CN1755870A - 显示装置的修正方法和制造方法 - Google Patents

显示装置的修正方法和制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1755870A
CN1755870A CNA2005100934750A CN200510093475A CN1755870A CN 1755870 A CN1755870 A CN 1755870A CN A2005100934750 A CNA2005100934750 A CN A2005100934750A CN 200510093475 A CN200510093475 A CN 200510093475A CN 1755870 A CN1755870 A CN 1755870A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
mentioned
electron source
display unit
line side
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005100934750A
Other languages
English (en)
Inventor
田村太久夫
菊池广
佐野靖
佐川雅一
三上佳朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of CN1755870A publication Critical patent/CN1755870A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/50—Repairing or regenerating used or defective discharge tubes or lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/312—Cold cathodes having an electric field perpendicular to the surface thereof
    • H01J2201/3125—Metal-insulator-Metal [MIM] emission type cathodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00—Technologies for solid waste management
    • Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/82—Recycling of waste of electrical or electronic equipment [WEEE]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示装置的修正方法和制造方法，在电子发射式显示装置中，各像素具有信号线侧的第一电极和扫描线侧的第二电极中间隔着绝缘层(电子加速层)接合起来的电子源，为了抑制在其显示画面中不显示的像素以线状产生，在本发明中，切断该第一电极和该第二电极因缺陷而短路的电子源的第一电极和第二电极的导通，使有该缺陷的电子源与其它电子源孤立起来。在有缺陷的电子源中，例如，利用激光切除第二电极的包围上述缺陷的部分。

Description

显示装置的修正方法和制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置，特别涉及在主面上形成了与其像素对应的电子发射元件(电子发射源)的基板(显示基板)的缺陷修正技术。
背景技术
在日本特开平3-55738号公报(相应的美国申请USP 5569974)和日本特开2001-255845号公报(相应的美国申请USP 6404135)中公开了用于场致发射式图像显示装置(Field Emission Display)的显示板及其制造步骤。日本特开平3-55738号公报中记载的显示板，构成为成为显示元件的各电子源(电子发射元件)在扫描线和信号线交叉的部分配置为矩阵状。如果在扫描线侧电极和信号线侧电极上施加预定的电压，则各电子源产生电子束。因此，能通过施加在信号线上的电压波形从任意的电子源产生电子束，能显示所要的图像。
发明内容
可是，通过日本特开平3-55738号公报中记载的制造步骤制造出的显示板，有时不显示的像素以线状产生。
本发明就是鉴于上述问题而做出的，其目的在于：提供抑制不显示的像素以线状产生的技术。
