CN1752253A - 氮气保护制备镍－钛酸钡高介复合材料及其制备方法 - Google Patents
氮气保护制备镍－钛酸钡高介复合材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1752253A CN1752253A CN 200510061454 CN200510061454A CN1752253A CN 1752253 A CN1752253 A CN 1752253A CN 200510061454 CN200510061454 CN 200510061454 CN 200510061454 A CN200510061454 A CN 200510061454A CN 1752253 A CN1752253 A CN 1752253A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- barium titanate
- preparation
- nitrogen protection
- sintering
- specific inductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 44
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title description 2
- PXSIFGRGUVISHI-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Ba] Chemical compound [Ni].[Ba] PXSIFGRGUVISHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氮气保护制备镍－钛酸钡高介复合材料及其制备方法。按65％～99％的钛酸钡、1％～35％金属镍的体积百分含量混合后，研磨1～5小时，以压力为2～10MPa压制成型，通过在氮气环境下进行该陶瓷材料的制备。本发明配方简单，制备获得的陶瓷材料具有高介电常数(1KHz时介电常数在10000到80000)，且钛酸钡晶粒尺寸小，材料具有优良的温度稳定性，在30～170℃之间，介电常数随温度的变化率(ε125－ε25)/ε25介于7％～25％之间。而且烧结气氛是较为便宜且安全的单一气体N2，避免了易爆性气体H2的引入可能带来的危险性，且成本低廉，因而具有良好的市场前景。
Description
技术领域
本发明涉及介电陶瓷技术领域，特别涉及到一种氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料及其制备方法。
背景技术
近年来，电力行业和电子信息行业的迅速发展推动电子元器件向小型化、集成化，高可靠性和低成本的方向发展。在陶瓷电容器领域，小型化、高容量和优良的温度稳定性已经成为不可避免的发展趋势。如多层陶瓷电容器(MLCC)就是为了达到实现小体积大容量的要求设计的一种新结构。而且，为了进一步提高容量和减小体积，随着制备工艺的发展，MLCC也朝着层数更多、介质层更薄的方向发展。然而，随着科学技术的不断发展，对高介电常数材料的要求也越来越高，因为电容与陶瓷介质的介电常数成正比，提高介电常数将更易实现器件的高容量和小型化。此外，为了达到足够好的绝缘性能，就MLCC而言，相邻两电极之间的陶瓷介质层的厚度至少为晶粒尺寸的10倍左右，亦即介质层的厚度也不能无限度减小。在这种情况下，提高陶瓷材料的介电常数，是十分必要的。
渗流理论为制备高介电常数介电材料提供了一种思路。一般地，为了获得高介电常数，人们往往采用钛酸钡基陶瓷材料，并添加Nb，Ta，Mn，Mg等金属氧化物为改性剂。然而对介电常数的提高仍然不是很明显，且工艺较为复杂。而渗流理论则指出，在绝缘介质中添加导体，随着所添加的导体含量的不断增加，复合体系逐渐从绝缘体转向导体，而且这种绝缘体—导体转变是一种突变过程，即导体的体积分数的微量增加，便可使复合体系的电导率发生若干数量级的变化。一般地，人们把实现绝缘体—导体转变时体系中所含有的导电相的体积分数称为渗流阈值。当导体的体积含量处在渗流阈值附近时，材料的介电常数也会发生非线性增强。介电常数随导体体积含量的变化可以用渗流公式表示为：ε＝ε0|fc-f|-q，式中，fc为导体的渗流阈值，f为导体的体积分数，ε0为绝缘基体的介电常数，ε为复合体系的介电常数，q则为渗流体系的一个临界指数。从该式可见，当导体的体积分数f＜fc且f→fc时，导体—绝缘体复合体系便可以获得比绝缘基质高出许多倍的介电常数。对于这种基于渗流效应的介电材料的研究，可分为有机基和陶瓷基两大类：对于有机基材料，常采用的介电基体有PVDF、PTFE等，其优点是不用烧结，因此工艺相对较为简单，但缺点是有机基体往往介电常数较低且不耐高温，因而制备的复相材料介电常数相对于钛酸钡等陶瓷基材料为低，且不能应用于高温条件，应用受一定限制。对于陶瓷基材料，目前研究较少，Carlos Pecharromán等人于2001年在Advanced Materials(Carlos Pecharromán，F.Esteban-Betegon，et al.，Advanced Materials 13(20)(2001)，P1541-1544)上发表文章，成功地在还原气氛(90％Ar/10％H2)(温度低于500℃时)和保护气氛(Ar，500℃～1300℃)烧结制备了具有超高介电常数的Ni-BaTiO3复合材料；Renzheng Chen等人在Ceramics International(R.Z.Chen，X.H.Wang，H.Wen，et al.，Ceramics Intemational 30(2004)，P1271-1274.)上发表了用纳米Ni(颗粒度约为50nm)和纳米BaTiO3(颗粒度为100nm)为原料，并添加MgO和一些稀土氧化物，同样在还原气氛(90％Ar/10％H2)1300℃烧结制备了Ni-BaTiO3复合材料，但未获得超高介电常数。这些材料成功制备的特点都是利用Ar和H2作为反应的还原性保护气体，以解决金属在高温下稳定存在的问题，然而还原气氛对BaTiO3的烧结实际是不利的，容易引起BaTiO3的半导化。与价格低廉的氮气相比，利用氮气作为反应的惰性保护气体将大大降低生产成本，同时对防止BaTiO3出现严重的半导化本相对有利。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料及其制备方法。该材料原料种类少，制备工艺简单，成本低廉，且介电性能优良，在具有超高介电常数的同时具有优异的温度稳定性。
