CN1619422A - 辐射检测器 - Google Patents

Abstract

间接检测辐射通量，也即不是检测基本辐射通量自己本身而是检测二次辐射通量。该二次辐射通量由基本辐射通量通过转换成为二次辐射通量。本发明中的测量***，可以由经荧光层发射的辐射产生的测量信号得出以下量值：EUV辐射的强度，光学组件的光学层的污染量。

Description

辐射检测器

技术领域

本发明涉及一种检测器装置，该检测器装置包括检测器和测量***，所述检测器这样设置，它响应入射到其上的第一类型辐射，产生测量信号并供给所述测量***，所述的检测器设置在一种光学组件的附近。

背景技术

光刻装置是将所需的图案施加到基底的靶部的机器。光刻装置可以用于，例如，集成电路(IC)的制造中。在该种情况下，构图部件，例如掩膜，可用于对照该IC的各层来生成电路图案，并且能够在具有辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底(如硅晶片)的靶部(如包括部分的，一个或多个电路小片)成像化所述构图。通常，单板会包含依次曝光的网状相邻靶部。公知的光刻装置包含所谓的分档器，其通过一次性曝光整个靶部上的构图来辐射每个靶部，以及所谓的扫描器，其通过在给定的方向(该“扫描”方向)上借助投影光束扫描该构图来辐射每个靶部并且同时以平行或不平行于该方向的方向扫描所述基底。

从美国2003/0052275A1中可以了解到EUV辐射通量的标准不变动的检测器。US2003/0052275A1中的想法是在多层反射叠层的后面镶嵌一个集成的EUV光电二极管。在该光电二极管和该多层反射叠层之间存在有水平层。该水平层起到两个作用，第一个，定义适合该多层反射叠层生长的精密表面，第二，在该多层反射叠层和其周围环境之间提供绝缘层。由于US2003/0052275A1中的检测器对周围环境的变化是相当敏感的，例如传感器表面的污染，所以不能通过它来获得光学元件表面污染的信息。

于2002年8月30日以申请人的名字提交的欧洲专利申请NO.02256037.9(P-0349.000)描述了一种检测从反射体表面所发射的辐射的传感器。在入射到该表面的辐射光束的作用下，电子激发到高能态，在返回到低能态时产生所发射的辐射。在该过程中，也有一部分入射的辐射会转变成热。该发射辐射具有比入射辐射长的波长。该发射辐射也称作荧光辐射。该传感器位于反射体的前面。

测量光刻装置中的EUV辐射通量对于使其性能最大化尤为重要。辐射通量是指单位面积单位时间的辐射能量，以J/sec/m²为单位。需要有关EUV辐射通量的信息来确定EUV的用量和强度以及来确定光学组件上的污染量。由于应该将EUV的损耗保持到尽可能的低，因此使EUV辐射通量检测器尽可能少地阻挡EUV辐射的光束是重要的。在测量EUV辐射通量的现有技术中，还测量散射的EUV辐射，或者两者都测量或者选择性地使用投影光束中“过量”的辐射，即不是用于光刻目的的那部分投影光束，由此来确定该EUV辐射的通量。令人遗憾地的是，这些技术不能够用于光刻装置中每个位置。此时，也可以将光学组件受到EUV辐射照射后发出的二次电子通量用作测量EUV的辐射通量。然而，所述技术带来许多问题。例如，需要电场的存在。这些电场使正离子朝向光学组件加速，这导致了所述光学组件不必要的溅射。而且，由于这种高电流，该次电子通量不再是EUV辐射通量的线性函数了。这就提出了一个未决问题：通过测量二次电子通量来检测EUV的辐射通量是否总是可行的。

