CN1753593A - 一种上发光有机发光元件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种上发光有机发光元件，包括：基板；第一电极层，其位于该基板之上；有机材料层，其位于该第一电极层之上；第二电极层，其位于该有机材料层之上，且该第二电极层具有第一折射率；抗反射层，该抗反射层位于该第二电极层之上，且该抗反射层具有第二折射率，该第一折射率不同于该第二折射率。本发明在上电极导电材料上搭配一抗反射层结构，通过抗反射层结构的材料(折射率)及厚度的选择搭配，在该抗反射层内实现外界入射光的破坏性干涉，以达到降低整体元件对外界入射的可见光的反射率，提高显示对比，并且不需要在显示面板的表面再贴附一层偏光片或滤光片，也可达到减少制作步骤以及降低制造成本的功效。
Description
技术领域
本发明涉及一种上发光有机发光元件(OLED)，特别是涉及一种设置有一抗反射层的上发光有机发光元件(OLED)。
背景技术
有机发光元件(OLED)广泛地应用于各种场合以做为显示器元件之用，其结构如图1A所示，该有机发光元件(OLED)结构8由一玻璃基板81、一阳极层82、一有机材料层83以及一阴极层84依序堆栈(堆叠)而成；而一般用于该有机材料层83的有机材料，如m-MTDATA、α-NPD、BCP(2，9-Dimethyl-4，7-diphenyl-1，10-phenanthroline)及Alq3等的化学结构如图1B所示。
在一般有机发光元件(OLED)中，上发光有机发光元件(OLED)为常见的种类，其电极结构如图2所示，该上发光有机发光元件(OLED)结构9由一不透明基板91、一阳极层92、一有机材料层93以及一透明阴极层94依序堆栈而成。早期有关于上发光有机发光元件(OLED)的专利(如伊士曼科达公司的专利)包含USP 4720432、USP 4769292、USP 4950950、USP 5776622、USP 5776623等，此类专利的内容大致陈述上发光有机发光元件(OLED)相关的有机材料与元件结构，然而此类专利中所揭示的上发光有机发光元件(OLED)结构9，仅提到该阳极层92为不透明、而阴极层94为透明材料，且阳极层92材料的功函数大于4eV，阴极层94材料的功函数小于4eV或为氟化锂/铝(LiF/Al)等多层结构，并未考虑到光学结构的问题，更未考虑显示器在显示对比上的需求。
IBM公司也有一些关于上发光有机发光元件(OLED)的专利，包含USP5739545、USP 574838、USP 6501217B2等。然而其元件都是以电性出发点，下阳极包含铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)等金属或合金，也可使用半导体为阳极。其上依序堆栈缓充层与阳极改质层，之后再将发光元件的各有机层堆栈在其上，阴极使用薄金属，最后再镀上高能隙半导体等材料作为保护层，但并未针对光学特性作讨论。
美国公司UDC(Universal Display Corporation)以及其合作的普林斯顿大学(Princeton University)的研究团队也有与本发明相关的研究。相关的专利包含USP 5703436、USP 5917280、USP 5981306、USP 6046543、USP6569697B2等。然而其主要的需求为元件上下两端都为透明电极的透明有机发光元件(Transparent Organic Light Emitting Device，TOLED)，以及在相互堆栈的有机发光元件(Stacked Organic Light Emitting Device，SOLED)的应用，可以利用适当的设计将不同发光颜色的元件制作在同一个画素(pixel)上。相关的专利内容则包含元件概念的设计、元件结构、材料的选择、以及透明电极制作的技术，包含保护层选择及镀膜条件。专利中并未针对上发光元件特别讨论与诉求，且没有讨论到显示对比特性的问题。
加拿大公司LUXELL对于高对比有机发光元件(OLED)也有少数专利，如USP 6411019，以及USP 6551651等，主要针对下发光有机发光元件(OLED)。其专利内容包含在元件的阳极与阴极间加入光学干涉元素，用来降低反射率，然而由于干涉元素是加在元件的阳极与阴极间，其材料与有机材料的功函数差就十分重要了，需要做适当的选择。然而无论光学干涉元素是渗在有机材料中或单独的膜层，都会影响元件电荷传送的效率。另外，干涉元素也有包含如半吸收的镁:银(Mg:Ag)金属层/透明的氧化铟钖(ITO)的双层结构，之后再加上阴极。
