CN1768429B - 光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 - Google Patents

光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种光电二极管阵列(1)，包括n型硅基板(3)。在n型硅基板(3)的被检测光L的入射面的相反面一侧，以阵列状形成有多个光电二极管(4)。在n型硅基板(3)的被检测光L的入射面一侧的形成有光电二极管(4)的区域所对应的区域上，形成有具有规定深度的凹部(6)，所述凹部(6)比形成有光电二极管(4)的区域所未对应的区域还凹陷。

Description

光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器
技术领域
本发明涉及光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器。
背景技术
就这种光电二极管阵列而言，在现阶段，公知有一种具有使光从形成有凸块电极等面的相反面(背面)入射类型的背面入射型光电二极管阵列(例如参照专利文献1)。该专利文献1所揭示的光电二极管阵列是如图26以及图27所示那样的，通过在n型硅基板133上形成方柱状的p层134而具有pn接合的光电二极管140。对于闪烁器131来说，在形成有光电二极管140的表面(附图的下侧)的背面(附图的上侧)上，经由负电极膜136而粘接有闪烁器131。当由闪烁器131经波长变换的光入射到光电二极管140后，光电二极管140生成对应入射光的电流。在光电二极管140中生成的电流透过形成在表面侧的正电极135、焊料球139以及设置在印刷基板137上的焊料垫138而被输出。
【专利文献1】日本专利特开平7-333348号公报。
发明内容
但是，对于上述光电二极管阵列来说，例如在封装CT用光电二极管阵列时，可以使用平夹头和角锥夹头作为吸附芯片的夹头。通常在进行覆晶接合(flip chip bonding)的情况下使用的是平夹头。CT用光电二极管阵列的芯片面积较大(例如，一边为20mm的矩形状)。如图25B所示，当在使用通常的安装架所使用的角锥夹头161时，因芯片162和角锥夹头161的间隙163而有可能在芯片162产生翘曲毛刺。因此，在使用角锥夹头161的情况下，有可能因上述翘曲毛刺而造成位置偏差，从而有可能使芯片162的封装精度降低。此外，在进行覆晶接合时有必要进行加热以及加压，但是以角锥夹头161而言，其热传导的效率不佳。此外，因所施加的压力还有可能损伤芯片162的边缘。从以上的原因出发，角锥夹头161并不适合用于吸附薄芯片。因此，在进行覆晶接合的情况下，如图25A所示，一边以与芯片面作面接触的平夹头160吸附芯片162，一边由加热块164对芯片162进行加热与施压。
然而，当使用平夹头160时，芯片162的芯片面全体形成为与平夹头160接触。成为光入射面的芯片面全体在与平夹头160接触而受到加压以及加热时，其芯片面上的、构成光电二极管的杂质扩散层所对应的区域有时会受到物理的损伤。因此，当芯片面受到损伤时，会产生所谓的外观不良以及特性恶化(暗电流或者干扰的增加等)的问题。
本发明是鉴于上述问题而制成的，其目的在于提供一种能够防止封装时对应光电二极管阵列的区域的损伤且能够防止特性恶化的光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器。
为了实现上述的目的，有关本发明的光电二极管阵列，其特征在于：包括半导体基板，在上述半导体基板中的被检测光的入射面的相反面一侧，以阵列状形成有多个光电二极管，在上述半导体基板的被检测光的上述入射面一侧中的、与形成有上述光电二极管的区域所对应的区域上，形成有具有规定深度的凹部，其比与形成有上述光电二极管的区域不对应的区域还凹陷。
在本发明相关的光电二极管阵列中，在半导体基板的上述入射面一侧，与形成有光电二极管的区域所对应的区域相比，未对应的区域是突出的。通过形成有该光电二极管的区域所未对应的区域，当在封装时使用平夹头时，在形成有光电二极管的区域所对应的区域与平夹头之间形成有间隙。因此，对应上述光电二极管的区域不与平夹头直接接触，不会受到因加压或加热所产生的损伤。其结果，能够有效地防止由干扰或者暗电流等所产生的特性恶化。
此外，优选上述凹部形成有多个，并且邻接的凹部相互连通。此外，优选上述凹部对应上述各光电二极管而形成有多个，邻接的凹部相互连通。在任意一种情况下，邻接的凹部都是相互连通，所以在将树脂(例如用以安装闪烁面板的光学树脂)涂敷在光电二极管阵列的入射面上时，其树脂易于遍及至各凹部。此外，还能够抑制在各凹部内产生气泡。
此外，在上述半导体基板上，优选在邻接的上述各光电二极管之间设置有将其各光电二极管予以分离的杂质区域。此时，通过杂质区域来抑制表面泄漏的发生，所以能够将邻接的光电二极管彼此可靠地电气分离。
此外，优选在上述半导体基板的被检测光的上述入射面一侧，形成有与上述半导体基板相同导电型的高杂质浓度层。此时，在半导体基板内部的光入射面附近所产生的载体并没有被捕捉而是朝着各光电二极管有效地移动。其结果，可提高光检测灵敏度。
此外，优选在上述半导体基板中的被检测光的上述入射面的上述相反面一侧，以阵列状形成有多个具有规定深度的凹部，在上述凹部的底部分别形成上述各光电二极管。此时，从半导体基板的被检测光的入射面至光电二极管为止的距离被缩短，所以通过被检测光的入射而产生的载体移动过程中的再结合被抑制。其结果，光检测灵敏度会提升。