本发明采用的技术方案如下：
1、一种氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料，该材料的成分按体积百分含量为：
晶粒尺寸为100nm～400nm的钛酸钡 65％～99％；
颗粒度为40～200nm的金属Ni 1％～35％；
用f表示Ni的体积百分含量，即0.01≤f≤0.35。
2、一种氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料的制备方法，该方法的步骤如下：以钛酸钡和金属Ni为原料，按体积百分含量为65％～99％的钛酸钡与1％～35％的金属Ni混合后，研磨1～5小时，以压力为2～10MPa压制成型，并在氮气中烧结，烧结温度范围为1200～1300℃，升温速率控制范围为100～600/h，保温时间控制在1～3h。
采用氮气为烧结环境气体进行烧结，环境气体气流量范围为70～300ml/min。制备出来的陶瓷材料，其钛酸钡晶粒尺寸为100nm～1500nm；从而导致材料具有优良的温度稳定性，在30～170℃之间，介电常数随温度的变化率(ε125-ε25)/ε25介于7％～25％之间。
本发明与背景技术相比具有的有益的效果是：本发明所提供的陶瓷材料及其制备方法是一种新型的陶瓷材料体系，配方简单，制备获得的陶瓷材料具有高介电常数(1KHz时介电常数在10000到80000)，且钛酸钡晶粒尺寸小(晶粒尺寸小于1500nm)。小尺寸的钛酸钡晶粒导致材料具有优良的温度稳定性，在30～170℃之间，介电常数随温度的变化率(ε125-ε25)/ε25介于7％～25％之间。而且烧结气氛是较为便宜且安全的单一气体N2，避免了易爆性气体H2的引入可能带来的危险性，且成本低廉，因而具有良好的市场前景。
附图说明
图1是实施例1在1200℃烧结的样品的介电常数随温度变化的曲线；
图2是实施例2在1250℃烧结的样品的介电常数随温度变化的曲线；
图3是实施例3在1300℃烧结的样品的介电常数随温度变化的曲线。
具体实施方式
实施例1：
将钛酸钡粉末和金属镍按不同体积百分含量进行混合(Ni体积百分含量介于1％～35％)，并在研钵中研磨1小时，然后在10MPa的压力下模压成直径约为10mm，厚度约为2mm的圆形生坯，在箱式气体保护电阻炉中进行烧结。往电炉中通入氮气4小时后再进行烧结，保持氮气流量为250ml/min，以400℃/h的升温速率升至550℃后，再以150℃/h的升温速率升至1200℃保温3小时，之后自然冷却。烧结后的样品经表面抛光后在200℃下烧渗银电极，然后测试并计算材料的相对介电常数、介电损耗以及介电常数的温谱。测试结果见表1和附图1。表1给出1KHz下介电常数和介电损耗随金属Ni体积含量的变化关系(室温下)，附图1为部分高介电常数样品的介电常数温谱图(30℃～180℃)。从表1来看，当Ni体积分数f介于0.2～0.25之间时，材料获得较大的介电常数，当f＝0.25时，介电常数为35000，约为同条件下制备的钛酸钡基体材料的14倍；当f＝0.26时，介电常数为25700，但此时损耗较大，为1.5，已不可用；而当Ni的体积分数f＞0.26后，材料则成为导体。从附图1可看出，这种材料的介电常数具有良好的温度稳定性：当温度介于30～170℃之间时，(ε125-ε25)/ε25介于7％～12％之间。
表1.1200℃烧结的样品的介电性能与金属Ni体积分数的关系
| Ni体积分数f | 0 | 0.01 | 0.15 | 0.2 | 0.22 | 0.24 | 0.25 | 0.26 | 0.30 | 0.35 |
| 介电常数 | 2450 | 1561 | 2856 | 5982 | 10980 | 19800 | 35000 | 25700 | 8300 | 4321 |
| 介电损耗 | 0.042 | 0.057 | 0.051 | 0.063 | 0.17 | 0.21 | 0.43 | 1.5 | 21 | 17 |
实施例2
将钛酸钡粉末和金属镍按不同体积百分含量进行混合(Ni体积百分含量介于1％～35％)，并在研钵中研磨3小时，然后在5MPa的压力下模压成直径约为10mm，厚度约为2mm的圆形生坯，在箱式气体保护电阻炉中进行烧结。往电炉中通入氮气5小时后再进行烧结，保持氮气流量为170ml/min，以600℃/h的升温速率升至400℃后，再以200℃/h的升温速率升至1250℃保温2小时，之后自然冷却。烧结后的样品经表面抛光后在180℃下烧渗银电极，然后测试并计算材料的相对介电常数、介电损耗以及介电常数的温谱。测试结果见表2和附图2。表2给出1KHz下介电常数和介电损耗随金属Ni体积含量的变化关系(室温下)，附图2为部分高介电常数样品的介电常数温谱图(30℃～180℃)。从表2来看，当Ni体积分数f介于0.18～0.23之间时，材料获得较大的介电常数，当f＝0.23时，介电常数接近80000，约为同条件下制备的钛酸钡基体材料的25倍；当f≥0.24时，材料成为导体。从附图2可看出，这种高介电常数材料的介电常数具有良好的温度稳定性：当温度介于30～170℃之间时，(ε125-ε25)/ε25介于10％～15％之间。
表2.1250℃烧结的样品的介电性能与金属Ni体积分数的关系