相关研究的学术论文，IBM公司苏黎世研发实验室的H.Riel发展上发光有机发光元件(OLED)，他们所选用的下阳极为铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)及钼(Mo)等不透明的金属，上阴极则为钙/镁(Ca/Mg)各12nm，最后再镀上一层半导体材料硒化锌(ZnSe)，该论文作者表示在上阴极再镀上一层硒化锌(ZnSe)可提高光学耦合效率，提高元件发光效率，然而其文献的内容仅就单层的光学膜层调整对效率的影响，并未讨论元件显示对比等相关特性，以及阴极上堆栈膜层的光学性质需求显示对比等特性的关系。
美国寰宇显示公司(Universal Display Corporation，UDC)M.-H.Lu研究的上发光有机发光(OLED)元件，他们选用的下阳极为银(Ag)或镍(Ni)等金属，上阴极则为薄镁银(Mg:Ag)混合金属，其上再镀上一层氧化铟钖(ITO)。然而作者仅针对元件效率进行讨论，而未提及其它有关元件的显示对比等特性的考量。
加拿大多伦多大学Z.H.Lu与LUXELL公司与联合发表上发光有机发光元件(OLED)。他们在薄层锂/铝(Li/Al)双层的上方再镀上一层渗入少量铝(Al)的氧化硅(SiO)薄膜(SiO:Al)作为上电极，此层由于渗了少量的铝(Al)金属，因此具有一定的导电性，但文章中并未提到元件反射率或其它显示对比特性的讨论。
香港城市大学洪良森教授研究团队针对下发光的有机发光元件(OLED)的显示对比进行改善，他们在元件电子传输层Alq3上再依序镀上钐(Sm)/Alq3-/铝(Al)的多层结构作为阴极。他们同时称Alq3/钐(Sm)/Alq3的多层堆栈为相位改变层，使元件的显示对比提高。然而他们的研究内容仅限于下发光有机发光元件(OLED)。
在现有技术中，由于上发光有机发光元件(OLED)中的下阳极层包含具反射的金属或半导体材料，将会反射外界的入射光，因此会降低显示对比。所以在制作成产品时，将会需要在显示面板的表面再贴附一层偏光片或滤光片来降低反射以提高显示对比，然而如此将会因贴附的膜层本身吸光而使元件所发出光强度减至一半以下。此外，增加贴附偏光片或滤光片的动作将使面板制程复杂度增加，增加了产品制作的成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种上发光有机发光元件(OLED)，其在上电极导电材料上搭配一抗反射层结构，通过抗反射层结构的材料(折射率)及厚度的选择搭配，在该抗反射层内实现外界入射光的破坏性干涉，以达到降低整体元件对外界入射的可见光的反射率，从而提高显示对比的功效。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种上发光有机发光元件(OLED)，其不需要在显示面板的表面再贴附一层偏光片或滤光片，达到减少制作步骤以及降低制造成本的功效。
为了实现上述目的，本发明提供了一种上发光有机发光元件，其特点在于，包括：一基板；一第一电极层，其位于该基板之上；一有机材料层，其位于该第一电极层之上；一第二电极层，其位于该有机材料层之上，且该第二电极层具有一第一折射率；一抗反射层，该抗反射层位于该第二电极层之上，且该抗反射层具有一第二折射率，该第一折射率不同于该第二折射率。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该第二电极层具有一第一厚度，该抗反射层具有一第二厚度，通过该第一厚度与第二厚度的互相配合，可降低该元件结构的可见光区的反射率。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该第一电极层为一不透光的反射电极。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该反射电极上还可堆栈一金属氧化物或金属氮化物。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该反射电极上还可堆栈一透明导体。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该第二电极层由一可透光材料所构成。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该可透光材料还包括有一电荷注入层，该电荷注入层与该有机材料相堆栈以及混合。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该可透光材料上还可堆栈一无机透明导体。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该可透光材料还包括有一电荷注入层，该电荷注入层与该无机透明导体相堆栈以及混合。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该第二电极层选择由一可透光材料与一电荷注入层的堆栈以及混合所组成。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该第二电极层上还可堆栈一透明导体。