有关本发明的光电二极管阵列的制造方法的特征在于，包括：准备由第一导电型的半导体所形成的半导体基板，并且在上述半导体基板的一面上，形成多个第二导电型的杂质扩散层，将由上述各杂质扩散层和上述半导体基板所构成的多个光电二极管以阵列状配列而形成的工序；和在上述半导体基板的另一面上，在形成有上述光电二极管的区域所对应的区域上，形成具有规定深度的凹部的工序，其中，上述凹部比与形成有上述光电二极管的区域不对应的区域还凹陷。
在有关本发明的光电二极管阵列的制造方法中，可获得一种光电二极管阵列，其是在半导体基板的一面以阵列状配列形成光电二极管，并且在另一侧上的在形成有光电二极管的区域所对应的区域上形成上述凹部。
此外，优选在形成上述凹部的上述工序之后，在上述半导体基板的上述另一面上形成第一导电型的高杂质浓度层的工序。此时，在半导体基板的另一面上，形成有与半导体基板相同导电型的高杂质浓度层。因此，在半导体基板内部的光入射面附近所产生的载体并没有被捕捉而是朝着各光电二极管有效地移动。其结果，可提高光检测灵敏度。
此外，有关本发明的光电二极管阵列的制造方法的特征在于，包括：准备由第一导电型的半导体所形成的半导体基板，并且在上述半导体基板的一面上，以阵列状配列形成多个第一凹部的工序；在上述第一凹部的底部形成多个第二导电型的杂质扩散层，将由上述各杂质扩散层和上述半导体基板所构成的多个光电二极管以阵列状配列而形成的工序；和在上述半导体基板的另一面上，在形成有上述光电二极管的区域所对应的区域上，形成具有规定深度的第二凹部的工序，其中，上述第二凹部比与形成有上述光电二极管的区域不对应的区域还凹陷。
在有关本发明的光电二极管阵列的制造方法中，可获得一种光电二极管阵列，在形成于半导体基板的一侧上的第一凹部的底部，以阵列状配列形成光电二极管，同时，在另一面中的形成有光电二极管的区域所对应的区域上形成有上述第二凹部。
此外，优选在形成上述第二凹部的上述工序之后，在上述半导体基板的上述另一面上，形成第一导电型的高杂质浓度层的工序。此时，在半导体基板的另一面上，形成有与半导体基板相同导电型的高杂质浓度层。因此，在半导体基板内部的光入射面附近所产生的载体并没有被捕捉而朝着各光电二极管有效地移动。其结果，可提高光检测灵敏度。
此外，优选在邻接的上述杂质扩散层之间设置第一导电型的杂质区域的工序。此时，可获得邻接的各光电二极管被可靠地电气分离的光电二极管阵列。
有关本发明的放射线检测器的特征在于，包括上述光电二极管阵列，和闪烁面板，其中，上述闪烁面板与上述光电二极管阵列中的上述被检测光的上述入射面相对配置，且通过放射线的入射而发光。
此外，有关本发明的放射线检测器的特征在于，包括由上述光电二极管阵列的制造方法所制造的光电二极管阵列，和闪烁面板，其中，上述闪烁面板与上述光电二极管阵列中的形成有上述凹部的面相对配置，且通过放射线的入射而发光。
此外，有关本发明的放射线检测器的特征在于，包括由上述光电二极管阵列的制造方法所制造的光电二极管阵列，和闪烁面板，其中，上述闪烁面板与上述光电二极管阵列中的形成有上述第二凹部的面相对配置，且通过放射线的入射而发光。
在本发明相关的放射线检测器中，因为分别具有上述光电二极管阵列，所以能够有效地防止因干扰或者暗电流等所造成的特性恶化。
附图说明
图1是表示有关第一实施方式的光电二极管阵列的截面构成图。
图2是有关第一实施方式的光电二极管阵列的构成的说明图。
图3是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图4是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图5是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图6是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图7是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图8是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图9是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图10是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图11是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图12是有关第一实施方式的光电二极管阵列的制造工序的说明图。
图13A是模式地表示有关第一实施方式的光电二极管阵列的一个例子的平面图。
图13B是模式地表示有关第一实施方式的光电二极管阵列的一个例子的平面图。
图13C是模式地表示有关第一实施方式的光电二极管阵列的一个例子的平面图。
图14A是模式地表示有关第一实施方式的光电二极管阵列的一个例子的平面图。
图14B是模式地表示有关第一实施方式的光电二极管阵列的一个例子的平面图。
图14C是模式地表示有关第一实施方式的光电二极管阵列的一个例子的平面图。
图15是表示有关第二实施方式的光电二极管阵列的截面构成图。
图16是有关第二实施方式的光电二极管阵列的构成的说明图。
图17是有关第二实施方式的光电二极管阵列的制造工序说明图。
图18是有关第二实施方式的光电二极管阵列的制造工序说明图。
图19是有关第二实施方式的光电二极管阵列的制造工序说明图。
图20是有关第二实施方式的光电二极管阵列的制造工序说明图。
图21是有关第二实施方式的光电二极管阵列的制造工序说明图。
图22是有关第二实施方式的光电二极管阵列的制造工序说明图。
图23是表示有关第三实施方式的放射线检测器的截面构成图。
图24是表示有关第四实施方式的放射线检测器的截面构成图。
图25A是模式地表示利用平夹头吸附半导体芯片的状态图。
图25B是模式地表示利用角锥夹头吸附半导体芯片的状态图。
图26是表示现有技术的光电二极管阵列的立体图。
图27是表示第26图中的XXVII-XXVII方向的截面构成模式图。
具体实施方式
以下，参照附图的同时对本发明的光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器的最优实施方式进行详细说明。其中，在说明中，对同一要素或者具有同一功能的要素标注同一符号，并省略重复的说明。
(第一实施方式)
图1是表示有关本发明的实施方式光电二极管阵列1的截面构成图。其中，在以下的说明中，以光L的入射面(图1的上面)作为背面，而以其相反面(图1的下面)作为表面。在下述各附图中，为了图示的方便性，适当地对尺寸进行变更。
光电二极管阵列1具有通过pn接合而形成的多个光电二极管4。多个光电二极管4是在光电二极管阵列1的表面侧，以二次元而配列成纵横规则的阵列状。各光电二极管4具有作为光电二极管阵列1的一个像素的功能，其整体构成一个光感应区域。
光电二极管阵列1具有n型(第一导电型)硅基板3。n型硅基板3的厚度为30～300μm(优选为100μm)程度。n型硅基板3中的杂质浓度为1×1012～1015/cm3程度。在n型硅基板3的表面侧，p型(第二导电型)杂质扩散层5以二次元的方式而配列成纵横规则的阵列状。p型杂质扩散层5的厚度为0.05～20μm程度(优选为0.2μm)。p型杂质扩散层5中的杂质浓度为1×1013～1020/cm3程度。通过p型杂质扩散层5和n型硅基板3所形成的pn接合而构成光电二极管4。在n型硅基板3的表面形成有氧化硅膜22。在该氧化硅膜22上形成有钝化膜2。钝化膜2例如由SiN等形成。
此外，在氧化硅膜22上，与各p型杂质扩散层5(光电二极管4)相对应而形成有电极配线9。各电极配线9由铝形成，其厚度为1μm程度。各电极配线9的一端经由形成在氧化硅膜22上的连接孔而与对应的p型杂质扩散层5电气连接。各电极配线9的另一端通过形成在钝化膜2上的连接孔而与对应的凸点底层金属(UBM)11电气连接。在各UBM11上形成有焊料的凸块电极12。UBM11和凸块电极12电气连接。
优选UBM11是以与焊料的界面接合强且能够防止焊料成分对铝的扩散的物质，一般为多层膜构造。作为该多层膜构造，有通过无电解电镀的镍(Ni)-金(Au)等。该构造是在铝露出的区域上厚厚地形成镍的电镀(3～15μm)，并在其上镀上薄薄的(0.05～0.1μm)金。金是用于防止镍的氧化。此外，也有通过剥落而形成钛(Ti)-铂(Pt)-金(Au)或者铬(Cr)-金(Au)的构造。
在n型硅基板3的背面侧设置有作为高杂质浓度层的堆积层(accumulation)8。堆积层8遍及整个背面并大致形成有均匀的深度。堆积层8与n型硅基板3为同一导电型，且杂质浓度比n型硅基板3高。其中，本实施方式相关的光电二极管阵列1具有堆积层8，但是即使没有该堆积层8，其也具有在实用上可充分容许程度的光检测特性。
在堆积层8上形成有覆盖该堆积层8而用于保护并同时用于抑制光L的反射的AR膜24。AR膜24例如由SiO2形成，其厚度为0.01～数μm程度。其中，除了SiO2以外，AR膜24也可以是层积或者复合SiN或者能够在必要的波长中防止反射的光学膜而形成。
在n型硅基板3的表面侧，存在有各p型杂质扩散层5的区域是形成有光电二极管4的区域(以下称为“形成区域”)，除其以外的区域成为了未形成有光电二极管的区域。在AR膜24上的对应各光电二极管4的形成区域(以下称为“对应区域”)上，按照各光电二极管4而设置有多个凹部6。各凹部6例如呈1mm×1mm大小的矩形形状，和不与光电二极管4的形成区域所对应的区域(以下称为“非对应区域”)相比，其形成为更加凹陷。各凹部6的深度d例如为3～150μm，为10μm程度。
在n型硅基板3中的邻接的p型杂质扩散层5彼此之间，也就是在邻接的光电二极管4彼此之间设置有n+型杂质区域7。n+型杂质区域7的厚度为0.1～数10μm程度。n+型杂质区域7的功能是作为将邻接的光电二极管4(p型杂质扩散层5)彼此电气分离的分离层。因此，邻接的光电二极管4彼此可靠地被电气分离，从而能够降低光电二极管4之间的串音。其中，即使本实施方式中的光电二极管阵列1未设置有n+型杂质区域7，也具有在实用上可充分容许程度的光检测特性。
对于光电二极管阵列1来说，如图2所示，其为极薄的板状。光电二极管阵列1的宽度W1为22.4mm程度，光电二极管阵列1的厚度D大约为0.3mm。光电二极管阵列1具有多个上述光电二极管4(例如，256(16×16)个，以二维配列)。邻接的光电二极管4(像素)间的间距W2为1.4mm程度。光电二极管阵列1是大面积(例如，22.4mm×22.4mm)的芯片。其中，图2中的最上面的图用于表示光电二极管阵列1的薄度，描绘的是光电二极管阵列1的细部的放大图。
在光电二极管阵列1中，当光L由背面入射时，入射的光L通过堆积层8而到达pn接合。然后，各光电二极管4生成对应其入射光的载体。此时，堆积层8抑制在n型硅基板3的内部的光入射面(背面)附近所产生的载体在光入射面或者在与AR膜24的界面被捕捉。因此，载体有效地朝着pn接合移动，光电二极管阵列1的光检测灵敏度得到了提升。生成的载体所产生的光电流通过连接于各p型杂质扩散层5的电极配线9以及UBM11而从凸块电极12被取出。通过来自该凸块电极12的输出而进行入射光的检测。
