，标号150为电解Cu镀层，标号160为阻焊剂，标号165为开口，标号170为连接用衬层(也单称为“端子部”)，标号170a为外部连接衬层(也单称为“端子部”)，标号171为Ni镀层，标号172为Au镀层，标号175、175a为端子部，标号180为通孔，标号180a为通孔形成区域，标号191、192为布线，标号193a为通孔的导通部，标号210为核心基材，标号211H为通孔的贯通孔，标号215a为电解Cu箔，标号215为通过蚀刻而减薄的电解Cu箔，标号230为非电解镀层，标号240为电解Cu镀层，标号250为抗蚀剂，标号255为开口，标号260为阻焊剂，标号261为凹陷，标号265为开口，标号270、270a为端子部，标号271为Ni镀层，标号272为金镀层，标号280为通孔，标号280a为通孔形成区域，标号291、292为布线，标号293a为通孔的导通部。

首先，根据图11(a)说明本发明的布线基板的第2实施方式例。

本发明的双面布线基板具有：核心基材110，具有两面被粗面化的基材表面110S；布线层191、192，设在核心基材110的各基材表面110S上。即，双面布线基板由后述图12～图13所示的工序制造，构成为，在核心基材110的两侧的粗面化的基材表面110S上分别仅设有1层由半添加法形成的布线层191、192，经由设在核心基材110上的贯通孔110H构成的通孔180将上述核心基材110的两侧的布线层191、192、即布线191和192电气地连接。此外，将规定的端子部170、170a与布线层191、192连接，在使规定的端子部170、170a在核心基材110的两面上露出的状态下，设置阻焊剂160。这种双面布线基板为半导体组装用的双面布线基板，在图9所示那样的半导体封装中，代替作为中介层的多层布线基板10来使用。

通孔180由用激光开设的核心基材110的贯通孔110H构成，在贯通孔110H内实施通孔镀敷而形成导通部193a，再通过阻焊剂160填充贯通孔110H。

如上所述，在核心基材110的一个面(布线191一侧的面)上设有连接衬层(端子部)170，用来通过倒装片方式或引线接合方式与半导体芯片连接，在另一个面(布线192一侧的面)上设有外部连接端子(端子部)170a，用来与外部电路连接。

当然，可以自由地选择将连接衬层170和外部连接端子170a设在核心基材110的哪个面上。

连接衬层(端子部)170、外部连接端子(端子部)170a都具有在非电解镀层130上形成的电解铜镀层150、和设在该电解铜镀层150上、盖住阻焊剂160的开口地依次形成的Ni镀层171和Cu镀层172。

另外，核心基材110的基材表面110S表面的10点平均粗糙度RzJIS为2μm～10μm的范围。通过使基材表面110S的RzJIS采用该范围，能够提高布线191、192对于基材表面110S的密接强度，能够达到布线的微细化。因此，从其制造方面也可以说是实用的水平。

作为核心基材110，采用在耐热性的热硬化型绝缘性树脂层中适当混入了玻璃纤维布、芳香族聚酰胺无纺布、液晶聚合体无纺布，科阿代克斯有网眼塑料薄膜等的基材。

作为树脂层，可以列举氰酸盐类树脂、BT树脂、环氧树脂、PPE(聚苯醚)等。

根据试验，在使用日立制679F系列(氰酸盐类树脂)作为树脂层的情况下，核心基材110的基材表面110S的RzJIS为5μm，抗剥强度为800g/cm(JISC5012-19878.1)。

如后面所述，核心基材110的树脂层的表面110S是将电解Cu箔115(图12)的镀层面侧热压接在核心基材110上、使其硬化而形成的。电解Cu箔115(图12)的镀敷面的粗糙形状被复制到核心基材110的基材表面110S上(参照后面所说明的图12～图13的工序)，核心基材110的基材表面110S与布线191、192的密接性变好。

通孔180由通过激光设在核心基材110上的贯通孔110H构成，通常通过C0₂激光或UV激光在核心基材110上形成通孔形成用的贯通孔110H，贯通孔110H的直径为150nm以下。