上述上发光有机发光元件，其特点在于，该抗反射层由至少一第一介电材料与一第二介电材料互相堆栈而组成。
本发明的功效，在于在上电极导电材料上搭配一抗反射层结构，通过抗反射层结构的材料(折射率)及厚度的选择搭配，在该抗反射层内实现外界入射光的破坏性干涉，以达到降低整体元件对外界入射的可见光的反射率，提高显示对比，并且不需要在显示面板的表面再贴附一层偏光片或滤光片，也可达到减少制作步骤以及降低制造成本的功效。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为一般的有机发光元件(OLED)的示意图；
图1B为一般常用有机材料m-MTDATA、α-NPD、BCP及Alq3的化学结构示意图；
图2为一般的上发光有机发光元件的示意图；
图3为本发明的上发光有机发光元件的示意图；
图4A为本发明的上发光有机发光元件使用两种抗反射层的示意图；
图4B为本发明的上发光有机发光元件使用单一抗反射层的示意图；
图5为本发明的上发光有机发光元件的第一实施例的反射率-波长示意图；
图6为本发明的上发光有机发光元件的第一实施例的电流密度-电压与辉度-电压示意图；
图7为本发明的上发光有机发光元件的第二实施例的反射率-波长示意图；
图8为本发明的上发光有机发光元件的第三实施例的反射率-波长示意图；
图9为本发明的上发光有机发光元件的第四实施例的反射率-波长示意图；以及
图10为本发明的上发光有机发光元件的第五实施例的反射率-波长示意图。
其中，幅图标记：
1-上发光有机发光元件结构，11-基板
12-第一电极层，13-有机材料层
14-第二电极层，15-抗反射层
2-上发光有机发光元件结构
21-基板，22-第一电极层
23-有机材料层，24-第二电极层
24a-半透明薄膜，25-抗反射层
25a-第一介电材料，25b-第二介电材料
3-上发光有机发光元件结构
31-基板，32-第一电极层
33-有机材料层，34-第二电极层
34a-半透明金属薄膜，35-抗反射层
8-有机发光元件结构，81-玻璃基板
82-阳极层，83-有机材料层
84-阴极层
9-上发光有机发光元件结构
91-基板，92-阳极层
93-有机材料层，94-透明阴极层
h1~h7-厚度，n1、n2-折射率
W-外界光，W1~W5-反射光
具体实施方式
图3为本发明的上发光有机发光元件(OLED)示意图，在该图中，本发明的上发光有机发光元件(OLED)结构1包括堆栈于一基板11上的一第一电极层12、一有机材料层13、一第二电极层14，该有机材料层13位于该第一电极层12上，该第二电极层14位于该有机材料层13上，且该第二电极层14具有一第一折射率n1与一第一厚度h1，其中，该有机发光元件(OLED)结构1更包括一抗反射层15，该抗反射层15位于该第二电极层14之上，且该抗反射层15具有一第二折射率n2与一第二厚度h2，该第一折射率n1不同于该第二折射率n2。
如图4A所示，在本发明的第一类型中，该有机发光元件(OLED)结构类似于图3，该上发光有机发光元件(OLED)结构2依次由一基板21、一第一电极层22、一有机材料层23、一第二电极层24与一抗反射层25堆栈而成，该第二电极层24还包括一半透明薄膜24a，该半透明薄膜24a由具有一厚度h3的金属(图中未示出)组成，该厚度h3大于5nm。在本类型中，该抗反射层25包括一第一介电材料25a与一第二介电材料25b，当然，也可使用多种(≥2种)介电材料彼此堆栈以作为该抗反射层25。该第一介电材料25a与第二介电材料25b为高/低折射率材料且分别具有一厚度h4与一厚度h5，通过彼此搭配来达到抗反射的目的；而在本发明中，“高”折射率与“低”折射率是指相对于有机材料层的折射率(约1.8)，也就是说，此高折射率是指折射率大于1.8，而低折射率是指折射率小于1.8。在图4A中，外界光W被该第二介电材料25b反射的反射光为W1，外界光W穿过该第二介电材料25b，被该第一介电材料25a反射再穿过该第二介电材料25b的反射光为W2，外界光W穿过该第一介电材料25a与第二介电材料25b，被该第二电极层24反射后再穿过该第一介电材料25a与第二介电材料25b的反射光为W3。若W1、W2和W3三部分的光相加可以相消，就可以达到抗反射的目的。在本类型中，利用两种高低折射率的介电材料25a与25b彼此搭配，便可调整W1、W2和W3的强度及相位参数，使W1、W2和W3三部分的光相消效果更为显注，同时也有较宽频的低反射率波段。