发明内容

由此，本发明的一个目的是公开一种用于确定光刻投影装置中的EUV辐射通量的部件，它更方便，更可靠，并且可用的光学组件比现有的更多。

因此，本发明的特征在于所述的光学组件至少包括

-光学层，当所述检测器组件在使用时，该光学层接收一定量的第二类型辐射，而让所述第二类型的辐射的所述量的一部分穿过所述光学层，

-涂层，所述第二类型的辐射的所述量的一部分照射在该涂层上，所述涂层将所述部分转换为所述的第一类型辐射，

以及

-基底，对所述第一类型辐射基本上透明，所述测量***设置为可从所述测量信号获得第二辐射类型所述量的一定量，所述第二辐射量的强度和所述光学层污染量中的至少一种。

本发明的优点是多方面的：因为检测使用的是由无用的辐射(如：不是反射的而且反正是无用的辐射)构成的，不需要电场，不需要当前光刻投影装置中所采用的光学组件的转换，不需要额外的光源，所测量的信号是EUV量的线性函数。将该辐射部分从第二波段转换为第一波段的该层典型的是(大的)荧光层。所述层与，例如，大的发光二极管相比，相对容易制造。此外，空间解析辐射(spatially resolved radiation)测量可具有该层。辐射的量和强度以及光学组件表面上的污染量在光刻装置中是重要的参量。光学组件一般包括沉积在基底上的光学层(或涂层)。具体对于EUV辐射，问题在于，尽管要求基底用来支撑光学层，但是其也是辐射的吸收层。通过将该EUV辐射转换成对于该基底是相对透明的辐射，所述问题也就由本发明解决了。

在另一个实施例中，本发明特征在于：所述层包括主晶格和至少一离子，所述主晶格包括硫化钙(CaS)、硫化锌(ZnS)和钇铝石榴石(YAG)中的至少一种，所述的离子包括Ce³⁺，Ag⁺和Al³⁺中的至少一种。已经证实了这些材料非常适合用作这些层来转换辐射。这些材料将(EUV)辐射转换成具有更长波长的辐射，并且效率相对较高。

在另一个实施例中，本发明的特征在于：所述的检测器包括CCD照相机，CMOS传感器和发光二极管阵列中的至少一种。前述的列举不是限制也不是囊括，对于本领域的技术人员可选择的检测器是显而易见的。这些检测器的优点是：通过使用它们，可以进行位置相关性测量。

在又一个实施例中，本发明特征在于：所述光学组件包括多层叠层。包括，例如，钼(Mo)和硅(Si)的交互层的这些类型的反射镜通常在以EUV辐射光源工作的光刻投影装置中使用。

本发明还涉及一种测量组件包括上述的检测装置和设置在所述检测器前面的光学组件。该装配具体适合光学组件上的剂量/强度和/或污染的测量。本发明的所述实施例具有上述列举的相似的实施例。

在又一个实施例中，本发明特征在于所述的第二类型辐射包括EUV和IR辐射中的至少一种。对于这些类型的辐射，一些基底是完全透明的，这就意味着这些类型可以被有利的利用。

本发明还涉及一种检测装置，用于确定光学组件的光学层的污染量，其包括辐射源，检测器和与所述检测器连接以便接收测量信号的测量***，该辐射源设置为在使用中可以提供射向所述光学组件的检测光束，设置该检测器，使得所述光束穿过所述光学组件以后它能够接收所述检测光束的至少一部分，其特征在于：设置该测量***以便从所述测量信号来确定所述表面的污染量。这种装置提供对光刻装置的辐射光源变化不敏感的测量。

本发明还涉及一种光刻装置，包括：

-照明***，用于提供辐射的投影光束；

-支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于传递在其横截面具有图案的投影光束；

-投影***，用于在基底的靶部投影该图案化的光束，

特征在于：该光刻投影装置包括如上述的测量组件。

本发明还涉及一种确定辐射剂量，辐射强度和光学层污染量中的至少一种的方法包括：

-提供一种包括检测器和测量***的测量装置，设置所述检测器，使得它根据入射到所述检测器上的辐射提供测量信号到所述的测量***，

其特征在于

-在光学组件的后面提供所述检测器，所述光学组件包括所述光学层，当所述检测装置在使用中时，该光学层接收所述辐射，所述辐射的一部分穿过所述光学层并且

-标定所述测量***以便从所述辐射中获得关于所述辐射剂量，所述辐射的强度和所述光学层污染量中的至少一种的测量信号。

本发明还涉及一种设备的生产方法包括步骤：

-提供基底；

-使用照明***来提供辐射投影光束；

-使用构图部件来传输横截面具有构图的投影光束；以及

-在该基底的靶部上投影构图的辐射光束，

特征在于

使用上述的光刻装置。

本发明还涉及检测装置包括光电二极管和测量装置，所述光电二极管设置为提供测量信号到所述的测量***，所述的光电二极管设置在光学组件的后面，所述的光学组件包括光学层，在使用中，来接收一定量的辐射，特征在于：所述测量信号与所述光学层上的污染量相关。所述提供了测定光学组件的该光学层的污染的可能性。

尽管具体的参考在本文中涉及光刻装置在IC生产中使用，但是应该了解的是这里所描述的光刻装置还具有其它的应用，例如集成光学***的制造，对磁畴存储，液晶显示器(LCD)，薄膜磁头的引导和检测构图。技术人员应该了解，在这种可替换的用途范围中，这里对术语“晶片”或“电路小片”的使用都被认为是与更常用的术语“基底”或“靶部”分别同义。基底在这里是指，曝光前或者曝光后，在例如磁轨(一种典型地施加抗蚀层在基底上和显影所曝光的抗蚀层的工具)，计量或检测工具中被处理过的。只要合适，这里所公开的就可以应用到这种和其它的基底处理工具中。而且，例如为了形成多层的IC，可以对基底进行多次处理，这里所使用的术语基底还可以指包含已经多次被处理的层的基底。

这里所使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包含紫外辐射(UV)(如，具有365、248、193、157或126nm波长)和极端紫外辐射(EUV)(如，具有范围在5-20nm之间的波长)，以及粒子辐射，例如离子光束或电子束。

这里所使用的术语“构图部件”应该广义地解释为指能够用于传输其横截面具有构图的投影光束的装置例如在基底的靶部产生构图。应该注意的是所传输到投影光束的构图可不与基底靶部中的理想构图相对应。通常，所传输到投影光束的构图应该对应于在装置中在靶部中产生的具体功能层，例如集成电路。

构图部件可以是透射式的或反射式的。构图部件的例子包含掩膜，程控反射镜阵列，和程控LCD板。掩膜在光刻领域式公知的，并且包含掩膜类型例如，二进制的，可选择相位变化，和衰减相位变化，以及各种混合的掩膜类型。程控反射镜阵列的一个实例是使用小反射镜的矩阵排列，其中的每个都各自倾斜以便反射不同方向上的入射辐射光；通过这种方式，所反射的光束被构图。在构图部件的每个实例中，支撑结构可以是，例如相对该投影***，根据需要固定或移动以及将该构图部件确定在理想的位置，的框架或者工作台。这里术语“划线板”或“掩膜”的任何使用都可以被看作是与更普通的术语“构图部件”同义。

这里所使用的术语“投影***”可以广义地解释为包含各种类型的投影***，包含折射光学***，反射光学***和反折射的光学***，以及解释为适合例如所使用的曝光辐射或例如侵蚀液体的使用或真空的使用的其它因素。这里术语“镜头”的任何使用可以被认为是与更普通的术语“投影***”同义。

照明***也可以包含各种类型的光学组件，包含折射光学***，反射光学***和反折射的光学***用于准直，成型或控制辐射的投影光束，并且这些组件在下文还可以笼统或者特别地称作“镜头”。

该光刻装置可以是具有两个(二级)或更多基底台(和/或两个或更多掩膜台)的类型。在所述“多级”机器中，附加的工作台可以平行地使用或初步阶段在一个或多个工作台上进行而一个或多个其它工作台用来曝光。

还有一种光刻装置，它的基底用折射率相对较高的液体如水浸没，使其充满基底和投射***的最后元件之间的空间。浸液也可以施加到该光刻装置的其它空间中，例如，在掩膜和投影***的第一元件之间。浸没技术在该领域是公知的，它用于提高投影***的数值孔径。

附图说明

现在参照所附示意图仅仅以举例的方式来描述本发明的实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，并且其中：

图1描述了本发明实施例中的一种光刻装置；

图2描述了本发明的第一实施例；

图3描述了本发明的第二实施例，其中包含一个荧光层；

图4描述了本发明的第三实施例，其中使用了一个分离辐射源，

图5a和5b示出了存在碳层和不存在碳层的多层叠层的透射图，以及

图6示出了在图5a的基础上计算出的透射率。

具体实施方式

图1示意性地描述了本发明一个具体实施例中的一种光刻装置。该装置包括：

-照明***(照明器)IL用于提供辐射的投影光束PB(如UV或者EUV辐射)。

-第一支撑结构(如掩膜台)MT用于支撑构图部件(如掩膜)MA并与用于将该掩膜相对于物体PL精确定位的第一定位装置PW连接；

-基底台(如晶片工作台)WT用于保持基底(如抗蚀涂层晶片)W并与用于将该基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；和

-投影***(如反射投影镜头)PL用于将由构图部件MA传输到投影光束PB的图案成像在基板W的靶部C(如包括一个或多个电路小片)上。

如这里所描述地，该装置是反射型的(如：使用反射掩膜或上述指出的程控反射镜阵列类型)。可选择地，该装置可以是透射型的(如：使用透射掩膜)。

照明器IL接收来自辐射光源SO的辐射光束。该光源和该光刻装置可以是分离的机构，例如当该光源是等离子光源时。在这种情况下，不认为该光源构成该光刻装置的一部分，并且一般地，借助于包括如合适的聚光镜和/或光谱过滤器在内的聚束器，辐射束从辐射源到达照明器IL。在其它情况下，该光源可以是该装置整体的一部分，例如当该光源是汞灯时。光源SO和照明器IL，可以称为辐射***。

照明器IL可以包括用于调节光束角强度分布的调节装置。一般，至少可以调节照明器的光瞳平面中强度分布的外和/或内径向量(一般称作σ-外和σ-内)。该照明器提供调整过的辐射光束，称作投影光束PB，在其横截面具有理想的均一性和强度分布。

投影光束PB入射到保持在掩膜台MT上的掩膜MA上。经由掩膜MA反射，投射光束PB穿过透镜PL，该透镜将光束聚焦于基底W的靶部C。在第二定位装置PW和定位传感器IF2(如干涉测量装置)的帮助下，基底台WT可以被精确地移动，如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似地，可以使用第一定位装置PM和位置传感器IF1将掩模MA相对于光束PB的光路进行精确定位，如，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间。通常，目标工作台MT和WT的移动是借助长冲程模块(粗略定位)和短-冲程模块(精确定位)来实现的，所述模块形成定位装置PM和PW的一部分。然而，在使用步进器的情况下(与扫描器相对)，该掩膜台MT仅可以与短冲程激励器连接或者固定。掩膜MA和基底MT可以使用掩膜准直标记M1，M2以及基底准直际记P1，P2来准直。

所描述的装置可以以下述优选的模式来使用：

1.在步进器模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，与此同时整个传输到投影光束的图案一次性地投射(即单静态曝光)到靶部C上。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，以便将不同的靶部C曝光。在步进模式中，曝光区域的最大值限制在单次静态曝光中成像的靶部C的大小。

2.在扫描模式中，同步扫描掩膜台MT和基底台WT，并同时将传输到投影光束的图案投影到靶部C上(如单动态曝光)。基底台WT相对掩膜台MT的速度和方向由投影***PL的(缩小率)放大率和图象反转特性来确定。在扫描模式中，曝光区域的最大值限制单次动态曝光中成靶部的宽度(在非扫描方向)，而扫描运动的长度决定该靶部的长度(在扫描方向)。

3.在其它的模式中，掩膜台MT基本静止地保持程控构图部件，而将该基底工作台WT移动或者扫描同时将传输到投影光束的图案投影到靶部C上。在这种模式中，一般使用脉冲辐射光源，而在每次将基底台WT移动之后或者在扫描期间相继的辐射脉冲之间，根据需要更新该程控构图部件。所述的操作模式可以轻易地用于使用程控构图部件的无掩膜的光刻中，例如上述的程控反射镜阵列类型。