形成布线191、192、通孔的导电部193等的电解Cu镀层150用公知的电解Cu镀敷方法形成，从导电性的方面出发，其厚度为5μm～30μm左右。

非电解镀层130是通过非电解Ni镀敷、非电解Cu镀敷等公知的方法形成的，是在为了形成通孔的导通部193a而实施电解Cu镀敷时作为通电层的。非电解镀层130为规定的厚度，只要是通过快速蚀刻能够不损伤其他部分而容易除去的厚度就可以。

图11(b)所示的双面布线基板是在图11(a)所示的双面布线基板中，没有端子170、170a的Ni镀层171、Au镀层172的状态，根据情况，会在该状态下出厂。

关于各部分，与图11(a)所示的双面布线基板相同，省略其说明。

接着，根据图12、图13说明图11(a)所示的双面布线基板的制造方法。

另外，以此在本发明中代替对双面布线基板的制造方法的实施方式的说明。

首先，在核心基材用的绝缘性树脂层(绝缘性树脂薄膜)110的两面上，通过分别将其电解镀敷形成的粗糙面的电解Cu箔使其粗糙面朝向树脂层侧压接层叠，来制造3层构造的加工用坯材110a备用。(图12(a))

这里，使用热硬化型树脂层作为绝缘性树脂薄膜110，将电解Cu箔热压接在树脂薄膜110的两面上。

作为核心基材110的材料，采用在绝缘性树脂中适当地混入了玻璃纤维布、芳香族聚酰胺无纺布、液晶聚合体无纺布、科阿代克斯有网眼塑料薄膜等的材料。

作为绝缘性树脂，采用氰酸盐类树脂、BT树脂、环氧树脂、PPE(聚苯醚)等。

接着，将绝缘性树脂薄膜110的两面的电解Cu箔115蚀刻除去，形成具有复制形成了电解Cu箔115的表面状态的基材表面110S的核心基材110。(图12(b))

对电解Cu箔115的蚀刻是用氯化高铁溶液、或氯化铜溶液、或碱性蚀刻液来进行的。

在清洗后，有选择地照射激光120，在核心基材110上形成通孔形成用的贯通孔110H。(图12(c))

作为激光120，配合核心基材110的材质而采用CO₂激光或UV激光。

在核心基材110的一个面上配设不过剩地反射激光120的黑色等的挡板120a，从另一个面进行激光102的照射，由此，通过激光在核心基材110上形成贯通孔110H。此时，可以使贯通孔110H的截面形成为激光120照射侧的贯通孔110H的孔径较大、与激光120的照射侧相反侧的孔径较小的梯形形状。

例如，在使用CO₂激光的情况下，在使用了100μm厚的氰酸盐类树脂的核心基材110上，可以设置使照射侧的孔径为100μm、使与激光120的照射侧相反侧的孔径为70μm的贯通孔110H。

由此，在将此后进行的用阻焊剂160填充核心基材110的贯通孔110H时，阻焊剂160的填充变得容易。此外，使贯通孔110H区域平坦化，将阻焊剂160配设在核心基材110的两面上。

此外，在以往的核心基板中，在通孔制造中使用机械钻，不能将其直径做到150μm以下，而根据本发明，由于通过激光在核心基材110上形成贯通孔110H，所以可以形成150μm以下孔径的贯通孔110H。

贯通孔110H的最小孔径，在二氧化碳激光的情况下可达到80μm左右，在UV-YAG激光的情况下可达到25μm左右。

接着，进行将核心基材110的贯通孔110H内的加工残渣除去的除污处理，然后在包括贯通孔110H的表面的整个核心基材110的表面上实施非电解镀敷，形成作为通电层的非电解镀层130。(图12(d))

作为非电解镀敷，可以应用公知的非电解Cu镀敷、非电解Ni镀敷。

接着，在核心基材110的两面上设置开口145，以露出用来形成布线191、192和通孔180的导通部193a的规定区域，形成抗蚀剂140(图12(e))。接着，将非电解镀层130作为通电层，实施电解Cu镀敷，通过电解Cu镀层150有选择地形成布线191、192、以及贯通孔110H内表面的导通部193a。(图12(f))

非电解镀层130是通过非电解Ni镀敷、非电解Cu镀敷等公知的方法形成的，具有作为形成用来形成布线191、192的电解Cu镀层150时的通电层的厚度，只要是通过后面进行的快速蚀刻能够不损伤其他部分而容易地除去的厚度就可以。

作为抗蚀剂140，只要是具有想要的解像性、具有耐镀性、处理性良好就可以，没有特别的限制。

由于干薄膜抗蚀剂容易处理，所以通常采用它作为抗蚀剂140。

接着，除去抗蚀剂140(图12(g))，然后通过快速蚀刻将露出的不需要的非电解镀层130除去(图13(a))。

作为用来除去非电解镀层130的蚀刻液，可以列举出过水硫酸、过硫酸、盐酸、硝酸、氰类、有机类蚀刻液。

接着，在核心基材110的两面上涂敷感光性的阻焊剂，在核心基材110的两面上形成阻焊剂层160。(图13(b))

在从贯通孔110H的孔径较大的布线191侧对核心基材110涂敷感光性的阻焊剂时，阻焊剂不会很容易地通过到贯通孔110H的孔径较小的布线192侧，容易进行填充，并且能够在包括通孔180的形成区域的核心基材110两面上以平坦状设置阻焊剂。

接着，使用规定的光掩模等对阻焊剂160进行掩模曝光、显影，使端子部170、170a露出。(图13(c))

接着，在端子部170、170a表面上依次形成Ni镀层171、Au镀层172。(图13(d))。

这样，形成了本例的双面布线基板。

另外，将如下的双面布线基板作为图1(a)所示的双面布线基板的比较例进行说明，所述双面布线基板与图7所示的以往的核心基板同样，在核心基材的两面上仅配设1层布线，并且通过机械钻在基材上设置贯通孔，实施通孔镀敷，将两面的布线电气地连接。在这种情况下，将阻焊剂填充到核心基材的通孔形成用贯通孔中，用阻焊剂将核心基材的两面的布线覆盖住。根据图14、图15简单地说明作为这种比较例的组装用双面布线基板。

首先，预备通过将电解Cu箔215a热压接、层叠在核心基材210的两面上而具有3层构造的加工用坯材(图14(a))。通过对设在核心基材210的两面上的电解Cu箔215a进行蚀刻，将其减薄到规定的厚度(图14(b))。接着，用机械钻在加工用坯材210a上开设通孔用的贯通孔211H(图14(c)，经过用来除去毛边的研磨处理、除污处理，实施非电解镀敷，来设置非电解镀层230(图14(d))。接着，将非电解镀层230作为通电层，实施电解Cu镀敷，在核心基材210的两面上设置电解Cu镀层240，在贯通孔211H内形成导通部293a。(图14(e))

接着，在核心基材210的两面上，分别在规定区域255开口，形成耐蚀刻用的抗蚀剂250(图14(f))。然后，通过氯化高铁溶液等的蚀刻液将从抗蚀剂250的开口255露出的电解镀层240、非电解镀层230、减薄的电解Cu箔215蚀刻除去(图15(a))。接着，从核心基材210的两面涂敷感光性的阻焊剂260，此时，同时用阻焊剂260将核心基材210的贯通孔211H填充。(图15(b))

然后，通过光刻法在阻焊剂260的端子形成区域265上开口(图15(c))，在露出的电解Cu镀层240上依次设置Ni镀层271、Au镀层272，这样，就能够得到比较例的双面布线基板。(图15(d))

但是，该制造方法的布线形成，是将预先准备并减薄的电解Cu箔215、非电解镀层230、电解Cu镀层240蚀刻而进行布线形成的。所以，该制造方法基本上是以蚀刻形成布线部的金属面腐蚀法为主，来形成与图7所示的方法同样的布线的，不能对应布线的微细化、高密度化。

因而，作为双面布线基板上的线路/间隔，50μm/50μm水平以下的制造是很困难的。此外，由于通过机械钻在核心基材210上形成通孔形成用的贯通孔211H，所以其直径变大。因此，与图7(d)所示的以往的核心基板同样，作为通孔直径/钻刃直径，不能做得比150μm/350μm的水平更小。

此外，由于通过机械钻形成通孔形成用的贯通孔，所以其直径变大。因此，即使将阻焊剂填充到该贯通孔211H中，也会在阻焊剂260上产生凹陷261。在使用这种双面布线基板时，会产生气泡进入到凹陷261与装载的芯片间而损害半导体装置的可靠性的问题、或在所优选的领域即半导体芯片组装工序中需要较多负荷的问题。

即，在比较例的双面布线基板中，作为高密度安装的组装用基板具有上述问题，不能对应。

本发明如上所述，能够提供可对应高密度安装、并且比以往的组合多层布线基板在生产性方面更好的组装用布线基板。

同时，能够提供制造这种布线基板的布线基板制造方法。

特别是，通过焊盘的小型化和线路的微细化，以往，在核心基材的两面上分别设置1层用金属面腐蚀法形成的布线层，再在各布线层上用镀层形成布线层的添加法设置1层布线层。具有这样的构造，用于CSP及堆叠封装。能够将4层布线构造的以往的双面布线基板，用在核心基材两面上分别配设1层布线层的2层布线构造的本发明的双面布线基板替代。

本发明的双面布线基板与以往的4层布线构造相比，构造简单、其制造工序数也减少了，在生产性方面优良。

此外，在本发明的双面布线基板中，由于消除了以往成为问题的阻焊剂的凹陷，所以能够减轻在优选领域中的附加处理。

本发明的变形例

接着根据图16至图18说明本发明的变形例。

图16所示的变形例只是设在核心基材110上的贯通孔110H的截面形状不同，其他与上述第1实施方式和第2实施方式大致相同。

核心基材110具有绝缘性树脂和混入到该绝缘性树脂中的玻璃纤维布、芳香族聚酰胺无纺布、液晶聚合体无纺布，多孔质聚四氟乙烯布等。并且通过将激光120照射在核心基材110上而得到贯通孔110H。此时，通过调整激光120的能量，使贯通孔110H具有图16所示那样的截面形状。

即，在图16中，贯通孔110H的截面形状305具有：第1梯形形状305a，从贯通孔110H的一端301朝向内部、其孔径减少；第2梯形形状305b，从贯通孔110H的内部朝向另一端302、其孔径增加。此时，第1梯形形状305a和第2梯形形状305b是以贯通孔110H的内部地点307为界而划分成一端301侧和另一端302侧的。

这样，由于贯通孔110H的截面形状305由一端301侧的第1梯形形状305a和另一端302侧的第2梯形形状305b构成，所以在从一端301侧填充电解镀敷而形成导电部193时(参照图2(f))，由于电解镀敷一边朝向第1梯形形状305a的内部地点307收拢一边供给，所以能够可靠地填充到第1梯形形状305a内。然后电解镀敷从内部地点307向第2梯形形状305b侧一边扩张一边顺利地供给，所以能够将电解镀敷可靠地填充到第2梯形形状305b内。

接着根据图17说明组合型的多层布线基板310。如图17所示，多层布线基板310具有上述双面布线基板300、和经由绝缘树脂部160而设置在双面布线基板300上的追加布线层311、312。

其中，双面布线基板300具备：核心基材110，具有两面被粗糙化的基材表面110S；布线层191、192，设在核心基材110的各基材表面110S上。此外，在核心基材110上形成有构成通孔180的贯通孔110H，布线层191、192彼此通过填充在贯通孔110H内的导通部193导通。此外，在核心基材110的基材表面110S上及贯通孔110H中设有非电解镀层130。

此外，布线层191、192被具有开口165的绝缘树脂部160覆盖，追加布线层311、312经由绝缘树脂部160的开口165与布线层191、192连接。进而，在追加布线层311、312上设有具有开口313a的追加绝缘树脂部313。追加布线层311、312中对应于开口313a的部分为追加端子部313a。

在图17所示的多层布线基板310中，设有4层布线层311、191、192、312。

接着，根据图18，说明凸起竖立型的多层布线基板320。如图18所示，多层布线基板320具有上述双面布线基板300、和经由绝缘树脂部160设在该双面布线基板300的上侧的追加布线基板321。

其中，双面布线基板300具备：核心基材110，具有两面被粗糙化的基材表面110S；布线层191、192，设在核心基材110的各基材表面110S上。此外，在核心基材110上形成有构成通孔180的贯通孔110H，布线层191、192彼此通过填充在贯通孔110H内的导通部193导通。此外，在核心基材110的基材表面110S上及贯通孔110H中设有非电解镀层130。

此外，布线层191、192被具有开口165的绝缘树脂部160覆盖，在绝缘树脂部160的开口165内设有连通到导通部193的凸起328。

另一方面，追加布线基板321具有：追加核心基材322，其两面具有基材表面322S；布线层324、326，设在追加核心基材322的各基材表面322S上。进而，在追加核心基材322上设有追加贯通孔323，在追加贯通孔323内表面上形成有导通层323a，并且在追加贯通孔323内部中填充着抗蚀剂325。

此外，追加布线基板321的布线层324被具有开口330a的追加绝缘树脂部330覆盖。

另外，凸起328配置在填充于双面布线基板300的贯通孔110H内的导电部193上，与该导通部193连通。此外，追加布线基板321的追加贯通孔323也设在与凸起328的位置上。

进而，双面布线基板300的布线层191和导通部193经由凸起328与追加布线基板321的布线层326连接。此外，在双面布线基板300与追加布线基板321之间，设有覆盖布线326和凸起328的追加绝缘树脂部331。

在图18所示的多层布线基板320中，设有4层布线层324、320、191、192。

Claims (37)

1.一种双面布线基板，其特征在于，具有：

核心基材，两面具有被粗糙化的基材表面；

布线层，设在核心基材的各基材表面上；

各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通。

2.如权利要求1所述的双面布线基板，其特征在于，在贯通孔内填充有导通部。

3.如权利要求2所述的双面布线基板，其特征在于，在设于核心基材的两面上的各布线层上，以使端子部露出的状态设置阻焊剂。

4.如权利要求2所述的双面布线基板，其特征在于，设在核心基材的两面上的各布线层的外表面与贯通孔的导通部的外表面一起被进行了平坦化处理。

5.如权利要求2所述的双面布线基板，其特征在于，核心基材的两面的基材表面的表面粗糙度是各个10点平均粗糙度RzJIS在2μm～10μm的范围内。

6.如权利要求2所述的双面布线基板，其特征在于，双面布线基板为半导体封装用双面布线基板。

7.如权利要求3所述的双面布线基板，其特征在于，

核心基材的一面侧的端子部为用来与半导体芯片连接的连接衬层，

另一面侧的端子部为用来与外部电路连接的外部连接端子。

8.如权利要求3所述的双面布线基板，其特征在于，设在核心基材两面上的端子部具有从内侧向外侧依次配置的Ni镀层和Au镀层。

9.如权利要求1所述的双面布线基板，其特征在于，在贯通孔内表面上设有导电镀层，在贯通孔内填充有抗蚀剂。

10.如权利要求9所述的双面布线基板，其特征在于，在设于核心基材两面上的各布线层上，以使端子部露出的状态设有阻焊剂。

11.如权利要求9所述的双面布线基板，其特征在于，核心基材的两面的基材表面的表面粗糙度是各个10点平均粗糙度RzJIS在2μm～10μm的范围内。

12.如权利要求9所述的双面布线基板，其特征在于，双面布线基板为半导体封装用双面布线基板。

13.如权利要求10所述的双面布线基板，其特征在于，

核心基材的一面侧的端子部为用来与半导体芯片连接的连接衬层，

另一面侧的端子部为用来与外部电路连接的外部连接端子。

14.如权利要求10所述的双面布线基板，其特征在于，设在核心基材两面上的端子部具有从内侧向外侧依次配置的Ni镀层和Au镀层。

15.如权利要求1所述的双面布线基板，其特征在于，核心基材的贯通孔的截面具有大致梯形形状。

16.如权利要求1所述的双面布线基板，其特征在于，核心基材的贯通孔是从一端向内部其孔径减小，截面具有第1梯形形状，并且从内部向另一端其孔径增加，截面具有第2梯形形状。

17.如权利要求16所述的双面布线基板，其特征在于，贯通孔的第1梯形形状具有比第2梯形形状大的形状。

18.一种双面布线基板的制造方法，用于制造具有两面具有被粗糙化的基材表面的核心基材、和设在核心基材的各基材表面上的布线层、且各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通的双面布线基板，其特征在于，具有：

将具有粗糙面的Cu箔以其粗糙面朝向绝缘性树脂薄膜侧的方式压接层叠在核心基材用绝缘树脂薄膜的两面上的工序；

将绝缘性树脂薄膜上的Cu箔蚀刻除去、将Cu箔的粗糙面复制在绝缘性树脂薄膜的两面上，来制造核心基材的工序；

通过激光在该核心基材上形成贯通孔的工序；

对核心基材的两面及贯通孔内表面实施非电解镀敷，形成非电解镀层的工序；

在核心基材的两面上形成抗蚀剂图案，将非电解镀层作为通电层，实施电解Cu镀敷，形成电解Cu镀层的工序；

将抗蚀剂除去后，通过快速蚀刻将向外露出的不需要的非电解镀层除去的工序。

19.如权利要求18所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在形成电解Cu镀层时，通过电解Cu镀层形成填充到贯通孔内的导通部。

20.如权利要求19所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在形成非电解镀层之前，对贯通孔内表面实施除污处理。

21.如权利要求19所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，对电解Cu镀层进行机械研磨或化学机械研磨，使电解Cu镀层平坦化。

22.如权利要求19所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，还具有：

通过快速蚀刻将非电解镀层除去后，在核心基材的两面的电解Cu镀层上涂敷感光性的阻焊剂，形成阻焊层的工序；

对阻焊层进行掩模曝光、显影，使电解Cu镀层的一部分露出，形成端子部的工序。

23.如权利要求19所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，压接在绝缘性树脂薄膜上的Cu箔的粗糙面具有10点平均粗糙度RzJIS为2μm～10μm的表面粗糙度。

24.如权利要求19所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在核心基材的一个面上配置不过剩反射激光的挡板，从核心基材的另一个面进行激光照射，在核心基材上形成贯通孔。

25.如权利要求22所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在端子部表面上依次实施Ni镀敷和Cu镀敷。

26.如权利要求19所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在形成电解Cu镀层时，在核心基材的两面上设置干薄膜抗蚀剂，进行掩模曝光、显影，形成抗蚀剂图案。

27.如权利要求18所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，还具有：

通过快速蚀刻将非电解镀层除去后，在核心基材的两面的电解Cu镀层上涂敷感光性的阻焊剂，形成阻焊剂层，并通过绝缘树脂部填充贯通孔的工序；

对阻焊剂层进行掩模曝光、显影，使电解Cu镀层的一部分露出，形成端子部的工序。

28.如权利要求27所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，压接在绝缘性树脂薄膜上的Cu箔的粗糙面具有10点平均粗糙度RzJIS为2μm～10μm的表面粗糙度。

29.如权利要求27所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在核心基材的一个面上配置不过剩反射激光的挡板，从核心基材的另一个面进行激光照射，在核心基材上形成贯通孔。

30.如权利要求27所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在端子部表面上依次实施Ni镀敷和Cu镀敷。

31.如权利要求27所述的双面布线基板的制造方法，其特征在于，在形成电解Cu镀层时，在核心基材的两面上设置干薄膜抗蚀剂，进行掩模曝光、显影，形成抗蚀剂图案。

32.一种多层布线基板，其特征在于，具有：

双面布线基板，具有两面具有被粗糙化的基材表面的核心基材和设在核心基材的各基材表面上的布线层，各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通；

追加布线基板，经由绝缘树脂部设在该双面布线基板的一侧；

追加布线基板具有两面具有基材表面的追加核心基材、和设在追加核心基材的各基材表面上的追加布线层，各追加布线层彼此经由设在追加核心基材上的追加贯通孔导通。

33.如权利要求32所述的多层布线基板，其特征在于，双面布线基板和追加布线基板经由凸起连接。

34.如权利要求33所述的多层布线基板，其特征在于，凸起设在对应于双面布线基板的贯通孔的位置上。

35.如权利要求34所述的多层布线基板，其特征在于，在双面布线基板的贯通孔中填充有导通部。

36.一种多层布线基板，其特征在于，具有：

双面布线基板，具有两面具有被粗糙化的基材表面的核心基材和设在核心基材的各基材表面上的布线层，各布线层彼此经由设在核心基材上的贯通孔导通；

追加布线基板，经由绝缘树脂部设在该双面布线基板的两侧。

37.如权利要求36所述的多层布线基板，其特征在于，在各追加布线层上，以使追加端子部露出的状态设有追加绝缘树脂部。

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