而图4B为本发明的第二态样，其中该上发光有机发光元件(OLED)结构也类似于图3，该上发光有机发光元件(OLED)结构3依次由一基板31、一第一电极层32、一有机材料层33、一第二电极层34与一抗反射层35堆栈而成，该第二电极层34为一透明导体(或是包括一半透明金属薄膜34a，但该半透明金属薄膜34a的厚度h6小于5nm)。在本类型中，可仅使用单一抗反射层35来达到抗反射的目的，当然，也可使用多种(≥1种)介电材料彼此堆栈以作为该抗反射层35。在图4B中，假设外界光W被该抗反射层35反射的反射光为W4，外界光穿过该抗反射层35而被该第二电极层34反射再穿过该抗反射层35的反射光为W5。若W4加上W5的光可以相消，则可达到抗反射的目的。所以，若选择适当的具适当折射率的抗反射层35，配合适当的厚度h7，就可使在某特定波长附近的反射光W4和W5相消，降低元件的反射率。
下列实施例一至实施例五为本发明的上发光有机发光元件(OLED)的实施例，其针对本发明的两种态样与一般上发光有机发光元件(OLED)做一比较，以说明本发明的功效。
实施例一：
本实施例为针对本发明第一类型的上发光有机发光元件(OLED)提高对比特性的实例说明。
元件A为一般上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图2，其中该基板91为一玻璃基板，该阳极层92为厚度为100nm的铬(Cr)，该有机材料层93为厚度为30nm的m-MTDATA+厚度为20nm的α-NPD+厚度为60nm的Alq3，该透明阴极层为厚度为0.5nm的氟化锂(LiF)+厚度为1nm的铝(Al)+厚度为20nm的银(Ag)。
元件B为本发明的上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图4A，其中该基板21为一玻璃基板，该第一电极层22为厚度为100nm的铬(Cr)，该有机材料层23为厚度为30nm的m-MTDATA+厚度为20nm的α-NPD+厚度为60nm的Alq3，该第二电极层24为厚度为0.5nm的氟化锂(LiF)+厚度为1nm的铝(Al)+厚度为20nm的银(Ag)，该第一介电材料25a为折射率为2.2且厚度为30nm的氧化碲(TeO2)，该第二介电材料25b为折射率为1.36且厚度为25nm的氟化锂(LiF)。
在本实施例中，各膜层材料都是在10-6托耳(Torr)的高真空压力下制作完成。该有机材料层33与93是利用热蒸镀的方式形成。在元件A及元件B中，铬(Cr)作为第一电极层，m-MTDATA为电洞注入层，α-NPD为电洞传输层，Alq3为电子传输层及发光层，氟化锂/铝/银(LiF/Al/Ag)为第二电极层，其中氟化锂/铝(LiF/Al)为电子注入层，银(Ag)为导电极，以降低片电阻。在元件B中，所增加的氧化碲(TeO2)作为高折射率材料(nTeO2＝2.2)，氟化锂(LiF)为低折射率材料(nLiF＝1.36)，两种材料依续堆栈形成高低折射系数搭配以作为该抗反射层25。
如图5所示，元件A在可见光区所测量的平均反射率为66％，元件B在可见光区所测量的平均反射率为12％。由结果可以明显地看出，不论是实验测量或理论仿真所计算的反射率，在第二电极层上多加上一抗反射层可大幅降低该电极结构在可见光区的反射率。
图6为本发明的上发光有机发光元件(OLED)的电流密度-电压(I-V)与辉度-电压(L-V)示意图，可看出本发明的上发光有机发光元件(OLED)也具有良好的低激活电压(约＞2V)及相当高的亮度。此外，比较元件A与元件B的电流密度-电压(I-V)特性，显示在加上该抗反射层后并未影响本发明的上发光有机发光元件(OLED)的元件特性表现。
实施例二：
本实施例为针对本发明第一类型的上发光有机发光元件(OLED)提高对比特性的实例说明。其中元件C为M.-H.Lu，M.S.Weaver，T.X.Zhou，M.Rothman，R.C.Kwong，M.Hacj，and J.J.Brown，Appl.Phys.Lett.81，3921(2002)之文献中所提出的上发光有机发光元件(OLED)，其结构请参照图2，其中该基板91为一玻璃基板，该阳极层92为厚度为100nm的银(Ag)+厚度为16nm的氧化铟锡(ITO)，该有机材料层93为厚度为20nm的酞菁铜(CuPc)+厚度为30nm的α-NPD+厚度为30nm的CBP:Ir(ppy)3+厚度为10nm的BAlq+厚度为40nm的Alq3，该透明阴极层为厚度为20nm的钙(Ca)+厚度为30nm的氧化铟锡(ITO)。
元件D为本发明的上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图4A，其中该基板21为一玻璃基板，该第一电极层22为厚度为100nm的银(Ag)+厚度为16nm的氧化铟锡(ITO)，该有机材料层23为厚度为20nm的酞菁铜(CuPc)+厚度为30nm的α-NPD+厚度为30nm的CBP:Ir(ppy)3+厚度为10nm的BAlq+厚度为40nm的Alq3，该第二电极层24为厚度为20nm的钙(Ca)+厚度为30nm的氧化铟锡(ITO)，该第一介电材料25a为折射率为2.2且厚度为20nm的氧化碲(TeO2)，该第二介电材料25b为折射率为1.36且厚度为10nm的氟化锂(LiF)。