如上所述，在本实施方式中，在光电二极管阵列1的光L的入射面一侧(也就是背面侧)，因为在各光电二极管4的对应区域形成有凹部6，所以各光电二极管4的非对应区域比对应区域突出对应于深度d的大小的量。其功能为，在以平夹头吸附光电二极管阵列1来进行覆晶接合时，用于与平夹头接触，从而在其平夹头与各光电二极管4的对应区域之间确保有间隙。因此，各光电二极管4的对应区域通过非对应区域而被保护，不会与平夹头直接接触。因此，各光电二极管4的对应区域因为不直接承受因加压而产生的应力或者因加热而产生的应力，所以物理的损伤不会涉及到该对应区域的堆积层8。光电二极管4也不会发生因其损伤的结晶缺陷等所造成的暗电流或者干扰。其结果为，光电二极管阵列1可进行高精度(S/N比高)的光检测。
此外，如后所述，除覆晶接合以外，例如在将光电二极管阵列1与闪烁器一体化而作为CT用传感器的情况下，因为闪烁器不与上述对应区域直接接触，所以也可避免在安装闪烁器时的损伤。
凹部6是与光电二极管4对应且按照该各个光电二极管4而形成的。因此，为了形成凹部6而如图13A所示，可以在光电二极管4的非对应区域形成格子状的壁部13a。此外，如图13B所示，也可以在光电二极管4的非对应区域的交叉部13b以外的部分，断续地形成多个短的壁部13c。此外，如图13B所示，也可在交叉部13b形成十字状的壁部13d。而且，虽然没有图示，但是也可以将凹部6的大小均等分为左右两个，也可分为多个区域。
此外，在形成多个凹部6时，优选邻接的各凹部6彼此没有被光电二极管4的非对应区域所区隔而保持连通。因此，例如可以将上述非对应区域形成为断续地配置上述壁部13c、13d。
此外，如图14A所示，也可在光电二极管阵列1的边缘部形成框状的壁部13e，使得该壁部13e的内侧全体成为一个凹部6而构成。也可以取代该壁部13e而改以如图14B所示那样形成欠缺一部分的框状壁部13f。此时，凹部6形成为相互不被非对应区域所区隔。
不需要光电二极管4的非对应区域全部都形成为比凹部6厚，如图14A以及图14B所示，只要是非对应区域的一部分(形成有壁部13e、13f的部分)形成为比凹部6厚即可。另一方面，光电二极管4的对应区域必须全部被设置在凹部6上。
当形成邻接的凹部6彼此不被区隔而保持连通时，邻接的壁部彼此之间的间隙的机能是作为树脂(例如，粘接后述闪烁面板31时所使用的光学树脂35)的逃路。因此，当光电二极管阵列1的背面涂敷有树脂时，凹部6内变成难以产生气泡(void)(气泡变少)，从而能够使涂敷的树脂没有偏移地遍及各凹部6而均匀地充填。
此外，如图14C所示，可连续设置壁部13a和壁部13e，此时，各凹部6通过壁部13a和壁部13e而被区隔。
接着，基于图3～图12，对有关本实施方式的光电二极管阵列1的制造方法进行说明。
首先，如图3所示，准备具有150～500μm(优选为350μm)程度的厚度的n型硅基板3。接着，在n型硅基板3的表面以及背面上形成氧化硅膜(SiO2)20(参照图4)。
其次，在形成于n型硅基板3的表面上的氧化硅膜20上，进行利用规定光掩模的图案化，在形成n+型杂质区域7的预定位置上形成开口。接着，从形成在氧化硅膜20的开口掺杂磷，从而在n型硅基板3上设置n+型杂质区域7。在本实施方式中，在n型硅基板3的背面侧上也形成有n+型杂质区域7。在未设置有n+型杂质区域7的情况下也可省略该工序(杂质区域形成工序)。接着，在n型硅基板3的表面以及背面再次形成氧化硅膜21(参照图5)。该氧化硅膜21是在后续的工序中作为在形成p型杂质扩散层5时的掩模而被利用。
其次，在形成于n型硅基板3的表面上的氧化硅膜21上，进行利用规定光掩模的图案化，从而在形成各p型杂质扩散层5的预定位置形成开口。从形成在氧化硅膜21上的开口掺杂硼，使p型杂质扩散层5形成为以二次元配列的纵横的阵列状。因此，各p型杂质扩散层5和n型硅基板3的pn接合的光电二极管4形成为以二次元配列的纵横的阵列状。该光电二极管4成为与像素对应的部分。接着，在基板的表面侧再次形成氧化硅膜22(参照图6)。
其次，将n型硅基板3的背面研磨成其厚度为规定厚度(30～300μm程度)，从而使n型硅基板3薄型(薄板)化。接着，利用LP-CVD(或者等离子CVD)而在n型硅基板3的表面以及背面形成氮化硅膜(SiN)23(参照图7)。接着，使用规定光掩模来进行图案化，从形成各凹部6的预定区域、也就是从光电二极管4的对应区域除去氮化硅膜23，从而，未形成各凹部6的部分、也就是在光电二极管4的非对应区域上残留氮化硅膜23(参照第8图)。在此工序中，通过适当地变更氮化硅膜23所残留的区域，而能够以上述各种图案形成非对应区域(壁部13a、13c、13d、13e、13f)。
其次，使用氢氧化钾溶液(KOH)或者TMAH等，以残留的氮化硅膜23为掩模，通过异向性碱性蚀刻而除去n型硅基板3，在未被氮化硅膜23覆盖的部分上形成凹部6。其后，将残留的氮化硅膜23除去。接着，将n型离子种(例如磷或者砷)从n型硅基板3的背面扩散0.05～数10μm程度的深度，形成杂质浓度比n型硅基板3还高的上述堆积层8。而且，进行热氧化处理，在堆积层8上形成AR膜24(参照图9)
接着，在各光电二极管4的形成区域上，通过光蚀刻技术，在氧化硅膜22上形成延伸至各p型杂质扩散层5的连接孔。接着，在通过蒸镀方法而将铝金属膜形成在氧化硅膜22上之后，使用规定光掩模进行图案化，来形成电极配线9(参照图10)。接着，以覆盖电极配线9的方式而在氧化硅膜22上形成有成为钝化膜2的SiN膜25。SiN膜25可以通过溅镀或者等离子体CVD等而形成。钝化膜2也可以是SiO2或者PSG、BPSG等的绝缘膜、聚酰亚胺树脂、丙烯酸乙酯树脂、环氧树脂、氟树脂或者他们的复合膜或者积层膜。
其次，在SiN膜25的规定的位置上形成连接孔，以作为电极取出部(参照图11)。而且，设置凸块电极12，当作为其凸块电极12而使用焊料的情况下，因为焊料对铝的浸透性不佳，所以在各电极取出部上形成用以中介各电极取出部与凸块电极12的UBM11。然后，与UBM11重叠而形成凸块电极12(参照图12)。
通过经历以上工序，而能够制造出在封装时不因损伤而产生干扰、并能够进行高精度光检测的光电二极管阵列1。
凸块电极12通过焊料球搭载法或者印刷法而在规定的UBM11上形成焊料，并通过回焊而形成。其中，凸块电极12并不局限于焊料，也可以为金凸块、镍凸块、铜凸块，也可以是包含有导电性填料等金属的导电性树脂凸块。其中，图中仅表示出阳极电极的取出，阴极(基板)电极也与阳极电极同样，能够从n+型杂质区域7取出(未图示)。此外，在图中表示的是阳极电极的凸块电极12形成于n+型杂质区域7的区域上的情况，但是阳极电极的凸块电极12也可形成在p型杂质扩散层5的区域。
(第二实施方式)
其次，对光电二极管阵列及其制造方法的第二实施方式进行说明。
在本实施方式中，如图15所示，是以具有形成在光L的入射面的相反面一侧(表面侧)上的凹部45的n型硅基板43的光电二极管阵列41为对象的。其中，该光电二极管阵列41因为具有与光电二极管阵列1共通部分，所以，以下的说明是以双方的差异点为中心而进行的，对共通部分的说明予以省略或者简略化。
在光电二极管阵列41中，在n型硅基板43的表面侧，以纵横有规则的阵列状的方式而二次元配列有多个凹部45。对于各凹部45来说，以使n型硅基板43的规定区域比其周围的区域还薄的方式而形成为凹陷，是以1.4～1.5mm程度的配置间隔而形成的。通过在凹部45的底部45a上逐一形成上述光电二极管4而构成了光电二极管4是以阵列状而被二次元配列的光电二极管阵列41。
对于各凹部45来说，在n型硅基板43的表面例如具有1mm×1mm程度的大小的矩形开口，以开口尺寸从开口朝向其底部45a(由表面侧朝向背面侧)逐渐缩小的方式而形成。因此，凹部45具有斜面的侧面45b。从n型硅基板43的表面至底部45a的深度例如为50μm程度。
电极配线9沿着侧面45b而形成在氧化硅膜22上。各电极配线9的一端通过形成在氧化硅膜22上的连接孔而与对应的p型杂质扩散层5电气连接。各电极配线9的另一端通过形成在钝化膜2上的连接孔而与对应的UBM11电气连接。在邻接的光电二极管4之间，设置有n+型杂质区域7。
在n型硅基板3的背面侧全体上形成有堆积层8。在堆积层8上形成有AR膜24。该堆积层8、AR膜24都与上述光电二极管阵列1的相同。接着，在光电二极管4的对应区域上，以与各凹部45对应的方式而在各光电二极管4上设置多个凹部6(第二凹部)。该凹部6也与上述光电二极管阵列1的相同。
光电二极管阵列41如图16所示，为极薄的板状。光电二极管阵列41的宽度W1为22.4mm程度，光电二极管阵列41的厚度D为150～300μm。光电二极管阵列41具有多个上述光电二极管4(例如，256(16×16)个，以二次元配列)。邻接的光电二极管4之间的间距W2为1.4mm程度。光电二极管阵列41是大面积(例如22.4mm×22.4mm)的芯片。其中，在图16中的最上面的图用于表示光电二极管阵列41的薄度，是描绘光电二极管阵列41的细部的放大图。
如上所述构成的光电二极管阵列41，当光L从背面入射时，其与光电二极管阵列1一样，入射的光L通过堆积层8而到达pn接合。然后，各光电二极管4生成对应其入射光的载体。此时，因为pn接合16被设置在凹部45的底部45a，所以从n型硅基板43的背面到pn接合为止的距离被缩短(例如10～100μm程度)。因此，在光电二极管阵列41中，在因光L的入射而发生载体移动的过程中，能够抑制因再结合而造成消减的情况。其结果，光电二极管阵列41能够维持高检测灵敏度。
此外，通过堆积层8而在n型硅基板3的内部的光入射面(背面)附近生成的载体不会再次结合，从而朝着pn接合有效地移动。因此，使光电二极管阵列41的光检测灵敏度变得更高(其中，即使本实施方式的光电二极管阵列41未设置堆积层8，也具有在实用上可充分容许程度的光检测特性)。
生成的载体所产生的光电流通过连接于各p型杂质扩散层5的电极配线9以及UBM11而从凸块电极12被取出。通过来自该凸块电极12的输出而进行入射光的检测。对于该点与光电二极管阵列1的同样。
如上所述，本实施方式的光电二极管阵列41也与光电二极管阵列1相同，在各光电二极管4的对应区域上形成有凹部6。其功能为，在以平夹头吸附光电二极管阵列41来进行覆晶接合时，用于与平夹头接触，从而在其平夹头与各光电二极管4的对应区域之间确保有间隙。因此，各光电二极管4的对应区域通过非对应区域而被保护，不会与平夹头直接接触。因此，各光电二极管4的对应区域因为不直接承受因加压而产生的应力或者因加热而产生的应力，所以物理的损伤不会涉及到该对应区域的堆积层8。光电二极管4也不会发生因其损伤的结晶缺陷等所造成的暗电流或者干扰。其结果为，光电二极管阵列41可进行高精度(S/N比高)的光检测。
此外，如后所述，除覆晶接合以外，例如在将光电二极管阵列41与闪烁器一体化而作为CT用传感器的情况下，因为闪烁器不与上述对应区域直接接触，所以也能够避免闪烁器在安装时的损伤。
其次，基于图3～图6、图17～图22，对有关本实施方式的光电二极管阵列41的制造方法进行说明。
首先，与光电二极管阵列1同样，实行使用图3～图6所作说明的各工序。其次，进行将n型硅基板3的背面研磨至该n型硅基板3的厚度为规定厚度为止的n型硅基板3的薄型(薄板)化。接着，在n型硅基板3的表面以及背面，通过LP-CVD(或者等离子体CVD)来形成氮化硅膜(SiN)23，接着，在表面侧的氧化硅膜22和氮化硅膜23上，使用规定光掩模来进行图案化，在形成各凹部45的预定位置形成开口(参照图17)。
其次，在n型硅基板3的表面，以形成有各p型杂质扩散层5的区域为对象，以使p型杂质扩散层5的框状周边部5a残留下来的方式而通过碱性蚀刻来除去p型杂质扩散层5以及n型硅基板3，以形成凹部45。因此，可获得n型硅基板43。此时，在凹部45的开口边缘部，形成作为p型杂质的扩散区域的框状周边部5a。凹部45具有侧面45b和底部45a。框状周边部5a并不是必须的。在形成有框状周边部5a的情况下，可获得防止因用于形成凹部45的蚀刻所形成的边缘部分的损伤所造成的干扰或者暗电流的效果。在图15、16、24中表示的是未形成框状周边部5a的例子。
接着，在所形成的各凹部45的底部45a掺杂硼等。因此，在各凹部45的底部45a上形成p型杂质扩散层5b，通过其p型杂质扩散层5b和n型硅基板43的pn接合的光电二极管4而形成为二次元配列的纵横的阵列状。接着，在未被形成在表面上的氮化硅膜23所覆盖的区域上，形成氧化硅膜22。其中，此时虽然未有图示，但是在形成于背面的氮化硅膜23上也形成有氧化硅膜。
其次，在形成有n型硅基板43的背面侧的氮化硅膜23上，使用规定的光掩模来进行图案化，从形成各凹部6的预定区域、也就是从光电二极管4的对应区域除去氮化硅膜23，在未形成各凹部6的部分、也就是在光电二极管4的非对应区域上残留氮化硅膜23(参照图18)。在该工序中，通过适当地变更氮化硅膜23残留的区域，而能够以上述各种图案来形成非对应区域(壁部13a、13c、13d、13e、13f)。
其次，使用氢氧化钾溶液(KOH)或者TMAH等，以残留的氮化硅膜23为掩模，并利用异向性碱性蚀刻来除去n型硅基板3，在未被氮化硅膜23覆盖的部分上形成凹部6。然后，将残留的氮化硅膜23除去。接着，以与第一实施方式相同的要领来执行n型离子种的离子注入等，以形成杂质浓度比n型硅基板3高的上述堆积层8。而且，进行热氧化处理以在堆积层8上形成AR膜24(参照图19)。
然后，在各光电二极管4的形成区域，利用光蚀刻技术而在表面侧的氧化硅膜22上形成延伸至各p型杂质扩散层5b的连接孔。接着，在利用蒸镀法将铝金属膜形成于氧化硅膜22上之后，使用规定的光掩模以进行图案化，以形成电极配线9(参照图20)。
接着，以覆盖电极配线9的方式而在氧化硅膜22上形成有成为钝化膜2的SiN膜25。SiN膜25可以通过溅镀或者等离子体CVD等而形成。接着，在SiN膜25的各电极配线9所对应的位置上形成连接孔(参照图21)。接着，以与第一实施方式同样的要领，利用无电解电镀等方式而形成经由连接孔而与电极配线9电气连接的UBM11。然后，与UBM11重叠而形成凸块电极12(参照图22)。
通过经历以上的工序，而能够制造出在封装时不因损伤而产生干扰或者暗电流、并能够进行高精度光检测的光电二极管阵列41。此外，图中仅表示取出阳极电极，但是阴极(基板)电极也与阳极电极相同，可从n+型杂质区域7取出(未图示)。
(第三实施方式)
下面，对有关第三实施方式的放射线检测器进行说明。
图23是表示有关本实施方式的放射线检测器50的截面构成图。该放射线检测器50具有根据放射线的入射而发光的闪烁面板31和上述光电二极管阵列1。闪烁面板31使通过入射的放射线所产生的光从光射出面31a射出。闪烁面板31与光电二极管阵列1的光入射面、也就是与光电二极管阵列1的形成有凹部6的面相对配置。对于光电二极管阵列1来说，在从闪烁面板31的光射出面31a所射出的光从光入射面入射时，其将入射的光变换为电气信号。
闪烁面板31被安装在光电二极管阵列1的背面侧(入射面一侧)。在光电二极管阵列1上因为设置有上述凹部6，所以闪烁面板31的背面、也就是光射出面31a不与光电二极管4的对应区域直接接触。在闪烁面板31的光射出面31a与凹部6之间的间隙内充填有具有能够使光充分透过而设定的折射率的光学树脂35。通过该光学树脂35，从闪烁面板31射出的光能够有效地入射至光电二极管阵列1。该光学树脂35能够使用具有使闪烁面板31所射出的光透过性质的环氧树脂、或者丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、氟树脂等，也可使用他们等的复合材料。
接着，在将光电二极管阵列1接合至未图示的封装配线基板上时，以平夹头吸附光电二极管阵列1。但是，因为光电二极管阵列1设置有上述凹部6，所以平夹头的吸附面不与各光电二极管4的对应区域直接接触。此外，在安装闪烁面板31时，其光射出面31a也不与光电二极管4的对应区域直接接触。因此，具有这种光电二极管阵列1和闪烁器面板31的放射线检测器50能够防止在封装时的由对应区域的损伤所产生的干扰或者暗电流等。其结果，在放射线检测器50中，光检测是以高精度进行的，能够精度良好地进行放射线的检测。
(第四实施方式)
接着，对有关第四实施方式的放射线检测器进行说明。
图24是表示有关本实施方式的放射线检测器55的截面构成图。该放射线检测器55具有闪烁面板31以及上述光电二极管阵列41。闪烁面板31是以与光电二极管阵列41的光入射面、也就是以与光电二极管阵列41的设置有凹部6的面相对的方式而配置的。
闪烁面板31被安装在光电二极管阵列41的背面侧(入射面一侧)。因为光电二极管阵列41设置有上述凹部6，所以闪烁面板31的背面、也就是光射出面31a不与光电二极管4的对应区域直接接触。此外，闪烁面板31的光射出面31a和凹部6之间的间隙中充填有光学树脂35。通过该光学树脂35而能够使从闪烁面板31所射出的光有效地入射至光电二极管阵列41。
其次，在将光电二极管阵列41接合至未图示的封装配线基板上时，以平夹头吸附光电二极管阵列41。然而，因为光电二极管阵列41设置有上述凹部6，所以平夹头的吸附面不与各光电二极管4的对应区域直接接触。此外，在安装闪烁面板31时，其光射出面31a也不与光电二极管4的对应区域直接接触。因此，具有这种光电二极管阵列41和闪烁面板31的放射线检测器55能够防止在封装时的由对应区域的损伤所产生的干扰或者暗电流等。其结果，在放射线检测器55中，能够使光检测精度良好地进行，并能够精度良好地进行放射线的检测。
产业上的可利用性
本发明可利用在X射线断层摄像装置、放射线摄像装置中。

Claims (13)

1.一种光电二极管阵列，其特征在于：
包括半导体基板，
在所述半导体基板中的被检测光的入射面的相反面一侧，以阵列状形成有多个光电二极管，
在所述半导体基板的被检测光的所述入射面一侧中的、与形成有所述光电二极管的区域所对应的区域上，形成有比与形成有所述光电二极管的区域不对应的区域还凹陷的多个凹部，
并且邻接的所述凹部相互连通。
2.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：
所述凹部与所述多个各光电二极管一一对应。
3.如权利要求1或2所述的光电二极管阵列，其特征在于：
在所述半导体基板上，在邻接的所述各光电二极管之间设置有将其各光电二极管予以分离的杂质区域。
4.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：
在所述半导体基板的被检测光的所述入射面一侧，形成有与所述半导体基板相同导电型的高杂质浓度层。
5.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：
在所述半导体基板中的被检测光的所述入射面的所述相反面一侧，以阵列状形成有多个、以比其周围的区域还薄的方式凹陷而形成的凹部，在所述凹部的底部分别形成所述各光电二极管。
6.一种光电二极管阵列的制造方法，其特征在于，包括：
准备由第一导电型的半导体所形成的半导体基板，并且
在所述半导体基板的一面上，形成多个第二导电型的杂质扩散层，将由所述各杂质扩散层和所述半导体基板所构成的多个光电二极管以阵列状配列而形成的工序；和
在所述半导体基板的另一面上，在形成有所述光电二极管的区域所对应的区域上，形成比与形成有所述光电二极管的区域不对应的区域还凹陷的多个凹部的工序，其中，邻接的所述凹部相互连通。
7.如权利要求6所述的光电二极管阵列的制造方法，其特征在于，还包括：
在形成所述凹部的所述工序之后，在所述半导体基板的所述另一面上形成第一导电型的高杂质浓度层的工序。
8.一种光电二极管阵列的制造方法，其特征在于，包括：
准备由第一导电型的半导体所形成的半导体基板，并且
在所述半导体基板的一面上，以阵列状配列形成多个第一凹部的工序；
在所述第一凹部的底部形成多个第二导电型的杂质扩散层，将由所述各杂质扩散层和所述半导体基板所构成的多个光电二极管以阵列状配列而形成的工序；和
在所述半导体基板的另一面上，在形成有所述光电二极管的区域所对应的区域上，形成比与形成有所述光电二极管的区域不对应的区域还凹陷的多个第二凹部的工序，其中，邻接的所述第二凹部相互连通。
9.如权利要求8所述的光电二极管阵列的制造方法，其特征在于，还包括：
在形成所述第二凹部的所述工序之后，在所述半导体基板的所述另一面上，形成第一导电型的高杂质浓度层的工序。
10.如权利要求6至9中的任何一项所述的光电二极管阵列的制造方法，其特征在于，还包括：
在邻接的所述杂质扩散层之间设置第一导电型的杂质区域的工序。
11.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
如权利要求1至5中的任何一项所述的光电二极管阵列；和
闪烁面板，其与所述光电二极管阵列中的所述被检测光的所述入射面相对配置，且通过放射线的入射而发光。
12.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
通过权利要求6或者7所述的制造方法所制造的光电二极管阵列；和
闪烁面板，其与所述光电二极管阵列中的形成有所述凹部的面相对配置，且通过放射线的入射而发光。
13.一种放射线检测器，其特征在于，包括：
通过权利要求8或者9所述的制造方法所制造的光电二极管阵列；和
闪烁面板，其与所述光电二极管阵列中的形成有所述第二凹部的面相对配置，且通过放射线的入射而发光。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7675096B2 (en) * 2005-03-30 2010-03-09 Fujifilm Corporation Solid-state image pickup element and method of producing the same
US7576371B1 (en) * 2006-03-03 2009-08-18 Array Optronix, Inc. Structures and methods to improve the crosstalk between adjacent pixels of back-illuminated photodiode arrays
DE102007007584A1 (de) 2006-12-29 2008-07-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterdetektoranordnung und Herstellungsverfahren für eine Halbleiterdetektoranordnung
JP5185205B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
JP5185208B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ
JP5185157B2 (ja) * 2009-02-25 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード
JP5546222B2 (ja) * 2009-12-04 2014-07-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び製造方法
WO2012137160A2 (en) 2011-04-06 2012-10-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Imaging detector
US9401441B2 (en) 2012-06-14 2016-07-26 United Microelectronics Corporation Back-illuminated image sensor with dishing depression surface
JP6169856B2 (ja) 2013-02-13 2017-07-26 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型エネルギー線検出素子
US9876127B2 (en) * 2013-11-22 2018-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside-illuminated photodetector structure and method of making the same
JP7148261B2 (ja) * 2018-04-16 2022-10-05 浜松ホトニクス株式会社 裏面入射型半導体光検出素子
FI20195457A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-01 Elfys Oy Radiation sensor element and method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5742175A (en) 1980-08-26 1982-03-09 Fujitsu Ltd Infrared ray detector
JP2650389B2 (ja) 1989-01-12 1997-09-03 松下電器産業株式会社 受光素子とその製造方法
JP2995960B2 (ja) * 1991-10-25 1999-12-27 日本電気株式会社 赤外線ｃｃｄ
JPH06350068A (ja) 1993-06-03 1994-12-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体エネルギー線検出器の製造方法
JPH07333348A (ja) 1994-06-03 1995-12-22 Toshiba Corp 放射線検出器およびこれを用いたｘ線ｃｔ装置
ATE313857T1 (de) 1995-05-19 2006-01-15 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Strahlungsempfindliches detektorelement
JPH09181243A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Ricoh Co Ltd リードフレーム
EP1280207B1 (en) 2000-04-04 2017-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor energy detector
JP2003084066A (ja) * 2001-04-11 2003-03-19 Nippon Kessho Kogaku Kk 放射線検出器用部品、放射線検出器および放射線検出装置
JP4482253B2 (ja) 2001-09-12 2010-06-16 浜松ホトニクス株式会社 ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器
US7230247B2 (en) * 2002-03-08 2007-06-12 Hamamatsu Photonics K.K. Detector
EP1835539B1 (en) * 2002-08-09 2012-10-31 Hamamatsu Photonics K.K. Photodiode array and method of manufacturing the same
JP4220817B2 (ja) * 2003-03-27 2009-02-04 浜松ホトニクス株式会社 ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平2-185070A 1990.07.19
JP昭57-42175A 1982.03.09
JP特开平5-121711A 1993.05.18
JP特开平6-350068A 1994.12.22
JP特开平9-181243A 1997.07.11

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