也可以将上述模式组合和/或变化使用，或者使用完全不同的模式。

图2中示出了本发明所述的测量装置29。在图中示出了光学组件21。该光学组件21是在基板27上沉积光学层22构成的，可以典型地为镜头(见上述的镜头概念)，或反射镜(多层)，分划板等。本发明特别适用于具有反射层22的光学组件。来自EUV辐射源(图2中没有示出)的辐射35入射在光学组件21上。该辐射中的一些透过该光学组件21，以标记41表示。然而该辐射的大部分，在光学组件21的光学层22反射，以标记37表示。检测器31在光学组件21的光学层22的附近，但是不要阻挡辐射35和/或37。该检测器31与接收其信号的测量***33连接。该测量***33可以是例如合适的程控计算机或者具有合适的模拟和/或数字电路的测量装置。基底27必须对辐射35基本上透明。为此，可以采用200nm厚的硅(Si)层。注意到如图2中所示的光学组件21至少包括沉积在基底27上的光学层22。

本发明以下述方式操作。尽管要使光学组件21 EUV辐射35的反射最大化，但是EUV辐射35中总会有一部分41穿过光学层22和组件21。所述辐射部分41到达检测器31。根据入射的辐射部分41，检测器31产生测量信号到测量***33。该测量信号指示着光学层22上EUV剂量和/或强度和/或污染的变化。如果该测量信号没有变化，人们可以假定剂量和污染两者都没有改变。如果该测量信号突然地变化，人们可以假定这是由于剂量突然变化造成的。然而，测量信号变化得缓慢说明光学层22的污染增长了。而且，可以在该装置中提供数个反射镜，反射镜后面提供传感器，由此，提供选择来发送更多的测量信号到测量***33中。这样，可将该测量***33设置成能够评估所有的这些信号并且根据这数个测量值进行有关污染和/或剂量的变化的计算。可以进行绝对—在适当的规检后—和相对的辐射通量的测量，“相对”指的是时刻t1所检测的辐射量和时刻t2所检测的辐射量之差，从中可以得出污染/剂量和强度的数据。同样可以进行一般的(EUV)辐射感应测量(如准直，进一步的光学性质)。在所述实施例中，基底27对第二类型辐射41(35)是透明的。

在图3中，示出了本发明的另一个实施例。采用如前面图2中所采用的相同的参考标记。相对于图2，图3中的光学组件用标记24来表示。此外，基底27上有一个荧光层25。荧光层25也可以与基底27合为一体，如，例如使用钇铝石榴石(YAG)晶体作为基底。该光学层22沉积在荧光层25上。来自该荧光层25的辐射用标记39表示。基底27必须基本上对该辐射39透明。如在2001年8月23日申请的EP1182511中公开的，该荧光层35包括主晶格和至少一种离子。该主晶格可包括硫化钙(CaS)、硫化锌(ZnS)和钇铝石榴石(YAG)中的至少一种。离子可包括Ce³⁺、Ag⁺和Al³⁺中的至少一种。注意图3中所示的光学组件24与图2中所示的光学组件21相比至少包括沉积在基底27上的光学层22和沉积在中间的荧光层25。

所述实施例以下述方式操作。辐射35的部分37在光学组件24的光学层22上反射。辐射35的部分，用41来表示，穿过光学组件24并碰撞荧光层25。该荧光层25将辐射41转化为辐射39，辐射39至少部分地照射到检测器31上。应该注意到该转换并不意味着100％(或接近100％)的转换。通常所述的辐射39的波长与辐射35，37或41的波长不同。本领域的技术人员应该了解，基底27必须基本上对辐射39透明。该检测器31设计成用来测量辐射39的量。所述辐射以多个转换因素与辐射35的量相关。如果这些转换因素已知，辐射35的量就能够确定。荧光层25可以是大的。与例如大的光电二极管相比，这样的涂层相对容易生产。此外，可以在具有该层的情况下进行空间解析辐射测量(spatially resolved radiation measurements)。在所述实施例中，该基底27对辐射39透明。

在图4中，示出了本发明的另一个实施例。在图4中，采用如在图2和3中所采用的相同的参考标记，并使用单独的辐射源40如激光器。该辐射源40提供测量光束43。测量光束43的第一部分34穿过光学组件21。第二部分32被反射。由这里的“单独”应该了解，尽管图2和3中的测量“在线”(如在光刻投影装置的操作过程中)进行并且使用存在于该光刻投影装置中的辐射源SO的辐射投影光束PB，但是该辐射源40仅仅是为了测量这一目的。根据来自光源40的辐射提供的测量光束43的波长以及投影光束PB和来自辐射源40的测量光束43之间(即实际上在投影光束PB和测量光束43的第一部分34之间)的干涉量，可以实现“在线”和“离线”测量。由辐射源40提供的测量光束43典型地包括由激光器(例如低功率Nd:YAG激光器)或者其它红外线(IR)辐射源产生的辐射。所述的实施例可以用于精确地扫描光学组件。另一个优点是可以进行“独立”污染测量(即不是由剂量测量污染/干扰的污染测量)。在该实施例中，利用的是以下事实：对于多层叠层的透射光谱，在该叠层相对透明的地方存在波长间隔。这些间隔中的一个在13.5nm左右(在电磁光谱的EUV范围)和一个间隔在1000nm左右(在电磁光谱的IR范围)。这些情况可以从附图5a和5b获悉。在所述的实施例中，基底27对辐射34(43)式透明的。尽管这里的解释是针对与图2所示光学组件类似的光学组件21，但是本领域的技术人员会明白所述的实施例也可以在基本不背离本发明范畴的前提下与图3中所示的光学组件24结合应用。

图5a和5b示出对由2.5nm Mo和4.4nm Si构成的双层40所计算的透射值。如图5a和5b中的曲线A所示，在这个范围左右的辐射相对容易通过叠层。所述透射受到多层叠层上的1nm厚的污染碳层的影响(曲线B)。光刻投影装置中存在公知的污染粒子，例如，碳氢化合物分子和水蒸气。这些污染粒子可包含从该基底飞溅出去的碎屑和副产品，例如由EUV辐射光束带来的。所述的粒子也可以包括来自EUV光源的碎屑，激励器，管道电缆等释放的污染物。由于光刻投影装置的一些部件，例如辐射***和投影***，通常要至少部分地抽空，因此这些污染粒子往往会迁移到这些区域。这样，这些粒子吸附于这些区域中的光学组件的表面。这种光学组件的污染导致了反射率的损失，这会不利地影响到该装置的精确性和效率，并且这种污染也会损坏该组件的表面，由此缩短了它们的使用寿命。尽管从图5a中不能清楚地看出(由于与图的尺寸相比较该差别是微小的)，但是该透射通常是不同的，即没有1nm的碳层时更大，有1nm碳层时更小。比率(具有1nm碳层的透射-不具有1nm碳层的透射)/(不具有1nm碳层的透射)可在+1％和-3％之间变化。所述比率在图6中示出。通过检测穿过该多层叠层的辐射可以获得该叠层上强度/剂量和或污染情况。换句话说：如果某人测量穿过该多层的辐射透射，就可以获得碳污染量的情况。辐射的透射取决于波长。

本发明的具体实施例已经在上面描述了，应该理解的是本发明还可以以除了上述以外的方式来实施。例如，在图4中提到的，该光学组件21也可以具有基底27和荧光层25。所描述地并不意在限制本发明。

Claims (14)

1.检测器装置，包括检测器(31)和测量***(33)，所述检测器(31)设置为根据入射到所述检测器(31)上的第一类型辐射(39)来提供测量信号给所述检测***(33)，所述检测器设置在光学组件(24)的附近，其特征在于所述光学组件(24)至少包括

-光学层(22)，当所述的检测器组件在使用时，用于接收一定量的第二类型辐射(35)，使所述第二类型辐射(35)的所述量的一部分(41)穿过所述光学层(22)，

-涂层(25)，所述部分(41)照射其上，所述涂层(25)将所述部分(41)的至少一部分转换成所述的第一类型辐射(39)，

和

-基底(27)，对所述第一类型的辐射(39)基本上透明，所述测量装置设置为从所述测量信号获得第二类型辐射(35)的所述一定剂量，所述第二辐射量的强度和所述光学层的污染量(22)中的至少一种。

2.根据权利要求1的检测器装置，其特征在于所述层(25)包括主晶格和至少一离子。

3.根据权利要求2的检测器装置，其特征在于所述主晶格包括硫化钙CaS、硫化锌ZnS和钇铝石榴石YAG中的至少一种，所述离子包括Ce³⁺、Ag⁺和Al³⁺中的至少一种。

4.根据前述权利要求中的任一项的检测器装置，其特征在于所述检测器(31)包括CCD照相机、CMOS传感器和光电二极管阵列中的至少一种。

5.根据前述权利要求中的任一项的检测器装置，其特征在于所述光学组件(24)包括多层叠层。

6.根据前述权利要求中的任一项的检测器装置，其特征在于所述多层叠层包括至少一种硅(Si)层和至少一种钼(Mo)层。

7.测量装置(29)，至少包括根据前述权利要求中的任一项的检测器装置以及设置在所述检测器(31)附近的光学组件(24)。

8.根据权利要求1-6中的任一项的检测器装置或者根据权利要求7的测量装置(29)，其特征在于所述的第二类型辐射包括EUV和IR辐射中的至少一种。

9.用于测定光学组件(21)的光学层(22)污染量的测量装置，包括辐射源(40)，设置为在使用中，提供朝所述光学组件(21)的测量光束(43)；检测器(31)，设置为在所述测量光束(43)穿过所述光学组件(21)后用于接收所述测量光束(43)的至少一部分(34)；以及测量***(33)，其连接到所述检测器(31)上用以接收测量信号，其特征在于该测量***(33)设置为根据所述测量信号来测定所述光学层(22)的污染量。

10.根据权利要求9的测量装置，其特征在于所述辐射源设置为提供所述测量光束具有电磁光谱的红外(IR)部分和紫外(UV)部分中的至少一种波长。

11.光刻装置，包括：

-照明***，用于提供辐射的投影光束；

-支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于传输其横截面上具有图案的投影光束；

-基底台，用于保持基底；和

-投影***，用于将图案化的光束投影到该基底的靶部，

其特征在于该光刻投影装置包括根据权利要求7-10任一项的测量装置(29)。

12.用于测定辐射(35)量、辐射(35)强度和光学层(22)的污染量中的至少一种的方法，包括：

-提供检测器装置，其包括检测器(31)和测量***(33)，所述检测器(31)设置为根据入射到所述检测器(31)上的辐射(39；41；34)将测量信号提供到所述检测***(33)上，

其特征在于

-提供所述检测器(31)在光学组件(21；24)后面，所述的光学组件(21；24)包括所述光学层(22)，当所述检测装置在使用时，用以接收所述辐射(35；43)，所述辐射(35；43)的一部分穿过所述光学层(22)以及

-标定所述测量***，以便根据所述辐射(39；41；34)得出关于所述辐射(35)量，所述辐射(35)强度和所述光学层(22)的污染量中至少一种的测量信号。

13.一种装置的制造方法，包括步骤：

-提供基底；

-用照明***提供辐射投影光束；

-使用构图部件来传输横截面具有图案的投影光束；和

-将图案化的辐射光束投影在基底的靶部上，

其特征在于

使用如权利要求8的光刻装置。

14.检测器装置，包括光电二极管和测量***(33)，设置所述光电二极管以便提供测量信号到所述测量***(33)，所述光电二极管设置在光电组件(21；24)后面，所述光电组件(21；24)包括光学层(22)，以便在使用中，接收一定量的辐射，其特征在于所述测量信号与所述光学层(22)的污染量相关。

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