| Ni体积分数f | 0 | 0.10 | 0.15 | 0.18 | 0.20 | 0.21 | 0.22 | 0.23 | 0.24 | 0.30 | 0.35 |
| 介电常数 | 3133 | 1728 | 2616 | 6842 | 12155 | 37531 | 45412 | 77669 | 56700 | 3200 | 1700 |
| 介电损耗 | 0.034 | 0.047 | 0.034 | 0.037 | 0.026 | 0.028 | 0.032 | 0.38 | 0.13 | 15 | 27 |
实施例3：
将钛酸钡粉末和金属镍按不同体积百分含量进行混合(Ni体积百分含量介于1％～35％)，并在研钵中研磨5小时，然后在2MPa的压力下模压成直径约为10mm，厚度约为2mm的圆形生坯，在箱式气体保护电阻炉中进行烧结。往电炉中通入氮气7小时后再进行烧结，保持氮气流量为70ml/min，以600℃/h的升温速率升至400℃后，再以100℃/h的升温速率升至1300℃保温1小时，之后自然冷却。烧结后的样品经表面抛光后在230℃下烧渗银电极，然后测试并计算材料的相对介电常数、介电损耗以及介电常数的温谱。测试结果见表3和附图3。表3给出1KHz下介电常数和介电损耗随金属Ni体积含量的变化关系(室温下)，附图3为部分高介电常数样品的介电常数温谱图(30℃～180℃)。从表3来看，当Ni体积分数f介于0.17～0.22之间时，材料获得较大的介电常数，当f＝0.22时，介电常数为83000，约为同条件下制备的钛酸钡基体材料的18倍；当f≥0.23时，材料成为导体。从附图3可看出，这种材料的介电常数具有良好的温度稳定性：当温度介于30～170℃之间时，(ε125-ε25)/ε25介于15％～25％之间。
表3.1300℃烧结的样品的介电性能与金属Ni体积分数的关系
| Ni体积分数f | 0 | 0.10 | 0.15 | 0.17 | 0.19 | 0.21 | 0.22 | 0.23 | 0.30 | 0.35 |
| 介电常数 | 4500 | 3812 | 5421 | 8700 | 24180 | 58690 | 83000 | 68700 | 5420 | 1300 |
| 介电损耗 | 0.03 | 0.04 | 0.052 | 0.035 | 0.09 | 0.11 | 0.32 | 20 | 110 | 87 |
Claims (4)
1、一种氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料，其特征在于该材料的成分按体积百分含量为：
晶粒尺寸为100nm～400nm的钛酸钡 65％～99％；
颗粒度为40～200nm的金属Ni 1％～35％；
用f表示Ni的体积百分含量，即0.01≤f≤0.35。
2、一种氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：以钛酸钡和金属Ni为原料，按体积百分含量为65％～99％的钛酸钡与1％～35％的金属Ni混合后，研磨1～5小时，以压力为2～10MPa压制成型，并在氮气中烧结，烧结温度范围为1200～1300℃，升温速率控制范围为100～600℃/h，保温时间控制在1～3h。
3、根据权利要求2所述的一种氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料的制备方法，其特征在于：采用氮气为烧结环境气体进行烧结，环境气体气流量范围为70～300ml/min。
4、根据权利要求2所述的一种氮气保护制备镍-钛酸钡高介复合材料的制备方法，其特征在于：制备出来的陶瓷材料，其钛酸钡晶粒尺寸为100nm～1500nm；从而导致材料具有优良的温度稳定性，在30～170℃之间，介电常数随温度的变化率(ε125-ε25)/ε25介于7％～25％之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100614540A CN1320147C (zh) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 氮气保护制备的镍－钛酸钡高介复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100614540A CN1320147C (zh) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 氮气保护制备的镍－钛酸钡高介复合材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1752253A true CN1752253A (zh) | 2006-03-29 |
| CN1320147C CN1320147C (zh) | 2007-06-06 |
Family
ID=36679257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100614540A Expired - Fee Related CN1320147C (zh) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 氮气保护制备的镍－钛酸钡高介复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1320147C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102131898A (zh) * | 2009-05-12 | 2011-07-20 | 东成易科株式会社 | 热回收再利用装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1322052C (zh) * | 2002-09-19 | 2007-06-20 | 清华大学 | 高介电常数的三元复合材料及其制备方法 |
-
2005
- 2005-11-07 CN CNB2005100614540A patent/CN1320147C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102131898A (zh) * | 2009-05-12 | 2011-07-20 | 东成易科株式会社 | 热回收再利用装置 |
| CN102131898B (zh) * | 2009-05-12 | 2014-07-23 | 东成易科株式会社 | 热回收再利用装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1320147C (zh) | 2007-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1304328C (zh) | 一种温度稳定型超高介电常数电子陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN101318815B (zh) | 铋基钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备 | |
| CN103288452B (zh) | 电介质陶瓷组合物以及电子元件 | |
| CN103922739B (zh) | 一种b位取代bnt微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN101781115B (zh) | X8r型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法 | |
| JP2006287203A (ja) | 高誘電率の金属−セラミック−ポリマー複合誘電体及びこれを利用したエンベデッドキャパシターの製造方法 | |
| CN1837145A (zh) | 低温烧结的温度稳定型多层陶瓷电容器介质材料 | |
| CN1793035A (zh) | 一种低温烧结铋基微波介质陶瓷材料及其制备 | |
| CN106892659A (zh) | 一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料 | |
| CN101362647A (zh) | 锂基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备 | |
| Zeng et al. | Achieving high energy storage density in BaTiO3-(Bi0. 5Li0. 5)(Ti0. 5Sn0. 5) O3 lead-free relaxor ferroelectric ceramics | |
| CN103951425B (zh) | 一种温度稳定型白钨矿结构微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN1320147C (zh) | 氮气保护制备的镍－钛酸钡高介复合材料及其制备方法 | |
| CN102992756A (zh) | 一种高介电常数x8r型电容器陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN1919783A (zh) | 一种铁电/铁磁复相陶瓷的制备方法 | |
| CN103265283A (zh) | 一种高温稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法 | |
| CN100372803C (zh) | 一种渗流型银/钛酸锶钡/铅硼玻璃复合材料及制备方法 | |
| Ren et al. | Crystal structure, phase evolution and dielectric properties in the Li2ZnTi3O8-SrTiO3 system as temperature stable high-Q material | |
| CN113563065A (zh) | 一种介电陶瓷组合物及其制备方法与应用 | |
| CN110950655B (zh) | Ca-Ti基高介微波陶瓷基板材料及制备方法和应用 | |
| Wang et al. | Synthesis of low-temperature sintered M-type barium ferrites with enhanced microstructure, magnetic and dielectric properties | |
| Zhang et al. | A novel low sintering temperature scheelite-structured CaBiVMoO8 microwave dielectric ceramics | |
| CN103964842B (zh) | 一种电容器陶瓷介质材料及其制备方法 | |
| CN104609852A (zh) | 一种线性高压低损耗电容器陶瓷材料及其制备方法 | |
| Huo et al. | Crystal structure and magneto‐dielectric properties of Co‐Zr co‐substituted Co2Z hexaferrites |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070606 Termination date: 20141107 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |