CN1700823B - 电致发光装置及电子设备 - Google Patents

电致发光装置及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1700823B
CN1700823B CN200510071318XA CN200510071318A CN1700823B CN 1700823 B CN1700823 B CN 1700823B CN 200510071318X A CN200510071318X A CN 200510071318XA CN 200510071318 A CN200510071318 A CN 200510071318A CN 1700823 B CN1700823 B CN 1700823B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
film
light
conducting film
display unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200510071318XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1700823A (zh
Inventor
下神耕造
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Element capital commercial Co.
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1700823A publication Critical patent/CN1700823A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1700823B publication Critical patent/CN1700823B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14—Circuit arrangements
    • H05B41/36—Controlling
    • H05B41/38—Controlling the intensity of light
    • H05B41/39—Controlling the intensity of light continuously
    • H05B41/392—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor
    • H05B41/3921—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations
    • H05B41/3922—Controlling the intensity of light continuously using semiconductor devices, e.g. thyristor with possibility of light intensity variations and measurement of the incident light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14—Circuit arrangements
    • H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/295—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps with preheating electrodes, e.g. for fluorescent lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/18—Tiled displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种静电对策良好的并能以简便工序制造的电致发光装置。有关本发明的EL显示装置，具有：一面侧上设置了有机EL元件的元件基板(70)；以覆盖所述有机EL元件的方式、与所述元件基板70相对配置的密封基板(30)；和设置在与所述元件基板70相反侧的密封基板30上的导电膜(36)。

Description

电致发光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及一种电致发光装置及电子设备。
背景技术
近年，作为能适用于携带电话或PDA等的携带设备、个人计算机等的显示器件，开发了使用电致发光(EL)装置的显示器件。EL装置，在基板面内具备多个具有发光层的发光元件而构成，通过使用TFT(薄膜晶体管)元件等的驱动元件独立地驱动控制各发光部，进行所期望的显示。
但是，在制造EL装置时，是在设置有TFT等的元件基板上形成发光元件，但构成发光元件的发光层或电极的构成材料多有容易因水分或氧等发生劣化的情况，所以必须在排除了这些水分或氧的制造环境中进行。可是从另一方面说，在排除了水分的环境中容易产生静电，由相关静电可能会破坏已经设置在元件基板上的TFT等。
在此，在下述专利文件1中，提出了为了防止因静电造成的次品的产生，在形成有TFT的基板(元件基板)的里面一侧(与形成TFT面相反一侧)设置防静电干扰膜。
如果按照上述现有技术文献中记载的技术，可以认为在元件基板的防静电干扰方面能得到一定的效果。但是，关于在元件基板的里面侧设置防静电干扰膜时，或者是将事先设置了防静电干扰膜的基板提供给TFT制造工程，或者是在基板上形成了TFT以后形成防静电干扰膜。在前者的方法中，必须要进行防止已经设置的防静电干扰膜的破损的复杂的工序制作TFT，使制造变得困难。而后者的方法，很容易因防静电干扰膜的成膜时的损伤等造成TFT的破损或者劣化，可能会降低成品率。另外，由于必须要在防止形成了TFT的面的破损的同时搬送元件基板并成膜防静电干扰膜，因此使制造变得困难。
专利文献1：特开2004-47179号公报。
发明内容
本发明正是针对上述问题而提出的，其目的在于提供一种静电对策良好的、另外可以简便工序制造的电致发光装置。
为了解决上述课题，本发明提供具有：在一面侧上设置了发光元件的元件基板；按照覆盖所述发光元件的方式，与所述元件基板相对配置的密封体；和设置在与所述元件基板相反侧的密封体面上的导电膜，所述导电膜是由从镓锌氧化物(GZO)、铟铈氧化物(ICO)中所选择的一种以上构成的透光性导电膜，所述元件基板具备基板主体、设置在该基板主体上的显示区域和设置在其周围的驱动电路。
按照该构成，通过设置在密封体表面的导电膜能有效防止电致发光装置带电，可以防止设置在元件基板上的薄膜晶体管等的半导体元件的因静电造成的破坏或劣化，能够抑制缺陷的发生率、成品率变高、低成本地制造电致发光装置。作为上述密封体，可以是板状，也可以是在内部有空间的罐状。
本发明的电致发光装置中优选为所述导电膜是由从铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、镓锌氧化物(GZO)、铟铈氧化物(ICO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)中所选择的一种以上构成的透光性导电膜。按照相关构成，在从密封体侧取出发光元件的光的构造的电致发光装置中，能得到良好的光取出效率。
本发明的电致发光装置中优选在设置于所述密封体表面的所述导电膜上层叠有钛氧化物膜。由于所述钛氧化物膜的表面由该水分凝聚作用而呈现良好亲水性，所以能防止因有关作用而造成层叠膜表面的模糊。另外还能防止因钛氧化物膜的光催化作用而向表面附着污染物质。在从密封体侧取出发光元件的光的构造的电致发光装置中，可以得到良好的光取出效率，并且在作为显示装置使用的情况下可以得到良好的可视性。有关构成中的钛氧化物膜优选使用由Tioy组成中所述氧元素含有量y为1.5＜y＜2.2的范围的钛氧化物膜。如果超过该范围，则会有降低上述防模糊效果及防污效果的趋势。
在本发明的电致发光装置中，可以为在设置于所述密封体表面的所述导电膜上设置包含钛氧化物膜和/或硅氧化物膜的层叠膜的构成。按照上述构成，可以由所述层叠膜得到高光透过率和防反射功能，在从密封体侧取出发光元件的光的构造的电致发光装置中，可以得到良好的光取出效率，并且在作为显示装置使用的情况下可以得到良好的可视性。
在本发明的电致发光装置中，所述导电膜可以为包含金属、金属氮化物及金属氧化物的任一种的构成。在从元件基板侧取出从所述发光元件发出的光的构成中，所述密封体及导电膜无需具备透光性。因此如果由与透光性导电材料相比具有良好导电性的金属或者金属化合物形成所述导电膜，则更能提高由该导电膜带来的防静电干扰效果。另外，与使用透光性导电材料的情况相比，可以得到高的放热效果，在电致发光装置的动作时可以提高可靠性。
在本发明的电致发光装置中，所述导电膜可以为包含钛氧化物的构成。具有导电性的钛氧化物，可以由在TiOx组成中氧元素含有量x为0＜x≤1.5的范围而得到。
按照上述构成，特别是在导电膜上层叠钛氧化物膜的构成中可以得到显著的效果。即，由于导电性的钛氧化物膜与绝缘性的钛氧化物膜仅是上述记载的那样氧元素含有量不同，如果在所述密封体上首先成膜氧元素含有量低的钛氧化物膜，然后成膜氧元素含有量高的钛氧化物膜，则能由下层侧的钛氧化物膜得到防静电效果，并由上层侧的钛氧化物膜得到防模糊效果及防污效果。而且由于可以连续成膜两种钛氧化物膜，因此可以高效制造。
另外，本发明的电致发光装置的特征是，具有：一面上设置了发光元件的元件基板和以覆盖所述发光元件的方式与所述元件基板相对地配置的密封体，所述密封体具备由导电性基板和绝缘膜层叠构成的构造，所述绝缘膜配置为朝向所述发光元件侧。按照这种构成，由于上述导电性基板(例如金属基板)起到与前边显示的构成中的导电膜相同的防止静电效果，因此不对元件基板造成影响而可抑制因静电造成的缺陷的发生。另外，与上述的导电膜相比，板状的导电性基板导电性良好，可以得到更为显著的防静电干扰效果。
另外，能够有效地防止因设置在导电性基板的发光元件侧一面的绝缘膜造成导电性基板与发光元件之间的短路，可以成品率良好地制造，并且可靠性良好。
本发明的电致发光装置可以构成为具有：将多个在一面侧上设置有发光元件的多个元件基板平面地排列并由一个支撑基板一体化支撑构成的显示体、夹持所述元件基板并与所述支撑基板相对配置的密封体和设置在所述密封体的与元件基板相反侧一面上的导电膜。即、本发明可以使用于以得到大型发光区域为目的而平面地排列多个元件基板的电致发光装置中，在上述构成中由设置在密封体上的导电膜能得到良好的防静电干扰效果。
本发明的电致发光装置可以构成为具有将多个在一面上设置有发光元件的基板平面地排列并由一个支撑基板一体化支撑构成的显示体，在所述支撑基板上具有导电膜。在将多个元件基板一体化支撑的构造的电致发光装置中，特别重要的是抑制各个元件基板的缺陷发生率，必须尽可能地排除给元件基板造成缺陷的因素。在此如果如本构成这样在支撑基板上设置导电膜，则即使在粘合平面地排列的多个所述元件基板和所述支撑基板时，由于能有效地去除静电，因此是电致发光装置的成品率提高的极为有效的构成。
本发明的电致发光装置优选为在所述发光元件与密封体之间设置有树脂层。按照该构成，可以有效防止水分或氧等向发光元件的侵入，并且能使发光元件所产生的热良好地释放。
此外，本发明的电子设备以具备上面记载的本发明的电致发光装置为特征。按照该构成，能够提供具备可以成品率良好、低成本地制造的显示机构以至发光机构的电子设备。
附图说明
图1是表示有关第1实施方式的EL显示装置的图。
图2是表示有关第1实施方式的EL显示装置的电路构成图。
图3是表示图1的沿A-A’线的剖面构成图。
图4是表示放大图3的电路层的部分剖面构成图。
图5是表示有关第2实施方式的EL显示装置的剖面构成图。
图6是表示有关第3实施方式的密封构造的剖面构成图。
图7是表示有关第4实施方式的密封构造的剖面构成图。
图8是表示电子设备的一个例子的立体构成图。
图中：101，111-EL显示装置(电致发光装置)，30-密封基板，33-粘接层，60-有机发光层(发光层)，70-元件基板，120EL显示体，180-支撑基板，200-有机EL元件(发光元件)。
具体实施方式
下面，详细说明本发明。另外，本实施方式只是表示本发明的一部分的方式，而不是限定本发明的方式，在本发明的技术思想范围内可以任意变更。还有，在下面显示的各图中，为了将各层和各部件设定为可在图面上看清的大小尺寸，使对各层和各部件的缩尺不同。
(第1实施方式)
图1(a)是表示本发明的第1实施方式的EL(电致发光)显示装置101的平面构成图，(b)是同一装置的侧面构成图。
如图1所示，EL显示装置101是以如下为主体构成的，即多个(图中为4个)元件基板70以瓷砖(tile)状排列而构成的EL显示体120和通过设置在其里面侧(图中为下面侧)的粘接层160一体化支撑该EL显示体120的支撑基板180。
EL显示体120如图1(b)所示具有多个元件基板70、跨过这些基板相对配置的密封基板(密封体)30、和形成在密封基板30的外面侧(与基板主体110相反侧)的导电膜36而构成的。
元件基板70具备基板主体110、设置在该基板主体110上的显示区域50和设置在其周围的驱动电路72、73，显示区域50中多个像素71排列形成为俯视矩阵状。像素71具备下述的有机EL元件(发光元件)，将通过有机EL元件的发光而得到的光作为显示光输出。
另外，各元件基板70以与各显示区域50在面方向上面对面的方式配置，由4个显示区域50形成EL显示体120(EL显示装置101)的图像显示部111。所述驱动电路72、73以包围有关图像显示部111的周围的方式配置。
另外，在图1(a)中，为了使图面容易看清楚而将元件基板70彼此 的边界70a、70b的附近的显示区域50、50之间的间隙放大进行显示，而实际上跨过边界70a、70b邻接的像素71、71之间的间隔非常窄，此外根据需要实施遮光处理等的使边界不显眼的处理。
还有，本实施方式中是各元件基板70具备驱动电路72、73的构成，但通过在元件基板70、70之间的边界70a、70b中连接相互的布线，可以构成为可由少数驱动电路驱动多个像素71。
再有，元件基板70的显示区域50及驱动电路72、73设置在密封基板30侧的基板主体110上，另外包含4个显示区域50的图像显示部111通过图中未示出的粘接层由被相对配置的密封基板30密封。因此，由从设置在图像显示部111的有机EL元件射出的光透过密封基板30及导电膜36，向图1(b)上侧取出。即，有关本实施方式的EL显示装置101是顶部发射型的有机EL显示装置。
基板180是对4块元件基板70一体化支撑的基板，由于是形成在EL显示装置101的背面的基板，因此优选具有耐压性、耐磨损性、阻气性、紫外线吸收性、低反射性等功能的基板。作为上述支撑基板180，可以适用玻璃基板或在最表面涂敷DLC(类钻碳)层、硅氧化物层、氧化钛层等的塑料膜等。由于本实施方式是从密封基板30侧取出显示光的方式，因此密封基板30由透光性基板构成，而可对支撑基板180使用不透明基板。
另外，有关本发明的EL显示装置101可以是将有机EL元件生成的光从支撑基板180侧取出的构成(底部射出型)。此时，基板主体110及基板180使用透光性基板。显然密封基板30可以使用不透明基板。
本发明的EL显示装置101可以通过以下方式实现，即将形成了驱动元件、布线、像素电极、隔壁构造体等的元件基板70瓷砖状地平面排列在支撑基板180上并粘接(所谓平铺(tiling)工序)形成大型基板后，形成发光部。平铺工序使用以下所述方法。
首先，在多个形成至隔壁构造体221的元件基板70的两方的面上粘接保护膜。通过该保护膜，能够防止切断时对元件基板70上的元件的影响或异物向表面的粘附。接着，沿预先决定的切断线照射激光，切断保护膜及元件基板70，并调整外形。以高尺寸精度切断此时排列的状态下与其他元件基板70邻接的边，使得在排列状态下在连接部(边界)的像素间 隔与其他区域大致相同。切断后，通过洗净去除切断时产生的异物。
然后，在形成了元件的侧的面朝向平台的状态下，在平台上排列固定多个元件基板70。通过这样与平台接触来固定，可以形成高平面度的平铺，由以后的工序容易形成发光部。在这种状态下，将元件基板70的没有形成元件侧的面的保护膜除去并洗净。在除去了保护膜的面上涂敷厌气性的光硬化型的光学粘接剂，在其上重叠支撑基板180并使粘接剂硬化。此时，对支撑基板180整体面施加一定的压力，使粘接剂的膜厚在整个面上大致一定。另外，对连接各元件基板70的方向也施加一定的压力以使排列的元件基板70彼此以高尺寸精度连接。
此后，去除元件基板70的形成了元件侧一面侧的保护膜，并洗净。由于在与空气接触那面附近厌气性粘接剂并未硬化，因此在与支撑基板180粘接时从各元件基板70的连接部分露出的粘接剂，可以通过该洗净工序去除。通过将元件基板70与支撑基板180以大致相同的折射率的光学粘接剂粘接，可以防止在粘接面的光的反射和折射，也可以对应于从支撑基板180侧取出光的方式的EL显示装置101。通过这样作成大型的基板，在以后的工序中在该大型基板上形成发光部。
下面，参照图2～图4说明所述EL显示装置101的详细构成。图2是元件基板70的电路构成图。图3是沿图1中所示的A-A’线的EL显示装置101的剖面构成图。
在图2所示的电路构成中，元件基板70构成为：分别布线有多条扫描线131、相对这些扫描线131在交叉方向延伸的多条信号线132和与这些信号线132并列延伸的多条电源线133，在扫描线131与信号线132的各交点处设置有像素71。
对信号线132设置具有移位寄存器、电平移位器、视频线及模拟开关等的数据线驱动电路72。另一方面，对扫描线131设置具有移位寄存器及电平移位器等的扫描线驱动电路73。另外，对各像素71设置：通过扫描线131将扫描信号供给栅极的切换用TFT(薄膜晶体管)122、保持通过该切换用TFT(薄膜晶体管)122从信号线132供给的图像信号的保持电容cap、将由保持电容cap保持的图像信号供给栅极的驱动用TFT123、通过该驱动用TFT123与电源线133电连接时从电源线133流入驱动电流的 像素电极23、和夹在该像素电极23与公共电极50之间的发光部140。由上述像素电极23、公共电极50及发光部140构成的元件为有机EL元件。
在这样构成的基础上，如果驱动扫描线131使切换用TFT122成为导通状态，在保持电容cap中保持此时的信号线132的电位，根据该保持电容cap的状态，决定驱动用TFT123的导通、截止状态。然后，通过驱动用TFT123的沟道由电源线133向像素电极23流入电流，进一步通过发光部140向公共电极50流入电流，使发光部140根据流入公共电极50的电流量发光。
接着，参看图3所示的剖面构造，在EL显示装置101中，排列多个有机EL元件200，该有机EL元件200在元件基板70的基板主体110上具有像素电极(第1电极)23、包含有机发光层60的发光部140和公共电极(第2电极)50。另外在所述多个有机EL元件200上设置有由覆盖有机EL元件200...而形成的粘接层33和配设在该粘接层33上的密封基板30构成的密封构造，并且还在密封基板30的外面一侧(与粘接层33相反侧)形成有导电膜36。
还有，作为图2所示的发光部140的主要构成层的是有机发光层60，但也可以是在所夹的两个电极之间具备空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层、空穴阻止层(hole block层)、电子阻止层(electron block层)的结构。
作为基板主体110，在所谓顶部发射型的EL显示装置情况下，由于是从该基板主体110的相对侧的密封基板30侧取出显示光的构成，因此可以使用透明基板及不透明基板中任一种。作为不透明基板，例如是在氧化铝等的陶瓷、不锈钢等金属膜上施加了表面氧化等的绝缘处理的基板，另外考虑到耐冲击性及轻量化而可以使用热硬化性树脂或热可塑性树脂，还可以使用其的膜(塑料膜)等。
另外，在基板主体110上形成有包括用于驱动像素电极23的驱动用TFT123等的电路部11，在通过该电路部11的上侧配置多个有机EL元件200。如图3所示，有机EL元件200是依次层叠作为阳极发挥功能的像素电极23、注入/输送来自该像素电极23的空穴的空穴注入/输送层75、具有作为电光学物质之一的有机EL物质的有机发光层60和公共电极50而 构成的。
在本实施方式中由于是顶部发射型，所以像素电极23不必是透明的，可以由适宜的导电材料，例如由金属材料形成。显然，也可以由ITO(铟锡氧化物)等的透明导电材料形成。
作为空穴注入/输送层75的形成材料，例如使用聚噻酚衍生物、聚吡咯衍生物，或者使用它们的掺杂体等。具体地说，作为其形成材料使用3，4-聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)的分散液来形成。
作为用于形成有机发光层60的材料，可以使用能发出荧光或者磷光的公知的发光材料。具体地说，适宜使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对苯撑乙烯撑衍生物(PPV)、聚苯撑衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻酚衍生物、聚甲基苯硅烷(PMPS)等聚硅烷系等。
另外，在也可以在这些高分子材料中掺杂紫苏烯系色素、香豆素系色素、碱性蕊香红系色素等高分子材料，或者掺杂红荧烯、紫苏烯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等的低分子材料并使用。也可采用现有公知底低分子材料来代替上述的高分子材料。
另外，根据需要，可以在上述的有机发光层60上形成由钙、镁、锂、钠、锶、钡、铯为主要成分的金属或者金属化合物构成的电子注入层。
在本实施方式中空穴注入/输送层75和有机发光层60被配置在由基板主体110上形成为俯视大致格子状的无机绝缘层25及隔壁构造体(围堰)221包围的区域内。即、在由这些所包围的开口部221a内配置的空穴注入/输送层75及有机发光层60成为构成单一的有机EL元件200的元件层。另外，隔壁构造体221延长设置到通过绝缘层设在下层侧的扫描线驱动电路73上。配置在基板上的最外周侧的隔壁构造体221的开口部221a，可作为形成发光部140时的伪像素利用。另外，无机绝缘层25形成为覆盖至基板主体110的***部分附近。
在形成上述有机发光层60及空穴注入/输送层75时，可以对所述隔壁构造体221的开口部221a适用选择性地涂敷微少量液滴的液滴喷吐法(Inject法)。该液滴喷吐法可以适用公知的方法，有关技术例如记载在特许第3328297号公报等中。
另外由液滴喷吐法形成有机发光层60等时，由于涂敷在隔壁构造体221的开口部221a内的液滴量极少，所以在对开口部221a顺次分配液滴之间可能会有被涂敷的液体材料干燥而造成不均匀情况的发生。为此，在有关本实施方式的有机EL装置中，在设置在隔壁构造体221上的开口部221a中，由于设置在最外周侧的开口部221a可以利用为伪像素，因此如果对成为该伪像素的开口部221a滴下液体材料，则可以防止发生上述干燥不均匀，能制造具有均匀元件特性的有机EL元件200。
公共电极50是在覆盖有机发光层60和隔壁构造体221的上面并覆盖形成隔壁构造体221的外侧部分的壁面的状态下，跨过多个基板主体110形成在大致一个平面上。该公共电极50与延长至图3所示的作为隔壁构造体221的外侧的基板主体110的周边区域的公共电极用布线202连接。该公共电极用布线202通过图中省略的布线与驱动电路72、73导电连接，并通过外部连接端子与外部电路导电连接。
由于在有关本实施方式中的EL显示装置101是顶部发射型，所以公共电极50必须由光透光性导电材料形成，作为这种透光性导电材料，典型的是使用ITO，也可以是其他透明导电材料。
另外，在设置在基板主体110上的构成部件中从基板主体110侧到公共电极50构成先前的元件基板70，通过平面排列多个元件基板70而构成EL显示体120。
在公共电极50的上侧(密封基板30侧)一面，还可以更进一步层叠公共电极保护层(图中未示出)。公共电极保护层是为了在制造过程中防止公共电极50被腐蚀而设置的层，可以由硅化合物等的无机化合物形成。通过对公共电极50覆盖由无机化合物构成的公共电极保护层，能够良好地防止向公共电极50的氧或水分、无机材料等的接触而造成的腐蚀。
另外，公共电极保护层可以将硅化合物，即硅氮化物或硅氧氮化物、硅氧化物等通过高密度等离子成膜法形成。或者，除硅化合物以外，也可以使用例如氧化铝、氧化钽、氧化钛甚至其他的陶瓷等。其膜厚可以形成为10nm到300nm左右的厚度。如果不足10nm，则因膜的缺陷或者膜厚的偏差而可能会形成部分性的贯穿孔，导致损坏屏蔽性(barrier)。另外，如果超过300nm，则因应力而造成破裂，可能会涉及到公共电极50的破 损。
在公共电极50上，在比隔壁构造体221更宽的范围内设置覆盖公共电极50的粘接层33，在该粘接层33上粘附密封基板30。粘接层33被封入在由设立在基板主体110的***部分的隔离部件35和与隔离部件35的上端面对接的密封基板30所包围的内侧，并接合密封基板30和基板主体110(元件基板70)。
粘接层33是由例如氨基甲酸酯系、丙烯酸系、环氧系、聚烯烃系等的树脂构成的层，是由比下述的密封基板30柔软且玻化温度低的材料构成的作为粘接剂发挥作用的层。优选在这种树脂材料中添加硅烷耦合剂或者烷氧基硅烷，如果这样，则使形成的粘接层33与密封基板30的粘附性更加良好，因此能提高相对机械性冲击的缓冲功能。另外，粘接层33可以通过用分配器(dispenser)在基板主体110上涂敷液状的树脂材料、在覆盖了密封基板30的状态下进行固化的方法形成。
另外粘接层33除了有粘接密封基板30的功能之外，还具有防止氧元素或者水分侵入其内侧的功能，由此能够防止氧元素和水分向公共电极50或有机发光层60的侵入，从而抑制了公共电极50或有机发光层60的劣化等。
另外，由于本实施方式中是顶部发射型，因此粘结层33是具有透光性的层，通过适当调整其材质或者膜厚，使本实施方式中的可见光区域的光透过率达到例如80％以上。
密封基板30是与粘结层33一起密封有机EL元件200的密封构造，优选是至少具有耐压性、耐磨损性、防止外部光反射性、阻气性、遮挡紫外线性等的功能之一。具体地说，在玻璃基板或最表面适宜使用被涂敷了DLC(类钻碳)层、硅氧化物层、钛氧化物层等的塑料薄膜。
在比隔壁构造体221还外侧的公共电极用布线202上的区域内设置有隔离部件35。该隔离部件35通过介入于基板主体110与密封基板30之间而起到隔离开所述两块基板的作用。该隔离部件35从俯视来看形成为包围隔壁构造体221及公共电极50的大致矩形框状。
如上所述粘结层33是通过涂敷液状形成材料并使之固化而形成的，但有关本实施方式的El显示装置由于仅在由隔离部件35包围起来的区域 内涂敷所述形成材料，因此隔离部件35起到作为在覆盖密封基板30时将粘结层33密封在其内侧的围堰部件的作用。即，在覆盖密封基板30时能防止所述形成材料润湿扩展到基板主体110的周边部分，由此，可以使上述粘结层33的形成材料不粘附在形成有连接端子等的基板***区域上。因此，也不会发生连接端子恶化等不良情况，成为可靠性优越的EL显示装置。
隔离部件35由丙烯酸树脂等有机材料、硅氧化物等无机材料等形成，适用于使用光刻技术或印刷法等形成图案为规定形状的方法。另外由于其是保持基板主体110与密封基板30之间的间隔的部件，因此在形成区域内形成为均等高度，其高度为50μm～1mm左右。为了防止在覆盖密封基板30时因颗粒介入而损伤有机EL元件200，因此优选密封基板30与有机EL元件200之间以某种程度的间隔隔离开。由此，隔离部件35的高度比隔壁构造体221的高度还大，优选例如20μm左右以上，如果设为50μm以上能基本上确实防止有机EL元件200的损伤。
如上所述由于在本实施方式的EL显示装置101中在基板主体110与密封基板30之间***有隔离部件35，因此能使密封基板30与基板主体110之间保持规定间隔，由此能得到高像质的显示。即，在顶部发射型的EL显示装置中，透过了在有机EL元件200上形成的粘结层33与密封基板30的光成为显示光，但通过用上述隔离部件35使配置在有机EL元件200上的粘结层33在EL显示体120的整面上保持均匀厚度，因此由粘结层33进行的透过光的吸收或折射实现了在面内的均匀化。由此，透过密封基板30而被输出的显示光成为亮度、色度均匀的优良光，可以得到高像质的显示。
此外在本实施方式的有关EL显示装置101中，在密封基板30的外面一侧形成有导电膜36。该导电膜36在顶部发射型的本实施方式的情况下由透光性导电材料形成，具体地说，由丛ITO、IZO、GZO、ICO、SnO2、ZnO、In2O3等得到的一种以上形成，如果使用这些举出的透光性导电材料，当在密封基板30侧射出显示光时能够确保高的光透过率。导电膜36的膜厚在具备良好导电性且不损伤光透过率的范围内可以设置为任意膜厚，例如10nm～500nm的范围。
另外，导电膜36可以由钛氧化物形成。此时，由于是具有导电性的钛氧化物，可以使用由TiOx(0＜x≤1.5＝组成的钛氧化物。
由此通过在密封基板30的外侧面设置导电膜36，可以不对元件基板70造成影响而有效防止了EL显示装置101的带电，能够防止因静电等破坏设置在元件基板70上的TFT123等。即，在通过粘结层33粘合平面排列有元件基板70而构成的显示体120与密封基板30的密封工序、EL显示装置101的检查工序或者向电子设备的安装工序时，能有效防止EL显示装置101的带电，可以防止因静电造成装置的损坏。
另外，导电膜36在与密封基板30的整面或者与基板主体110粘合的状态下以共同覆盖多个元件基板70的方式，将导电膜36设置在密封基板的外侧。为此，由共同的电位覆盖排列的多个的元件基板，可以屏蔽周围的电位。因此即使在电连接各个元件基板之前的状态下也能抑制受到静电影响。
另外，在现有技术中，由于是在元件基板侧设置导电膜的结构，因此在形成TFT后在元件基板上设置导电膜的情况下，会有因成膜时的损伤造成TFT的劣化等问题，而在形成TFT之前在元件基板上设置导电膜的情况下不是在复杂的TFT制造工序中损伤导电膜而是会有操作困难的问题。为此，本实施方式的EL显示装置，由于作为防静电机构的导电膜36不是设置在形成了TFT的元件基板70上而是设置在相对侧的密封基板30上，因此不会产生元件基板70中的TFT的损伤或者劣化，另外由于易于操作而可提高作业效率。
还有形成有导电膜36的密封基板30，在EL显示装置的制造工序中只是覆盖元件基板70的部件，而不是供给TFT制造工序那样复杂工序的部件，因此与形成在元件基板侧相比，可以减少对导电膜36的成膜方法的制约，能够提高生成效率，还可以有助于显示装置的低成本化。
另外，由于本实施方式中EL显示装置101是顶部发射型，密封基板30和导电膜36都是有透光性的部分，但EL显示装置101也可以是底部发射型。此时，导电膜36可以不必具备透光性，能由钛、钛氮化物或铬等的金属以至金属化合物形成。如果导电膜36由金属或者金属化合物形成，则能够得到更为良好的导电性，更能提高静电防止功能。另外如果由 钛氮化物形成导电膜，则通过钛氮化物的防反射功能，可以得到防止来自密封基板30侧的反射的效果。
下面，对EL显示装置101中设置的电路部11的详细剖面构造进行说明。图4是包括该电路部11的剖面构成图。
在基板主体110的表面上作为底层形成以SiO2为主体的底层保护层281，在其上形成硅层(半导体层)241。在包括该硅层241的表面的基板主体110上形成以SiO2和/或SiN为主体的栅极绝缘层282。
硅层241中夹着栅极绝缘层282并与栅极242重叠的区域是沟道区域241a。上述栅极242是图中未表示的扫描线131的一部分。另一方面，在覆盖硅层241、形成栅极242的栅极绝缘层282的表面上形成有第1层间绝缘层283。该第1层间绝缘层283是以硅氧化物膜或者硅氮化物膜等的硅化合物为主体的绝缘膜，可以例如作为原料气体使用单硅烷和一氧化二氮的混合气体，通过使用TEOS(四乙氧基硅烷、Si(OC2H5)4)和氧元素、乙硅烷和氨的等离子CVD法等形成。
另外，在硅层241中，在沟道区域241a的源极侧设置低浓度源极区域241b及高浓度源极区域241S，另一方面在沟道区域241a的漏极侧设置低浓度漏极区域241c及高浓度漏极区域241D。即，驱动用TFT123是所谓具有LDD(Light Doped Drain)构造的薄膜晶体管。这其中，高浓度源极区域241S通过贯穿栅极绝缘层282与第1层间绝缘层283开孔的接触孔243a与源极243连接。源极243构成为上述电源线133(参照图2，在图4中在源极243位置上沿与纸面垂直的方向延伸)的一部分。另一方面，高浓度源极区域241D通过贯穿栅极绝缘层282与第1层间绝缘层283开孔的接触孔244a与和源极243为同一层的漏极244连接。
在形成了源极243和漏极244的第1层间绝缘层283的上层由例如以硅氮化物、硅氧化物或硅氧氮化物等具有阻气性的硅化合物为主体的平坦化绝缘膜284所覆盖。该平坦化绝缘膜284可以由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)等的硅化合物层和丙烯酸树脂等的布线平坦化层构成。然后，由ITO构成的像素电极23形成在该平坦化绝缘膜284的表面，并且通过设置在平坦化绝缘膜284上的接触孔23a与漏极244连接。即，像素电极23通过漏极244与硅层241的高浓度源极区域241D电连接。
此外，如果在接触孔23a内形成像素电极23，则会残留由接触孔23a的形状造成的凹部295。为此，在该凹部295上形成有机平坦层296以填埋凹部295使之平坦化。作为有机平坦层296，优选为丙烯酸树脂、有机硅化合物等。这样，通过使隔壁构造体221的底层平坦化，可以容易实现覆盖隔壁构造体221的公共电极50和粘接层33的平坦化，能够提高密封性。
另外，在扫描线驱动电路73等中所包含的TFT(驱动电路用TFT)，例如在这些驱动电路中，构成包括移位寄存器的逆变器的N沟道型或者P沟道型的TFT除不与像素电极23连接这一点之外可以是与驱动用TFT123大致相同的构造。
在形成了像素电极23的平坦化绝缘膜284的表面上，设置有像素电极23、上述的无机绝缘层25及隔壁构造体221。无机绝缘层25是例如由SiO2等的无机材料构成的薄膜，隔壁构造体221是由丙烯酸树脂或聚酰亚胺等的有机材料构成的。然后，在像素电极23上依次层叠设置在无机绝缘层25上的开口部25a、及由隔壁构造体221所包围的开口部221a的内部的空穴输送层75和有机发光层60。
以上说明的到基板主体110上的平坦化绝缘层284为止的层构成电路部11。
这里，本实施方式的EL显示装置101，为了进行彩色显示，各有机发光层60形成为其发光波段分别对应光的三原色(R、G、B)(参照图1)。例如，作为有机发光层60，将发光波段对应红色的红色用有机发光层、对应绿色的绿色用有机发光层、对应蓝色的蓝色用有机发光层分别设置在对应的显示区域R、G、B上，由这些显示区域R、G、B构成显示彩色的一个像素。另外，在各颜色显示区域的边界处，由溅射法等将金属铬成膜的图中省略的BM(黑色矩阵)形成在例如隔壁构造体221与无机绝缘层25之间。
(第2实施方式)
下面，参照图5，对本发明的第2实施方式进行说明。图5是有关本实施方式的EL显示装置111的剖面构成图。本实施方式的EL显示装置 111有具备图5所示的密封基板37及绝缘膜38以及为底部发射型这些特征，其平面构成和电路构成等，与图1至图4所示的有关先前的第1实施方式的EL显示装置101大致相同。因此在下面的说明中参照适当的图1至图4进行说明。另外，图5中与图1至图4相同的符号表示相同构成要素。
如图5所示，EL显示装置111成为下述装置：排列多个元件基板70的EL显示体120由支撑基板180一体化支撑，并且具有在元素基板70的元件形成面(有机EL元件200的侧面)处通过粘接层33而相对配置的密封基板(导电性基板)37。
由于本实施方式的EL显示装置111为底部发射型，为了取出从有机EL元件200输出的光，构成元件基板70的基板主体110及与其背面侧接合的支撑基板180构成为具有透光性。基板主体110及支撑基板180例如可以为由玻璃、石英或者塑料等构成的部件。另外，关于有机EL元件200，其基本构成也是与第1实施方式相同，但发光部140的配置在基板主体110侧的像素电极23使用ITO等透光性导电材料形成，并且公共电极50由铝、银等具有光反射性的导电材料形成。
密封基板37是具有导电性的基板，起到与有关第1实施方式中的导电膜36所进行的防静电功能相同的功能。作为密封基板37，可以使用例如不锈钢或者铝等的金属基板。另外，在密封基板37的元件基板70侧面上设置有绝缘膜38。
按照上述结构的本实施方式的EL显示装置，由于密封基板37本身具有防静电功能，因此也可以得到不对元件基板70造成影响而防止静电影响的效果、使在元件基板70的制造工序中基板主体110的操作容易化等与先前第1实施方式相同的作用效果。另外，与由作为薄膜的导电膜36实现防静电功能的上述第1实施方式相比，可以得到更高的防静电效果。另外，由于使密封基板的操作更容易，从而是有助于提高作业效率的结构。
通过设置上述绝缘膜38，能够防止密封基板37与EL显示体120的公共电极50直接接触，能有效防止元件的动作不良的产生，是可高成品率制造的EL显示装置。另外有关绝缘膜38，在确保上述密封基板37与公共电极50之间的绝缘的范围内可使其膜厚变薄，由于通过使绝缘膜38薄层化而能够缩短密封基板37与有机EL元件200之间的距离，因此能够提高释放由有机EL元件200产生的热的效果。另外，如果使介于密封基板37与有机EL元件200之间的粘接层33由热传导性高的树脂材料构成，则可以得到更为良好的放热性。
作为上述绝缘膜38可以使用例如氧化硅或氮化硅等无机绝缘材料、以至树脂材料等有机材料中的任意一种。在本实施方式中，虽然将绝缘膜38在密封基板37的粘接层33侧的整面上形成为覆盖整面的形状，但为了防止公共电极50与密封基板37之间的接触，可以至少在隔壁构造体221的平面区域所对应的区域设置绝缘膜38。
(第3实施方式)
下面，参照图6，对有关本发明的第3实施方式进行说明。图6是表示有关本实施方式的EL显示装置中所具有的密封体的部分剖面构成图。有关本实施方式的EL显示装置，是对有关上述的第1实施方式的EL显示装置101采用图6所示的密封体的结构。即，如图6所示，是具有在密封基板30的外面侧(与粘接层33相反侧)设置导电膜36和钛氧化物膜81的层叠膜构造的EL显示装置。
上述钛氧化物膜81是以具有由TiOy(1.5＜y＜2.2)组成的钛氧化物为主要成分的透光性膜。如果在钛氧化物中的氧元素含有量(y)超出上述范围外，则会有降低下述的防模糊效果及防污效果的倾向。
导电膜36与上述的第1实施方式同样，是由透光性导电材料形成的，可以由钛氧化物(TiOx；0＜x＜1.5)形成。
在具有上述构成的本实施方式的EL显示装置中，除了有关第1实施方式的EL显示装置的防静电功能之外，还能得到由设置在最外面的钛氧化物膜81所起到由水分凝聚作用和光催化作用而带来的防模糊效果及防止污染物质付着的效果。因此按照有关本实施方式的EL显示装置，可以得到可视性优良的高像质的显示。
(第4实施方式)
接着，参照图7对本发明的第4实施方式进行说明。图7是表示有关本实施方式的EL显示装置所具有的密封体的部分剖面构成图。有关本实施方式的EL显示装置，是对有关上述的第1实施方式的EL显示装置101采用图7所示的密封体的结构。即，如图7所示，是在密封基板30的外面侧(与粘接层33相反侧)上设置的导电膜36上设置有交替层叠了多层(图中所示为2层)的钛氧化物膜91和多层(图中所示为2层)的硅氧化物膜92的层叠膜90的EL显示装置。
层叠膜90通过交替层叠多层折射率不同的钛氧化物膜91和硅氧化物膜92，能够得到优良的光透过率和防反射功能，在从密封基板30侧取出有机EL元件200的光的顶部发射型EL显示装置中，通过提高光取出效率而得到明亮的显示，并且可以抑制射入该显示装置中的外光的反射，从而得到可视性良好的显示。
另外，在上述各实施方式中，是对在EL显示体120的元件形成面侧配置的导电膜36或密封基板37具有防静电功能的情况进行了说明，但当具有由支撑基板180一体化支撑如先前实施方式中那样平面排列的多个元件基板70的结构的情况下，也可以在支撑基板180的外面侧形成导电膜。此时，也是由于元件基板70不是本身设置有导电膜的基板，因此不会使制造变得困难或产生TFT的破损和劣化。导电膜被设置为覆盖支撑基板180的全体或者在与支撑基板粘合的状态下共同覆盖多个元件基板70。为此，由共同的电位覆盖排列的多个的元件基板70，可以屏蔽周围的电位，即使在电连接各个元件基板70之前也能抑制受到静电的影响。另外，通过在密封基板30的外面或者支撑基板180的外面这双方都设置导电膜，能够得到更良好的防静电效果。还有即使在支撑基板180上设置有导电膜，也不会使操作变得困难，即使在粘合工序后在支撑基板180上成膜导电膜，也不会使元件基板70的TFT受到影响。
在将多个元件基板70排列在支撑基板180上构成一个显示区域的EL显示装置中，由于一体化使用多个元件基板70，因此对元件基板70要求更低的缺陷发生率。在有关情况下，在粘合元件基板70和支撑基板180的工序中，如果因静电而使元件基板70产生缺陷，则可能会显著降低制造成品率，因此并不优选。这里，如果如上述那样在支撑基板180的外面侧(与元件基板相反侧)设置导电膜，则即使在相应粘合工序中也能良好 地防止基板70、180的带电，有效提高EL显示装置的成品率。
另外，作为有机EL元件200的密封构造，并不局限于由粘接层33和密封基板30、37构成的结构，例如可以取代密封基板30、37而使用现有已知的密封罐。
还有，在上述实施方式中是以EL显示装置为例进行说明，但有关本发明的电致发光装置的适用范围并不局限于此，例如也适合使用于EL打印头等器件中。
(电子设备)
图8是表示有关本发明的电子设备的一个例子的立体结构图。
图8中所示的影像监视器1200，是具备具有上述的实施方式的EL显示装置的显示部1201、框体1202、扬声器1203等而构成的。因此，该影像监视器1200由上述的EL显示装置可以进行明亮的、可视性优良的显示。
上述实施方式的EL装置，并不局限于上述携带电话，可以适合于使用为电子笔记本、个人计算机、数字静像照相机、取景器型或者监视器直视型的视频录像机、导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端、具有触摸屏的设备等各种图像显示机构，或者适合于使用为打印头的光源机构，不论在哪种电子设备中都能得到高亮度的发光。

Claims (6)

1.一种电致发光装置，其特征在于，具有：
元件基板，在其一面侧上设置了发光元件；
密封体，其按照覆盖所述发光元件的方式，与所述元件基板相对配置；和
导电膜，其被设置在与所述元件基板相反侧的密封体面上，
所述导电膜是由从镓锌氧化物、铟铈氧化物中选择的一种以上构成的透光性导电膜，
所述元件基板具备基板主体、设置在该基板主体上的显示区域和设置在其周围的驱动电路。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于，
在设置于所述密封体面的所述导电膜上层叠具有由TiOy组成的钛氧化物为主要成分的钛氧化物膜，其中1.5＜y＜2.2。
3.根据权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于，
在设置于所述密封体面的所述导电膜上设置包含钛氧化物膜和/或硅氧化物膜的层叠膜。
4.根据权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于，
所述导电膜由具有TiOx组成的钛氧化物构成，其中0＜x≤1.5。
5.根据权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于，
在所述发光元件与密封体之间设置有树脂层。
6.一种电子设备，其特征在于，
具有权利要求1～5中任一项所述的电致发光装置。
CN200510071318XA 2004-05-18 2005-05-18 电致发光装置及电子设备 Active CN1700823B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004147686 2004-05-18
JP2004-147686 2004-05-18
JP2004147686 2004-05-18
JP2005-063478 2005-03-08
JP2005063478 2005-03-08
JP2005063478A JP2006004907A (ja) 2004-05-18 2005-03-08 エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1700823A CN1700823A (zh) 2005-11-23
CN1700823B true CN1700823B (zh) 2011-07-27

Family

ID=35374367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200510071318XA Active CN1700823B (zh) 2004-05-18 2005-05-18 电致发光装置及电子设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20050258441A1 (zh)
JP (1) JP2006004907A (zh)
KR (1) KR100768905B1 (zh)
CN (1) CN1700823B (zh)
TW (1) TW200607384A (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI268744B (en) * 2005-06-02 2006-12-11 Ritdisplay Corp An organic electroluminescent display panel
JP2007066775A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
JP2007087807A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP2007843B1 (en) * 2006-04-03 2009-12-02 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Organic electroluminescent device
KR100839750B1 (ko) 2007-01-15 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100839754B1 (ko) 2007-08-14 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20100071084A (ko) * 2007-09-25 2010-06-28 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 용액 처리된 전자 소자용 백플레인 구조물
JP5128340B2 (ja) * 2008-03-31 2013-01-23 古河電気工業株式会社 ガスバリア性フィルム状基材とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子封止構造、およびその製造方法。
KR100941858B1 (ko) * 2008-04-03 2010-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계 발광 표시장치
KR101925772B1 (ko) * 2008-07-10 2018-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
US8928597B2 (en) * 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8629842B2 (en) * 2008-07-11 2014-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US9342176B2 (en) 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US8124992B2 (en) * 2008-08-27 2012-02-28 Showa Denko K.K. Light-emitting device, manufacturing method thereof, and lamp
US20120015209A1 (en) 2010-07-19 2012-01-19 Ford Global Technologies, Llc Wheels Having Oxide Coating And Method of Making The Same
US20130154478A1 (en) * 2010-08-25 2013-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting device and antistatic method for the same
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI512807B (zh) * 2011-06-09 2015-12-11 Epistar Corp 半導體元件結構與其分離方法
JP6135062B2 (ja) * 2012-08-07 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
KR102097153B1 (ko) * 2012-08-31 2020-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
US20140061610A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Hyo-Young MUN Organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR20140088417A (ko) * 2013-01-02 2014-07-10 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
TWI590948B (zh) * 2013-05-21 2017-07-11 Ｌｇ化學股份有限公司 包封膜及使用彼來包封有機電子裝置之方法
KR102080131B1 (ko) * 2013-06-17 2020-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6104099B2 (ja) * 2013-08-21 2017-03-29 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP6584642B2 (ja) * 2015-05-01 2019-10-02 イマジン・コーポレイション 大面積ｏｌｅｄマイクロディスプレイおよびその製造方法
CN104867944B (zh) * 2015-05-08 2018-07-10 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及其制作方法
JP6753959B2 (ja) * 2017-01-25 2020-09-09 シャープ株式会社 Ｏｌｅｄパネル
CN111051470B (zh) * 2017-09-14 2020-11-10 住友化学株式会社 用于制备液体组合物的方法
JP6457161B1 (ja) * 2017-09-14 2019-01-23 住友化学株式会社 液状組成物の製造方法
US20190334113A1 (en) * 2018-04-27 2019-10-31 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Oled display device
WO2020012611A1 (ja) 2018-07-12 2020-01-16 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2020021654A1 (ja) 2018-07-25 2020-01-30 シャープ株式会社 表示装置
CN109950417B (zh) * 2019-03-14 2021-07-06 江苏壹光科技有限公司 一种有机电致发光器件的封装结构
US11296296B2 (en) 2019-11-06 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Organic light-emtting diode light extraction layer having graded index of refraction
US11121345B2 (en) * 2019-11-26 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Structures and methods of OLED display fabrication suited for deposition of light enhancing layer
JP2023512500A (ja) 2020-01-22 2023-03-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ミラーを備えた有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）ディスプレイデバイス及びそれを作製するための方法
CN111640377B (zh) * 2020-06-30 2022-06-03 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置
KR20220056301A (ko) * 2020-10-27 2022-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1459996A (zh) * 2002-05-23 2003-12-03 三星Sdi株式会社 密封有机电致发光器件的方法和使用该方法的发光板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825501B2 (en) 1997-08-29 2004-11-30 Cree, Inc. Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
TW505685B (en) * 1997-09-05 2002-10-11 Mitsubishi Materials Corp Transparent conductive film and composition for forming same
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2002372928A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Sony Corp タイリング型表示装置及びその製造方法
KR100464864B1 (ko) * 2002-04-25 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR100460210B1 (ko) * 2002-10-29 2004-12-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1459996A (zh) * 2002-05-23 2003-12-03 三星Sdi株式会社 密封有机电致发光器件的方法和使用该方法的发光板

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平2-227989A 1990.09.11
JP特开2000-173778A 2000.06.23
JP特开2000-182769A 2000.06.30
JP特开2000-48952A 2000.02.18
JP特开平6-325868A 1994.11.25

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006004907A (ja) 2006-01-05
TW200607384A (en) 2006-02-16
KR100768905B1 (ko) 2007-10-22
US20050258441A1 (en) 2005-11-24
KR20060047301A (ko) 2006-05-18
CN1700823A (zh) 2005-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1700823B (zh) 电致发光装置及电子设备
EP2476137B1 (en) Tiled display with overlapping flexible substrates
KR100685854B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN100401340C (zh) 显示装置及其制造方法
CN100456487C (zh) 有机电致发光装置以及电子设备
CN100592530C (zh) 有机电致发光显示设备及其制造方法
JP4309333B2 (ja) デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法
CN111326548A (zh) 显示装置
CN1784104B (zh) 显示装置及其制造方法
CN101221974B (zh) 有机电致发光显示装置
JP2002299044A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
CN101645489B (zh) 发光显示器件及其制造方法
KR102100656B1 (ko) 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
US11812633B2 (en) Display device including an inorganic pattern positioned in a peripheral area of the substrate
CN100438121C (zh) 有机电致发光器件
CN113474687A (zh) 显示装置和电子设备
TWI222049B (en) Color display unit
JP2006004910A (ja) 電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法
US11991896B2 (en) Display panel having second substrate with barrier structure for defining open spaces that adjoin adhesive layer
JP2012068422A (ja) ディスプレイパネル及びマザーパネル並びにディスプレイパネルの製造方法
CN101299435A (zh) 有机电致发光显示器及其制造方法
KR100712102B1 (ko) 평판표시장치 및 그 제조방법
CN100553389C (zh) 有机发光二极管显示面板
KR101055197B1 (ko) 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100623450B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190202

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Patentee after: EL Technology Fusion Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220419

Address after: 05-15, bayeliba Plaza, 60 bayeliba Road, Singapore

Patentee after: Element capital commercial Co.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: El technology integration Co.,Ltd.