在元件C与元件D中，银/氧化铟锡(Ag/ITO)作为第一电极层，其中氧化铟锡(ITO)为电洞注入电极，银(Ag)为导电层，以降低片电阻，酞菁铜(CuPc)为有机电洞注入层，α-NPD为电洞传输层，CBP:Ir(ppy)3为发光层，BAlq为电洞阻挡层及电子传输层，Alq3为电子传输层，钙/氧化铟锡(Ca/ITO)为第二电极层，其中钙(Ca)为电子注入电极，氧化铟锡(ITO)为导电极，以降低片电阻。元件D中，氧化碲(TeO2)作为高折射率材料(nTeO2＝2.2)，氟化锂(LiF)为低折射率材料(nLiF＝1.36)，两个材料依续堆栈形成高低折射系数搭配以作为该抗反射层25。
经过计算后，元件C在可见光区的反射率如图7中的虚线所示，元件外观显示为高反射率，元件D在可见光区的反射率如图7中的实线所示；元件C的平均反射率为50％，改善后元件D的平均反射率为38％，因此可知本发明确实可以有效降低在可见光区的反射率，尤其在人眼最敏感的波长550nm附近，元件D的反射率皆降至20％以下，所以改善的程度是显注的。
实施例三：
本实施例为针对本发明第二类形的上发光有机发光元件(OLED)提高对比特性的实例说明。其中元件E与元件F的第二电极为使用非金属的阴极结构。
元件E为一般上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图2，其中该基板91为一玻璃基板，该阳极层92为厚度为100nm的铬(Cr)，该有机材料层93为厚度为30nm的m-MTDATA+厚度为20nm的α-NPD+厚度为60nm的Alq3+厚度为7nm的BCP，该透明阴极层94为厚度为80nm的氧化铟锡(ITO)。
元件F为本发明的上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图4B，其中该基板31为一玻璃基板，该第一电极层32为厚度为100nm铬(Cr)，该有机材料层33为厚度为30nm的m-MTDATA+厚度为20nm的α-NPD+厚度为60nm的Alq3+厚度为7nm的BCP，该第二电极层34为厚度为80nm的氧化铟锡(ITO)，该抗反射层35为折射率为2.2且厚度为20nm的氧化碲(TeO2)。
在元件E与元件F中，铬(Cr)为第一电极层，m-MTDATA为电洞注入层，α-NPD为电子传输层，Alq3为电子传输层及发光层，氧化铟锡(ITO)为第二(透明)电极层。元件F中的氧化碲(TeO2)为抗反射层。
如图8所示，实线为元件E的反射率，虚线为元件F的反射率。元件E的平均反射率为48％，改善后的元件F的平均反射率为37％，从图8中可以明显看出，抗反射层的增设可有效降低元件F在可见光区的反射率。尤其在人眼最敏感的波长550nm附近元件F的反射率皆降至约10％左右，所以改善的程度是更为显注的。
实施例四：
本实施例为针对本发明第二类型的上发光有机发光元件(OLED)提高对比特性的实例说明。
元件G为一般上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图2，其中该基板91为一玻璃基板，该阳极层92为厚度为100nm的铬(Cr)，该有机材料层93为厚度为30nm的m-MTDATA+厚度为20nm的α-NPD+厚度为60nm的Alq3，该透明阴极层94为厚度为5nm的镁银混合物(Mg:Ag)+厚度为80nm的氧化铟锡(ITO)。
元件H为本发明的上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图4B，其中该基板31为一玻璃基板，该第一电极层32为厚度为100nm的铬(Cr)，该有机材料层33为厚度为30nm的m-MTDATA+厚度为20nm的α-NPD+厚度为60nm的Alq3，该第二电极层34为厚度为5nm的镁银混合物(Mg:Ag)+厚度为80nm的氧化铟锡(ITO)，该抗反射层35为折射率为1.36且厚度为80nm的氟化锂(LiF)。
在元件G与元件H中，铬(Cr)为第一电极层，m-MTDATA为电洞注入层，α-NPD为电子传输层，Alq3为电子传输层及发光层，镁银混合物+氧化铟锡(Mg:Ag/ITO)为第二电极层，其中镁银混合物(Mg:Ag)为电子注入电极，氧化铟锡(ITO)为导电极，以降低片电阻。元件F中的氟化锂(LiF)为抗反射层。于本实施例中，也可将氧化铟锡(ITO)视为高折射率材料，氟化锂(LiF)视为低折射率材料，以形成高低折射系数搭配，如此则也可达到本发明第一类型的功效。
本实施例的元件G在可见光区的反射率如图9中的实线所示。而元件H在透明的第二电极之上再堆栈上一层低折射系数的材料以作为抗反射层，则可有效降低在可见光区的反射率，其结果如图九中之虚线所示。元件七的平均反射率为26％，元件八在加上抗反射层结构后的平均反射率为18％，因此可知本发明之电极结构系有效地降低了元件在可见光区的反射率，同时提高了元件的显示对比。
实施例五：
本实施例为针对本发明第二类型的上发光有机发光元件(OLED)提高对比特性之实例说明。本实施例系在透明的第二电极上搭配双层介电材料以形成抗反射结构，其厚度经过适当调整可有效降低元件的反射率。
元件G的结构如同实施例四中所述，在此不再说明。元件I为本发明的上发光有机发光元件(OLED)，其结构可参照图4A，其中该基板21为一玻璃基板，该第一电极层22为厚度为100nm的铬(Cr)，该有机材料层23为厚度为30nm的m-MTDATA+厚度为20nm的α-NPD+厚度为60nm的Alq3，该第二电极层24为厚度为5nm的镁银混合物(Mg:Ag)+厚度为80nm的氧化铟锡(ITO)，该第一介电材料25a为折射率为2.2且厚度为120nm的氧化碲(TeO2)，该第二介电材料25b为折射率为1.36且厚度为90nm的氟化锂(LiF)。
在元件G与元件I中，铬(Cr)为第一电极层，m-MTDATA为电洞注入层，α-NPD为电子传输层，Alq3为电子传输层及发光层，镁银混合物+氧化铟锡(Mg:Ag/ITO)为第二电极层，其中镁银混合物(Mg:Ag)为电子注入电极，氧化铟锡(ITO)为导电极，以降低片电阻。元件I中，氧化碲(TeO2)作为高折射率材料，氟化锂(LiF)为低折射率材料，两种材料依续堆栈形成高低折射系数搭配以作为该抗反射层25。
本实施例的元件I选择双层介电材料作为抗反射层，相较于前述实施例中的元件H，本实施例的元件I更进一步地改善电极结构的反射率，其在可见光区的反射率如图10中的虚线所示。在图10中，元件G的平均反射率为26％，元件I的平均反射率为6％。
当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (12)
1、一种上发光有机发光元件，其特征在于，包括：
一基板；
一第一电极层，其位于该基板之上；
一有机材料层，其位于该第一电极层之上；
一第二电极层，其位于该有机材料层之上，且该第二电极层具有一第一折射率；
一抗反射层，该抗反射层位于该第二电极层之上，且该抗反射层具有一第二折射率，该第一折射率不同于该第二折射率。
2、根据权利要求1所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该第二电极层具有一第一厚度，该抗反射层具有一第二厚度，通过该第一厚度与第二厚度的互相配合，可降低该元件结构的可见光区的反射率。
3、根据权利要求1所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该第一电极层为一不透光的反射电极。
4、根据权利要求3所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该反射电极上还可堆栈一金属氧化物或金属氮化物。
5、根据权利要求3所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该反射电极上还可堆栈一透明导体。
6、根据权利要求1所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该第二电极层由一可透光材料所构成。
7、根据权利要求6所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该可透光材料还包括有一电荷注入层，该电荷注入层与该有机材料相堆栈以及混合。
8、根据权利要求6所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该可透光材料上还可堆栈一无机透明导体。
9、根据权利要求8所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该可透光材料还包括有一电荷注入层，该电荷注入层与该无机透明导体相堆栈以及混合。
10、根据权利要求1所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该第二电极层选择由一可透光材料与一电荷注入层的堆栈以及混合所组成。
11、根据权利要求1所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该第二电极层上还可堆栈一透明导体。
12、根据权利要求1所述的上发光有机发光元件，其特征在于，该抗反射层由至少一第一介电材料与一第二介电材料互相堆栈而组成。
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