为了解决上述课题，本发明对形成了显示元件的显示基板进行修正。在以场致发射式图像显示装置为代表的场致发射式显示装置中，把该“显示基板”定义为在其主面的与显示画面对应的区域中形成了多个电子发射元件(电子发射源)的构件。在该显示装置(显示板)中，上述显示基板与另一基板相对配置。在另一基板的主面上形成有接受从设置在显示基板上的上述电子发射元件发射的电子而发光的材料(例如荧光体)。上述显示装置利用与在上述显示基板的主面上配置的多个电子发射元件的电子发射图形对应的另一基板主面的发光而显示图像。在这样工作的显示装置中，上述“显示基板”也称为电子源基板或阴极基板，上述“另一基板”也称为显示侧基板或阳极基板。因此，在本说明书中，作为显示基板的修正方法进行描述的本发明也涉及特征在于该显示基板的修正步骤的显示装置的修正方法、以及包含该显示基板的修正步骤的显示装置的制造方法。
在这样的前提下，本发明的显示基板的修正方法(显示装置的修正方法、显示装置的制造方法)的一个例子，应用于形成在显示基板的主面上的多个电子发射元件(分别与显示装置的像素对应，以下也称作“显示元件”)的与它们连接的扫描线侧电极和信号线侧电极短路的显示基板，切断与该电子发射元件对应的扫描线侧电极和信号线侧电极的导通。扫描线侧电极、信号线侧电极和显示元件(电子发射元件)都形成在显示基板的主面上，按照向各自的电输入，控制来自与该扫描线侧电极和信号线侧电极对应的显示元件的电子发射。扫描线侧电极和信号线侧电极，在具有MIM(Metal-Insulator-Metal)结的显示元件中，分别连接在夹着绝缘层相对的金属层上。成为SED(Surface-conduction Electron-emitter Display)显示装置的像素的显示元件，导电膜由成形处理等形成的高电阻区域分开，扫描线侧电极连接在该导电膜的一侧，信号线侧电极连接在该导电膜的另一侧。扫描线侧电极和信号线侧电极的至少一者，也可以形成为电连接在与其对应的显示元件的电极上的“布线”。
如果进一步具体地描述本发明的显示基板的修正方法(显示装置的修正方法、显示装置的制造方法)，则是设置了具有按第一电极(信号线侧电极)、绝缘层和第二电极(扫描线侧电极)的顺序将它们层叠起来的构造的电子源的电子发射式显示装置(场致发射式显示装置)的显示基板的修正方法，关于上述第一电极和上述第二电极短路的电子源，切断该第一电极和第二电极的导通。
本发明通过这样构成，能把有缺陷的显示元件孤立化。而且，能使本来正常的显示元件正常地工作，能抑制不显示的像素以线状产生。
在本发明的显示装置中，上述显示基板(阴极基板)使其主面的形成了多个电子发射元件(电子源)的区域(显示区域)与另一基板(阳极基板)的主面相对，并且中间隔着密封构件与该另一基板接合，该密封构件包围上述区域地设置在该主面之间。形成在显示基板的主面上的多个电子发射元件设置在由显示基板的主面、另一基板的主面以及密封构件包围的空间中。该空间保持为比显示装置的气氛低的压力(例如1×10-4Pa以下的所谓真空状态)。
附图说明
图1是用于说明场致发射式显示装置的电子源的电子束产生情形的图。
图2A是基板的俯视图，图2B是图2A的A-A′方向剖面图，图2C是图2A的B-B′方向剖面图。
图3A是基板的俯视图，图3B是图3A的A-A′方向剖面图，图3C是图3A的B-B′方向剖面图。
图4A是基板的俯视图，图4B是图4A的A-A′方向剖面图，图4C是图4A的B-B′方向剖面图。
图5A是基板的俯视图，图5B是图5A的A-A′方向剖面图，图5C是图5A的B-B′方向剖面图。
图6A是基板的俯视图，图6B是图6A的A-A′方向剖面图，图6C是图6A的B-B′方向剖面图。
图7A是基板的俯视图，图7B是图7A的A-A′方向剖面图，图7C是图7A的B-B′方向剖面图。
图8A是基板的俯视图，图8B是图8A的A-A′方向剖面图，图8C是图8A的B-B′方向剖面图。
图9A是基板的俯视图，图9B是图9A的A-A′方向剖面图，图9C是图9A的B-B′方向剖面图。
图10A是基板的俯视图，图10B是图10A的A-A′方向剖面图，图10C是图10A的B-B′方向剖面图。
图11是(6，6)点的基板的俯视图。
图12A是有缺陷的基板的俯视图，图12B是图12A的A-A′方向剖面图。
图13A是显示侧基板的俯视图，图13B是图13A的C-C′方向剖面图，图13C是图13A的D-D′方向剖面图。
图14A是沿图10A的A-A′方向剖开构成显示板的电子源基板200的主面而得到的剖面图。图14B是沿图10A的B-B′方向剖开该电子源基板200的主面而得到的剖面图。
图15是显示板的制造步骤的流程图。
图16是(6，6)点的显示板的俯视图。
图17是用于说明所施加的电压波形的图。
图18是用于说明显示画面的像素的点亮的图。
图19是用于说明所施加的电压波形的图。
图20是用于说明显示画面的像素的点亮的图。
图21是用于说明显示画面的像素的点亮的图。
图22A是变形例的基板的俯视图，图22B是图22A的A-A′方向剖面图，图22C是图22A的B-B′方向剖面图。
图23A是变形例的基板的俯视图，图23B是图23A的A-A′方向剖面图，图23C是图23A的B-B′方向剖面图。
图24A是变形例的基板的俯视图，图24B是图24A的A-A′方向剖面图，图24C是图24A的B-B′方向剖面图。
图25A是有缺陷的基板的俯视图，图25B是图25A的A-A′方向剖面图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的显示装置的修正方法和制造方法的实施例。在说明应用了本发明的一个实施例的显示板的制造步骤之前，说明本实施例的显示板所使用的电子源。
本实施例的显示板所使用的电子源是薄膜式电子源。薄膜式电子源以层叠了上部电极、电子加速层和下部电极这3种薄膜的构造为基础。薄膜式电子源，如果在上部电极和下部电极之间施加电压，则从上部电极的表面向真空中发射电子。作为薄膜式电子源，例如有层叠了金属-绝缘物-金属的MIM(Metal-Insulator-Metal)式、金属-绝缘物-半导体的MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)式、金属-绝缘物-半导体-金属式等。
图1A～图1C是以MIM式电子源为例表示薄膜式电子源的工作原理的图。如果在上部电极13和下部电极11之间施加驱动电压Vd，使电子加速层12内的电场为1～10MV/cm左右，则下部电极11中的费米能级附近的电子因隧道现象而穿过势垒，成为向电子加速层12注入的热电子。这些热电子在电子加速层12、上部电极13中散射，损失能量，但是具有上部电极13的功函数φ以上的能量的一部分热电子向真空20中发射。其它薄膜式电子源也是把电子加速，穿过薄的上部电极13发射电子，这一点共通的。
下面，说明应用了本发明的一个实施例的显示板的制造步骤。
图15是显示板的制造步骤的流程图。下面按照该流程图进行说明。
首先，如图2A～图2C所示，在玻璃等绝缘性的基板10上形成下部电极用的金属膜11。图2A是俯视图，图2B是A-A′方向剖面图，图2C是B-B′方向剖面图。
作为下部电极材料，可以使用Al或Al合金等。如果使用Al或Al合金，则能通过阳极氧化形成质量好的绝缘膜。这里，使用掺杂了2原子量％的Nd的Al-Nd合金。在成膜时使用例如溅射法。膜厚为300nm左右。
成膜后，如图3A～图3C所示，通过光刻步骤、刻蚀步骤形成带状的下部电极11。图3A是俯视图，图3B是A-A′方向剖面图，图3C是B-B′方向剖面图。在本实施例中，下部电极11成为信号线侧电极。
在刻蚀步骤中，使用例如磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液的湿法刻蚀(步骤10)。
接着，如图4A～图4C所示，形成第一保护绝缘层14。图4A是俯视图，图4B是A-A′方向剖面图，图4C是B-B′方向剖面图。
第一保护绝缘层14起到限制电子发射部，防止向下部电极边缘的电场集中的作用。
首先，用抗蚀剂膜25覆盖下部电极11上成为电子发射部的部分，有选择地对其它部分进行阳极氧化，形成厚的绝缘层，作为第一保护绝缘层14。例如，如果化学生成电压为100V，则形成厚度约136nm的第一保护绝缘层14。
接着，如图5A～图5C所示，形成电子加速层12。图5A是俯视图，图5B是A-A′方向剖面图，图5C是B-B′方向剖面图。
首先，除去抗蚀剂膜25，对剩下的下部电极11的表面进行阳极氧化，作为电子加速层12。例如，如果化学生成电压为6V，则在下部电极11上形成厚度约10nm的电子加速层12(步骤20)。
接着，如图6A～图6C所示，用溅射法等形成第二保护绝缘层15、成为上部电极13的供电线的上部总线电极(第一金属层26和第二金属层27)。图6A是俯视图，图6B是A-A′方向剖面图，图6C是B-B′方向剖面图。
第二保护绝缘层15，在用阳极氧化形成的保护绝缘层14中存在针孔时，掩埋该缺陷，起到保持下部电极11和上部总线电极26之间的绝缘的作用。
作为第二保护绝缘层15，使用氮化物等。膜厚为40nm。
在本实施例中，上部总线电极(第一金属层26和第二金属层27)成为扫描线侧电极。
作为第一金属层26的材料可以使用Cr。作为第二金属层27的材料可以使用Al-Nd合金。作为第一金属层26还可以使用Mo、W、Ti、Nb等。作为第二金属层27还可以使用Al、Cu、Cr、Cr合金等。第一金属层26的膜厚为数10nm。第二金属层27的膜厚为数μm。
接着，如图7A～图7C所示，利用光刻步骤进行加工，与下部电极11正交地形成第二金属层27。图7A是俯视图，图7B是A-A′方向剖面图，图7C是B-B′方向剖面图。作为刻蚀剂，对于第二金属层27的Al-Nd合金可以使用磷酸、醋酸、硝酸的混合水溶液。
接着，如图8所示，通过光刻步骤进行加工，与下部电极11正交地形成第一金属层26。图8A是俯视图，图8B是A-A′方向剖面图，图8C是B-B′方向剖面图。作为刻蚀剂可以使用硝酸铵铈水溶液。
接着，如图9A～图9C所示，对第二保护绝缘层15的SiN进行干法刻蚀，形成电子发射部(电子加速层12的上部)的开口。图9A是俯视图，图9B是A-A′方向剖面图，图9C是B-B′方向剖面图(步骤30)。
接着，再次对电子加速层12进行阳极氧化，修复损坏(步骤40)。
接着，如图10A～图10C所示，进行上部电极13的成膜。图10A是俯视图，图10B是A-A′方向剖面图，图10C是B-B′方向剖面图。
成膜法使用例如溅射成膜法。作为上部电极13，可以使用例如Ir、Pt、Au等的层叠膜。此外，其膜厚为数nm。这里，为5nm。形成的薄的上部电极13与第一金属层26和第二金属层27接触，成为供电的构造(步骤50)。
这样，以下把在基板10上形成了电子源(显示元件)的基板200称作电子源基板或阴极基板。图10A中，在基板10(电子源基板200)的主面上，沿第一方向延伸的多个上部电极13沿与该第一方向交叉的第二方向(上述B-B′方向)排列，沿该第二方向延伸的多个下部电极11沿该第一方向排列。多个下部电极11和多个上部电极13由绝缘膜(第一保护绝缘层)14隔开。如上所述，当对各上部电极13设置了沿第一方向延伸的供电线(上述第一金属层26和第二金属层27)时，上部电极13也可以形成为从各供电线沿第二方向引出的导电层，进而可以按各下部电极11分开(也可以不沿第一方向延伸)。
在本实施例中，在基板10的主面上按下部电极11、电子加速层12(绝缘膜14的膜厚薄的区域)、以及上部电极13的顺序将它们层叠起来，形成显示元件(电子发射元件)，但是，在SED(Surface-conduction Electron-emitter Display)的显示元件(表面传导式电子发射元件)中，在基板10的主面内，下部电极11和上部电极13中间隔着电阻比它们高的材料接合起来。因此，当把本实施例应用于SED时，在下部电极11和上部电极13(或供电线)的各交叉位置，第一导电膜从下部电极11沿第一方向引出，第二导电膜从上部电极13沿第二方向引出，在基板10的主面或形成在其上的绝缘膜的上面，第一导电膜和第二导电膜中间隔着电阻比它们高的材料相对。此外，也可以把第一导电膜和第二导电膜作为一个导电膜形成，横贯其延伸方向地对它进行成形处理，并利用高电阻部分将该导电膜断开。
接着，进行检查取得的电子源基板200的各显示元件是否正常的漏电测试。即，检查上部电极13和下部电极11是否因电子加速层12的形成不良或异物混入等而短路。
关于漏电测试，以(6×6)点的显示元件构成的电子源基板为例进行说明。图11是有关的电子源基板的俯视图。
上部总线电极27与上部电极驱动电路65连接。下部电极11连接到下部电极驱动电路55。第m个下部电极11Km和第n个上部总线电极27Cn的交点表示为(m，n)。上部总线电极27的线成为扫描线。下部电极11的线成为信号线。
在漏电测试中，在上部总线电极27以及下部电极11的各线上依次施加预定电压，对于各显示元件，检查是否导通。当对一条线进行检查时，使其它线的电极驱动电路开路。
例如，首先在C1线上施加+V1，在K1线上施加0V，检查是否导通。当不导通时，可以判断为(1，1)的元件正常。而当电子加速层12存在异常，上部电极13和下部电极11短路时，流过与布线电阻相应的电流。因此，当导通时，可以判断为异常。同样，按以下的组合的顺序，检查各元件是否导通，由此，能对全部显示元件(电子发射元件)进行漏电测试(步骤60)
与C1线(C1-K1、C1-K2、…、C1-K6)相关的显示元件群的漏电测试(使其它C线开路)
与C2线(C2-K1、C2-K2、…、C2-K6)相关的显示元件群的漏电测试(其它C线开路)
与C3线(C3-K1、C3-K2、…、C3-K6)相关的显示元件群的漏电测试(使其它C线开路)
与C4线(C4-K1、C4-K2、…、C4-K6)相关的显示元件群的漏电测试(使其它C线开路)
与C5线(C5-K1、C5-K2、…、C5-K6)相关的显示元件群的漏电测试(使其它C线开路)
与C6线(C6-K1、C6-K2、…、C6-K6)相关的显示元件群的漏电测试(使其它C线开路)
接着，对通过漏电测试判断为异常的显示元件进行修正。通过切断上部电极13和下部电极11的导通，避免短路而进行修正。图12A、图12B是用于说明有关的修正情形的图。图12A是俯视图，图12B是A-A′方向剖面图，图12C是B-B′方向剖面图。符号16是因异物混入而造成的缺陷部分。假设上部电极13和下部电极11之间因该缺陷而短路。
通过用激光切除图12A、图12B的虚线所表示的80的部分，能切断上部电极13和下部电极11的导通。激光可以使用YAG三次谐波(355nm)、YAG四次谐波(266nm)。
具体而言，如图12A、图12B所示，包围电子发射部20地切除上部电极13。切除的深度可以是切断上部电极13的深度，但是，理想的是不到达基板10或下部电极11的深度，更理想的是不到达第一保护绝缘层14的深度。使切除的深度停留在第二保护绝缘层15中，就能避免上部电极13和下部电极11的导通。而且，切断部分保持为最小限度。并且不会损伤下部的层。
切除的范围只要是短路部分与电极孤立起来即可。因此，当能特定短路部分时，也可以用激光切除短路部分。此外，也可以切除包含电子加速层12的整个电子发射体。
下面，使用如上那样做成的电子源基板(阴极基板)200，说明制作显示板的步骤(步骤80～120)。
首先，制作显示侧基板(阳极基板)100。图13A是阳极基板的俯视图，图13B是C-C′方向剖面图，图13C是D-D′方向剖面图。
面板110使用透光性的玻璃等。首先，在面板110上形成用于提高显示装置的对比度的黑矩阵120。具体而言，首先，在面板110上涂敷混合了PVA(聚乙烯醇)和重铬酸钠的溶液，对要形成黑矩阵120以外的部分照射紫外线，感光。然后，除去未感光部分，在那里涂敷溶解了石墨粉末的溶液，然后剥离PVA(步骤80)。
接着，形成红色荧光体111。具体而言，把在荧光体颗粒中混合了PVA(聚乙烯醇)和重铬酸铵的水溶液涂敷在面板110上后，对形成荧光体的部分照射紫外线，感光。然后，用流水除去未感光部分。这样，使红色荧光体111图形化。图形为图13A所示的带状。同样形成绿色荧光体112和蓝色荧光体113。作为荧光体，例如，红色使用Y2O2S:Eu(P22-R)，绿色使用ZnS:Cu、Al(P22-G)，蓝色使用ZnS:Ag、Cl(P22-B)。在本实施例中，面板110和基板10之间的距离为1～3mm左右，所以能使施加在背金114上的加速电压为3～6kV的高电压。因此，荧光体能使用阴极射线管(CRT)用的荧光体(步骤90)。
接着，在形成硝化纤维等膜后，在整个面板110上蒸镀膜厚75nm左右的Al，作为背金114。背金114作为加速电极来工作。然后，把面板110在大气中加热到400℃左右，加热分解所形成的膜和PVA等有机物(步骤100)。
如上所述，完成显示侧基板100。
接着，把这样制作的显示侧基板(阳极基板)100和电子源基板(阴极基板)200粘贴在一起。在这样组装的显示板(显示装置)中，显示侧基板100和电子源基板200(基板10和形成在其主面上的构造)如图14A和图14B所示，中间隔着密封构件(框116)接合起来，各主面由间隙隔开，并且彼此相对。图14A表示沿表示组装入显示板中的电子源基板200的主面的图10A的A-A′方向(上部电极13的延伸方向)剖开显示板而得到的剖面，图14B是沿着10A的B-B′方向(下部电极11的延伸方向)剖开该显示板而得到的剖面。如这些图所示，显示侧基板100和电子源基板200中间隔着周围的框116，使用玻璃料115密封。形成在电子源基板200的主面上、成为显示装置的像素的多个电子发射元件(分别由下部电极11、电子加速层12、上部电极13的层叠构造构成)设置在由电子源基板200的主面、显示侧基板100的主面和密封构件(框116)所包围起来的空间中。
配置间隔物40并调整高度，使得面板110和基板10之间的距离为1～3mm左右。在本图中，为了说明，对发R(红)、G(绿)、B(蓝)光的各点全部设置了间隔物40，但是实际上，在保持机械强度的范围内，也可以减少间隔物40的个数(密度)。例如可以每隔1cm来设置(步骤110)。
密封的面板排气到10-7Torr左右的真空后密封。密封后，使吸气剂活性化，维持面板内的真空。例如当采用以Ba为主成分的吸气剂时，利用高频感应加热等能形成吸气剂膜。此外，也可以使用以Zr为主成分的非蒸发型吸气剂(步骤120)。
以上说明了显示板的制造步骤。如上所述，本实施例的显示板的制造步骤，在位于电子源基板200上的电子源中存在缺陷时，包含修正该电子源的步骤(步骤70)。下面，说明设置这样的修正步骤(步骤70)产生的效果。
首先，说明所有电子源中没有缺陷时的显示板的动作。
图16是象上述那样制作出的显示板与驱动电路的连线图。图16是从显示侧观察到的俯视图，但是为了便于理解，省略了显示侧基板100以及电子源基板200的上部电极13。
上部总线电极27与上部电极驱动电路60连接。下部电极11与下部电极驱动电路50连接。下部电极11成为信号线侧电极。上部总线电极27成为扫描线侧电极。第m个下部电极11(称作Km)与第n个上部总线电极26(称作Cn)的交点用(m，n)表示。在背金114上一直施加3～6kV左右的加速电压70。
图17表示各驱动电路的产生电压波形的一个例子。图18表示象图17那样施加了电压时的显示画面的情形。电子源的电子发射开始电压设定为(V1+V2)。
在时刻t0，无论哪个电极都是电压0，因此不发射电子。
在时刻t1，对下部电极11的K1、K2、K4、K6施加-V1的电压，对上部总线电极26的C1施加+V2的电压。这时，在交点(1，1)、(2，1)、(4，1)、(6，1)的下部电极11和上部电极13之间施加(V1+V2)的电压。因此，从这些点的电子源向真空中发射电子。发射的电子由施加在背金114上的加速电压70加速后，入射到荧光体，并发光。结果如图18所示，交点(1，1)、(2，1)、(4，1)、(6，1)点亮。
在时刻t2，当对下部电极11的K1、K3、K4、K5、K6施加-V1的电压，对上部总线电极27的C2施加V2的电压时，交点(1，2)、(3，2)、(4，2)、(5，2)、(6，2)点亮。这样，通过改变施加在下部电极11上的信号，能显示所要的图像或信息。此外，通过适当改变对上部总线电极27施加的电压V1的大小，能显示有灰度等级的图像。
接下来，说明当电子源基板上的任意一个电子源中存在缺陷时，不对该电子源进行修正时的情况。
例如，假设在图16所示的电子源基板200中，在(3，2)的电子源中存在缺陷，上部电极13和下部电极11短路。这时，无法在K3线的所有电子源上施加预定的电压(-V1)。因此，即使要象图17所示那样施加电压，实际的产生电压的波形也会变为图19所示的那样。即，在K3的线上，电子源全都不会变为电子发射电压(V1+V2)。因此，如图20所示，在显示画面上，K3线不亮，缺陷呈现线状。
接下来，说明在制造步骤中，设置对存在缺陷的电子源进行修正的步骤的情况。本实施例的制造步骤中的修正步骤(步骤70)中，如图12A、图12B所示，通过切除短路部分的周围的上部电极13，使短路部分孤立起来，切断上部电极13和下部电极11的导通。因此，即使在(3，2)的电子源中存在缺陷时，也不会对K3线的其它电子源带来影响。能对其它电子源的下部电极11施加预定的电压(-V1)。因此，如图21所示，不显示的部分不会成线状产生。即，能使本来正常的电子源正常工作。
以上说明了本发明的一个实施例。上述实施例在本发明的要旨的范围内能进行各种变形。
例如，电子源的结构如图24A～图24C所示，也可以包围包含电子加速层12的电子发射部20来形成上部总线电极26。图24A是俯视图，图24B是A-A′方向剖面图，图24C是B-B′方向剖面图。如果这样，则能均等地对电子加速层12的上部的上部电极13施加电压。
这样的电子源基板能象下面这样制造。在上述制造步骤中，当加工上部总线电极(第一金属层26和第二金属层27)时，如图22A～图22C所示那样进行加工，而不是象图8A～图8C所示那样加工。即，包围电子发射部形成第一金属层26。
然后，如图23A～图23C所示，对第二保护绝缘层15的SiN等进行干法刻蚀，形成电子发射部的开口。图23A是俯视图，图23B是A-A′方向剖面图，图23C是B-B′方向剖面图(步骤30)。
接着，再次对电子加速层12进行阳极氧化，修正损伤(步骤40)。
接着，如图24A～图24C所示，进行上部电极13的成膜，图24A是俯视图，图24B是A-A′方向剖面图，图24C是B-B′方向剖面图。
这样，制作出包围电子发射部20形成上部总线电极(第一金属层26)的电子源基板。
下面，说明这样的电子源基板中的有缺陷的电子源的修正方法。如上所述，通过切断上部电极13和下部电极11的导通，避免短路来进行修正。图25A是俯视图，图25B是A-A′方向剖面图。符号16是异物混入引起的缺陷部分。由于该缺陷，上部电极13和下部电极11之间短路。
通过利用激光切除图25的虚线所表示的80的部分(切除部分)，能切断上部电极13和下部电极11的导通。
具体而言，如图25A所示，包围电子发射部(电子加速层12)地切除上部电极13和第一金属层26。切除的深度可以是切断上部电极13和第一金属层26的深度，但是，理想的是不到达基板10或下部电极11的深度，更理想的是不到达第一保护绝缘层14的深度。切除的深度停留在第二保护绝缘层15中，就能避免上部电极13和下部电极11的导通。并且，切断部分保持为最小限度。此外，不会损伤下部的层。
以上，包含变形例，说明了本发明的一个实施例。根据上述实施例，能抑制不显示的像素以线状产生。
另外，本发明并不限于电子源为MIM式的场致发射式显示装置。也能应用于上述的其它类型的场致发射式显示装置。
此外，显示元件可以不是场致发射式电子源，只要是在扫描线和信号线交叉的部分设置有显示元件这样的显示基板，就能应用本发明。即，对于扫描线侧电极和信号线侧电极短路的显示元件，切断扫描线侧电极和信号线侧电极的导通。由此，能防止像素成线状缺失。
以上，参照附图描述了本发明的一些实施例，但是，不言而喻，本发明并不限于上述实施例，本领域的技术人员可以容易地对它们进行各种变更和变化。因此，本发明并不限于说明书的具体描述，这样的变更和变化全都包含在权利要求的范围内。

Claims (8)

1.一种显示装置的修正方法，该显示装置包括具有电子源的基板，该电子源具有按第一电极、绝缘层和第二电极的顺序将它们层叠起来的构造，该修正方法的特征在于：
对于上述第一电极和上述第二电极短路了的电子源，切断该第一电极和第二电极的导通。
2.根据权利要求1所述的显示装置的修正方法，其特征在于：
通过在短路部分的周围切除上述第二电极而切断上述第一电极和上述第二电极的导通。
3.根据权利要求1所述的显示装置的修正方法，其特征在于：
通过在上述电子源的电子发射部分的周围切除上述第二电极而切断上述第一电极和上述第二电极的导通。
4.根据权利要求2所述的显示装置的修正方法，其特征在于：
以不到达上述第一电极的深度进行上述第二电极的切除。
5.根据权利要求2所述的显示装置的修正方法，其特征在于：
利用激光进行上述第二电极的切除。
6.根据权利要求2所述的显示装置的修正方法，其特征在于：
上述第一电极是信号线侧电极，
上述第二电极是扫描线侧电极。
7.一种显示装置的修正方法，该显示装置包括第一基板，具有在扫描线和信号线交叉的各部分设置了使该扫描线侧电极和该信号线侧电极中间隔着电阻比它们高的区域接合起来的显示元件的主面；以及第二基板，与该第一基板的主面相对配置，并且形成了通过使从该显示元件发射的电子入射其中而发光的材料层；该修正方法的特征在于：
对于上述显示元件中上述扫描线侧电极和上述信号线侧电极短路了的显示元件，切断该扫描线侧电极和该信号线侧电极的导通。
8.一种电子发射式显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在安装于上述显示装置的显示板中的基板的主面上，形成多个电子源，得到电子源基板的步骤；
检查在上述电子源基板的上述主面上形成的各电子源的缺陷的步骤；
对于上述电子源中有缺陷的电子源，切断该有缺陷的电子源的上述扫描线侧电极和上述信号线侧电极的导通的步骤；以及
把得到的电子源基板和显示侧基板贴合起来的步骤。
CNA2005100934750A 2004-08-30 2005-08-30 显示装置的修正方法和制造方法 Pending CN1755870A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP249864/2004 2004-08-30
JP2004249864A JP2006065172A (ja) 2004-08-30 2004-08-30 表示基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1755870A true CN1755870A (zh) 2006-04-05

Family

ID=36111701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005100934750A Pending CN1755870A (zh) 2004-08-30 2005-08-30 显示装置的修正方法和制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20060205103A1 (zh)
JP (1) JP2006065172A (zh)
CN (1) CN1755870A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916511A (zh) * 2015-05-08 2015-09-16 清华大学深圳研究生院 一种bn离子门的制作方法及专用的夹具
CN106364197A (zh) * 2016-08-19 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 面板及其制备方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070038610A (ko) * 2005-10-06 2007-04-11 삼성전자주식회사 표시 장치의 수리 장치 및 수리 방법
JP4644148B2 (ja) * 2006-03-10 2011-03-02 株式会社日立製作所 画像表示装置
JP5860412B2 (ja) * 2011-01-05 2016-02-16 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法、電子放出素子の修復方法
US20130083457A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Apple Inc. System and method for manufacturing a display panel or other patterned device
CN105826328B (zh) * 2016-05-03 2019-03-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
JP7097580B2 (ja) * 2018-06-07 2022-07-08 国立研究開発法人産業技術総合研究所 電子放出素子とその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3044382B2 (ja) * 1989-03-30 2000-05-22 キヤノン株式会社 電子源及びそれを用いた画像表示装置
US6313815B1 (en) * 1991-06-06 2001-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Electron source and production thereof and image-forming apparatus and production thereof
US5542866A (en) * 1994-12-27 1996-08-06 Industrial Technology Research Institute Field emission display provided with repair capability of defects
JP3611293B2 (ja) * 1999-02-24 2005-01-19 キヤノン株式会社 電子線装置及び画像形成装置
TWI242827B (en) * 2004-07-15 2005-11-01 Ritdisplay Corp System of detection and repair and method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916511A (zh) * 2015-05-08 2015-09-16 清华大学深圳研究生院 一种bn离子门的制作方法及专用的夹具
CN106364197A (zh) * 2016-08-19 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 面板及其制备方法
US10915187B2 (en) 2016-08-19 2021-02-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Panel and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006065172A (ja) 2006-03-09
US20060205103A1 (en) 2006-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7218058B2 (en) Cold cathode type flat panel display
CN1105392C (zh) 薄膜电子发射器器件以及采用它的应用设备
CN1755870A (zh) 显示装置的修正方法和制造方法
CN1512468A (zh) 图像显示装置
CN100342472C (zh) 电子发射装置
CN1832096A (zh) 图像显示装置
JP2004355947A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP4424622B2 (ja) 発光装置及び表示装置
CN1510713A (zh) 具有栅极板的场发射显示器
CN1832097A (zh) 图像显示装置
CN1828816A (zh) 显示板
CN1302509C (zh) 图像形成装置
CN1652285A (zh) 电子源及图像显示装置的制造方法
CN1828813A (zh) 自发光型平面显示装置
CN1222918C (zh) 布线基板及使用该布线基板的图象显示装置
CN1808680A (zh) 图像显示装置及其制造方法
CN1959922A (zh) 图像显示装置
CN1921052A (zh) 电子发射元件、电子发射显示器及制造方法
CN1737985A (zh) 图像显示装置
CN1832099A (zh) 图像显示装置
JP2007005049A (ja) 画像表示装置
WO2001018839A1 (fr) Source d'electrons en couche mince, procede de fabrication de source d'electrons en couche mince, et afficheur
CN101038848A (zh) 图像显示装置及其制造方法
CN1838369A (zh) 图像显示装置及其制造方法
CN100521055C (zh) 电子发射装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication